一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法和裝置制造方法
【專利摘要】一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法和裝置，屬于半導(dǎo)體器件電學(xué)和熱學(xué)測量【技術(shù)領(lǐng)域】。所述方法包括：快速拉升半導(dǎo)體器件環(huán)境溫度，并隨時(shí)間快速線性上升。同時(shí)采集線性升高的環(huán)境溫度和器件溫敏參數(shù)值隨時(shí)間變化。當(dāng)測量溫度隨時(shí)間的線性變化率，以及溫敏參數(shù)隨溫度變化率，即可得到溫敏參數(shù)隨溫度的變化系數(shù)。所述裝置包括：溫度系數(shù)測試儀、溫度控制平臺和被測半導(dǎo)體器件。本發(fā)明采用動(dòng)態(tài)法測量半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)，改變環(huán)境溫度的同時(shí)采集相應(yīng)溫敏參數(shù)。該方法測量速度快，精度高，重復(fù)性好，極大地提高了半導(dǎo)體器件熱性能的測量效率。
【專利說明】一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法和裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
:
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件電學(xué)和熱學(xué)測量【技術(shù)領(lǐng)域】。具體涉及一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法和裝置，實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確測量半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)。

【背景技術(shù)】
:
[0002]隨著電子設(shè)備元器件集成度不斷增加，熱流密度迅速上升，而半導(dǎo)體器件性能受結(jié)溫影響極大。器件的溫升效應(yīng)會(huì)降低系統(tǒng)工作效率，縮短壽命并影響器件多項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)。因此，快速、準(zhǔn)確測量半導(dǎo)體器件結(jié)溫和熱阻就顯得十分必要。在各種測量技術(shù)中，利用半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)與溫度線性關(guān)系的電學(xué)法是廣泛使用的技術(shù)。因此，準(zhǔn)確測量器件電學(xué)參數(shù)的溫度系數(shù)是獲取結(jié)溫和熱阻的首要前提，同時(shí)，快速測量半導(dǎo)體器件參數(shù)隨溫度變化特性也是行業(yè)急需的技術(shù)問題，可以大大提高測試效率。
[0003]目前測量溫度系數(shù)的方法為穩(wěn)態(tài)法，即在器件多次達(dá)到熱穩(wěn)定后，測量對應(yīng)參數(shù)確定器件溫度系數(shù)。它的特點(diǎn)是測量時(shí)間長，通常溫度達(dá)到設(shè)定值后，仍需恒溫10到15分鐘，測量一種器件需要至少3個(gè)溫度點(diǎn)，總耗時(shí)約50分鐘，測量效率低，非常不利于快速測量的需求。
[0004]本發(fā)明采用動(dòng)態(tài)法測量，通過設(shè)定溫度線性拉升過程，并測量溫敏參數(shù)隨時(shí)間的變化率，從而快速獲取溫敏參數(shù)的溫度系數(shù)。其周期短，重復(fù)性好，精度高，適用于半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)的快速測量，提高測試效率以及測試精度。


【發(fā)明內(nèi)容】

:
[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的主要發(fā)明點(diǎn)是:提供一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法和裝置，實(shí)現(xiàn)快速獲取溫敏參數(shù)隨溫度變化的溫度系數(shù)。測量周期短、重復(fù)性好、精度高，可以方便、快捷地測量半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)，較現(xiàn)有技術(shù)有著明顯的先進(jìn)性。
[0006]一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法，其特征在于，所述方法包括:
[0007]將被測半導(dǎo)體器件置于測試平臺上，，設(shè)置測試平臺溫度隨時(shí)間線性上升；上升速度范圍為 200C /min 到 120。。/min ；
[0008]測量測試平臺溫度隨時(shí)間的線性變化率，測量溫敏參數(shù)隨時(shí)間的變化率；根據(jù)測得的所述溫敏參數(shù)和測試平臺溫度隨時(shí)間的線性變化率計(jì)算所述電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)，即電學(xué)參數(shù)隨著溫度變化而變化的速率。
[0009]進(jìn)一步，所述溫敏參數(shù)包括半導(dǎo)體的電壓、電流、電阻或波長隨溫度變化而變化的參數(shù)。當(dāng)溫敏參數(shù)包括半導(dǎo)體的電壓、電流、電阻或波長時(shí)，溫敏參數(shù)隨時(shí)間的線性變化率測量除以測試平臺溫度隨時(shí)間的線性變化率。
[0010]用于所述方法的裝置，其特征在于，
[0011]本裝置主體包括有:溫度系數(shù)測試儀、溫度控制器和被測半導(dǎo)體器件；
[0012]所述溫度系數(shù)測試儀包括計(jì)算機(jī)、采集卡和激勵(lì)源，為所述被測半導(dǎo)體器件提供激勵(lì)信號，測試平臺溫度值和溫敏參數(shù)由采集卡采集；
[0013]所述溫度控制器由半導(dǎo)體制冷片、制冷片驅(qū)動(dòng)控制器、溫度傳感器、熱交換器和測試平臺組成；
[0014]將被測半導(dǎo)體器件置于測試平臺上，并與激勵(lì)源連接；測試平臺與溫度傳感器連接；半導(dǎo)體制冷片一面與測試平臺緊密接觸，另一面與熱交換器緊密接觸，并由制冷片驅(qū)動(dòng)控制器控制；采集卡連接激勵(lì)源和溫度傳感器；計(jì)算機(jī)連接并控制激勵(lì)源、采集卡和制冷片驅(qū)動(dòng)控制器。
[0015]進(jìn)一步，當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電壓時(shí)，激勵(lì)源為電流源，大小為Ι-lOmA，采集卡采集半導(dǎo)體電壓值；
[0016]當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電阻時(shí)，激勵(lì)源為電流源，大小為Ι-lOmA，采集卡采集半導(dǎo)體電阻值。
[0017]進(jìn)一步，所述溫度控制器溫控范圍為20°C到100°C，帶被測器件負(fù)載情況下，保證恒溫平臺溫度隨時(shí)間線性上升。
[0018]進(jìn)一步，所述測試平臺由導(dǎo)熱系數(shù)大于200W/m.K的高導(dǎo)熱材料制成。
[0019]進(jìn)一步，所述被測半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體整流器、晶體管、半導(dǎo)體光電池、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體微波功率源及半導(dǎo)體集成電路具有溫度系數(shù)的半導(dǎo)體器件。
[0020]本發(fā)明的具體技術(shù)方案是:
[0021]1.將被測器件300放置在溫度線性變化的恒溫平臺203上；
[0022]2.設(shè)置恒溫平臺203的溫度隨時(shí)間線性變化；被測器件300溫敏參數(shù)隨環(huán)境溫度線性變化時(shí)，采集溫敏參數(shù)隨時(shí)間變化，及恒溫平臺溫度隨時(shí)間的線性變化過程；
[0023]設(shè)溫敏參數(shù)隨環(huán)境溫度線性變化關(guān)系:
[0024]Vt = A+ β T
[0025]其中，Vt為溫敏參數(shù),A為常數(shù)，β為溫度系數(shù)，T為環(huán)境溫度；
[0026]設(shè)定的環(huán)境溫度隨時(shí)間線性變化關(guān)系:
[0027]T (t) = C+ a t
[0028]dT = a dt
[0029]其中，T(t)為隨時(shí)間線性變化的環(huán)境溫度，C為常數(shù)，α為環(huán)境溫度隨時(shí)間的線性上升速率，t為時(shí)間；
[0030]溫敏參數(shù)Vt隨溫度的變化率β，
[0031]β = dVT/dT = dVT/ ( a dt) = I/ α.dVT/dt
[0032]S卩，溫敏參數(shù)的溫度系數(shù)β，是溫敏參數(shù)隨時(shí)間的變化率除以恒溫平臺的溫度線性速率；弱溫敏參數(shù)隨時(shí)間變化是線性，則溫度系數(shù)即為:溫敏參數(shù)的變化率除以溫度變化率；
[0033]若溫敏參數(shù)隨溫度變化不是線性，原理相同。此時(shí)dVT/dt不再是線性。
[0034]測量的過程包括:
[0035]設(shè)置測試平臺203溫度隨時(shí)間線性上升；
[0036]測量環(huán)境溫度隨時(shí)間變化值，溫度的變化過程中，上升開始和結(jié)束部分會(huì)出現(xiàn)拐點(diǎn)現(xiàn)象，刨除這兩部分外，其它過程為溫度線性變化區(qū)域，對采集的溫度線性部分的斜率即為所述的環(huán)境溫度的線性變化率α ;
[0037]3.測量溫敏參數(shù)隨溫度變化的線性速率，以溫敏參數(shù)隨溫度為線性變化為例，此時(shí)，上升開始和結(jié)束部分也會(huì)出現(xiàn)拐點(diǎn)現(xiàn)象，
[0038]刨除環(huán)境溫度拐點(diǎn)部分，若溫敏參數(shù)隨溫度是線性關(guān)系，其它隨溫度變化的直線部分斜率就是dVT/dt，這樣溫敏參數(shù)的溫度系數(shù):β = 1/α * dVT/dt
[0039]上述溫敏參數(shù)包括電壓、電流、電阻、波長等半導(dǎo)體隨溫度變化而變化的參數(shù)。
[0040]4.本發(fā)明提供了一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的裝置，本裝置主體包括有:溫度系數(shù)測試儀100、溫度控制器200和被測半導(dǎo)體器件300 ；
[0041]上述溫度系數(shù)測試儀100由計(jì)算機(jī)101、采集卡103和激勵(lì)源102組成，為上述被測半導(dǎo)體器件300提供測試電流，環(huán)境溫度值和溫敏參數(shù)由采集卡103采集；
[0042]上述溫度控制器200由半導(dǎo)體制冷片204、制冷片驅(qū)動(dòng)控制器202、溫度傳感器201、熱交換器205和測試平臺203組成；
[0043]將被測半導(dǎo)體器件300置于測試平臺203上，并與激勵(lì)源102連接；測試平臺203與溫度傳感器201連接；半導(dǎo)體制冷片204 —面與測試平臺203緊密接觸，另一面與熱交換器205緊密接觸，并由制冷片驅(qū)動(dòng)控制器202控制；采集卡103連接激勵(lì)源102和溫度傳感器201 ;計(jì)算機(jī)101連接并控制激勵(lì)源102、采集卡103和制冷片驅(qū)動(dòng)控制器202。
[0044]當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電壓時(shí)，激勵(lì)源102為電流源，大小為1mA，采集卡采集半導(dǎo)體電壓值；當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電流時(shí)，激勵(lì)源102為電壓源，大小為器件閾值電壓，采集卡采集半導(dǎo)體電流值；當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電阻時(shí)，激勵(lì)源102為電流源，大小為1mA，采集卡采集半導(dǎo)體電阻值；當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為波長時(shí)，激勵(lì)源102為電流源，大小為1mA，采集卡采集半導(dǎo)體發(fā)射的波長值。
[0045]上述溫度控制器溫控范圍為20°C到100°C，帶被測器件負(fù)載情況下，保證恒溫平臺溫度隨時(shí)間線性上升，拉升速度范圍為20°C /min到120°C /min。
[0046]上述溫度傳感器201溫度采樣精度不低于0.1°C，采樣速度不低于環(huán)境溫度拉升速度。一般100微秒至少采集一次，一般設(shè)置10微秒至少采集一次。
[0047]上述采集卡103采樣速度高于環(huán)境溫度溫升速度10倍以上，即環(huán)境溫度每升高l°c，至少采集10次數(shù)值。
[0048]上述測試平臺由導(dǎo)熱系數(shù)大于200W/m.Κ的高導(dǎo)熱材料制成，包括銅、鋁、石墨烯。與半導(dǎo)體制冷片204之間涂有導(dǎo)熱硅脂，測試平臺203溫度即為被測半導(dǎo)體器件300環(huán)境溫度;
[0049]利用壓鉗等壓力裝置使被測半導(dǎo)體器件300管殼與測試平臺203緊密接觸；
[0050]測試平臺203溫度由半導(dǎo)體制冷片204控制，其溫度值由溫度傳感器201輸出至采集卡103。
[0051]上述熱交換器205為半導(dǎo)體制冷片204提供熱量交換，可為水冷恒溫平臺或風(fēng)冷平臺，與半導(dǎo)體制冷片204之間涂有導(dǎo)熱硅脂。
[0052]上述被測半導(dǎo)體器件300包括半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體整流器、晶體管、半導(dǎo)體光電池、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體微波功率源及半導(dǎo)體集成電路等具有溫度系數(shù)的半導(dǎo)體器件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0053]圖1是動(dòng)態(tài)測量半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]其中——100:溫度系數(shù)測試儀；101:計(jì)算機(jī)；102:測試電流源；103:采集卡；200:溫度控制器；201:溫度傳感器；202:制冷片驅(qū)動(dòng)控制器；203:測試平臺；204:半導(dǎo)體制冷片；205:熱交換器；300:被測半導(dǎo)體器件；
[0055]圖2是【具體實(shí)施方式】中環(huán)境溫度與時(shí)間的關(guān)系圖；
[0056]圖3是【具體實(shí)施方式】中正向結(jié)電壓與時(shí)間的關(guān)系圖；
[0057]圖4是【具體實(shí)施方式】中正向結(jié)電壓與環(huán)境溫度的關(guān)系圖；

【具體實(shí)施方式】
:
[0058]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0059]選用Infineon公司生產(chǎn)的肖特基碳化硅二極管SDP06S60作為被測半導(dǎo)體器件300，使用本專利測試其溫度系數(shù)，該器件溫敏參數(shù)為正向結(jié)電壓。
[0060]本裝置主體包括有:溫度系數(shù)測試儀100、溫度控制器200和被測半導(dǎo)體器件300 ；
[0061]上述溫度系數(shù)測試儀100由計(jì)算機(jī)101、采集卡103和測試電流源102組成，為上述被測半導(dǎo)體器件300提供測試電流，環(huán)境溫度值和正向結(jié)電壓由采集卡103采集；
[0062]溫度控制器200由半導(dǎo)體制冷片204、制冷片驅(qū)動(dòng)控制器202、溫度傳感器201、熱交換器205和測試平臺203組成；
[0063]溫度控制器200溫控范圍為20°C到120°C，精度為±0.1°C，帶被測半導(dǎo)體器件300負(fù)載情況下，保證溫度拉升速度的線性關(guān)系。
[0064]測試平臺203由紫銅材料(導(dǎo)熱系數(shù)401W/m -K)制成，與半導(dǎo)體制冷片204之間涂有導(dǎo)熱硅脂，測試平臺203溫度即為被測半導(dǎo)體器件300環(huán)境溫度；
[0065]溫度傳感器201溫度采樣精度為±0.05°C，溫度數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)傳送至采集卡103。
[0066]使用水冷恒溫平臺作為熱交換器205為半導(dǎo)體制冷片204提供熱量交換，與半導(dǎo)體制冷片204之間涂有導(dǎo)熱硅脂。
[0067]測試電流源102為被測半導(dǎo)體器件300提供精密小電流，電流大小采用1mA，精度為10uA，由于測試電流較小，被測半導(dǎo)體器件300自溫升可忽略；被測半導(dǎo)體器件300正向結(jié)電壓由采集卡103采集。采集卡103采樣速度為100次/秒。
[0068]測試前，將被測半導(dǎo)體器件300管殼涂抹導(dǎo)熱硅脂置于測試平臺203上，利用快速壓鉗使二者緊密接觸。半導(dǎo)體制冷片203置于測試平臺下方并緊密接觸，制冷片驅(qū)動(dòng)器202為其提供功率，熱交換器205為其熱量交換，保證半導(dǎo)體制冷片203正常工作；半導(dǎo)體制冷片203兩側(cè)接觸面涂有導(dǎo)熱硅脂，提高熱傳導(dǎo)率。
[0069]測量時(shí)，利用計(jì)算機(jī)101調(diào)節(jié)溫度控制器200使測試平臺203溫度恒定為Tl =200C ;測試電流源102為被測半導(dǎo)體器件300提供小電流1mA，；溫度和正向結(jié)電壓由采集卡103采集至計(jì)算機(jī)101 ；
[0070]利用計(jì)算機(jī)101調(diào)節(jié)溫度控制器200，使測試平臺203溫度隨時(shí)間快速線性上升到T2 = 120°C，拉升速度約30°C /min，采集卡103同時(shí)采集恒溫平臺溫度值和相應(yīng)器件正向結(jié)電壓值，并送至計(jì)算機(jī)101進(jìn)行處理；
[0071]環(huán)境溫度上升的開始和結(jié)束部分存在拐點(diǎn)現(xiàn)象，刨除拐點(diǎn)部分和其他非線性部分溫度值后，計(jì)算環(huán)境溫度與時(shí)間線性關(guān)系的直線斜率，得到所述環(huán)境溫度隨時(shí)間的線性上升速率；測量溫度值對應(yīng)的溫敏參數(shù)，得到溫敏參數(shù)隨溫度變化的線性速率；測量溫度值對應(yīng)的溫敏參數(shù)，得到溫敏參數(shù)隨時(shí)間變化的線性速率。
[0072]根據(jù)以下公式計(jì)算所述被測半導(dǎo)體器件300的溫度系數(shù):
[0073]設(shè)溫敏參數(shù)隨環(huán)境溫度線性變化關(guān)系:
[0074]Vt = A+ β T
[0075]其中，Vt為溫敏參數(shù),A為常數(shù)，β為溫度系數(shù)，T為環(huán)境溫度；
[0076]設(shè)定的環(huán)境溫度隨時(shí)間線性變化關(guān)系:
[0077]T (t) = C+ a t
[0078]dT = a dt
[0079]其中，T(t)為隨時(shí)間線性變化的環(huán)境溫度，C為常數(shù)，α為環(huán)境溫度隨時(shí)間的線性上升速率，t為加熱時(shí)間；
[0080]則溫度系數(shù)可表示為溫敏參數(shù)隨溫度的線性變化率，也可表示為溫敏參數(shù)隨時(shí)間變化的線性速率除以溫度的線性升溫速率:
[0081]β = dV/dT = dV/ ( a dt) = I/ α.dV/dt
[0082]環(huán)境溫度與時(shí)間的關(guān)系如附圖2所示。從圖中可以看出，溫度拉升過程中，實(shí)線部分為環(huán)境溫度隨時(shí)間線性變化，虛線部分為需要被刨除的拐點(diǎn)部分，實(shí)線部分的斜率即環(huán)境溫度隨時(shí)間的線性變化關(guān)系:
[0083]a = dT/dt = 0.54K/s
[0084]器件正向結(jié)電壓與加熱時(shí)間的關(guān)系如附圖3所示。從圖中可以看出，溫度拉升過程中，實(shí)線部分為正向結(jié)電壓隨時(shí)間線性變化，虛線部分為需要被刨除的拐點(diǎn)部分，實(shí)線部分的斜率即正向結(jié)電壓隨時(shí)間的線性變化關(guān)系:
[0085]dV/dt = -0.98mV/s
[0086]由以上兩個(gè)斜率，即溫敏參數(shù)隨時(shí)間變化的線性速率除以溫度的線性升溫速率可以計(jì)算得出:
[0087]溫度系數(shù)β = 1/α.dV/dt = -1.76mV/K
[0088]器件正向結(jié)電壓與環(huán)境溫度的關(guān)系如附圖4所示。從圖中也可以看出，電壓隨溫度呈線性變化，其斜率即
[0089]溫度系數(shù)β = dV/dT = -1.76mV/K,
[0090]本專利測量溫度系數(shù)總耗時(shí)為200秒(約3.5分鐘)。如果采用穩(wěn)態(tài)法測量該器件溫度系數(shù)，環(huán)境溫度從20°C起，溫升間隔10°C，每次到達(dá)溫度點(diǎn)后恒溫10分鐘采集一次結(jié)電壓值，測量10個(gè)溫度點(diǎn)的結(jié)電壓后，溫度達(dá)到120°C，溫度系數(shù)測量結(jié)果為-1.77mV/K，共耗時(shí)100分鐘?？梢悦黠@看出，本專利采用的動(dòng)態(tài)法與傳統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)法測量結(jié)果基本一致，誤差僅為0.56% ;而測量耗時(shí)本專利僅為傳統(tǒng)方法的3.5%，本專利有著明顯的先進(jìn)性。
[0091]本發(fā)明采用動(dòng)態(tài)法測量半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)，改變環(huán)境溫度的同時(shí)采集相應(yīng)正向結(jié)電壓，測量周期短，重復(fù)性好，精度高，適用于半導(dǎo)體器件溫度系數(shù)的快速測量。
【權(quán)利要求】
1.一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的方法，其特征在于: 將被測半導(dǎo)體器件置于測試平臺上，設(shè)置測試平臺溫度隨時(shí)間線性上升；上升速度范圍為 20°C /min 到 120。。/min ； 測量測試平臺溫度隨時(shí)間的線性變化率，測量溫敏參數(shù)隨時(shí)間的變化率；根據(jù)測得的所述溫敏參數(shù)和測試平臺溫度隨時(shí)間的線性變化率計(jì)算所述電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)，即電學(xué)參數(shù)隨著溫度變化而變化的速率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 所述溫敏參數(shù)包括半導(dǎo)體的電壓、電流、電阻或波長隨溫度變化而變化的參數(shù)。
3.用于權(quán)利要求1所述方法的裝置，其特征在于， 本裝置主體包括有:溫度系數(shù)測試儀、溫度控制器和被測半導(dǎo)體器件； 所述溫度系數(shù)測試儀包括計(jì)算機(jī)、采集卡和激勵(lì)源，為所述被測半導(dǎo)體器件提供激勵(lì)信號，測試平臺溫度值和溫敏參數(shù)由采集卡采集； 所述溫度控制器由半導(dǎo)體制冷片、制冷片驅(qū)動(dòng)控制器、溫度傳感器、熱交換器和測試平臺組成； 將被測半導(dǎo)體器件置于測試平臺上，并與激勵(lì)源連接；測試平臺與溫度傳感器連接；半導(dǎo)體制冷片一面與測試平臺緊密接觸，另一面與熱交換器緊密接觸，并由制冷片驅(qū)動(dòng)控制器控制；采集卡連接激勵(lì)源和溫度傳感器；計(jì)算機(jī)連接并控制激勵(lì)源、采集卡和制冷片驅(qū)動(dòng)控制器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的裝置，其特征在于: 當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電壓時(shí)，激勵(lì)源為電流源，大小為Ι-lOmA，采集卡采集半導(dǎo)體電壓值； 當(dāng)半導(dǎo)體溫敏參數(shù)為電阻時(shí)，激勵(lì)源為電流源，大小為Ι-lOmA，采集卡采集半導(dǎo)體電阻值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的裝 置，其特征在于: 所述溫度控制器溫控范圍為20°C到100°C，帶被測器件負(fù)載情況下，保證恒溫平臺溫度隨時(shí)間線性上升。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的裝置，其特征在于: 所述測試平臺由導(dǎo)熱系數(shù)大于200W/m.K的高導(dǎo)熱材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種快速測量半導(dǎo)體器件電學(xué)參數(shù)溫度變化系數(shù)的裝置，其特征在于: 所述被測半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體整流器、晶體管、半導(dǎo)體光電池、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體微波功率器件及半導(dǎo)體集成電路。
【文檔編號】G01R31/26GK104076265SQ201410266126
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年6月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月15日
【發(fā)明者】馮士維, 史冬, 楊軍偉, 柴偉 申請人:北京工業(yè)大學(xué)