檢查裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠?qū)⒎姥趸瘹怏w均等地供給到廣范圍配置的多個(gè)探針的前端的檢查裝置。該檢查裝置使在晶片狀態(tài)的被檢查體的表面上形成的電極焊盤(pán)與在具有開(kāi)口部(11a)的懸臂型的探測(cè)卡(11)安裝的探針(12)的前端接觸，進(jìn)行被檢查體的電檢查，包括將防止探針(12)的前端氧化的防氧化氣體從探測(cè)卡(11)的上方經(jīng)開(kāi)口部(11a)供給到探針(12)的前端的氣體供給機(jī)構(gòu)(16)，氣體供給機(jī)構(gòu)(16)在與開(kāi)口部(11a)相對(duì)的面內(nèi)均勻地分散具有噴出防氧化氣體的多個(gè)噴出口(16e)。
【專利說(shuō)明】檢查裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使在晶片狀態(tài)的被檢查體的表面上形成的電極焊盤(pán)與安裝于探測(cè)卡的探針的前端接觸而進(jìn)行上述被檢查體的電檢查的檢查裝置，特別涉及進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的探測(cè)實(shí)驗(yàn)的檢查裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]作為用于檢查處于晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體芯片的夾具而使用了探測(cè)卡的晶片試驗(yàn)，通過(guò)使探針與在集成電路上形成的電極焊盤(pán)接觸來(lái)進(jìn)行。
[0003]圖10表示現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的探測(cè)實(shí)驗(yàn)的檢查裝置的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。在圖10，檢查裝置100包括噴出嘴101、安裝有探針102的懸臂型的探測(cè)卡103、固定半導(dǎo)體晶片104的晶片載置臺(tái)105和箱體106，還包括信號(hào)處理部107，其生成用于經(jīng)由探針102輸入到芯片上的電極焊盤(pán)的電信號(hào)，且對(duì)輸出至電極焊盤(pán)的輸出信號(hào)進(jìn)行分析，判定芯片的良否。
[0004]此處,用噴出嘴101將防氧化氣體(例如,氮?dú)獾榷栊詺怏w)噴出到探針102，由此防止探針102的氧化。
[0005]這樣，在現(xiàn)有的檢查裝置中，經(jīng)由噴射嘴向探針噴出防氧化氣體，由此，防止探針前端的氧化(例如，參照下述的專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2)。
[0006]在專利文獻(xiàn)I中所示的檢查裝置中，從具有開(kāi)口部的懸臂型的探測(cè)卡的該開(kāi)口部的上方，從I個(gè)噴嘴向探針的前端噴射惰性氣體。此外，在專利文獻(xiàn)1，還改進(jìn)為在噴嘴的前端設(shè)置罩狀的覆蓋物，向多個(gè)探針均勻地供給惰性氣體。
[0007]在專利文獻(xiàn)2所示的檢查裝置，使兩個(gè)噴嘴從側(cè)面向探針的前端延伸，向探針的前端附近噴射惰性氣體。
[0008]此外，在下述的專利文獻(xiàn)3，雖然不以防止探針的前端氧化為目的，但是公開(kāi)有為了防止探測(cè)卡的吸濕，設(shè)置包圍探測(cè)卡的外周的環(huán)狀的配管，在該配管設(shè)置多個(gè)噴射口，從側(cè)面向位于中央的探測(cè)卡噴射氮?dú)獾慕Y(jié)構(gòu)。
[0009]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)
[0011]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2002-216205號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平7-273157號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平10-163279號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]發(fā)明所要解決的問(wèn)題
[0015]為了有效率地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的探測(cè)實(shí)驗(yàn)，對(duì)作為被檢查體的多個(gè)半導(dǎo)體芯片同時(shí)進(jìn)行測(cè)定。在該多個(gè)同時(shí)測(cè)定中，需要使探針與多個(gè)半導(dǎo)體芯片的所有電極焊盤(pán)接觸，因此，安裝于探測(cè)卡的探針的個(gè)數(shù)增加同時(shí)測(cè)定的數(shù)量倍。此外，同時(shí)測(cè)定對(duì)象半導(dǎo)體芯片通常以在半導(dǎo)體晶片上在縱向、橫向或斜向的任一方向上相鄰的多個(gè)為I組，因此，探針的位置在同時(shí)測(cè)定對(duì)象半導(dǎo)體芯片的相鄰方向上延伸得長(zhǎng)，因此，在該多個(gè)同時(shí)測(cè)定中，難以對(duì)所有探針的前端均等地供給防氧化氣體。此外，即使不是多個(gè)同時(shí)測(cè)定，對(duì)具有大量電極焊盤(pán)的被檢查體也會(huì)產(chǎn)生同樣的問(wèn)題。
[0016]在專利文獻(xiàn)I中所示的檢查裝置，基本為從I個(gè)噴嘴向探針的前端噴射惰性氣體的結(jié)構(gòu)，因此即使在噴嘴的前端設(shè)置罩狀的覆蓋物，在多個(gè)同時(shí)測(cè)定用的探測(cè)卡等的多個(gè)探針的前端廣范圍地配置的情況下，也難以向各探針的前端均等地供給惰性氣體。
[0017]此外，在專利文獻(xiàn)2或?qū)＠墨I(xiàn)3中所示的檢查裝置，由于是從橫方向?qū)μ结樀那岸藝娚涠栊詺怏w的結(jié)構(gòu)，所以探針的前端與噴嘴前端的距離不均等，難以均等地向廣范圍地配置的多個(gè)探針的前端供給惰性氣體。
[0018]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的發(fā)明，其目的在于，提供能夠均等地向廣范圍配置的多個(gè)探針的前端供給防氧化氣體的檢查裝置。
[0019]用于解決問(wèn)題的方式
[0020]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是一種檢查裝置，其使在晶片狀態(tài)的被檢查體的表面上形成的電極焊盤(pán)與在具有開(kāi)口部的懸臂型的探測(cè)卡中安裝的探針的前端接觸，進(jìn)行上述被檢查體的電檢查，該檢查裝置的特征在于:包括氣體供給機(jī)構(gòu)，上述氣體供給機(jī)構(gòu)將防止上述探針的前端氧化的防氧化氣體，從上述探測(cè)卡的上方經(jīng)上述開(kāi)口部供給到上述探針的前端，上述氣體供給機(jī)構(gòu)在與上述開(kāi)口部相對(duì)的面內(nèi)均勻地分散具有噴出上述防氧化氣體的多個(gè)噴出口。
[0021]進(jìn)一步，上述第一特征的檢查裝置的第二特征在于:包括除去上述防氧化氣體中所含的灰塵的過(guò)濾器。
[0022]進(jìn)一步，在上述第二調(diào)整的檢查裝置優(yōu)選如下方式:在上述被檢查體為圖像傳感器的情況下，上述過(guò)濾器具有除去比上述圖像傳感器的最小像素尺寸乘以0.1?0.7的范圍內(nèi)的規(guī)定的比率而得到的尺寸大的灰塵的能力。
[0023]進(jìn)一步，上述第一或第二特征的檢查裝置的第三特征在于:上述檢查裝置具有遮蔽體，該遮蔽體將除上述探測(cè)卡的上述開(kāi)口部和上述氣體供給機(jī)構(gòu)的上述多個(gè)噴出口以外的、上述探測(cè)卡與上述氣體供給機(jī)構(gòu)之間的空間密封。
[0024]進(jìn)一步，在上述第三特征的檢查裝置優(yōu)選如下方式:上述遮蔽體的上端與分散配置有上述多個(gè)噴出口的面的外周部緊密接觸，上述遮蔽體的下端與上述探測(cè)卡的上述開(kāi)口部的外周部緊密接觸。
[0025]進(jìn)一步，上述任一特征的檢查裝置優(yōu)選于上述探測(cè)卡為同時(shí)測(cè)定多個(gè)用的探測(cè)卡的情況。
[0026]進(jìn)一步，在上述任一特征的檢查裝置優(yōu)選如下方式:上述多個(gè)噴出口在每基準(zhǔn)面積中存在I個(gè)以上，該基準(zhǔn)面積與上述被檢查體的芯片面積為同等大小。
[0027]進(jìn)一步，第四特性在于，在上述任一特征的檢查裝置，還包括:檢查部，其進(jìn)行上述被檢查體的電檢查；供氣線路，其接受上述防氧化氣體，并將該防氧化氣體向上述氣體供給機(jī)構(gòu)供給；和氣體供給源，其與上述檢查部相鄰配置，并且將填充的或生成的上述防氧化氣體供給到上述供氣線路。
[0028]進(jìn)一步，第五特征在于:在上述第四特征的檢查裝置，上述氣體供給源以從周?chē)∪氲目諝鉃樵?，生成作為上述防氧化氣體的氮?dú)狻?br> [0029]進(jìn)一步，第六特征在于，在上述第五特征的檢查裝置，上述氣體供給源包括:氮?dú)馍刹?，其以上述空氣為原料生成上述氮?dú)猓缓凸庥眠^(guò)濾裝置，其從被供給到上述氮?dú)馍刹康纳鲜隹諝夂蜕鲜龅獨(dú)馍刹可傻纳鲜龅獨(dú)庵械闹辽僖环街谐セ覊m。
[0030]進(jìn)一步，第七特征在于，在上述第六特征的檢查裝置，上述供氣用過(guò)濾裝置包括:將從周?chē)∪氲纳鲜隹諝庵兴幕覊m除去的第一過(guò)濾裝置；和將上述氮?dú)馍刹可傻纳鲜龅獨(dú)庵兴幕覊m除去的第二過(guò)濾裝置，由上述第二過(guò)濾裝置除去的灰塵的大小的下限值小于由上述第一過(guò)濾裝置除去的灰塵的大小的下限值。
[0031]進(jìn)一步，第八特征在于，在上述第四?第七中的任一特征的檢查裝置，還包括:箱體，在其內(nèi)部的空間進(jìn)行上述檢查；將上述箱體的內(nèi)部的上述防氧化氣體排出到外部的排氣口 ；和將從上述排氣口排出的上述防氧化氣體中所含的灰塵除去的排氣用過(guò)濾裝置。
[0032]進(jìn)一步，第九特征在于，在上述第四?第八中的任一特征的檢查裝置，還包括:箱體，在其內(nèi)部的空間進(jìn)行上述檢查；將上述箱體的內(nèi)部的上述防氧化氣體排出到外部的排氣口 ；和歸還管道，其接受從上述排氣口排出的上述防氧化氣體并將該防氧化氣體供給到上述氣體供給源。
[0033]發(fā)明的效果
[0034]根據(jù)上述第一特征的檢查裝置，通過(guò)將探測(cè)卡特定為具有開(kāi)口部的懸臂型的探測(cè)卡，能夠經(jīng)由開(kāi)口部將防氧化氣體從上方供給到探針的前端。此處，因?yàn)樵谔綔y(cè)卡的與開(kāi)口部相對(duì)的面內(nèi)均勻地分散形成有噴出防氧化氣體的多個(gè)噴出口，所以即使廣范圍地存在多個(gè)探針的前端，也能夠?qū)姵隹谂c探針的前端的距離保持為大致相等距離，能夠向所有的探針的前端均等地供給防氧化氣體。
[0035]由此，能夠事先避免在多個(gè)探針的一部分由于防氧化氣體的供給不足而前端部被氧化，探針的前端與電極焊盤(pán)間的接觸電阻變高，不能正常進(jìn)行被檢查體的電檢查等負(fù)面影響。
[0036]根據(jù)的第二特征的檢查裝置，利用過(guò)濾器除去防氧化氣體中所含的灰塵，因此能夠減輕該灰塵對(duì)被檢查體的電檢查產(chǎn)生的影響。特別是在被檢查體為圖像傳感器的情況下，能夠除去對(duì)圖像傳感器的電檢查產(chǎn)生影響的可能性高的灰塵，能夠排除起因于灰塵的外觀上的檢查不良，實(shí)現(xiàn)檢查成品率的提高。
[0037]根據(jù)上述第三特征的檢查裝置，從外部遮斷含有氧的空氣進(jìn)入到探測(cè)卡與氣體供給機(jī)構(gòu)之間的空間中，因此能夠更有效果地防止各探針的前端的氧化。
[0038]根據(jù)上述第四特征的檢查裝置，從與檢查部相鄰地配置的氣體供給源向該檢查部供給防氧化氣體，因此能夠不需要為了接受防氧化氣體的供給而與某些設(shè)備(例如，工廠內(nèi)的配管)連接。因此，能夠提高檢查裝置的配置的自由度。
[0039]根據(jù)上述第五特征的檢查裝置，氣體供給源能夠半永久地供給作為防氧化氣體的氮?dú)?。因此，不需要定期交換氣體供給源(例如，使用后的空的儲(chǔ)氣瓶和使用前的填充滿的儲(chǔ)氣瓶的交換)，也不需要確保用于交換的通路等。因此能夠進(jìn)一步提高檢查裝置的配置的自由度。
[0040]根據(jù)上述第六特征的檢查裝置，氣體供給源能夠供給灰塵少的氮?dú)狻Ｒ虼?，能夠提高檢查裝置的檢查精度。
[0041]根據(jù)上述第七特征的檢查裝置，對(duì)于可能含灰塵比較多的檢查裝置的周?chē)目諝?，使用灰塵的除去性能低且通用的第一過(guò)濾裝置進(jìn)行灰塵的除去，對(duì)于為了供給到檢查部而需極力避免灰塵的混入的氮?dú)?，使用與第一過(guò)濾裝置相比灰塵的除去性能高且稀少的(與第一過(guò)濾裝置相比，能夠除去小的灰塵，但是制造困難且成本高)的第二過(guò)濾裝置進(jìn)行灰塵的除去。因此，能夠降低稀少的第二過(guò)濾裝置的負(fù)荷，能夠降低其交換次數(shù)。
[0042]根據(jù)上述第八特征的檢查裝置，通過(guò)在箱體設(shè)置排氣口，使被供給到探針的前端的防氧化氣體之后在箱體內(nèi)向一個(gè)方向流動(dòng)而被排氣。因此，能夠防止在箱體內(nèi)灰塵(例如在檢查的過(guò)程中產(chǎn)生的灰塵)飛揚(yáng)至晶片上、或阻礙防氧化氣體對(duì)探針的前端噴出。此夕卜，通過(guò)設(shè)置排氣用過(guò)濾裝置，能夠防止箱體的內(nèi)部的灰塵向外部放出而使配置有檢查裝置的空間的空氣的潔凈度降低。
[0043]根據(jù)上述第九特征的檢查裝置，氣體供給源能夠?qū)νㄟ^(guò)排氣口從箱體排出的防氧化氣體進(jìn)行再利用。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)氣體供給源的簡(jiǎn)潔化和小型化，因此能夠進(jìn)一步提高檢查裝置的配置自由度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0044]圖1是示意地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的截面圖。
[0045]圖2是示意地表示圖1所示的檢查裝置中使用的噴嘴的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。
[0046]圖3是表示圖1所示的檢查裝置中防氧化氣體的供給效果的驗(yàn)證結(jié)果的圖。
[0047]圖4是示意地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第二實(shí)施例的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的截面圖。
[0048]圖5是表示圖4所示的檢查裝置中將過(guò)濾器設(shè)置在防氧化氣體的供給系統(tǒng)的情況下的效果的驗(yàn)證結(jié)果的圖。
[0049]圖6是示意地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的側(cè)面圖。
[0050]圖7是示意地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的側(cè)面圖。
[0051]圖8是示意地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第三實(shí)施例的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的側(cè)面圖。
[0052]圖9是示意地表示將本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式組合而得到的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的截面圖。
[0053]圖10是示意地表示現(xiàn)有的檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0054]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的檢查裝置(以下，適當(dāng)稱為“本檢查裝置”)的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0055]<第一實(shí)施方式>
[0056][第一實(shí)施例]
[0057]圖1是示意地表示本檢查裝置的第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)例的截面圖。另外，圖1是示意圖，強(qiáng)調(diào)地表示主要部分，因此各部分的尺寸比并不一定與實(shí)際的本檢查裝置相同。
[0058]如圖1所示，本檢查裝置I包括:箱體10 ;探測(cè)卡11 ;安裝探測(cè)卡的卡支承部13 ；載置并支承由多個(gè)被檢查體配置成矩陣狀而形成的半導(dǎo)體晶片14的可動(dòng)載物臺(tái)15 ;向安裝在探測(cè)卡11的探針12的前端噴射防氧化氣體的噴嘴16 (相當(dāng)于氣體供給機(jī)構(gòu))；和從外部接受防氧化氣體并將其供給到噴嘴16的供氣線路17。
[0059]此外，在探測(cè)卡11和卡支承部13被安裝在箱體10的狀態(tài)下，在探測(cè)卡11的上方配置有與設(shè)置在探測(cè)卡11的上表面的連接端子接觸的彈簧針環(huán)3和經(jīng)由彈簧針環(huán)3與探針12進(jìn)行電信號(hào)的交接的試驗(yàn)壓頭4。另外，試驗(yàn)壓頭4與試驗(yàn)裝置(未圖示)連接。試驗(yàn)裝置生成輸入到被檢查體的電極焊盤(pán)的電信號(hào)，并且接收從電極焊盤(pán)輸出的電信號(hào)，對(duì)該接收到的電信號(hào)進(jìn)行分析，判定被檢查體的良否。此外，在本實(shí)施例中，試驗(yàn)裝置進(jìn)行可動(dòng)載物臺(tái)15的定位和移動(dòng)的控制。
[0060]在本實(shí)施例，探測(cè)卡11具有開(kāi)口部11a，探針12是從開(kāi)口部Ila的外周部向斜下方延伸的懸臂型探測(cè)卡。因此，所有探針12的前端從垂直于與探測(cè)卡11的板面(或半導(dǎo)體晶片14的表面)平行的平面(為了便于說(shuō)明而稱為“平面A”)的方向看時(shí)存在于開(kāi)口部Ila的內(nèi)側(cè)。
[0061]在本實(shí)施例中，噴嘴16在探測(cè)卡11的上方設(shè)置在由彈簧針環(huán)3圍成的空間內(nèi)。具體而言，如圖2(a)所示，噴嘴16由中空的扁平的筒體形成，該筒體由與平行于氣體供給空間S的平面A的截面為相同形狀(例如圓形)的上表面16a和下表面16b、以及筒狀的側(cè)面16c圍成，噴嘴16的側(cè)面16c與彈簧針環(huán)3的內(nèi)側(cè)面緊密接觸。以下，為了便于說(shuō)明，將由噴嘴16的下表面16b、探測(cè)卡11 (包括開(kāi)口部Ila)和彈簧針環(huán)3的內(nèi)側(cè)面圍成的空間S稱為“氣體供給空間S”。
[0062]在噴嘴16的上表面16a設(shè)置有與供氣線路17連接的供氣口 16d。此外，如圖2 (a)、(b)所示，在與探測(cè)卡11的開(kāi)口部Ila相對(duì)的噴嘴16的下表面16b，均勻地分散形成有多個(gè)噴出防氧化氣體的噴出口 16e。在本實(shí)施例中，噴出口 16e的密度(每單位面積的個(gè)數(shù))設(shè)定成每基準(zhǔn)面積存在I個(gè)以上，該基準(zhǔn)面積與被檢查體的芯片面積為同等大小。
[0063]在試驗(yàn)壓頭4的中心部設(shè)置有貫通孔4a，供氣線路17插通貫通孔4a，供氣線路17的一端與噴嘴16的供氣口 16d連接。另一方面，供氣線路17的另一端與設(shè)置在箱體10的外部的防氧化氣體的供給源(未圖示)連接。防氧化氣體使用氮等惰性氣體或還原性氣體，防氧化氣體的供給源設(shè)想為填充有防氧化氣體的儲(chǔ)氣瓶或利用空氣生成氮的防氧化氣體生成裝置等方式。此外，在防氧化氣體的供給源或供氣線路17的途中，根據(jù)需要設(shè)置有調(diào)整防氧化氣體的流量的流量調(diào)整器(未圖示)和壓力調(diào)整器(未圖示)。
[0064]而且，在彈簧針環(huán)3的下端部和上端部配置有彈簧針，因此，氣體供給空間S經(jīng)由彈簧針間的間隙與外部空間連通，因此不會(huì)直接成為密封狀態(tài)，因此，在本實(shí)施例中，設(shè)置除了噴嘴16的噴出口 16e和探測(cè)卡11的開(kāi)口部Ila以外將氣體供給空間S密封的遮蔽體18，將氣體供給空間S與外部空間遮斷。遮蔽體18由筒狀的氣密的材料構(gòu)成，下端部與探測(cè)卡11的開(kāi)口部Ila的外周部的上表面緊密接觸，上端部與噴嘴16的上表面16b的外周端緊S接觸。
[0065]通過(guò)如上述那樣構(gòu)成噴嘴16，防氧化氣體從在噴嘴16的下表面16b均勻地分散配置的多個(gè)噴出口 16e向氣體供給空間S內(nèi)均等地噴射。而且，該均勻地噴射出的防氧化氣體經(jīng)由氣體供給空間S和探測(cè)卡11的開(kāi)口部Ila均等地供給到安裝于探測(cè)卡11的所有探針12的前端。由此，能夠事先解決探針12的前端氧化、與電極焊盤(pán)之間的接觸電阻變高而使被檢查體的電檢查不能正常進(jìn)行等問(wèn)題。進(jìn)一步，通過(guò)利用遮蔽體18將氣體供給空間S密封，能夠防止作為氧化性氣體的含有氧的空氣從外部空間進(jìn)入，因此能夠更有效果地防止探針12的前端的氧化。
[0066]圖3表示對(duì)向探針12的前端供給防氧化氣體的效果進(jìn)行驗(yàn)證的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)中，使用氮?dú)庾鳛榉姥趸瘹怏w，在供給氮?dú)夂筒还┙o氮?dú)膺@兩種情況下，一邊依次替換半導(dǎo)體晶片14上的被檢查體(半導(dǎo)體芯片)，一邊將探針12的前端與被檢查體的電極焊盤(pán)間的接觸重復(fù)2000次，測(cè)定每I次的探針12的前端與電極焊盤(pán)間的接觸電阻。圖3表示:在上述兩種情況的事例中，依次求取每20次的接觸電阻的平均值，以最初的20次的平均值為1，求取隨著接觸次數(shù)的增加每20次的接觸電阻的平均值的增加系數(shù)。由圖3可知，在不供給氮?dú)獾那闆r下，隨著探針12的前端與被檢查體的電極焊盤(pán)間的接觸次數(shù)增加，接觸電阻增加，但是在供給氮?dú)獾那闆r下，即使接觸次數(shù)增加，接觸電阻從初期的接觸電阻起大致不發(fā)生變化。
[0067]在探測(cè)卡11為同時(shí)測(cè)定多個(gè)用的探測(cè)卡的情況下，如上所述，多個(gè)探針的前端廣范圍地配置，因此難以均等地向各探針的前端供給防氧化氣體，當(dāng)在一部分探針的前端防氧化氣體的供給不足時(shí)，存在由于如圖3所示那樣的接觸電阻的增加而不能正常進(jìn)行被檢查體的電檢查的可能性。但是，通過(guò)如本實(shí)施例那樣構(gòu)成噴嘴16，防氧化氣體能夠被均等地供給到所有探針12的前端，探針的前端的接觸電阻的增加被抑制，能夠正常進(jìn)行被檢查體的電檢查。
[0068][第二實(shí)施例]
[0069]圖4是示意地表示本檢查裝置的第一實(shí)施方式的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)例的截面圖。另外，圖4是示意圖，強(qiáng)調(diào)地表示主要部分，因此各部分的尺寸比并不一定與實(shí)際的本檢查裝置相同。此外，對(duì)于第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行說(shuō)明。
[0070]如圖4所示，本檢查裝置2與第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置I相同，包括箱體10、探測(cè)卡11、卡支承部13、可動(dòng)載物臺(tái)15、噴嘴16 (相當(dāng)于氣體供給機(jī)構(gòu))和供氣線路17。此外，與第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例同樣地，在探測(cè)卡11的上方設(shè)置有彈簧針環(huán)3和試驗(yàn)壓頭4，進(jìn)一步設(shè)置有試驗(yàn)裝置(未圖示)。
[0071]在第二實(shí)施例中，在噴嘴16的中空部分插入有除去防氧化氣體中所含的灰塵的過(guò)濾器19。除了插入有過(guò)濾器19以外，本檢查裝置2的各構(gòu)成要素、彈簧針環(huán)3、試驗(yàn)4和試驗(yàn)裝置因?yàn)榕c第一實(shí)施例相同而省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0072]過(guò)濾器19是與噴嘴16的下表面16b形狀相同的多孔濾膜，設(shè)置在下表面16b的內(nèi)側(cè)(噴嘴16的中空部分側(cè))。在本實(shí)施例中，過(guò)濾器19捕獲從噴嘴16的供氣口 16d流入中空部分的防氧化氣體中所含的、直徑例如為0.1?0.7μπι左右以上的灰塵，并從噴出口 16e向氣體供給空間S供給除去灰塵后的防氧化氣體。
[0073]供氣線路17用金屬制或樹(shù)脂制的配管構(gòu)成，存在由于金屬制配管的銹和樹(shù)脂制配管的劣化而在供氣線路17內(nèi)產(chǎn)生上述的灰塵的可能性，此外，還存在在未圖示的防氧化氣體的供給源產(chǎn)生灰塵的可能性。因此，通過(guò)設(shè)置過(guò)濾器19，能夠?qū)⒊セ覊m后的防氧化氣體供給到探針12的前端。其結(jié)果是，能夠防止探針12的前端的氧化，并且能夠防止防氧化氣體中所含的灰塵附著在半導(dǎo)體晶片14的表面，在被檢查體的電檢查中能夠防止起因于灰塵的檢查不良所導(dǎo)致的成功率降低。特別是在被檢查體為CCD傳感器和CMOS傳感器等半導(dǎo)體圖像傳感器時(shí)，因?yàn)楦街诒砻娴幕覊m等而妨礙光的入射，所以起因于灰塵的檢查不良特別成為問(wèn)題，過(guò)濾器19的改善效果顯著。在這種情況下，優(yōu)選能夠利用過(guò)濾器19除去比半導(dǎo)體圖像傳感器的最小圖像尺寸乘以0.1?0.7μπι的范圍內(nèi)的規(guī)定的比率而得到的尺寸大的灰塵。
[0074]過(guò)濾器19除了插入噴嘴16的中空部分以外也可以安裝在供氣線路17的途中。關(guān)于過(guò)濾器19的結(jié)構(gòu)、使用濾膜構(gòu)成過(guò)濾器19的情況下的濾膜的材質(zhì)等，只要能夠除去上述的灰塵就不限定于特定的結(jié)構(gòu)和方式的過(guò)濾器。另外，在使用濾膜構(gòu)成過(guò)濾器19的情況下，如果濾膜中含有用于吸附灰塵的水分等，則存在在除去灰塵后的防氧化氣體中混入該水分等，探針的前端的防氧化效果降低的問(wèn)題，并不優(yōu)選。因此，過(guò)濾器19優(yōu)選不在通過(guò)的氣體中附加水分等多余的物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和方式。
[0075]圖5表示在可動(dòng)載物臺(tái)15上的空間測(cè)定在噴嘴16或供氣線路17設(shè)置有過(guò)濾器19的情況下和不設(shè)置過(guò)濾器19的情況下的從噴嘴16噴出的防氧化氣體中的灰塵數(shù)量得到的結(jié)果。圖5中，實(shí)線的曲線表示設(shè)置有過(guò)濾器19的情況下的灰塵的檢測(cè)數(shù)，虛線的曲線表示不設(shè)置過(guò)濾器19的情況下的灰塵的檢測(cè)數(shù)，點(diǎn)劃線的直線表示晶片試驗(yàn)環(huán)境下的基準(zhǔn)值。在圖5所示的灰塵數(shù)量的測(cè)定例中，使用利用激光的光學(xué)式的顆粒計(jì)數(shù)器，對(duì)每I分鐘一定體積的氣體中存在的直徑0.3?1.0 μ m的灰塵的個(gè)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。根據(jù)圖5可知，在設(shè)置有過(guò)濾器19的情況下，從測(cè)定開(kāi)始I分鐘后起灰塵的檢測(cè)數(shù)穩(wěn)定地成為基準(zhǔn)值以下，與此相對(duì)，在不設(shè)置過(guò)濾器19的情況下，測(cè)定開(kāi)始后6分鐘左右不穩(wěn)定的狀態(tài)還在繼續(xù)，即使在穩(wěn)定以后，灰塵的檢測(cè)數(shù)也超過(guò)基準(zhǔn)值。
[0076][其它實(shí)施例]
[0077]<1>在上述各實(shí)施例中，按照?qǐng)D2(b)所示的要點(diǎn)，在噴嘴16的下表面16b均勻地分散形成有多個(gè)噴出口 16e，但噴出口 16e的形狀、相對(duì)于下表面16b的相對(duì)的大小、配置方法等并不限定于圖2(b)所示的實(shí)施例。
[0078]<2>在上述各實(shí)施例中，探測(cè)卡11設(shè)想為通過(guò)卡支承部13安裝在箱體10的頂板1a的結(jié)構(gòu)，但也可以為探測(cè)卡11直接安裝在頂板1a的結(jié)構(gòu)。
[0079]<3>此外，在上述各實(shí)施例中，以探測(cè)卡11經(jīng)由彈簧針環(huán)3和試驗(yàn)壓頭4與試驗(yàn)裝置連接的情況為一個(gè)例子進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以不經(jīng)由試驗(yàn)壓頭4而經(jīng)由彈簧針環(huán)3或其它方式的連接件與試驗(yàn)裝置連接的結(jié)構(gòu)。
[0080]<第二實(shí)施方式>
[0081]在圖10中例示的現(xiàn)有的檢查裝置100，從工廠的配管等取得要供給到探針102的防氧化氣體。通常這樣的配管為了向工廠內(nèi)的多個(gè)場(chǎng)所供給防氧化氣體而遍布在工廠內(nèi)。
[0082]但是，在不能與工廠內(nèi)的配管連接的場(chǎng)所和沒(méi)有配管的工廠，因?yàn)椴荒芘渲脵z查裝置100,所以成為問(wèn)題。
[0083]因此，在以下的說(shuō)明中，參照附圖，對(duì)作為能夠不考慮與工廠內(nèi)的配管的連接等的方式配置的、配置自由度高的檢查裝置的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的本檢查裝置進(jìn)行說(shuō)明。
[0084][第一實(shí)施例]
[0085]參照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖6是示意地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的側(cè)面圖。另外，在圖6中，對(duì)箱體22的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行透視表示。此外，圖6是示意圖，強(qiáng)調(diào)地表示主要部分，因此各部分的尺寸比并不一定與實(shí)際的本檢查裝置一致。
[0086]如圖6所示，本檢查裝置21包括進(jìn)行探測(cè)檢查的檢查部T。檢查部T包括:箱體22，在其內(nèi)部的空間進(jìn)行檢查；安裝有探針23的懸臂型的探測(cè)卡24 ;使探測(cè)卡24嵌合安裝于設(shè)置在箱體22的頂板22a的開(kāi)口部的卡支承部25 ;載置晶片W的可動(dòng)載物臺(tái)26 ;彈簧針環(huán)27，其在安裝在箱體22的頂板22a的狀態(tài)下與設(shè)置在探測(cè)卡24的上表面的連接端子接觸而電連接；與彈簧針環(huán)27電連接的試驗(yàn)壓頭28 ;和用于使箱體22的內(nèi)部空間成為密封狀態(tài)的遮蔽體29。
[0087]此外，本檢查裝置21包括:試驗(yàn)裝置30，其生成經(jīng)由探針23施加到芯片上的電極焊盤(pán)的電信號(hào)，并且取得被輸出到電極焊盤(pán)的電信號(hào)，判定芯片的良否；噴嘴31 (相當(dāng)于氣體供給機(jī)構(gòu))，其為了防止探針23的前端氧化而向探針23的前端排出防氧化氣體；供氣線路32，其接受防氧化氣體并將該防氧化氣體向噴嘴31供給；和氣體供給源40，其將被填充或生成的防氧化氣體供給到供氣線路32。另外，試驗(yàn)壓頭28和試驗(yàn)裝置30經(jīng)由配線等被電連接，在圖6中省略配線等的圖示。
[0088]在本檢查裝置21，例如試驗(yàn)裝置30通過(guò)對(duì)載置有晶片W的可動(dòng)載物臺(tái)26的定位和移動(dòng)進(jìn)行控制，使探針23與晶片W中的各個(gè)芯片所具備的電極焊盤(pán)依次接觸，進(jìn)行各個(gè)芯片的檢查。此外，在該檢查時(shí)，從噴嘴31對(duì)探針23的前端供給防氧化氣體。
[0089]探測(cè)卡24在其中央具有開(kāi)口部24a，探針23從該開(kāi)口部24a的外周部向斜下方延伸。從噴嘴31供給的防氧化氣體通過(guò)探測(cè)卡24的開(kāi)口部24a被噴出至探針23的前端。
[0090]由于探測(cè)卡24具有開(kāi)口部24a，因此箱體22的內(nèi)部的空間經(jīng)由該開(kāi)口部24a與探測(cè)卡24的上部的空間連通。在探測(cè)卡24的上部設(shè)置有彈簧針環(huán)27和試驗(yàn)壓頭28，在彈簧針間存在間隙，在試驗(yàn)壓頭28設(shè)置有用于使噴嘴31插通的貫通孔28a，因此探測(cè)卡24的上部的空間不會(huì)直接成為密封狀態(tài)，與該空間連通的箱體22的內(nèi)部的空間也不成為密封狀態(tài)。因此，在本檢查裝置21，為了將探測(cè)卡24的上部的空間密封而在探測(cè)卡24的上表面設(shè)置有遮蔽體29。
[0091]遮蔽體29由氣密的材料形成，包括側(cè)壁部和蓋部。側(cè)壁部的下端部與探測(cè)卡24的開(kāi)口部24a的外周部的上表面緊密接觸，側(cè)壁部的上端部與蓋部的外周端緊密接觸。此外，在蓋部設(shè)置有使噴嘴31以與蓋部緊密接觸的方式貫通的開(kāi)口部。由此，箱體22的內(nèi)部的空間和探測(cè)卡24的上部的空間被密封，因此成為灰塵和氧化性氣體不易從外部進(jìn)入的結(jié)構(gòu)。
[0092]噴嘴31供給到探針23的前端的防氧化氣體是從供氣線路32供給的氣體。此外，供氣線路32向噴嘴31供給的防氧化氣體是從氣體供給源供給的氣體。
[0093]氣體供給源40與檢查部T相鄰地配置，例如包括以氣體或液體的狀態(tài)填充有防氧化氣體的儲(chǔ)氣瓶或利用規(guī)定的原料生成防氧化氣體的生成裝置。具體而言，例如氣體供給源40為被填充有高壓的氮?dú)饣蛞后w氮的儲(chǔ)氣瓶或以空氣為原料生成(分離)氮?dú)獾纳裳b置。另外，被填充于氣體供給源40的氣體或氣體供給源40生成的氣體并不限定于氮?dú)?，也可以為稀有氣體等其它惰性氣體，還可以為氫等還原性氣體。
[0094]如上所述，在本檢查裝置21，從與檢查部T相鄰地配置的氣體供給源40向該檢查部T供給防氧化氣體，因此不需要為了接受防氧化氣體的供給而與某些設(shè)備(例如，工廠內(nèi)的配管)連接。因此能夠提高本檢查裝置21的配置的自由度。
[0095][第二實(shí)施例]
[0096]接著，參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的本檢查裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖2是示意地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的本檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的側(cè)面圖。另外，與圖6同樣，在圖2也對(duì)箱體22的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行透視表示。此外，與圖6同樣，圖7也是示意圖，強(qiáng)調(diào)地表示主要部分，因此各部分的尺寸比并不一定與實(shí)際的本檢查裝置一致。
[0097]此外，圖7所示的上述本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的本檢查裝置21A相當(dāng)于圖6所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21的變形例。因此，在以下的說(shuō)明中，以圖7所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的本檢查裝置21A中、與圖6所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21不同的部分為中心進(jìn)行說(shuō)明。
[0098]如圖7所示，本檢查裝置21A與上述的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21同樣地包括檢查部T、試驗(yàn)裝置30、噴嘴31、供氣線路32和全體供給源40。
[0099]其中，在檢查部T，在箱體22的一部分(特別是圖7所示那樣的、從可動(dòng)載物臺(tái)26離開(kāi)的下方的側(cè)壁)設(shè)置有將箱體22的內(nèi)部的防氧化氣體排出的排氣口 22b。進(jìn)一步，在箱體22的排氣口 22b設(shè)置有將從排氣口 22b排出的防氧化氣體中所含的灰塵除去的排氣用過(guò)濾裝置50。另外，雖然在圖7中未圖示，但是也可以在箱體22的內(nèi)部或外部設(shè)置促進(jìn)排氣口 22b的排氣的風(fēng)扇等。
[0100]通過(guò)在箱體22設(shè)置排氣口 22b，使被供給到探針23的前端的防氧化氣體之后在箱體22內(nèi)向一個(gè)方向(特別是向下)流動(dòng)而被排氣。因此，能夠防止在箱體22內(nèi)灰塵(例如由于可動(dòng)載物臺(tái)26的動(dòng)作產(chǎn)生的灰塵和由于探針23與電極焊盤(pán)的接觸而產(chǎn)生的灰塵等)飛揚(yáng)至晶片W上，或阻礙防氧化氣體對(duì)探針23的前端噴出。此外，通過(guò)設(shè)置排氣用過(guò)濾裝置50，能夠防止箱體22的內(nèi)部的灰塵向外部放出而使配置有本檢查裝置21A的空間的空氣的潔凈度降低。
[0101]此外，氣體供給源40以從周?chē)∪氲目諝鉃樵仙傻獨(dú)?例如，利用比重或沸點(diǎn)的差異而從空氣分離氮)。氣體供給源40包括:以上述空氣為原料生成上述氮?dú)獾牡獨(dú)馍刹?1 ;將從周?chē)∪氲目諝庵兴幕覊m除去的第一過(guò)濾裝置42 (相當(dāng)于供氣用過(guò)濾裝置)；和將從氮?dú)馍刹?1生成的氮?dú)庵兴幕覊m除去的第二過(guò)濾裝置43 (相當(dāng)于供氣用過(guò)濾裝置)。
[0102]由第一過(guò)濾裝置42除去的灰塵的大小的下限值例如為0.3μπι左右。具體而言，例如能夠使用HEPA過(guò)濾器(High Efficiency particulate Air Filter:高效空氣過(guò)濾器)作為第一過(guò)濾裝置42。此外，由第二過(guò)濾裝置43除去的灰塵的大小的下限值小于第一過(guò)濾裝置42的下限值，例如為0.1 μ m左右。具體而言，例如能夠使用ULPA過(guò)濾器(Ultra LowPenetrat1n Air Filter:超高效空氣過(guò)濾器)作為第二過(guò)濾裝置43。
[0103]在這種情況下，對(duì)于可能含灰塵比較多的本檢查裝置21A的周?chē)目諝?，使用灰塵的除去性能低且通用的第一過(guò)濾裝置42來(lái)進(jìn)行灰塵的除去，對(duì)于為了供給到檢查部T而需極力避免灰塵的混入的氮?dú)猓褂门c第一過(guò)濾裝置42相比灰塵的除去性能高且稀少的(與第一過(guò)濾裝置42相比，能夠除去小的灰塵，但是制造困難且成本高)的第二過(guò)濾裝置43來(lái)進(jìn)行灰塵的除去。因此，能夠降低稀少的第二過(guò)濾裝置43的負(fù)荷，能夠降低其交換次數(shù)。
[0104]如上所述，在本檢查裝置21A，氣體供給源40能夠半永久地供給作為防氧化氣體的氮?dú)狻Ｒ虼?，不需要定期交換氣體供給源40 (例如，使用后的空的儲(chǔ)氣瓶和使用前的填充滿的儲(chǔ)氣瓶的交換)，也不需要確保用于交換的通路等。因此能夠進(jìn)一步提高本檢查裝置21A的配置自由度。
[0105]另外，圖7所示的本檢查裝置21A中，氣體供給源40具備第一過(guò)濾裝置42和第二過(guò)濾裝置43雙方，但是也可以為僅具備它們中的任一方的結(jié)構(gòu)。氣體供給源40只要具備第一過(guò)濾裝置42和第二過(guò)濾裝置43中的任一方，就能夠供給灰塵少的氮?dú)?。因此能夠提高本檢查裝置2IA的檢查精度。
[0106][第三實(shí)施方式]
[0107]接著，參照?qǐng)D8對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第三實(shí)施例的本檢查裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖8是示意地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第三實(shí)施例的本檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的側(cè)面圖。另外，與圖6相同，在圖8中也對(duì)箱體22的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行透視表示。此外，與圖6相同，圖8也是示意圖，強(qiáng)調(diào)地表示主要部分，因此各部分的尺寸比并不一定與實(shí)際的本檢查裝置一致。
[0108]此外，圖8所示的上述本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第三實(shí)施例的本檢查裝置21B相當(dāng)于圖6所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21的變形例。因此，在以下的說(shuō)明中，以圖8所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第三實(shí)施例的本檢查裝置21B中、與圖6所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21不同的部分為中心進(jìn)行說(shuō)明。
[0109]如圖8所示，本檢查裝置21B與上述的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21同樣地包括檢查部T、試驗(yàn)裝置30、噴嘴31、供氣線路32和全體供給源40。
[0110]其中，在檢查部T，在箱體22的一部分(特別是圖8所示那樣的、從可動(dòng)載物臺(tái)26離開(kāi)的下方的側(cè)壁)設(shè)置有將箱體22的內(nèi)部的防氧化氣體排出的排氣口 22b。進(jìn)一步，在箱體22的排氣口 22b與氣體供給源40之間設(shè)置有歸還管道60，該歸還管道60接受從排氣口 22b排出的防氧化氣體，并將該防氧化氣體供給到氣體供給源40。另外，雖然在圖8中未圖示，但是也可以在箱體22的內(nèi)部或外部設(shè)置對(duì)從排氣口 22b向歸還管道60的排氣進(jìn)行促進(jìn)或?qū)w還管道60內(nèi)的防氧化氣體的輸送進(jìn)行促進(jìn)的排氣風(fēng)扇等。此外，在箱體22設(shè)置排氣口 22b自身與圖7所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中的本檢查裝置21A相同，由此獲得的效果也相同。
[0111]氣體供給源40接受從歸還管道60供給的防氧化氣體，并將該防氧化氣體供給到供氣線路32。此時(shí)，氣體供給源40可以通過(guò)根據(jù)需要進(jìn)行防氧化氣體的追加和減少，而使供給到探針23的前端的防氧化氣體的流量和壓力等最佳化。另外，氣體供給源40既可以為被填充有防氧化氣體的儲(chǔ)氣瓶，也可以為利用規(guī)定的原料生成防氧化氣體的生成裝置(例如，與圖7所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的本檢查裝置21A同樣的、以從周?chē)∪氲目諝鉃樵仙傻獨(dú)獾纳裳b置)。
[0112]如上所述，在本檢查裝置21B，氣體供給源40能夠?qū)?jīng)由排氣口 22b從箱體22排出的防氧化氣體進(jìn)行再利用。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)氣體供給源40的簡(jiǎn)潔化和小型化。能夠進(jìn)一步提高本檢查裝置21B的配置自由度。
[0113]另外，如果在防氧化氣體的輸送路徑內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)過(guò)濾裝置，則從噴嘴6供給到探針23的前端的防氧化氣體中所含的灰塵減少，能夠提高檢查精度，因此優(yōu)選。具體而言，例如優(yōu)選包括與圖7所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中的本檢查裝置21A同樣的排氣用過(guò)濾裝置50、從自歸還管道60通過(guò)的防氧化氣體中除去灰塵的過(guò)濾裝置、從自歸還管道60供給到氣體供給源40的防氧化氣體中除去灰塵的過(guò)濾裝置、從自氣體供給源40供給到供氣線路32的防氧化氣體中除去灰塵的過(guò)濾裝置、和從自供氣線路32通過(guò)的防氧化氣體中除去灰塵的過(guò)濾裝置中的至少任一個(gè)過(guò)濾裝置。
[0114][其它實(shí)施例]
[0115]上述本檢查裝置21為將從設(shè)置在探針23的前端的正上方的噴嘴31供給的防氧化氣體經(jīng)由探測(cè)卡24的開(kāi)口部24a噴出到探針23的前端的結(jié)構(gòu)，關(guān)于對(duì)探針23的前端供給防氧化氣體的結(jié)構(gòu)，并不限定于該例，采用任何結(jié)構(gòu)均可。
[0116]例如，上述本檢查裝置21為從垂直方向?qū)μ结?3的前端噴出防氧化氣體的結(jié)構(gòu)，但是也可以為從水平方向噴出防氧化氣體的結(jié)構(gòu)，還可以為從垂直方向與水平方向之間的方向噴出防氧化氣體的結(jié)構(gòu)。在采用這些結(jié)構(gòu)的情況下，也可以在成為探針23的前端的水平方向的位置設(shè)置一個(gè)或多個(gè)噴嘴31。此外，也可以不設(shè)置噴嘴31，例如在卡支承部25等設(shè)置一個(gè)或多個(gè)防氧化氣體的噴出口。
[0117]此外，上述本檢查裝置21為探測(cè)卡24通過(guò)卡支承部25安裝在箱體22的頂板22a的結(jié)構(gòu)，但是也可以為探測(cè)卡24直接安裝在箱體22的頂板22a的結(jié)構(gòu)。此外，上述本檢查裝置21為探測(cè)卡24通過(guò)彈簧針環(huán)27和試驗(yàn)壓頭28與試驗(yàn)裝置30電連接的結(jié)構(gòu)，但是也可以不使用彈簧針環(huán)27和試驗(yàn)壓頭28地將探測(cè)卡24與試驗(yàn)裝置30電連接。
[0118]〈第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的組合〉
[0119]上述本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式當(dāng)然能夠組合實(shí)施。此處，參照附圖對(duì)將本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式組合而得到的本檢查裝置的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。圖9是示意地表示將本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式組合而得到的本檢查裝置的結(jié)構(gòu)例的截面圖。另外，作為圖9表示的截面圖與對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行表示的圖1等截面圖相同。
[0120]圖9所示的檢查裝置71為在圖1所示的第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置I追加圖6所示的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的本檢查裝置21所具備的氣體供給源40的結(jié)構(gòu)。
[0121]這樣，將本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式組合而得到的本檢查裝置71分別具有本發(fā)明的第一實(shí)施方式的本檢查裝置I的效果和本發(fā)明的第二實(shí)施方式的本檢查裝置21的效果。因此，根據(jù)本檢查裝置71，能夠防止探針的前端氧化，事先避免不能正常進(jìn)行被檢查體的電檢查等的不良影響的產(chǎn)生，并且能夠提高配置自由度。
[0122]另外，此處，作為將本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式組合而得到的本檢查裝置，例示將本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第一實(shí)施例和第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例組合而得到的本檢查裝置71，但是組合的方式并不限定于此。即，關(guān)于本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式，當(dāng)然還能夠?qū)⒏髯缘娜我獾膶?shí)施例及其變形例進(jìn)行組合。
[0123]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0124]本發(fā)明能夠在使用探測(cè)卡進(jìn)行晶片狀態(tài)的被檢查體的電檢查的檢查裝置，特別是進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的探測(cè)實(shí)驗(yàn)的檢查裝置中加以利用。
[0125]附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0126]1、2、21、21A、21B、71:檢查裝置
[0127]3、27:彈簧針環(huán)
[0128]4、28:試驗(yàn)壓頭
[0129]4a、28a:試驗(yàn)壓頭的貫通孔
[0130]10、22:箱體
[0131]10a、22a:箱體的頂板
[0132]22b:箱體的排氣口
[0133]11、24:探測(cè)卡
[0134]Ila:探測(cè)卡的開(kāi)口部
[0135]12、23:探針
[0136]13、25:卡支承部
[0137]14、W:半導(dǎo)體晶片
[0138]15、26:可動(dòng)載物臺(tái)
[0139]16、31:噴嘴(氣體供給機(jī)構(gòu))
[0140]16a:噴嘴的上表面
[0141]16b:噴嘴的下表面
[0142]16c:噴嘴的側(cè)面
[0143]16d:噴嘴的供氣口
[0144]16e:噴嘴的噴出口
[0145]17,32:供氣線路
[0146]18,29:遮蔽體
[0147]19:過(guò)濾器
[0148]S:氣體供給空間
[0149]5、30:試驗(yàn)裝置
[0150]40:氣體供給源
[0151]41:氮?dú)馍刹?br> [0152]42:第一過(guò)濾裝置(供氣用過(guò)濾裝置)
[0153]43:第二過(guò)濾裝置(供氣用過(guò)濾裝置)
[0154]50:排氣用過(guò)濾裝置
[0155]60:歸還管道
[0156]100:現(xiàn)有的檢查裝置
[0157]101:噴出噴嘴
[0158]102:探針
[0159]103:探測(cè)卡
[0160]104:半導(dǎo)體晶片
[0161]105:晶片載置臺(tái)
[0162]106:箱體
[0163]107:信號(hào)處理部
【權(quán)利要求】
1.一種檢查裝置，其使在晶片狀態(tài)的被檢查體的表面上形成的電極焊盤(pán)與在具有開(kāi)口部的懸臂型的探測(cè)卡安裝的探針的前端接觸，進(jìn)行所述被檢查體的電檢查，所述檢查裝置的特征在于: 包括氣體供給機(jī)構(gòu)，所述氣體供給機(jī)構(gòu)將防止所述探針的前端氧化的防氧化氣體，從所述探測(cè)卡的上方經(jīng)所述開(kāi)口部供給到所述探針的前端， 所述氣體供給機(jī)構(gòu)在與所述開(kāi)口部相對(duì)的面內(nèi)均勻地分散具有噴出所述防氧化氣體的多個(gè)噴出口。
2.如權(quán)利要求1所述的檢查裝置，其特征在于: 所述檢查裝置包括除去所述防氧化氣體中所含的灰塵的過(guò)濾器。
3.如權(quán)利要求2所述的檢查裝置，其特征在于: 在所述被檢查體為圖像傳感器的情況下，所述過(guò)濾器具有除去比所述圖像傳感器的最小像素尺寸乘以0.1?0.7的范圍內(nèi)的規(guī)定的比率而得到的尺寸大的灰塵的能力。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的檢查裝置，其特征在于: 所述檢查裝置具有遮蔽體，所述遮蔽體將除所述探測(cè)卡的所述開(kāi)口部和所述氣體供給機(jī)構(gòu)的所述多個(gè)噴出口以外的、所述探測(cè)卡與所述氣體供給機(jī)構(gòu)之間的空間密封。
5.如權(quán)利要求4所述的檢查裝置，其特征在于: 所述遮蔽體的上端與分散配置有所述多個(gè)噴出口的面的外周部緊密接觸， 所述遮蔽體的下端與所述探測(cè)卡的所述開(kāi)口部的外周部緊密接觸。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的檢查裝置，其特征在于: 所述探測(cè)卡為同時(shí)測(cè)定多個(gè)用的探測(cè)卡。
7.如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的檢查裝置，其特征在于: 所述多個(gè)噴出口在每基準(zhǔn)面積中存在I個(gè)以上，該基準(zhǔn)面積與所述被檢查體的芯片面積為同等大小。
8.如權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的檢查裝置，其特征在于，還包括: 進(jìn)行所述被檢查體的電檢查的檢查部； 供氣線路，其接受所述防氧化氣體，并將該防氧化氣體向所述氣體供給機(jī)構(gòu)供給；和氣體供給源，其與所述檢查部相鄰配置，并且將填充的或生成的所述防氧化氣體供給到所述供氣線路。
9.如權(quán)利要求8所述的檢查裝置，其特征在于: 所述氣體供給源以從周?chē)∪氲目諝鉃樵希勺鳛樗龇姥趸瘹怏w的氮?dú)狻?br> 10.如權(quán)利要求9所述的檢查裝置，其特征在于: 所述氣體供給源包括: 氮?dú)馍刹?，其以所述空氣為原料生成所述氮?dú)猓缓? 供氣用過(guò)濾裝置，其從被供給到所述氮?dú)馍刹康乃隹諝夂退龅獨(dú)馍刹可傻乃龅獨(dú)庵械闹辽僖环街谐セ覊m。
11.如權(quán)利要求10所述的檢查裝置，其特征在于: 所述供氣用過(guò)濾裝置包括: 將從周?chē)∪氲乃隹諝庵兴幕覊m除去的第一過(guò)濾裝置；和 將所述氮?dú)馍刹可傻乃龅獨(dú)庵兴幕覊m除去的第二過(guò)濾裝置， 由所述第二過(guò)濾裝置除去的灰塵的大小的下限值小于由所述第一過(guò)濾裝置除去的灰塵的大小的下限值。
12.如權(quán)利要求8?11中任一項(xiàng)所述的檢查裝置，其特征在于，還包括: 箱體，在其內(nèi)部的空間進(jìn)行所述檢查； 將所述箱體的內(nèi)部的所述防氧化氣體排出到外部的排氣口 ；和 將從所述排氣口排出的所述防氧化氣體中所含的灰塵除去的排氣用過(guò)濾裝置。
13.如權(quán)利要求8?12中任一項(xiàng)所述的檢查裝置，其特征在于，還包括: 箱體，在其內(nèi)部的空間進(jìn)行所述檢查； 將所述箱體的內(nèi)部的所述防氧化氣體排出到外部的排氣口 ；和歸還管道，其接受從所述排氣口排出的所述防氧化氣體并將該防氧化氣體供給到所述氣體供給源。
【文檔編號(hào)】G01R31/28GK104412117SQ201380032189
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2013年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月18日
【發(fā)明者】吉岡耕治 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社