磁場傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種磁場傳感器。該磁場傳感器包括：傳感器本體，用于探測所處環(huán)境的磁場信號，包括：磁芯，其外部由內(nèi)筒包裹；以及感應(yīng)線圈，纏繞于內(nèi)筒的外圍，其中間抽頭接地；以及信號放大模塊，與感應(yīng)線圈的兩端相連接，用于將傳感器本體探測的磁場信號進(jìn)行放大，并通過單端方式輸出；單端轉(zhuǎn)差分模塊，與信號放大模塊相連接，用于將信號放大模塊通過單端方式輸出的磁場信號轉(zhuǎn)換為差分形式；以及供電及控制模塊，用于為信號放大模塊、單端轉(zhuǎn)差分模塊提供電源，并且將單端轉(zhuǎn)差分模塊輸出的差分形式的探測信號輸出。本發(fā)明使用有磁芯線圈結(jié)構(gòu)替代空心線圈，在匝數(shù)不變情況下，相比于空心線圈需要增加單匝面積來提高傳感器靈敏度。
【專利說明】磁場傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁場傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種磁場傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展對于油氣需求的增加，常規(guī)的油氣資源已經(jīng)不能滿足這種需求的增長，并且我國石油大部分依賴進(jìn)口，原油生產(chǎn)的增幅不及國內(nèi)石油需求的增長。面對如此嚴(yán)峻的石油資源環(huán)境，非常規(guī)油氣的頁巖氣引起了高度的重視。我國頁巖氣資源量相當(dāng)豐富，勘探潛力巨大。然而頁巖氣地質(zhì)條件復(fù)雜和特殊，非常規(guī)的油氣藏成藏條件復(fù)雜，儲層致密，非均勻性強(qiáng)。我國頁巖氣資源的探勘開發(fā)還處于初級階段，沒有系統(tǒng)的配套技術(shù)，有諸多技術(shù)上的問題。目前國內(nèi)首個頁巖氣時頻電磁實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目已經(jīng)通過了驗(yàn)收，在南方碳酸鹽巖發(fā)育區(qū)的非地震勘探攻關(guān)工作取得了良好效果。這意味著瞬變電磁方法在頁巖氣的探勘研究中能夠發(fā)揮重要的作用。
[0003]時間域電磁法或稱瞬變電磁法(Time-domainelectromagnetic method orTransient electromagnetic method,簡稱TEM),是一種時域觀測的人工源電磁探測方法，它在發(fā)送一次脈沖磁場的間歇期間，使用接收線圈觀測地下介質(zhì)的隨時間衰減的二次渦流場。衰減過程分為早、中和晚期。早期的電磁場相當(dāng)于頻率域中的高頻成分，衰減快，探測深度??；而晚期成分則相當(dāng)于頻率域中的低頻成分，衰減慢，探測深度大。通過測量斷電后各個時間段的二次場隨時間變化規(guī)律，可得到不同深度的地電特征。不同電導(dǎo)率的地下介質(zhì)所產(chǎn)生的二次場大小與衰減速率不同，一般而言，電阻率高的地下介質(zhì)激勵的二次場的幅值大，衰減快 。電阻率低的地下介質(zhì)(良導(dǎo)體)二次場幅度低，衰減慢。因而其不受高阻層屏蔽，能克服低阻覆蓋層的影響，探測深度大。
[0004]時間域電磁法是通過探測油氣藏的電性及電化學(xué)異常來確定油氣狀況，相對于其他非地震方法能詳細(xì)了解油氣藏的深度、分布和儲量信息，因而具有攜帶方便，分辨率高，探測深等不可比擬的優(yōu)勢，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于探勘行業(yè)，在金屬礦勘探，油氣勘探和地下水資源勘探等方便發(fā)揮了巨大的作用，特別在油氣探測方面。
[0005]時頻電磁法(Time-Frequencyelectromagnetic method,簡稱 TFEM)與長偏移距瞬變電磁法(Long-offset transient electromagnetic method,簡稱 L0TEM)作為時間域電磁法幾種通用方法，其信號發(fā)射接收示意圖如圖1A所示，采用長線源接地電極發(fā)送一次場，接收裝置與發(fā)射裝置的偏移距一般大于5km，接收裝置為磁場傳感器，用于測量二次場的磁場信號，接地電極用于測量電場信號。
[0006]圖1B為現(xiàn)有技術(shù)用于時間域電磁法的磁場傳感器結(jié)構(gòu)不意圖。如圖1B所不,該磁場傳感器包括三部分組成:空心線圈，按照一定尺寸繞制特定匝數(shù)，感應(yīng)磁場信號產(chǎn)生電壓；電路，抑制線圈諧振，放大空心線圈感應(yīng)信號。骨架結(jié)構(gòu)，支撐空心線圈以及固定電路。為磁場傳感器重量主要來源。
[0007]然而，在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過程中， 申請人:發(fā)現(xiàn)上述用于時間域電磁法的磁場傳感器具有如下技術(shù)缺陷:[0008](I)磁場傳感器靈敏度不夠，傳感器內(nèi)部空心線圈總面積為100m2左右，在TFEM和LOTEM的應(yīng)用中，空心線圈面積需要達(dá)到1000m2以上，這就需要空心線圈匝數(shù)與單匝面積的提高，增加了空心線圈的重量，同時會提升結(jié)構(gòu)部分的重量，傳感器的體積和重量變大，野外攜帶施工難度很大，如某款磁場傳感器尺寸為6.25mX6.25m，重量為25kg ；
[0009](2)磁場傳感器頻率線性響應(yīng)范圍不足。LOTEM與TFEM施工時發(fā)射多種不同頻率的方波，信號帶寬覆蓋寬，要求磁場傳感器有響應(yīng)的足夠?qū)挼木€性頻率響應(yīng)，才能準(zhǔn)確接收對應(yīng)地下深度的介質(zhì)信息。由于諧振頻率存在，帶寬很難滿足要求，傳統(tǒng)的臨界阻尼匹配技術(shù)線性響應(yīng)頻率區(qū)間有限，沒有充分發(fā)揮磁場傳感器的性能；
[0010](3)磁場傳感器靈敏度固定，不能根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)。LOTEM和TFEM在施工時為了達(dá)到探測不同深度地下目標(biāo)的目的，往往收發(fā)偏移距變化較大，則相應(yīng)的接收信號強(qiáng)度亦變化較大，現(xiàn)有磁場傳感器接收靈敏度均采用固定形式，往往在收發(fā)偏移距變大時接收信號幅度迅速變?nèi)?，信噪比下降，無法滿足接收機(jī)信號有效采集。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011](一)要解決的技術(shù)問題
[0012]鑒于上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種磁場傳感器，以減小傳感器的體積與重量，提高磁場傳感器靈敏度。
[0013](二)技術(shù)方案
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種磁場傳感器。該磁場傳感器包括:傳感器本體，用于探測所處環(huán)境的磁場信號，包括:磁芯，其外部由內(nèi)筒包裹；以及感應(yīng)線圈，纏繞于內(nèi)筒的外圍，其中間抽頭接地；以及信號放大模塊，與感應(yīng)線圈的兩端相連接，用于將傳感器本體探測的磁場信號進(jìn)行放大，并通過單端方式輸出；單端轉(zhuǎn)差分模塊，與信號放大模塊相連接，用于將信號放大模塊通過單端方式輸出的磁場信號轉(zhuǎn)換為差分形式；以及供電及控制模塊，用于為信號放大模塊、單端轉(zhuǎn)差分模塊提供電源，并且將單端轉(zhuǎn)差分模塊輸出的差分形式的探測信號輸出。
[0015](三)有益效果
[0016]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明磁場傳感器具有以下有益效果:
[0017](I)使用有磁芯線圈結(jié)構(gòu)替代空心線圈，在匝數(shù)不變情況下，相比于空心線圈需要增加單匝面積來提高傳感器靈敏度，有磁芯線圈只需要選擇適合尺寸磁芯，利用磁性材料的磁通聚集作用，有效放大了磁芯截面內(nèi)的磁場強(qiáng)度，這樣有磁芯線圈僅需要圍繞磁芯繞制，單匝面積大大減小，同時傳感器體積的減小使得結(jié)構(gòu)的質(zhì)量大大下降，本發(fā)明的磁場傳感器重量小于4kg ；
[0018](2)使用有限欠阻尼匹配，相比于傳統(tǒng)的臨界阻尼匹配磁場傳感器線性區(qū)域僅為諧振頻率的33%，有限欠阻尼匹配可用的線性區(qū)域?yàn)橹C振頻率的70% ；
[0019](3)利用開關(guān)實(shí)現(xiàn)了對磁場傳感器的增益控制，提高了靈敏度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1A為現(xiàn)有技術(shù)時頻電磁法與長偏移距瞬變電磁法中信號發(fā)射接收的示意圖；
[0021]圖1B為現(xiàn)有技術(shù)磁場傳感器結(jié)構(gòu)示意圖；[0022]圖2A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例磁場傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2B為圖2A所示磁場傳感器電路連接的示意圖；
[0024]圖3為圖2B所示磁場傳感器中供電及控制模塊和其他模塊整體管腳設(shè)置的示意圖；
[0025]圖4為采用臨界阻尼匹配與有限欠阻尼匹配的磁場傳感器性能對比曲線；
[0026]圖5為圖2B所示磁場傳感器中增益放大模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6為圖2B所示磁場傳感器中信號放大模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖7為圖2B所示磁場傳感器中單端轉(zhuǎn)差分模塊的示意圖；
[0029]圖8為本實(shí)施例磁場傳感器中接收線圈靈敏度測試曲線；
[0030]圖9為本實(shí)施例磁場傳感器中接收線圈噪聲測試曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。需要說明的是，在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分都使用相同的圖號。附圖中未繪示或描述的實(shí)現(xiàn)方式，為所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中普通技術(shù)人員所知的形式。另外，雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但應(yīng)了解，參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計(jì)約束內(nèi)近似于相應(yīng)的值。實(shí)施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0032]本發(fā)明提出了一種用于TFEM和LOTEM等時間域電磁方法的磁場傳感器，其特點(diǎn)為靈敏度高，工作頻率低，探測深度深，體積小，重量輕?？梢詮V泛應(yīng)用于大深度，3D陣列式時間域電磁勘探應(yīng)用。
[0033]在本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例中，提供了一種磁場傳感器。圖2A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例磁場傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B為圖2A所示磁場傳感器電路連接的示意圖。請參照圖2A和圖2B，本實(shí)施例磁場傳感器包括:供電及控制模塊、電源轉(zhuǎn)換模塊、傳感器本體、信號放大模塊、增益控制模塊和單元轉(zhuǎn)差分模塊。其中，供電及控制模塊作為一單獨(dú)部分，除供電及控制模塊外的其他模塊封裝為一整體，兩者之間通過12芯線纜連接。
[0034]以下分別對本實(shí)施例磁場傳感器的各部分進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0035]1、供電及控制模塊
[0036]供電及控制模塊主要作用有三個:第一，為磁場傳感器提供低噪聲供電；第二，利用組合開關(guān)對磁場傳感器的放大倍數(shù)進(jìn)行增益控制；第三，將單端轉(zhuǎn)差分模塊返回的探測信號輸出。本實(shí)施例中，采用兩塊輸出電壓為6V的電池Batteryl和Battery2。
[0037]供電及控制模塊與其他模塊整體之間為12芯線纜連接，并且通過一 5芯輸出接口來輸出單端轉(zhuǎn)差分模塊輸出的探測信號。圖3為圖2B所示磁場傳感器中供電及控制模塊和其他模塊整體管腳設(shè)置的示意圖。請參照圖2A、圖2B和圖3，供電及控制模塊和其他模塊整體之間的各管腳設(shè)置如下:
[0038](I)管腳7_US+與管腳Il-GND分別接入Batteryl的正負(fù)端，管腳12-GND與管腳10-us_分別接入Battery2的正負(fù)端，Us+和Us_為電源的正負(fù)端，GND為電源的地；
[0039](2)管腳5-A0，管腳6-A1和管腳2-AGND為增益控制模塊的控制端。其中，管腳5-A0通過第一開關(guān)SWl連接至管腳2-AGND ;管腳6-A1通過第二開關(guān)SW2連接至管腳2-AGND。
[0040]當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)SWl和第二開關(guān)SW2同時斷開時，控制信號為高高；
[0041]當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)SWl和第二開關(guān)SWl同時閉合時，AO和Al分別接地，控制信號為低低；
[0042]當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)SWl閉合，第二開關(guān)SW2斷開時，控制信號為低高；
[0043]當(dāng)?shù)诙_關(guān)SWl斷開，第二開關(guān)SW2閉合時，控制信號為高低。
[0044]可見，該第一開關(guān)SWl和第二開關(guān)SW2的組合控制方式有四種，分別對應(yīng)四種不同的增益。
[0045](3)管腳3_V0Ut+和管腳4-Vwt_連接至單端轉(zhuǎn)差分模塊的輸出端，并作為供電及控制模塊5芯輸出接口的管腳I和管腳2 ;管腳8-Uc+和管腳9-U。連接至傳感器本體標(biāo)定線圈的兩端，并作為供電及控制模塊5芯輸出接口的管腳3和管腳4 ;管腳1-Shield連接至磁場傳感器屏蔽層，并作為供電及控制模塊5芯輸出的管腳5。
[0046]2、電源轉(zhuǎn)換模塊
[0047]該電源轉(zhuǎn)換模塊用于將電池輸出的±6V的信號轉(zhuǎn)換為士 5V的供電電壓。該供電電壓為信號放大模塊放大電路的INA115芯片、增益控制模塊中的MAX309芯片、單端轉(zhuǎn)差分模塊中的芯片AD822等供電。本實(shí)施例中，電源轉(zhuǎn)換模塊使用的芯片型號為LT1125與LT1175，作為常見電源轉(zhuǎn)換電路，本發(fā)明對此不再贅述。
[0048]需要說明的是，本實(shí)施例中，供電及控制模塊提供的電壓與信號放大模塊、增益控制模塊和單端轉(zhuǎn)差分模塊中芯片所需的電壓不一致，故需要電源轉(zhuǎn)換模塊。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在供電及控制模塊提供的電壓與芯片所需電壓一致的情況下，該電源轉(zhuǎn)換模塊也可以省略。
[0049]3、傳感器本體
[0050]請參照圖2A，傳感器本體主要由磁芯、內(nèi)筒、隔片、感應(yīng)線圈、中筒、標(biāo)定線圈及屏蔽層、阻抗匹配電阻Rt等多部分組成。磁芯位于最內(nèi)層，磁芯外部采用內(nèi)筒包裹，在內(nèi)筒上等間隔固定多個隔片，隔片之間纏有漆包線作為感應(yīng)線圈，線圈外部采用中筒包裹，中筒外側(cè)貼有屏蔽層，且外表面纏繞標(biāo)定線圈。其中，內(nèi)筒和外筒由絕緣材料制備，優(yōu)選為玻璃纖維。
[0051]請參照圖2B，感應(yīng)線圈的中間抽頭接地，其兩端經(jīng)由阻抗匹配電阻Rt之后，作為差分輸出的兩端，連接至信號放大模塊的輸入端。標(biāo)定線圈的兩端連接至U。+和U。』
[0052]2.1 磁芯
[0053]磁芯形狀呈細(xì)長長方體形狀,長度為600mm,截面積為采用納米晶帶材疊放而成，帶材厚度為0.03mm-0.05mm之間。納米晶材料的初始磁導(dǎo)率大于30000。該磁芯可以增加信號強(qiáng)度約為380倍，即有效磁導(dǎo)率約為380。采用該磁芯的TEM磁場傳感器，和傳統(tǒng)空心TEM磁場傳感器相比(空氣的磁導(dǎo)率為I)，體積大為縮小。
[0054]磁芯實(shí)現(xiàn)方式的理論依據(jù)如下，磁芯的有效有效磁導(dǎo)率為:
【權(quán)利要求】
1.一種磁場傳感器，其特征在于，包括: 傳感器本體，用于探測所處環(huán)境的磁場信號，包括: 磁芯，其外部由內(nèi)筒包裹；以及 感應(yīng)線圈，纏繞于所述內(nèi)筒的外圍，其中間抽頭接地； 信號放大模塊，與感應(yīng)線圈的兩端相連接，用于將所述傳感器本體探測的磁場信號進(jìn)行放大,并通過單端方式輸出； 單端轉(zhuǎn)差分模塊，與所述信號放大模塊相連接，用于將所述信號放大模塊通過單端方式輸出的磁場信號轉(zhuǎn)換為差分形式；以及 供電及控制模塊，用于為所述信號放大模塊、單端轉(zhuǎn)差分模塊提供電源，并且將所述單端轉(zhuǎn)差分模塊輸出的差分形式的探測信號輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場傳感器，其特征在用戶，所述磁芯由納米晶帶材疊放而成或由磁性材料一體制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場傳感器，其特征在于，所述傳感器本體還包括: 多個隔片，固定于磁芯外部的所述內(nèi)筒上，所述感應(yīng)線圈纏繞于各隔片之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場傳感器，其特征在于，所述傳感器本體還包括: 中筒，包裹于所述感應(yīng)線圈的外部，其外側(cè)貼有屏蔽層； 標(biāo)定線圈，纏繞于所述中筒的外表面，其兩端直接通過所述供電及控制模塊輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場傳感器，其特征在于，還包括: 匹配阻抗，連接于所述感應(yīng)線圈兩端之間，用于對感應(yīng)線圈輸出的信號進(jìn)行阻抗匹配，其中，該匹配阻抗采用有限欠阻尼方式與所述感應(yīng)線圈匹配，匹配系數(shù)介于0.71至0.86之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場傳感器，其特征在于: 所述供電及控制模塊的管腳5 (AO)和管腳6 (Al)分別通過第一開關(guān)(SWl)和第二開關(guān)(SW2)連接至管腳2 (AGND)，該第一開關(guān)(SWl)和第二開關(guān)(SW2)提供四種組合控制方式；所述磁場傳感器還包括:增益控制模塊，用于利用所述四種組合控制方式控制所述信號放大模塊的增益。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁場傳感器，其特征在于，所述增益控制模炔基于MAX309芯片組成，其各管腳設(shè)置如下: (1)管腳AO和Al分別電性連接至供電及控制模塊的管腳5(AO)，管腳6 (Al)，并且兩者分別通過相應(yīng)電阻與供電正電壓連接 (2)管腳NOlA和管腳N02A之間采用第四電阻(R4)串聯(lián)；管腳N02A和管腳N03A之間采用第五電阻(R5)串聯(lián)；管腳N03A和管腳N04A之間采用第六電阻(R6)串聯(lián)；管腳N04A和管腳NOlB之間采用第七電阻(R7)串聯(lián)；管腳NOlB和管腳N02B之間采用第八電阻(R8)串聯(lián)；管腳N02B和管腳N03B之間采用第九電阻(R9)串聯(lián)；管腳N03B和管腳N04B之間采用第十電阻(RlO)串聯(lián)； (3)管腳EN通過第十一電阻(Rll)和供電正電壓連接；管腳VDD與供電正電壓連接；管腳VEE與供電負(fù)電壓連接；管腳GND和地線連接； 其中，管腳N01A、管腳N04B、管腳COMA和管腳COMB連接至該增益控制模塊的四個輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁場傳感器，其特征在于，所述信號放大模塊包括: 低通濾波器，用于濾除輸入信號中的高頻信號； 放大電路，基于集成電路芯片INAl 15組成，該集成電路芯片INAl 15的各管腳設(shè)置如下:管腳SEN1、管腳SEN2、管腳GSl與管腳GS2分別與增益放大模塊MAX309芯片的管腳COMA、管腳COMB、管腳NOlA和管腳N04B連接；管腳V+和管腳V-分別接供電正電壓和供電負(fù)電壓；管腳REF直接接地；輸出管腳OUT與管腳FB端之間串聯(lián)第三電阻R3，管腳FB連接至該信號放大模塊的輸出端
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁場傳感器，其特征在于，所述低通濾波器包括: 第一電阻(Rl)，其第一端連接至感應(yīng)線圈的輸入負(fù)端； 第一電容(Cl)，其一端連接至第一電阻(Rl)的第二端，其另一端接地； 第一限幅電路，由首尾相連的第一二極管和第二二極管組成，其中第一二極管的正端連接至第二二極管的負(fù)端； 第二電阻(R2)，其第一端連接至感應(yīng)線圈的輸入正端； 第二電容(C2)，其一端連接至第二電阻(R2)的第二端，其另一端接地； 第二限幅電路，由首尾相連的第三二極管和第四二極管組成，其中第三二極管的負(fù)端連接至第四二極管的正端，第三二極管的正端連接至第二二極管的正端。
10.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的磁場傳感器，其特征在于，所述單端轉(zhuǎn)差分模塊包括: 第一反向放大電路，包括:第一 AD822芯片,其中，該第一 AD822芯片的反相輸入端通過第十四電阻(R14)和第十五電阻(R15)連接至信號放大模塊的輸出端Vrat ;其正向輸入端通過第十六電阻(R16)連接至地；其輸出端經(jīng)由第十九電阻(R19)和第二十電阻(R20)連接至該單端轉(zhuǎn)差分模塊的正相輸出端Vrat+;第十九電阻(R19)和第二十電阻(R20)之間的端點(diǎn)通過反饋電阻連接至第一 AD822芯片的反相輸入端，且反饋電阻與第三電容(C3)并聯(lián)，該反饋電阻包括第十七電阻(R17)和第十八電阻(R18)； 第二反向放大電路，包括:第二 AD822芯片，其中，該第二 AD822芯片的負(fù)相輸入端通過第二十一電阻(R21)連接至第十九電阻(R19)和第二十電阻(R20)之間的端點(diǎn)；其正相輸入端通過第二十二電阻(R22)連接至地，其輸出端經(jīng)由第二十四電阻(R24)和第二十五電阻(R25)連接至該單端轉(zhuǎn)差分模塊的輸出端Vwt_，第二十四電阻(R24)和第二十五電阻(R25)之間的端點(diǎn)通過第二十三電阻(R23)連接至該第二 AD822芯片的負(fù)相輸入端。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的磁場傳感器，其特征在于，還包括: 電源轉(zhuǎn)換模塊，與所述供電及控制模塊相連接，用于將其電源電壓轉(zhuǎn)換為供電電壓，提供給所述信號放大模塊和單端轉(zhuǎn)差分模塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的磁場傳感器，其特征在于，應(yīng)用于時間域電磁法勘探作業(yè)中。
【文檔編號】G01R33/02GK103777151SQ201410047320
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年2月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月11日
【發(fā)明者】朱萬華, 劉凱, 閆彬, 劉雷松, 方廣有 申請人:中國科學(xué)院電子學(xué)研究所