小尺寸樣品層次去除方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種小尺寸樣品層次去除方法，包括：截取尺寸比小尺寸樣品大的芯片，用作底座芯片；將底座芯片放在加熱器上加熱，并且在底座芯片加熱后將熱熔膠涂在底座芯片上，隨后利用熱熔膠將多個(gè)小尺寸樣品相互對(duì)齊地粘結(jié)到底座芯片上，并使得所述多個(gè)小尺寸樣品表面平整；待底座芯片及小尺寸樣品冷卻后利用清洗劑清潔小尺寸樣品的表面；利用研磨盤將底座芯片的與多個(gè)小尺寸樣品相接觸的表面的尺寸研磨至與所述多個(gè)小尺寸樣品尺寸之和相同的大??；利用研磨盤對(duì)底座芯片的與多個(gè)小尺寸樣品相對(duì)的底面進(jìn)行減薄；將多個(gè)小尺寸樣品與底座芯片相對(duì)的表面研磨至目標(biāo)位置。
【專利說(shuō)明】小尺寸樣品層次去除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種小尺寸樣品層次去除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體失效分析過(guò)程中，當(dāng)要對(duì)特定點(diǎn)或特定結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析時(shí)，往往需要去層次到特定位置，且需要表面均勻平整。
[0003]當(dāng)對(duì)尺寸不大于的樣品進(jìn)行去層次分析時(shí)，由于樣品尺寸很小，在進(jìn)行手動(dòng)研磨時(shí)，不易把樣品控制在研磨盤上，在研磨過(guò)程中，經(jīng)常只能保持樣品沿著一個(gè)方向研磨，這樣無(wú)法保證樣品表面均勻度；如圖1所示，局部區(qū)域已經(jīng)露出有源區(qū)，有些還在金屬層；而且樣品表面會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的拉痕(如圖2所示)，這些不良因素對(duì)后續(xù)的分析工作造成影響，往往會(huì)影響失效分析的結(jié)果。
[0004]另一方面，由于樣品尺寸很小，手動(dòng)研磨時(shí)手很難控制住樣品，在研磨過(guò)程中樣品經(jīng)常會(huì)在研磨盤上翻轉(zhuǎn)，甚至飛出研磨盤，大大降低了工作效率，一旦樣品丟失直接導(dǎo)致研磨失敗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的小尺寸樣品在去層過(guò)程中不易控制、表面拉痕嚴(yán)重、研磨效率低等缺陷，提供一種小尺寸樣品層次去除方法，其能夠通過(guò)改進(jìn)制樣的方法，提高樣品研磨后表面的平整度和均勻度，進(jìn)而提高制樣成功率及工作效率。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種小尺寸樣品層次去除方法，其包括:截取尺寸比小尺寸樣品大的芯片，用作底座芯片；將底座芯片放在加熱器上加熱，并且在底座芯片加熱后將熱熔膠涂在底座芯片上，隨后利用熱熔膠將多個(gè)小尺寸樣品相互對(duì)齊地粘結(jié)到底座芯片上，并使得所述多個(gè)小尺寸樣品表面平整；待底座芯片及小尺寸樣品冷卻后利用清洗劑清潔小尺寸樣品的表面；利用研磨盤將底座芯片的與多個(gè)小尺寸樣品相接觸的表面的尺寸研磨至與所述多個(gè)小尺寸樣品尺寸之和相同的大?。焕醚心ケP對(duì)底座芯片的與多個(gè)小尺寸樣品相對(duì)的底面進(jìn)行減??；將多個(gè)小尺寸樣品與底座芯片相對(duì)的表面研磨至目標(biāo)位置。
[0007]優(yōu)選地，所述小尺寸樣品的尺寸不大于5mm*5mm。
[0008]優(yōu)選地，所述底座芯片的各個(gè)側(cè)邊的尺寸比小尺寸樣品的相應(yīng)側(cè)邊的尺寸大5-25倍。
[0009]優(yōu)選地，將底座芯片放在加熱器上加熱時(shí)的加熱溫度介于200°C?300°C之間。
[0010]優(yōu)選地，所述清洗劑是丙酮溶液。
[0011]優(yōu)選地，將多個(gè)小尺寸樣品與底座芯片相對(duì)的表面研磨至目標(biāo)位置的步驟是手動(dòng)完成的。[0012]使用本發(fā)明的方法進(jìn)行小尺寸樣品去層次，可以快速、均勻的去除層次，能夠確保停留在相應(yīng)的區(qū)域，改善了小尺寸樣品研磨過(guò)程中樣品翻轉(zhuǎn)、樣品研磨后均勻度差及表面拉痕嚴(yán)重等問(wèn)題，顯著提高了制樣的成功率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0014]圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的小尺寸樣品研磨后樣品表面不均勻的光學(xué)顯微鏡照片。
[0015]圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的小尺寸樣品研磨后樣品表面嚴(yán)重拉痕的電子顯微鏡照片。
[0016]圖3至圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品層次去除方法的各個(gè)步驟。
[0017]圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品研磨后樣品表面均勻的光學(xué)顯微鏡照片。
[0018]圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品研磨后樣品表面均勻、無(wú)拉痕的電子顯微鏡照片。
[0019]需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0021]圖3至圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品層次去除方法的各個(gè)步驟。
[0022]如圖3至圖6所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品層次去除方法包括:
[0023]第一步驟:首先截取尺寸比小尺寸樣品大的芯片，用作底座芯片100 ;優(yōu)選地，所述底座芯片100的各個(gè)側(cè)邊的尺寸比小尺寸樣品的相應(yīng)側(cè)邊的尺寸大5-25倍。
[0024]例如，可采用手動(dòng)裂片的方法截取芯片；例如芯片的尺寸為lcm*lcm，小尺寸樣品的尺寸不大于5mm*5mm。
[0025]第二步驟:將底座芯片100放在加熱器上加熱；其中，加熱溫度一般優(yōu)選地為200°C?300°C ;并且在底座芯片100加熱后將熱熔膠涂在底座芯片上，隨后利用熱熔膠將多個(gè)小尺寸樣品200 (如圖3所示)相互對(duì)齊地粘結(jié)到底座芯片100上，并保證所述多個(gè)小尺寸樣品200表面平整；
[0026]第三步驟:待底座芯片100及小尺寸樣品200冷卻后取少量清洗劑(例如丙酮溶液)清潔小尺寸樣品200的表面；
[0027]第四步驟:利用例如金剛石研磨盤將底座芯片100的與多個(gè)小尺寸樣品200相接觸的表面的尺寸研磨至與所述多個(gè)小尺寸樣品200尺寸之和相同的大小，如圖4所示；
[0028]第五步驟:利用例如金剛石研磨盤對(duì)底座芯片100的與多個(gè)小尺寸樣品200相對(duì)的側(cè)邊進(jìn)行減薄，如圖5所示；
[0029]第六步驟:可手動(dòng)地例如利用金剛石將多個(gè)小尺寸樣品200與底座芯片100相對(duì)的表面(正面)研磨至目標(biāo)位置300,如圖6所示。
[0030]圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品研磨后樣品表面均勻、無(wú)拉痕的光學(xué)顯微鏡照片；圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的小尺寸樣品研磨后樣品表面均勻、無(wú)拉痕的電子顯微鏡照片。
[0031]如圖7和圖8所示，其中采用的樣品大小為5mm*3mm(L*W)，樣品結(jié)構(gòu)是一條長(zhǎng)度達(dá)幾百微米的金屬線，在制樣時(shí)需要研磨保證金屬不暴露出來(lái)，以防破壞結(jié)構(gòu)的形貌，而且需要保證金屬上方絕緣介質(zhì)層均勻度，以方便掃描電子顯微鏡SEM觀察。從圖7和圖8可以看出，利用本發(fā)明方法對(duì)樣品研磨后均勻度好，表面沒(méi)有拉痕。
[0032]由此，使用本發(fā)明的方法進(jìn)行小尺寸樣品去層次，可以快速、均勻的去除層次，能夠確保停留在相應(yīng)的區(qū)域，改善了小尺寸樣品研磨過(guò)程中樣品翻轉(zhuǎn)、樣品研磨后均勻度差及表面拉痕嚴(yán)重等問(wèn)題，顯著提高了制樣的成功率。
[0033]需要說(shuō)明的是，上述方法可用于但不僅限于小尺寸樣品去層次分析。
[0034]此外，需要說(shuō)明的是，除非特別說(shuō)明或者指出，否則說(shuō)明書中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0035]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種小尺寸樣品層次去除方法，其特征在于包括: 截取尺寸比小尺寸樣品大的芯片，用作底座芯片； 將底座芯片放在加熱器上加熱，并且在底座芯片加熱后將熱熔膠涂在底座芯片上，隨后利用熱熔膠將多個(gè)小尺寸樣品相互對(duì)齊地粘結(jié)到底座芯片上，并使得所述多個(gè)小尺寸樣品表面平整； 待底座芯片及小尺寸樣品冷卻后利用清洗劑清潔小尺寸樣品的表面； 利用研磨盤將底座芯片的與多個(gè)小尺寸樣品相接觸的表面的尺寸研磨至與所述多個(gè)小尺寸樣品尺寸之和相同的大??； 利用研磨盤對(duì)底座芯片的與多個(gè)小尺寸樣品相對(duì)的底面進(jìn)行減??； 將多個(gè)小尺寸樣品與底座芯片相對(duì)的表面研磨至目標(biāo)位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸樣品層次去除方法，其特征在于，所述小尺寸樣品的尺寸不大于5mm*5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的小尺寸樣品層次去除方法，其特征在于，所述底座芯片的各個(gè)側(cè)邊的尺寸比小尺寸樣品的相應(yīng)側(cè)邊的尺寸大5-25倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的小尺寸樣品層次去除方法，其特征在于，將底座芯片放在加熱器上加熱時(shí)的加熱溫度介于200°C?300°C之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的小尺寸樣品層次去除方法，其特征在于，所述清洗劑是丙酮溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的小尺寸樣品層次去除方法，其特征在于，將多個(gè)小尺寸樣品與底座芯片相對(duì)的表面研磨至目標(biāo)位置的步驟是手動(dòng)完成的。
【文檔編號(hào)】G01N1/34GK103994910SQ201410254088
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月9日
【發(fā)明者】劉迪 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司