Smu rf晶體管穩(wěn)定性裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及SMU?RF晶體管穩(wěn)定性裝置。一種RF測(cè)試方法和系統(tǒng)，通過(guò)所述RF測(cè)試方法和系統(tǒng)DC測(cè)量路徑還能夠表現(xiàn)得像適當(dāng)?shù)囟私拥腞F路徑一樣。實(shí)現(xiàn)這個(gè)需要輸出HI、LO以及感測(cè)HI導(dǎo)體以頻率選擇性方式被端接，使得所述端接不影響SMUDC測(cè)量。一旦所有SMU輸入/輸出阻抗被控制以及適當(dāng)?shù)囟私右韵瓷?，只要儀器維持與儀器對(duì)儀器的高絕緣(單獨(dú)的儀器被用在柵極和漏極上，或者在所述器件的輸入端和輸出端上)，高速器件就將在器件測(cè)試期間不再振蕩。HI、HO以及感測(cè)HI導(dǎo)體的輸出端經(jīng)由三個(gè)三軸電纜被耦合到所述DUT的各個(gè)節(jié)點(diǎn)，所述三個(gè)三軸電纜的所述外屏蔽被彼此耦合并且耦合到SMU接地。
【專利說(shuō)明】SMU RF晶體管穩(wěn)定性裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求通過(guò)引用結(jié)合到本文中的2013年2月I日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)序號(hào)61/759,987 的權(quán)益。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本公開(kāi)一般地涉及射頻(RF)晶體管領(lǐng)域。特別地，描述了一種在RF晶體管的測(cè)試和測(cè)量中被采用來(lái)提供增加的穩(wěn)定性的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003]使RF晶體管以及其他放大器和三端分立器件保持穩(wěn)定的設(shè)計(jì)要求通常與源管理單元(SMU)在對(duì)這些器件進(jìn)行DC測(cè)量時(shí)的需要相沖突。特別地，這種RF器件的DC測(cè)試趨于使RF器件闖入(break into)振蕩。結(jié)果，許多RF器件簡(jiǎn)單地不能夠被DC測(cè)試。因此，存在對(duì)改進(jìn)并且推進(jìn)用于測(cè)試這些部件的已知方法學(xué)的設(shè)計(jì)的測(cè)試RF晶體管的方法的需要。與本領(lǐng)域中現(xiàn)有的需要有關(guān)的新的且有用的系統(tǒng)的示例在下面被討論。
[0004]在這方面，SMU被常常用來(lái)測(cè)試高速器件(速度大于IMhz)，諸如晶體管和集成電路放大器。晶體管的DC I/V(電流/電壓)曲線和RF放大器的IDDQ測(cè)量是對(duì)這些器件進(jìn)行的常見(jiàn)測(cè)試。符號(hào)IDDQ有兩個(gè)意義。IDDQ通常被用來(lái)指的是靜態(tài)電源電流并且還可以被用來(lái)指的是基于采取靜態(tài)電源電流(IDDQ)測(cè)量的測(cè)試方法學(xué)。因此，作為測(cè)試方法學(xué)的IDDQ是基于測(cè)量被測(cè)試器件(DUT)的靜態(tài)電源電流的測(cè)試方法學(xué)。
[0005]這些器件中的每一個(gè)都具有一個(gè)共同點(diǎn)，增益，所述增益要求在使用或者測(cè)試這些器件時(shí)需要特別注意。如本領(lǐng)域內(nèi)眾所周知的那樣，當(dāng)放大器增益大于一時(shí)如果輸出端被允許用零相位耦合回到輸入端，則具有增益的任何器件具有用來(lái)振蕩的電位。當(dāng)這些高速放大器被用在它們的預(yù)期應(yīng)用中時(shí)，必須注意以便使得輸出端不能用相位對(duì)準(zhǔn)延遲耦合回到輸入端。進(jìn)一步地，在超高速放大器的情況下，必須額外注意確保這些器件的輸入端和輸出端線路被適當(dāng)?shù)囟私右韵瓷?。?lái)自放大器輸出端的反射能夠耦合到放大器輸入端，使放大器振蕩。在這種情況下，反射能夠?qū)⒛芰繌姆糯笃鞯妮敵龆笋詈系椒糯笃鞯妮斎攵耍瑥亩a(chǎn)生零相位條件，如上面先前所描述的那樣。
[0006]諸如晶體管和放大器之類的先前的高速器件典型地被用長(zhǎng)香蕉或三軸(triaxial)電纜連接到SMU。在每種情況下,長(zhǎng)電纜(傳輸線路)既未被適當(dāng)?shù)囟私樱鼈円矝](méi)有正確的RF阻抗來(lái)消除有害振蕩。結(jié)果，當(dāng)基本I/V測(cè)量以上面所描述的方式被嘗試時(shí)許多高速器件將振蕩。
[0007]為簡(jiǎn)便常常被為三同軸電纜的這些三軸電纜是與同軸電纜(簡(jiǎn)稱同軸電纜(coax))類似的一種電力電纜，但外加額外的絕緣層和第二導(dǎo)電護(hù)套。因此，三軸電纜比同軸電纜提供更大的帶寬和干擾抑制。理想地，三軸電纜展示從內(nèi)導(dǎo)體到外殼約100歐姆的阻抗。
[0008]先前已知的用來(lái)減少這種有害絕緣的方法和系統(tǒng)要求三軸電纜的內(nèi)屏蔽以將對(duì)Hi和感測(cè)Hi輸入連接的“保護(hù)”提供給SMU。保護(hù)頻率被滾降遠(yuǎn)低于SMU環(huán)閉合以防止SMU由于上面所描述的有害條件而振蕩，被稱作“保護(hù)環(huán)振蕩器”。以上拼合保護(hù)(split guard)通過(guò)用電阻器驅(qū)動(dòng)電纜保護(hù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。電阻性保護(hù)將用允許保護(hù)在高頻率下“浮動(dòng)”的頻率來(lái)滾降。結(jié)果，三軸電纜中的這個(gè)內(nèi)屏蔽或“保護(hù)導(dǎo)體”將針對(duì)遠(yuǎn)高于保護(hù)滾降頻率的所有頻率依照它在三軸電纜的內(nèi)屏蔽與外屏蔽之間的位置來(lái)采用適當(dāng)?shù)腞F電壓。
[0009]因此，降低或者消除有害振蕩針對(duì)測(cè)試高速RF器件的改進(jìn)是所需要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]所公開(kāi)的技術(shù)的實(shí)施例通常包括RF測(cè)試系統(tǒng)，通過(guò)所述RF測(cè)試系統(tǒng)DC測(cè)量路徑還能夠表現(xiàn)得像適當(dāng)?shù)囟私拥腞F路徑一樣。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)需要輸出H1、L0以及感測(cè)HI導(dǎo)體被以頻率選擇性方式端接，使得端接不影響SMU DC測(cè)量。一旦所有SMU輸入/輸出阻抗被控制以及適當(dāng)?shù)囟私右韵瓷?，只要儀器維持與儀器對(duì)儀器的高絕緣(單獨(dú)的儀器被用在柵極和漏極上，或者在器件的輸入端和輸出端上)，高速器件就將在器件測(cè)試期間不再振蕩。
[0011]本發(fā)明的前述和其它目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)從參考附圖進(jìn)行的以下具體描述中將變得更顯而易見(jiàn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是依照所公開(kāi)的技術(shù)的特定實(shí)施例的SMU RF晶體管穩(wěn)定性裝置的第一實(shí)施例的框圖視圖。
[0013]圖2是圖1中舉例說(shuō)明的SMU RF晶體管穩(wěn)定性裝置的示例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]所公開(kāi)的RF測(cè)試方法學(xué)通過(guò)結(jié)合圖回顧以下具體描述而將變得更好理解。具體描述和圖僅僅提供本文中所描述的各種發(fā)明的示例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，所公開(kāi)的示例可以被變化、修改以及改變而不背離本文中所描述的發(fā)明的范圍。許多變化針對(duì)不同的應(yīng)用和設(shè)計(jì)考慮被設(shè)想到；然而，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，每一個(gè)設(shè)想的變化在以下具體描述中都未被個(gè)別地描述。
[0015]遍及以下具體描述，提供了各種RF測(cè)試方法學(xué)的示例。示例中的相關(guān)特征在不同的示例中可以是相同的、類似的或相異的。為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，將不在每個(gè)示例中冗余地說(shuō)明相關(guān)特征。替代地，相關(guān)特征名稱的使用將給讀者暗示具有相關(guān)特征名稱的特征可以與先前所說(shuō)明的示例中的相關(guān)特征類似。特定于給定示例的特征將在該特定示例中被描述。讀者應(yīng)該理解的是，給定特征在任何給定圖或示例中不需要與相關(guān)特征的特定描繪相同或類似。
[0016]參考圖1，現(xiàn)將描述SMU RF晶體管穩(wěn)定性裝置系統(tǒng)和方法學(xué)10的第一示例的框圖。系統(tǒng)10包括:被測(cè)試器件(DUT) 12 ;具有第一組至少三個(gè)測(cè)試點(diǎn)44、46、48的第一 SMU14 ;第一組三軸電纜49、56、64 ;連接到DUT 12的一組節(jié)點(diǎn)70、72、74 ;具有第二組至少三個(gè)測(cè)試點(diǎn)144、146、148的第二 SMU 114 ;以及第二組三軸電纜149、156、164。
[0017]如圖2中所不,第一組三軸電纜49、56、64中的每一個(gè)都分別包括至少中心信號(hào)導(dǎo)體50、60、66、外屏蔽54、62、68以及中間導(dǎo)體52、58、67。類似地，第二組三軸電纜149、156、164中的每一個(gè)都分別包括中心信號(hào)導(dǎo)體150、160、166、外屏蔽154、162、168以及中間導(dǎo)體152、158、167。系統(tǒng)10用來(lái)提供在SMU的輸入端與輸出端之間的降低干擾情況下允許RFDUT的I/V特性的測(cè)量的電纜互連方法學(xué)。
[0018]在圖2中所示出的示例中，SMU 114被配置與SMU 14相同；因此，需要相對(duì)于僅SMU 14及其與三軸電纜49、56、64的連接來(lái)描述方法和系統(tǒng)10。為便于理解并且當(dāng)在SMU14與SMU 114之間參考時(shí)，用于SMU 114的鏡像部件中的每一個(gè)都已經(jīng)用增加了 100的對(duì)應(yīng)SMU 14標(biāo)記來(lái)標(biāo)記，(例如，SMU 14與SMU 114相同，第一保護(hù)電阻器26與第一保護(hù)電阻器126相同等)。將附帶給出所描述的電阻器和電容器中的每一個(gè)的值，但讀者將領(lǐng)會(huì)，那些值對(duì)于給定部件來(lái)說(shuō)只不過(guò)是一組值的示例。因此，對(duì)于本文中所描述的電阻器和電容器中的每一個(gè)來(lái)說(shuō)系統(tǒng)10的其他示例可以包括許多組其他的值。進(jìn)一步地，DUT 12在本示例中被示出為雙極晶體管，但在其他系統(tǒng)示例中可以是任何三端器件。
[0019]如圖2中能夠看到的，SMU 14進(jìn)一步包括HI輸入端子16、感測(cè)HI輸入端子18以及LO輸入端子20。HI輸入端子16通過(guò)提供與第一保護(hù)電容器24 (50pF)和第二保護(hù)電容28 (150pF)串聯(lián)到LO輸入端子20并且通過(guò)接地電容器38 (IOOpF)接地到接地端子42的第一端接電阻器22 (50 Ω)而被RF端接高于截止(⑶T0FF)頻率。附加地，HI輸入端子16通過(guò)測(cè)試點(diǎn)44還被電力地耦合到三軸電纜49。應(yīng)該注意的是，與HI輸入端子16電力地耦合的是三軸電纜49的中心信號(hào)導(dǎo)體50。三軸電纜49的中心信號(hào)導(dǎo)體50通過(guò)節(jié)點(diǎn)70還被電力地耦合到DUT 12的基極。
[0020]類似地，感測(cè)HI (S+)輸入端子18通過(guò)提供與第三保護(hù)電容器32 (50pF)和第四保護(hù)電容36 (150pF)串聯(lián)到LO輸入端子20并且通過(guò)接地電容器38 (IOOpF)接地到接地端子42的第二端接電阻器30 (50 Ω)而被RF端接高于截止頻率。附加地，感測(cè)HI端子18通過(guò)測(cè)試點(diǎn)46還被電力地耦合到三軸電纜56。應(yīng)該注意的是，與感測(cè)HI輸入端子18電力地耦合的是三軸電纜56的中心信號(hào)導(dǎo)體60。三軸電纜56的中心信號(hào)導(dǎo)體60通過(guò)節(jié)點(diǎn)70還被電力地耦合到DUT 12的基極。
[0021 ] 第一端接電阻器22和第二端接電阻器30兩者以及它相應(yīng)的保護(hù)電容器24、32中的一個(gè)針對(duì)低于截止頻率的所有頻率用其相應(yīng)的保護(hù)電阻器26、34而被“守護(hù)”。保護(hù)電阻器26、34和所有保護(hù)電容器24、28、32、36被設(shè)計(jì)以便使得DC保護(hù)僅在截止頻率以下工作，從而讓HI輸入端子16和感測(cè)Hi輸入端子18被適當(dāng)?shù)豏F端接高于截止頻率。進(jìn)一步地，三軸電纜49、56、64的外屏蔽54、62、68被電力地耦合在一起并且在接地端子42處被接地。對(duì)于所公開(kāi)的實(shí)施例需要這些連接維持適當(dāng)?shù)亩私印?br> [0022]LO輸入端子20被電力地耦合到如先前所陳述的HI輸入端子16和感測(cè)HI輸入端子18，以及電力地耦合到三軸電纜64的中心信號(hào)導(dǎo)體。進(jìn)一步地，三軸電纜64的中間導(dǎo)體67還被電力地耦合到LO輸入端子20，同時(shí)三軸電纜64的中心信號(hào)導(dǎo)體66通過(guò)節(jié)點(diǎn)74被電力地耦合到DUT 12的發(fā)射極，所述節(jié)點(diǎn)74還被電力地耦合到三軸電纜164的中心信號(hào)導(dǎo)體166。
[0023]第三保護(hù)電阻器40 (20ΚΩ)通過(guò)它們相應(yīng)的中間導(dǎo)體52、58被電力地耦合到三同軸線49和三同軸線56。保護(hù)電阻器40以與保護(hù)電阻器26、34相同的方式起作用，所述保護(hù)電阻器26、34將利用在三個(gè)保護(hù)輸入端子中的每一個(gè)處的運(yùn)算放大器(運(yùn)算放大器電路未示出)來(lái)分別查看什么電壓是在HI輸入端子16和感測(cè)HI輸入端子18上，并且將那些相同的電壓放在那些相應(yīng)的保護(hù)輸入端。因此，例如，在低于截止頻率的頻率下，DC保護(hù)生效；然而，對(duì)于高于截止頻率的頻率，DC保護(hù)將失效，并且HI輸入端子16和感測(cè)HI輸入端子18將被適當(dāng)?shù)囟私拥浇拥囟俗?2。
[0024]應(yīng)該注意的是，系統(tǒng)10像上面所說(shuō)明的那樣適于I/V測(cè)量(低于截止頻率的頻率)并且適于RF測(cè)量(高于截止頻率的頻率)。雖然每個(gè)SMU的截止頻率可能因?yàn)閮?nèi)部部件的值而變化，但是用于截止頻率的最佳值部分地取決于DUT被適當(dāng)?shù)囟私雍头€(wěn)定所需要的測(cè)量帶寬以及RF頻率。然而，照例，截止頻率應(yīng)該被設(shè)計(jì)成盡可能低，其典型地僅高于測(cè)量帶寬。對(duì)于高分辨率I/V測(cè)量，對(duì)于待在3Khz與6Khz之間的頻率截止(僅高于I/V測(cè)量)將是不常見(jiàn)的。例如，在本公開(kāi)的實(shí)施例中，截止頻率是約3，538Hz，其是低于在進(jìn)行大多數(shù)I/V測(cè)量情況下的頻率?？商鎿Q地，其他方法可以具有在先前公開(kāi)的3-6Khz范圍內(nèi)的截止頻率。
[0025]如圖2中所舉例說(shuō)明的那樣，本實(shí)施例公開(kāi)了共發(fā)射極配置中的DUT 12的互連，其中DUT 12的發(fā)射極通過(guò)三軸電纜64的中心信號(hào)導(dǎo)體66和接地電容器38而為接地端子42所共有。可替換地，在其他示例中，能夠用共基極或共集電極配置互連DUT。進(jìn)一步地，本實(shí)施例中的DUT碰巧是NPN晶體管，但在其他示例中，DUT可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、運(yùn)算放大器或任何三端分立器件。
[0026]已經(jīng)參考舉例說(shuō)明的實(shí)施例描述并且舉例說(shuō)明了本發(fā)明的原理，將認(rèn)識(shí)到，所舉例說(shuō)明的實(shí)施例可以在裝置和細(xì)節(jié)上被修改而不背離這種原理，并且還可以以任何期望的方式被組合。并且雖然前述討論已集中于特定實(shí)施例，但是可以設(shè)想其他配置。特別地，即使在本文中使用了諸如“根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例”等等之類的表達(dá)，這些短語(yǔ)也意在通常參考實(shí)施例可能性，并且不旨在將本發(fā)明限制于特定的實(shí)施例配置。如本文所用的那樣，這些術(shù)語(yǔ)可以參考可組合到其他實(shí)施例中的相同的或不同的實(shí)施例。
[0027]因此，鑒于對(duì)本文中所描述的實(shí)施例的各式各樣置換，這個(gè)具體描述和所附材料旨在僅僅為說(shuō)明性的，并且不應(yīng)該被認(rèn)為是限制本發(fā)明的范圍。因此，如本發(fā)明所要求保護(hù)的是如可能落入以下權(quán)利要求及其等同物的范圍和精神內(nèi)的所有這種修改。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)試被測(cè)試器件(DUT)的方法，包括: 將包括至少三個(gè)測(cè)試點(diǎn)的第一源測(cè)量單元(SMU)連接到第一組至少三個(gè)三軸電纜，每個(gè)三軸電纜具有至少中心信號(hào)導(dǎo)體、外屏蔽、中間導(dǎo)體以及接地端子，以便使得所述三個(gè)測(cè)試點(diǎn)中的每一個(gè)都被分別連接到所述第一組所述三個(gè)三軸電纜中的每一個(gè)的所述中心信號(hào)導(dǎo)體的第一端，并且其中所述第一組三軸電纜的所述外屏蔽中的每一個(gè)都連同所述接地端子一起被電力地稱合在一起； 將所述第一組三軸電纜中的每一個(gè)的第二端連接到所述被測(cè)試器件的一組節(jié)點(diǎn)； 將包括至少三個(gè)測(cè)試點(diǎn)的第二 SMU連接到第二組至少三個(gè)三軸電纜，并且具有中心信號(hào)導(dǎo)體、外屏蔽、中間導(dǎo)體以及接地端子以便使得所述三個(gè)測(cè)試點(diǎn)中的每一個(gè)都被分別連接到所述第二組所述三個(gè)三軸電纜中的每一個(gè)的所述中心信號(hào)導(dǎo)體的第一端，并且其中所述第二組三軸電纜的所述外屏蔽中的每一個(gè)都連同所述接地端子一起被電力地耦合在一起; 將所述第二組三軸電纜中的每一個(gè)的第二端連接到所述被測(cè)試器件的一組節(jié)點(diǎn)； 其中，所述第一和第二組三軸電纜兩者的所述外屏蔽被電力地耦合在一起并且電力地耦合到它們相應(yīng)的接地端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一SMU和第二 SMU每個(gè)都包括機(jī)架接地端子，所述第一和第二組三軸電纜的所述相應(yīng)的外屏蔽被電力地耦合到所述機(jī)架接地端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一SMU和第二 SMU進(jìn)一步包括: 電力地耦合到所述第一測(cè)試點(diǎn)的第一輸入端子，所述第一輸入端子具有: 電力地與所述第一輸入端子串聯(lián)耦合的第一端接電阻器； 電力地與所述第一端接電阻器串聯(lián)耦合的第一保護(hù)電容器和第二保護(hù)電容器； 電力地與所述第一保護(hù)電容器和所述第二保護(hù)電容器耦合的第一保護(hù)電阻器； 電力地與它相應(yīng)的接地端子串聯(lián)耦合的接地電容器； 電力地耦合到所述第二測(cè)試點(diǎn)的第二輸入端子，所述第二輸入端子具有: 電力地與所述第二輸入端子串聯(lián)耦合的第二端接電阻器； 電力地與所述第二端接電阻器串聯(lián)耦合的第三保護(hù)電容器和第四保護(hù)電容器； 電力地與所述第三保護(hù)電容器和所述第四保護(hù)電容器耦合的第二保護(hù)電阻器；以及電力地耦合到所述第一輸入端子、所述第二輸入端子以及所述第三測(cè)試點(diǎn)的第三輸入端子，并且其中所述第三輸入端子還被電力地耦合到所述接地電容器及其相應(yīng)的接地端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一輸入端子被配置成接收Hi信號(hào)輸入。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二輸入端子被配置成接收感測(cè)Hi信號(hào)輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第三輸入端子被配置成接收Lo信號(hào)輸入。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述DUT是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或運(yùn)算放大器或三端分立器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述DUT被用共發(fā)射極配置電力地耦合到所述第一和第二組三軸電纜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述DUT被用共基極配置電力地耦合到所述第一和第二組二軸電纜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述DUT被用共集電極配置電力地耦合到所述第一和第二組三軸電纜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一SMU和第二 SMU每個(gè)都具有電力地耦合到第一測(cè)試點(diǎn)的相應(yīng)的第一輸入端，每個(gè)SMU具有電力地與第一端接電阻器耦合的相應(yīng)的第一輸入端子，每個(gè)SMU的終端電阻器具有至少50歐姆的電阻。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二組三軸電纜具有至少100歐姆的阻抗。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中每個(gè)SMU進(jìn)一步包括分別電力地耦合到所述第一和第二三軸電纜的所述中間導(dǎo)體的第三保護(hù)電阻器。
14.一種用于測(cè)試被測(cè)試器件(DUT)的系統(tǒng)，包括: 包括連接到第一組至少三個(gè)三軸電纜的至少三個(gè)測(cè)試點(diǎn)的第一源測(cè)量單元(SMU)，每個(gè)電纜具有至少中心信號(hào)導(dǎo)體、外屏蔽、中間導(dǎo)體以及第一接地端子，以便使得所述三個(gè)測(cè)試點(diǎn)中的每一個(gè)都被分別連接到所述第一組三個(gè)三軸電纜中的每一個(gè)的所述中心信號(hào)導(dǎo)體的第一端，并且其中所述 第一組三軸電纜的所述外屏蔽中的每一個(gè)都被電力地耦合在一起并且耦合到所述第一接地端子； 一組節(jié)點(diǎn)，所述組節(jié)點(diǎn)被連接到所述第一組三軸電纜中的每一個(gè)的第二端并且連接到所述DUT ； 包括連接到第二組至少三個(gè)三軸電纜的至少三個(gè)測(cè)試點(diǎn)的第二 SMU，每個(gè)電纜具有至少中心信號(hào)導(dǎo)體、外屏蔽、中間導(dǎo)體以及第二接地端子，以便使得所述三個(gè)測(cè)試點(diǎn)中的每一個(gè)都被分別連接到所述第二組三個(gè)三軸電纜中的每一個(gè)的所述中心信號(hào)導(dǎo)體的第一端，并且其中所述第二組三軸電纜的所述外屏蔽中的每一個(gè)都被電力地耦合在一起并且耦合到所述第二接地端子； 連接到所述組節(jié)點(diǎn)并且連接到所述DUT的所述第二組三軸電纜中的每一個(gè)的第二端； 其中，所述第一和第二組三軸電纜兩者的所述外屏蔽被電力地耦合到它們相應(yīng)的第一和第二接地端子。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述第一SMU和第二 SMU每個(gè)都包括機(jī)架接地端子，所述第一和第二三軸電纜的所述相應(yīng)的外屏蔽被電力地耦合到所述機(jī)架接地端子。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述DUT是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、或運(yùn)算放大器、或三端分立器件。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103969566SQ201410044021
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年1月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】J.A.尼曼 申請(qǐng)人:基思利儀器公司