磁傳感器測試裝置和方法
【專利摘要】提供一種磁傳感器測試裝置和磁傳感器測試方法。該磁傳感器測試裝置包括被配置成產(chǎn)生磁場的垂直線圈和至少一個外圍線圈。磁傳感器測試裝置和方法可以測試半導體晶片上的磁傳感器。
【專利說明】磁傳感器測試裝置和方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請根據(jù)35USC119 Ca)主張2013年8月8日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2013-0094134號的權(quán)利，在此引入其全部公開內(nèi)容作為參考以用于所有目的。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]以下描述涉及一種用于測試磁傳感器的磁傳感器測試裝置和方法。

【背景技術(shù)】
[0004]晶片可以與包括多個芯片的半導體襯底相對應(yīng)，并且多個芯片可以與磁傳感器相對應(yīng)。通常，磁傳感器將多個芯片中的每個芯片分開，從而遵循封裝過程，并且在封裝之后可以測試每個磁傳感器。
[0005]磁傳感器的相關(guān)技術(shù)在美國申請第2013-0009659號中公開。美國申請第2013-0009659號可以在探針卡中的多軸處配備線圈，以測試封裝狀態(tài)中的磁傳感器。
[0006]通常，在封裝過程期間或之后，當磁傳感器被確定為異常傳感器時，用于重制正常磁傳感器的成本和時間增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
以簡化形式介紹構(gòu)思的選擇，所述構(gòu)思會在下面的【具體實施方式】中進一步描述。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不旨在標識所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或本質(zhì)特征，也不旨在被用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。
[0008]在一個一般方面中，磁傳感器測試裝置包括:磁傳感器；垂直線圈；以及至少一個外圍線圈。
[0009]所述磁傳感器測試裝置可以包括:包括磁傳感器的晶片；以及探針卡，并且所述垂直線圈可以被安排在所述晶片之上并且所述至少一個外圍線圈可以被對稱地安排在所述垂直線圈周圍。
[0010]所述至少一個外圍線圈可以被配置成在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場。
[0011 ] 所述至少一個外圍線圈可以被安排成與所述晶片的表面成銳角。
[0012]所述至少一個外圍線圈可以包括四個線圈。
[0013]所述銳角可以小于90度。
[0014]所述四個線圈可以包括:安排在第一軸方向中的一對第一線圈；以及安排在第二軸方向中的一對第二線圈，所述第二軸方向垂直于所述第一軸方向。
[0015]所述磁傳感器測試裝置可以包括被配置成檢測從所述磁傳感器輸出的測試信號的多個探針頂端。
[0016]所述至少一個外圍線圈可以與所述垂直線圈隔開一定距離。
[0017]在另一個一般方面中，一種磁傳感器測試方法包括:在垂直方向中產(chǎn)生磁場；以及在水平方向中產(chǎn)生磁場。
[0018]所述磁傳感器測試方法可以應(yīng)用于包括多個磁傳感器的晶片；在垂直方向中產(chǎn)生磁場可以包括在所述晶片的垂直方向中產(chǎn)生磁場；以及在水平方向中產(chǎn)生磁場可以包括在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場。
[0019]在垂直方向中產(chǎn)生磁場可以包括將電流施加到垂直線圈以測試磁場的垂直分量的強度。
[0020]在水平方向中產(chǎn)生磁場可以包括將電流施加到所述第一和第二線圈對以測試磁場的水平分量的強度，該第一和第二線圈對被安排成與所述晶片的表面成銳角。
[0021]分別在垂直方向和水平方向中產(chǎn)生磁場可以包括測試所述多個磁傳感器是否正常工作。
[0022]在垂直方向中產(chǎn)生磁場和在水平方向中產(chǎn)生磁場的執(zhí)行順序可以互不相關(guān)。
[0023]在另一個一般方面中，一種磁傳感器測試裝置包括:探針；安排在所述探針的中心的垂直線圈；以及對稱地安排在所述垂直線圈周圍的兩個或更多個外圍線圈。
[0024]所述磁傳感器測試裝置可以包括含有磁傳感器的晶片。
[0025]所述兩個或更多個外圍線圈可以安排成與所述晶片的表面成銳角。
[0026]所述兩個或更多個外圍線圈可以是離所述垂直線圈等距安排的四個外圍線圈。
[0027]所述兩個或更多個外圍線圈可以安排成45度角且產(chǎn)生均勻磁場。
[0028]根據(jù)下面的詳細描述、附圖和權(quán)利要求，其他特征和方面將是明顯的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1示出了磁傳感器測試裝置的示例；
[0030]圖2示出了安排在磁傳感器測試裝置的探針卡中的多個線圈的示例；
[0031]圖3示出了在安排在磁傳感器測試裝置的探針卡中的線圈中產(chǎn)生的磁場的示例；
[0032]圖4示出了磁傳感器測試裝置中的磁傳感器測試過程的示例；
[0033]圖5A和5B示出了磁傳感器測試裝置的示例；
[0034]圖6示出了根據(jù)通過磁傳感器中心以外的磁傳感器測試裝置的第一和第二線圈而產(chǎn)生的角度的磁場強度的示例；
[0035]圖7示出了根據(jù)磁傳感器測試裝置中的第一和第二線圈的角度的、關(guān)于第一和第二軸的磁場均勻性的示例。
[0036]在整個附圖和詳細描述中，除非另有描述或提供，否則相同的附圖參考號碼應(yīng)當理解為指相同的元素、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、說明和方便，附圖可能未按比例，并且可能夸大了元素的相對尺寸、比例和描繪。

【具體實施方式】
[0037]提供以下詳細描述以幫助讀者獲得對本文所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，本文所描述的系統(tǒng)、裝置和/或方法的各種改變、修改和等價物對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。所描述的處理步驟和/或操作的進展是示例性的；然而，處理步驟和/或操作的順序不限于本文闡述的順序，而是可以如現(xiàn)有技術(shù)中已知的那樣來更改，除了必須以特定順序進行的步驟和/或操作之外。同樣，為了更加清楚和簡明，可以省略本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的功能和構(gòu)造描述。
[0038]本文所描述的特征可以以不同形式來體現(xiàn)，并且不應(yīng)當被看做是限于本文所描述的示例。相反，本文所描述的示例已經(jīng)被提供以使得本公開徹底和完整，并且將本公開的全部范圍傳達給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
[0039]圖1是示出了磁傳感器測試裝置的示例的剖面圖，并且圖2是示出了安排在圖1的磁傳感器測試裝置的探針卡中的多個線圈的示例的透視圖。
[0040]參照圖1和2，磁傳感器測試裝置100包括晶片10、探針卡20、至少一個外圍線圈110、垂直線圈120和多個探針定頂端130。
[0041]晶片10是包括磁傳感器的半導體薄板，并且可以在測試磁傳感器是否正常工作時被切割成特定大小。通過使用磁場來完成測試。根據(jù)安排在探針卡20中的垂直線圈120和至少一個外圍線圈110,來產(chǎn)生磁場。
[0042]探針卡20對應(yīng)于連接磁傳感器和用于測試半導體的工作(即測試磁傳感器的工作)的測試頭的設(shè)備。當探針頂端130接觸安排在晶片10上的磁傳感器時，探針卡20可以送電。在該示例中，根據(jù)通過送電而接收的反饋信號，探針卡20選擇異常磁傳感器。探針卡20包括PCB (印刷電路板)20-1、支撐單元20-2和至少一個外圍線圈110。在該示例中，PCB20-1可以安排在探針卡20的上側(cè)上，并且可以通過與PCB20-1的兩個下側(cè)相連接的支撐單元20-2來支撐至少一個外圍線圈110。支撐單元20-2可以實現(xiàn)為“L”型。
[0043]至少一個外圍線圈110安排在探針卡20中，并且對稱地安排在垂直線圈120周圍。
[0044]至少一個外圍線圈110在安排在晶片10上的磁傳感器的上側(cè)上產(chǎn)生磁場，并且在探針卡20中被安排成與晶片10的表面成銳角“a”。銳角“a”可以關(guān)于在磁傳感器的上側(cè)上產(chǎn)生的磁場而提高至少一個外圍線圈110的發(fā)送和接收的靈敏度。所述磁傳感器包括根據(jù)霍爾效應(yīng)而作出反應(yīng)的霍爾元件。
[0045]當至少一個外圍線圈110接收電流時，至少一個外圍線圈110產(chǎn)生磁場，并且至少一個外圍線圈110的兩端可以被分成N極和S極以產(chǎn)生磁場。在該示例中，磁場可以顯示為從N極指向S極的磁場磁力線的曲線，并且磁場磁力線可以被生成為不中斷且不彼此相交。
[0046]至少一個外圍線圈110可以以橢圓形而生成，并且可以在晶片10上產(chǎn)生水平方向的磁場。例如，至少一個外圍線圈I1可以包括二個或四個線圈。
[0047]至少一個外圍線圈110可以在水平方向的第一和第二軸方向中產(chǎn)生磁場，以關(guān)于第一和第二軸方向的磁場而順次地或同時地測試所述磁場傳感器是否正常工作。例如，第一軸可以與笛卡爾坐標系的X軸相對應(yīng)，而第二軸可以與笛卡爾坐標系的Y軸相對應(yīng)。
[0048]至少一個外圍線圈110可以被傾斜地安排成朝向晶片10成銳角“a”。換句話說，在晶片10的表面上，至少一個外圍線圈110可以不被安排成垂直或水平方向，而是可以安排成小于90°的傾斜。例如，至少一個外圍線圈110可以被安排成在線圈繞組方向和晶片10表面之間的小于90度的角。
[0049]當探針頂端130的一側(cè)接觸晶片10的磁傳感器時，至少一個外圍線圈110可以關(guān)于第一軸方向(即X軸)和第二軸方向(即Y軸)而產(chǎn)生磁場，以測試磁傳感器是否正常工作。例如,至少一個外圍線圈I1可以產(chǎn)生磁傳感器的第一和第二軸的均勻磁場。至少一個外圍線圈110可以順序地或同時地關(guān)于第一和第二軸中的每一個而產(chǎn)生磁場。
[0050]在示例中，至少一個外圍線圈110可以安排成與晶片10表面成小于90度的角。例如，至少一個外圍線圈110可以安排成45度角。因此，當至少一個外圍線圈110安排成45度角時，每個磁傳感器都可以通過至少一個外圍線圈110在晶片10中產(chǎn)生均勻的磁場強度。
[0051]至少一個外圍線圈110可以包括被安排成與水平平行面以70至110度角彼此相對的不止一個外圍線圈110。至少一個外圍線圈110可以被實現(xiàn)為彼此電連接的亥姆霍茲線圈。例如，亥姆霍茲線圈與兩個同軸線圈中的每一個隔開預(yù)定半徑，并且磁場可以在兩個同軸線圈之間被恒定地產(chǎn)生。
[0052]至少一個外圍線圈110可以與垂直線圈120隔開一定距離。同樣，至少一個外圍線圈110可以與磁傳感器的上側(cè)隔開相同距離。在示例中，所述距離可以與磁傳感器的總寬度成比例，以在磁傳感器處產(chǎn)生均勻磁場。參照圖3a,至少一個外圍線圈110可以與磁傳感器的上側(cè)隔開距離b，并且可以被安排在第一和第二軸中的每一個中。當至少一個外圍線圈110接收要與N極和S極隔開的電流時，至少一個外圍線圈110在隔開的距離b之間產(chǎn)生磁場301a,以將均勻磁場301a施加于晶片10上的磁傳感器。圖3a不出了從被安排在第一或第二軸中的至少一個外圍線圈110產(chǎn)生的磁場301a的示例。
[0053]垂直線圈120被安排在晶片10中的探針卡20中，并且產(chǎn)生垂直方向的磁場。
[0054]垂直線圈120被實現(xiàn)為螺線管型的線圈、被安排在由探針卡20中的至少一個外圍線圈110所產(chǎn)生的磁場中并且覆蓋所述上側(cè)上的磁傳感器，以關(guān)于第三軸而測試磁傳感器是否正常工作。
[0055]在示例中，由于探針卡20通過利用至少一個外圍線圈110而關(guān)于第一和第二軸方向產(chǎn)生的磁場來測試磁傳感器是否正常工作，因此垂直線圈120可以接收電流以關(guān)于該磁傳感器的第三軸而測試該磁傳感器是否正常工作。例如，第一、第二和第三軸的執(zhí)行順序可以是彼此不相關(guān)的。
[0056]參照圖3b，根據(jù)磁傳感器的總寬度，可以確定垂直線圈120的半徑。例如，垂直線圈120的半徑可以與磁傳感器的總寬度成比例。垂直線圈120的半徑可以覆蓋磁傳感器的總寬度以使磁場覆蓋磁傳感器的整個表面。在另一示例中，垂直線圈120的半徑可以覆蓋磁傳感器中心周圍的磁傳感器的總寬度的一部分，以產(chǎn)生到磁傳感器的整個表面的磁場。
[0057]垂直線圈120可以被安排在磁傳感器表面上被安排成彼此相對的一個或多個外圍線圈110之間。當垂直線圈120接收要與N極和S極隔開的電流時，垂直線圈120可以產(chǎn)生磁場301b以在磁傳感器處施加均勻磁場。圖3b示出了從安排在第三軸中的垂直線圈120產(chǎn)生的磁場301b的示例。
[0058]根據(jù)至少一個外圍線圈110或垂直線圈120中產(chǎn)生的磁場，多個探針頂端130檢測從所述磁傳感器輸出的測試信號。
[0059]在示例中，多個探針頂端130可以發(fā)送用于利用測試頭來檢測被測試的磁傳感器是否正常工作的測試信號。被測試的磁傳感器是根據(jù)在至少一個外圍線圈110或垂直線圈120中產(chǎn)生的磁場來被測試的。例如，測試頭可以分析從多個探針頂端130接收的測試信號，以將接收的測試信號與反映磁傳感器正常工作的預(yù)定測試信號值進行比較。當從探針頂端130接收的測試信號值和反映正常工作的測試信號值相等時，測試頭可以將磁傳感器測量為正常工作。此外，當從探針頂端130接收的測試信號值和反映正常工作的測試信號值不同時，測試頭可以將磁傳感器測量為故障。
[0060]圖4是示出了應(yīng)用于圖1的磁傳感器測試裝置的預(yù)先產(chǎn)生的磁傳感器測試過程的示例的流程圖。
[0061]參照圖4，磁傳感器測試裝置100將電流或電壓施加到被安排在探針卡20上且與晶片10表面成銳角的第一線圈對110 (步驟S401)。
[0062]該第一線圈對110被對稱地安排在垂直線圈120周圍的第一軸方向中，并且以橢圓形而被產(chǎn)生從而關(guān)于第一軸方向(即水平分量)的磁場強度而測試所述磁傳感器是否正常工作(步驟S402)。例如，所述第一軸可以與X軸相對應(yīng)。
[0063]磁傳感器測試裝置100將電流或電壓施加到被安排在探針卡20上且與晶片10表面成銳角的第二線圈對110 (步驟S403)。
[0064]該第二線圈對110被對稱地安排在垂直線圈120周圍的第二軸方向中，并且以橢圓形而被產(chǎn)生從而關(guān)于第二軸方向(即垂直分量)的磁場強度而測試所述磁傳感器是否正常工作(步驟S404)。該第二軸方向具有與該第一軸方向的垂直關(guān)系。例如，該第二軸可以與Y軸相對應(yīng)。
[0065]參照圖5a，外圍線圈對IlOa可以被安排用來在第一和第二軸的每個軸處產(chǎn)生節(jié)點。例如，與外圍線圈對IlOa的一側(cè)相垂直的延長線可以與第一和第二軸(即X和Y軸)中的每一個相交以產(chǎn)生節(jié)點。外圍線圈對IlOa可以被安排成與晶片10表面成小于90度的角。外圍線圈對IlOa可以對應(yīng)于以45度安排的亥姆霍茲線圈，從而關(guān)于所述第一和第二軸方向中每一個的磁場強度而測試磁傳感器是否正常工作。為方便起見而示出了 45度角，但其不應(yīng)當用于限制本發(fā)明的范圍。
[0066]在示例中，在從左上角到多個探針頂端130的延長線與從右下角到多個探針頂端130的延長線之間，外圍線圈對IlOa與垂直線圈120隔開相等的距離。在另一示例中，在從左下角到多個探針頂端130的延長線與從右上角到多個探針頂端130的延長線之間，外圍線圈對IlOa與垂直線圈120隔開相等的距離。
[0067]參照圖5b，第一線圈對IlOb-1可以被安排在第一軸中(即X)，該第一軸方向具有與第二軸方向(即Y)的垂直關(guān)系，并且第二線圈對110b-2可以被安排在第二軸中(即Y)，該第二軸方向具有與第一軸方向(即X)的垂直關(guān)系。在該示例中，第一線圈對IlOb-1和第二線圈對110b-2中的每一個都可以對應(yīng)于被安排在探針卡20的支撐單元20-2中且與晶片10表面成45度角的亥姆霍茲線圈。第一線圈對IlOb-1和第二線圈對110b-2中的每一個都可以關(guān)于第一和第二軸方向(即X和Y軸)中每一個的磁場強度而順次地測試磁傳感器是否正常工作。第一線圈對IlOb-1和第二線圈對110b-2中的每一個都與垂直線圈120隔開一定距離以被安排成彼此平行相對。
[0068]磁傳感器測試裝置100被安排在由第一線圈對IlOb-1和第二線圈對110b-2產(chǎn)生的磁場中，并且將電流施加到覆蓋上側(cè)上的磁傳感器的垂直線圈120 (步驟S405)。
[0069]垂直線圈120以圓形而被產(chǎn)生以關(guān)于第三軸方向(即垂直分量)的磁場強度而測試磁傳感器是否正常工作(步驟S406)。例如，該第三軸可以與Z軸相對應(yīng)。
[0070]圖6示出了根據(jù)通過朝向圖1的磁傳感器中心以外的磁傳感器測試裝置的第一和第二線圈而產(chǎn)生的角度的磁場強度示例。圖7示出了根據(jù)圖1的磁傳感器測試裝置中的第一和第二線圈的角度的關(guān)于第一和第二軸的磁場均勻性。
[0071]參照圖6和圖7，第一和第二線圈對110中每一個的磁場強度可以根據(jù)與被安排成朝向磁傳感器中心以外的晶片10的表面所成的銳角而變化。與當?shù)谝缓偷诙€圈對110中的每一個都被安排成與磁傳感器中心成直角(即90度)時相比，當?shù)谝缓偷诙€圈對110中的每一個都被安排成銳角(即10度至75度)時，該第一和第二線圈對110中每一個的磁場強度可以增加。
[0072]例如，當?shù)谝缓偷诙€圈對110中的每一個被安排成與磁傳感器中心成20度的銳角時，第一和第二線圈對110中的每一個都可以產(chǎn)生最大磁場強度，并且當被安排成45度時可以產(chǎn)生到磁傳感器的均勻磁場。在圖7中，第一和第二線圈對110中的每一個都可以被安排成與晶片10表面成30度、45度或60度角，并且磁傳感器測試裝置100可以按照從磁傳感器中心到第一軸方向或第二軸方向的恒定間隔來測量在磁傳感器上側(cè)產(chǎn)生的磁場。在這種情況下，當?shù)谝缓偷诙€圈對110中的每一個都被安排成與磁傳感器中心成45度角時，磁傳感器測試裝置100可以產(chǎn)生最恒定的磁場(恒定磁場與磁場的高均勻性相對應(yīng))。
[0073]通過使用一個或多個硬件組件、一個或多個軟件組件、或者一個或多個硬件組件和一個或多個軟件組件的組合，可以實現(xiàn)上述各種單元、模塊、元素和方法。
[0074]硬件組件可以例如是物理上執(zhí)行一個或多個操作的物理設(shè)備，但不限于此。硬件組件的示例包括麥克風、放大器、低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和處理設(shè)備。
[0075]軟件組件可以例如通過由執(zhí)行一個或多個操作的軟件或指令所控制的處理設(shè)備來實現(xiàn)，但不限于此。計算機、控制器或其他控制設(shè)備可以使處理設(shè)備運行軟件或執(zhí)行指令。一個軟件組件可以由一個處理設(shè)備來實現(xiàn)，或者兩個或更多個軟件組件可以由一個處理設(shè)備來實現(xiàn)，或者一個軟件組件可以由兩個或更多個處理設(shè)備來實現(xiàn)，或者兩個或更多個軟件組件可以由兩個或更多個處理設(shè)備來實現(xiàn)。
[0076]可以通過使用一個或多個通用或?qū)Ｓ糜嬎銠C來實現(xiàn)處理設(shè)備，例如處理器、控制器和算術(shù)邏輯單元、數(shù)字信號處理器、微計算機、現(xiàn)場可編程陣列、可編程邏輯單元、微處理器，或者能夠運行軟件或執(zhí)行指令的任何其他設(shè)備。處理設(shè)備可以運行操作系統(tǒng)(OS)，并且可以運行在該OS下操作的一個或多個軟件應(yīng)用程序。該處理設(shè)備當運行軟件或執(zhí)行指令時可以訪問、存儲、操縱、處理和創(chuàng)建數(shù)據(jù)。為簡便起見，在描述中可以使用單數(shù)術(shù)語“處理設(shè)備”，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，處理設(shè)備可以包括多個處理元件和多種類型的處理元件。例如，處理設(shè)備可以包括一個或多個處理器、或者一個或多個處理器以及一個或多個控制器。此外，不同的處理配置是可能的，例如并行處理器或多核處理器。
[0077]被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A的處理設(shè)備可以包括被編程為運行軟件或執(zhí)行指令以控制處理器執(zhí)行操作A的處理器。此外，被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、操作B和操作C的處理設(shè)備可以具有各種配置，例如被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的處理器；被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A的第一處理器，以及被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作B和C的第二處理器；被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A和B的第一處理器，以及被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作C的第二處理器；被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A的第一處理器，被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作B的第二處理器，以及被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作C的第三處理器；被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的第一處理器，以及被配置成實現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的第二處理器，或者每個都實現(xiàn)操作A、B和C中的一個或多個操作的一個或多個處理器的任何其他配置。盡管這些示例涉及三個操作A、B、C，然而可以被實現(xiàn)的操作的數(shù)量并不限于三個，而是可以是為達到期望結(jié)果或執(zhí)行期望任務(wù)所需要的任何數(shù)量的操作。
[0078]用于控制處理設(shè)備以實現(xiàn)軟件組件的軟件或指令可以包括用于獨立地或共同地指示或配置處理設(shè)備以執(zhí)行一個或多個期望操作的計算機程序、代碼段、指令或者它們的一些組合。軟件或指令可以包括可由處理設(shè)備直接執(zhí)行的機器代碼，例如由編譯器產(chǎn)生的機器代碼，和/或可由使用解釋器的處理設(shè)備執(zhí)行的高級代碼。軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以在任何類型的機器、組件、物理或虛擬設(shè)備、計算機存儲介質(zhì)或設(shè)備或者能夠?qū)⒅噶罨驍?shù)據(jù)提供給處理設(shè)備或由處理設(shè)備解釋的傳播信號波中永久地或臨時地體現(xiàn)。軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)還可以分布在聯(lián)網(wǎng)的計算機系統(tǒng)上，以使得軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)能夠以分布式方式而被存儲和執(zhí)行。
[0079]例如，軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以被記錄、存儲或固定在一個或多個非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)中。非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)可以是能夠存儲軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的任何數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，以便它們能夠被計算機系統(tǒng)或處理設(shè)備讀取。非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)的示例包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、閃存、CD-ROM、CD-R、CD+R、CD-RW、CD+鼎、DVD-ROM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+鼎、DVD-RAM、BD-ROM、BD-R、BD-R LTH、BD-RE、磁帶、軟盤、磁光數(shù)據(jù)存儲設(shè)備、光數(shù)據(jù)存儲設(shè)備、硬盤、固態(tài)盤或者任何其他非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)。
[0080]基于本文提供的附圖及其相應(yīng)描述，示例所屬領(lǐng)域的編程技術(shù)人員可以容易地設(shè)想用于實現(xiàn)本文公開的示例的功能程序、代碼和代碼段。
[0081]盡管本公開包括指定示例，然而本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，在不脫離權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，可以在這些示例中做出各種形式和細節(jié)上的改變。本文所描述的示例只被認為是描述性的，并且不用于限制的目的。每個示例中的特征或方面的描述被認為是可適用于其他示例中的類似的特征或方面。如果以不同的順序執(zhí)行所描述的技術(shù)，和/或如果所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、設(shè)備或電路中的組件以不同方式被組合和/或由其他組件或其等同物來代替或補充，則可以實現(xiàn)適當?shù)慕Y(jié)果。因此，本公開的范圍不由詳細描述來限定，而是由權(quán)利要求及其等同物來限定，并且在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的所有變型都被看作是包含于本公開中。
【權(quán)利要求】
1.一種磁傳感器測試裝置，包括: 磁傳感器； 垂直線圈；以及 至少一個外圍線圈。
2.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測試裝置，還包括: 包括所述磁傳感器的晶片；以及 探針卡， 其中，所述垂直線圈被安排在所述晶片之上，并且所述至少一個外圍線圈被對稱地安排在所述垂直線圈周圍。
3.如權(quán)利要求2所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述至少一個外圍線圈被配置成在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場。
4.如權(quán)利要求2所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述至少一個外圍線圈被安排成與所述晶片的表面成銳角。
5.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述至少一個外圍線圈包括四個線圈。
6.如權(quán)利要求4所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述銳角小于90度。
7.如權(quán)利要求5所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述四個線圈包括: 被安排在第一軸方向中的第一線圈對；以及 被安排在第二軸方向中的第二線圈對，所述第二軸方向垂直于所述第一軸方向。
8.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測試裝置，還包括: 被配置成檢測從所述磁傳感器輸出的測試信號的多個探針頂端。
9.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述至少一個外圍線圈與所述垂直線圈隔開一定的距離。
10.一種磁傳感器測試方法,包括: 在垂直方向中產(chǎn)生磁場；以及 在水平方向中產(chǎn)生磁場。
11.如權(quán)利要求10所述的磁傳感器測試方法，其中， 所述磁傳感器測試方法應(yīng)用于包括多個磁傳感器的晶片； 在垂直方向中產(chǎn)生磁場包括在所述晶片的垂直方向中產(chǎn)生磁場；以及 在水平方向中產(chǎn)生磁場包括在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場。
12.如權(quán)利要求10所述的磁傳感器測試方法，其中，在垂直方向中產(chǎn)生磁場包括將電流施加到垂直線圈以測試所述磁場的垂直分量的強度。
13.如權(quán)利要求11所述的磁傳感器測試方法，其中，在水平方向中產(chǎn)生磁場包括將電流施加到第一線圈對和第二線圈對以測試所述磁場的水平分量的強度，所述第一線圈對和所述第二線圈對被安排成與所述晶片的表面成銳角。
14.如權(quán)利要求11所述的磁傳感器測試方法，其中，分別在垂直方向和水平方向中產(chǎn)生磁場包括測試所述多個磁傳感器是否正常工作。
15.如權(quán)利要求10所述的磁傳感器測試方法，其中，在垂直方向中產(chǎn)生磁場和在水平方向中產(chǎn)生磁場的執(zhí)行順序互不相關(guān)。
16.一種磁傳感器測試裝置，包括: 探針； 被安排在所述探針中心的垂直線圈；以及 被對稱安排在所述垂直線圈周圍的兩個或更多個外圍線圈。
17.如權(quán)利要求16所述的磁傳感器測試裝置，還包括包含磁傳感器的晶片。
18.如權(quán)利要求17所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述兩個或更多個外圍線圈被安排成與所述晶片的表面成銳角。
19.如權(quán)利要求16所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述兩個或更多個外圍線圈是被安排成與所述垂直線圈等距的四個外圍線圈。
20.如權(quán)利要求16所述的磁傳感器測試裝置，其中，所述兩個或更多個外圍線圈被安排成45度角且產(chǎn)生均勻磁場。
【文檔編號】G01R35/00GK104345292SQ201410126752
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月8日
【發(fā)明者】廉基福, 崔永培, 成詠錫, 陳景奭 申請人:美格納半導體有限公司