制造電容傳感器的方法
【專利摘要】一種制造電容傳感器的方法，該方法包括由以下組成的步驟：(a)通過蝕刻至少一種給定的材料而在由所述至少一種給定的材料制成的載體(100)中形成溝槽(105)；(b)使所述給定的材料在溝槽的壁和底部制成多孔；(c)用導(dǎo)電材料(110)填充溝槽(105)。
【專利說明】制造電容傳感器的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有多孔材料的電容傳感器的領(lǐng)域，適用于檢測流體，且特別適用于氣體傳感器和/或濕度傳感器。
[0002]本發(fā)明涉及一種用多孔材料制造電容傳感器裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]電容傳感器基本上由設(shè)置在介電材料層的任一側(cè)上的電極組成。
[0004]一些電容傳感器，諸如氣體傳感器或濕度傳感器集成了多孔材料，并且具有易于根據(jù)由此材料所吸附的氣體或液體的量而有所改變的電容。
[0005]例如，文獻(xiàn)“新型表面經(jīng)微加工的電容多孔硅濕度傳感器”，ZM Rittersma等人，《傳感器和驅(qū)動器 B》68 期(2000 年)210-217 頁(“A novel surface-micromachinedcapacitive porous silicon humidity sensor，，，Z.M.Rittersma et al., Sensors andActuators B 68(2000)210-217)中公開了一種電容傳感器，具有相互交錯的梳形或者網(wǎng)格形的金屬電極，并且包括多孔半導(dǎo)體材料的層。
[0006]文獻(xiàn)“使用多孔硅傳感器和多孔氧化鋁傳感器來測量ppm級的氣體濕度”，Tarikul Islam 等人，《傳感器和材料》，I6 卷，7 期(2004 年)345_356 頁(Measurementof gas Moisture in the ppm range using porous silicon and porous aluminasensors，，，Tarikul Islam et al., Sensors and Materials, Vol.16, No7 (2004) 345-356)隨后公開了一種電容傳感器，具有在納米多孔Si的層的表面上沉積的電極，其中孔徑為約Inm 至 3nm。
[0007]文獻(xiàn)W02010/006877提出了一種電容傳感器，具有用于檢測低濕度水平，特別是低于20% RH的低濕度水平的多孔電介質(zhì)，集成了在電極之間設(shè)置的開口孔隙度高的納米多孔親水性介電材料的層。多孔介電材料的厚度相對較低，這可能會趨向于限制傳感器的靈敏度。制造多孔介電材料的厚層，特別是厚度大于2微米的厚層需要進(jìn)行多次沉積。
[0008]文獻(xiàn)DE10246050A1提出了具有通過使載體多孔化而獲得的多孔材料的濕度傳感器的實施方式。
[0009]由此產(chǎn)生了尋找制造集成多孔材料的電容傳感器，特別是用于檢測氣體和/或濕度和/或用于測量氣體量和/或濕度量的傳感器的改進(jìn)方法的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明涉及制造電容傳感器，包括以下步驟:
[0011]在載體中形成多個彼此分離的不同溝槽，然后
[0012]通過使所述溝槽的壁和底部多孔化來形成多孔材料，
[0013]使用導(dǎo)電材料填充溝槽。
[0014]因此，在載體材料中制成溝槽，載體材料優(yōu)選不是多孔的。
[0015]然后，一旦制成溝槽，則載體材料被制成多孔。
[0016]通過蝕刻載體來制成溝槽。
[0017]相比于在多孔材料中形成溝槽的情況，通過依次進(jìn)行溝槽蝕刻的步驟和溝槽多孔化的步驟，溝槽被更精確地限定。
[0018]通過依次執(zhí)行溝槽蝕刻的步驟和溝槽多孔化的步驟，也降低了孔隙損壞的可能性，這能夠獲得質(zhì)量更好的多孔材料并且能夠最終實現(xiàn)靈敏度提高的傳感器。
[0019]溝槽蝕刻的步驟和溝槽多孔化的步驟也以此順序?qū)嵤员惚苊庵圃鞙喜鬯褂玫漠a(chǎn)物污染所述多孔材料的孔隙。
[0020]為了覆蓋被制成多孔的溝槽的底部和壁，可以完全地或可能部分地用導(dǎo)電材料填充溝槽。
[0021 ] 因此，填充步驟能夠形成基于所述導(dǎo)電材料的電極，所述導(dǎo)電材料被多孔材料包圍并且可以通過多孔材料而對載體絕緣。
[0022]載體可以是基板，諸如基于半導(dǎo)體，特別是基于娃的塊狀基板。
[0023]相比于實施在SOI基板(SOI代表“絕緣體上的硅”)上，這種傳感器實施在多孔基板上被更便宜地且更簡單地實施。而且，通過多孔材料可以提供絕緣而不需要使用隱埋氧化物層。
[0024]載體可以由多個層的層疊體組成。
[0025]有利地，多孔材料可以由基板材料形成，例如基于被制成多孔的硅。
[0026]多孔材料可以還包括多孔介電材料，或者由多孔介電材料形成。
[0027]在使溝槽多孔化后且在用導(dǎo)電材料填充溝槽前，可以在通過多孔化所獲得的所述多孔材料上形成(例如具有亞微米的孔隙尺寸的)介電材料，諸如MSQ或另一種絕緣材料。
[0028]通過多孔化所形成的多孔材料可以是納米多孔材料，即具有納米尺寸或納米直徑的孔隙。
[0029]通過多孔化所形成的多孔材料可以被設(shè)置有小直徑的孔隙，例如介于2nm和10nm之間。
[0030]通過多孔化所形成的多孔材料也可以被制成具有大于30%的開口孔隙度。
[0031]這能夠獲得顯著變大的表面并且能夠固定顯著數(shù)量的分子，特別是在電容傳感器是濕度傳感器時能夠固定顯著數(shù)量的水分子。
[0032]根據(jù)該方法的可能實施，可以進(jìn)行使多孔材料親水的處理。
[0033]通過執(zhí)行這種處理，例如通過氧化多孔材料，可以提高多孔材料的親水性。
[0034]對于電容傳感器作為濕度傳感器的應(yīng)用，可以特別執(zhí)行親水位置的實施。
[0035]然后，所得的濕度傳感器可以特別適用于檢測低濕度含量，例如介于0% RH和10% RH之間或介于0% RH和20% RH之間的低濕度含量。
[0036]有利地，也可以使多孔材料功能化。
[0037]多孔材料可以進(jìn)行功能化并且經(jīng)歷用一種或多種能夠吸附所測定氣體的特定化合物對孔隙表面進(jìn)行的功能化，尤其當(dāng)電容傳感器是氣體傳感器時，特別適用于檢測非常低水平的氣體量。
[0038]當(dāng)隨后執(zhí)行多孔材料的功能化和/或使多孔材料親水的處理時，通過蝕刻和多孔化來完成溝槽的步驟的順序是更加重要的。
[0039]事實上，實施這些步驟需要最大程度地減少多孔材料的表面上的污染物和孔隙中的污染物(例如用于形成溝槽的殘余物或產(chǎn)物)。
[0040]然后，溝槽可以通過用于保護(hù)載體區(qū)域免受多孔化步驟的防護(hù)掩蔽物而制成。
[0041]該方法可以在填充步驟后進(jìn)一步包括:通過使用防護(hù)掩蔽物作為平坦化的阻擋層來除去所述導(dǎo)電材料從溝槽的口部突出的區(qū)域。
[0042]本發(fā)明還提供了通過如上述定義的方法所得的在載體上形成的電容型傳感器，該傳感器包括至少一種給定的多孔材料，至少一種給定的多孔材料放置在至少一個第一電極與一個第二電極之間以及在至少一個電極與載體之間。
[0043]因此，為了使至少一個所述電極與所述載體電絕緣，多孔材料被放置在至少一個所述電極和載體之下。
[0044]給定的多孔材料的這種布置能夠與載體更好地電絕緣，并且從而能夠提高傳感器的靈敏度。
[0045]給定的多孔材料能夠使電容根據(jù)液體或氣體的吸附量而變化，同時參與使電容與載體絕緣。
[0046]根據(jù)一種可能的實施，傳感器可以布置為第一電極和第二電極被放置在所述多孔材料中。
[0047]根據(jù)一種可能的實施，傳感器可以布置為第一電極被設(shè)置有位于第二電極的兩個導(dǎo)電支路之間的至少一個導(dǎo)電支路(conducting branch)。
[0048]這些導(dǎo)電支路可以位于與載體平行的同一平面內(nèi)。
[0049]第一電極和第二電極可以是具有相互交錯的支路的梳形。
[0050]根據(jù)另一種可能的實施，多孔介質(zhì)材料的一個或多個層可以包圍并接觸第一電極和/或第二電極。
[0051]根據(jù)一種特定的布置，多孔介電材料的層可以被放置在所述給定的多孔材料上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0052]參考以下附圖，經(jīng)閱讀僅用于說明目的而并非用于限制所給出的示例性實施方式的描述，將更好地理解本發(fā)明，其中:
[0053]圖1A和圖1B示出了使用根據(jù)本發(fā)明的方法易于實施的電容傳感器的示例性布置，該電容傳感器包括電極梳的齒被放置于其中的多孔材料，多孔材料也分布在傳感器形成在其上的半導(dǎo)體基板與傳感器的電極之間；
[0054]圖2A至2E示出了根據(jù)本發(fā)明制造包括多孔材料的電容型濕度傳感器的示例性方法;
[0055]圖3示出了包括多孔介電材料的電容型濕度傳感器的替代實施方式，多孔介電材料涂覆了電極的一部分，另一種多孔材料被放置在多孔介電材料與傳感器形成在其上的基板之間，
[0056]圖4示出了包括多孔介電材料的示例性電容型傳感器的另一個替代實施方式，多孔介電材料涂覆了電極的一部分并且接觸傳感器形成在其上的基板。
[0057]給定的圖的相同、類似或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注了相同的附圖標(biāo)記，以便容易從一個附圖切換至另一個附圖。
[0058]為了使得附圖更清晰，附圖中不同的部分未按照統(tǒng)一比例進(jìn)行表示。

【具體實施方式】
[0059]圖1A-1B中示出了示例性電容傳感器。
[0060]傳感器形成在載體100上,載體100可以是基于半導(dǎo)體材料的基板,例如娃的塊狀基板。
[0061]傳感器包括電容的電極115、125。
[0062]第一電極115可以被設(shè)置有:被稱為“主”導(dǎo)電支路115。的導(dǎo)電支路，該導(dǎo)電支路在與載體100平行的給定方向上延伸；和被稱為“副”導(dǎo)電支路的導(dǎo)電支路115a、115b、115c、115d，導(dǎo)電支路115a、115b、115c、115d被連接到主導(dǎo)電支路115。，并且在與主支路正交且與載體100平行的給定方向上延伸。
[0063]第二電極125也可以被設(shè)置有:主導(dǎo)電支路125。，在與載體100平行的給定方向上延伸；副導(dǎo)電支路125a、125b、125c，被連接到主支路，并且在與主支路正交且與載體100平行的給定方向上延伸。
[0064]然后，電極115、125可以分別包括梳形的圖案。
[0065]在圖1A中，在頂視圖中以相互交錯的梳式示出電極115、125。
[0066]因此，以以下方式放置電極115和125:電極之一的至少一個副導(dǎo)電支路125a位于與載體平行的同一平面中，介于另一個電極的兩個副導(dǎo)電支路115a、115b之間。
[0067]電極115、125被放置在厚度e = θι+θ2例如介于I μ m和5 μ m之間的多孔材料108的區(qū)域中。
[0068]電極之間的多孔材料的厚度ei，對應(yīng)于放置在電極之間的多孔材料(在與載體平面正交的方向上所測量)的高度，可以設(shè)定為例如4 μ m，優(yōu)選介于I μ m和5 μ m之間。
[0069]此外，載體和至少一個電極之間的多孔材料的厚度e2可以是例如至少I μ m，優(yōu)選介于0.5 μ m和5 μ m之間。
[0070]電極之間以及電極和載體之間放置的多孔材料的有效厚度有助于提高傳感器的靈敏度。
[0071]多孔材料108被放置在電極115和125之間，并且將電極115、125與基板隔離。它從而可以同時充當(dāng)傳感器的電容的電介質(zhì)和電極115、125與基板100之間的電絕緣體。
[0072]根據(jù)一種可能的實施，多孔材料108可以基于被制成多孔的基板100的材料。多孔材料108可以是例如多孔Si。
[0073]多孔材料108可以包括小直徑的孔隙，例如介于2nm和10nm之間。這能夠檢測小的濕度或氣體量。
[0074]多孔材料108可以被設(shè)置有例如介于20%和60%之間并且優(yōu)選大于30%的開口孔隙度。這能夠獲得顯著變大的表面并且能夠固定顯著數(shù)量的低濕度水分子。
[0075]多孔材料108還可以包括多孔介電材料，或可基于多孔介電材料。
[0076]根據(jù)電容傳感器的具體應(yīng)用，電容傳感器可以被集成在濕度檢測裝置或濕度量測量裝置中。
[0077]在這種情況下，多孔材料108可以包括親水位置。當(dāng)圍繞電容的大氣中的濕度變化時，與吸附水的量成比例地修改吸附濕度的多孔材料的層的介電常數(shù)。只要水的介電常數(shù)遠(yuǎn)大于所考慮的多孔材料的介電常數(shù)，即使是低濕度，這種變化也可以是顯著的。當(dāng)多孔材料108是Si時，多孔材料108的介質(zhì)介電常數(shù)ε可以是例如約12，而水的介電常數(shù)ε是約80。
[0078]傳感器可以適用于測量0% RH至20% RH的濕度含量，并且對例如介于0% RH至10% RH之間的低濕度含量也具有顯著的靈敏度。
[0079]根據(jù)電容傳感器的另一可能的具體應(yīng)用，電容傳感器可以被集成在氣體檢測裝置或氣體量測量裝置中。在這種情況下，多孔材料108可以被功能化。
[0080]例如，為了檢測CO2，用具有通式[CH2CH(CH2NH2) ]η的聚(烯丙基胺)型化合物來功能化多孔材料。
[0081]為了檢測NO2,多孔材料例如覆蓋有ITO (銦錫氧化物)。
[0082]參照圖2Α至2Ε，現(xiàn)將給出根據(jù)本發(fā)明制造上述類型的電容傳感器的示例性方法。
[0083]該方法的起始材料可以是半導(dǎo)體材料的載體或晶片，例如厚度為約725 μ m的Si基板100，其可以包括拋光的正面(圖2A)。
[0084]然后，防護(hù)層102形成基板100的正面上。此防護(hù)層102被設(shè)置用于在隨后的多孔化步驟期間保護(hù)它覆蓋的基板區(qū)域。
[0085]特別地，防護(hù)層102可以基于易于對基于HF的化學(xué)侵蝕有抗性的材料。因此，防護(hù)層102可以例如基于Si3N4，并且具有約30nm的厚度?；蛘?，可以通過氧化載體100以形成硅氧化物TeOS層，然后將Si3N4沉積在TeOS層上來制造防護(hù)層102 (圖2B)。
[0086]然后，在基板100中制作溝槽105，溝槽105穿過防護(hù)層102。為此，可以通過具有開口的掩蔽物104蝕刻防護(hù)層102。
[0087]因此，在防護(hù)層102中復(fù)制開口。所使用的掩蔽物104可以例如基于光致抗蝕劑。
[0088]然后，通過使用防護(hù)層102作為硬掩模來蝕刻基板100。形成在基板100中的溝槽105具有例如介于I μ m和5 μ m之間的深度(圖2B)。
[0089]對于一些應(yīng)用，溝槽可以更深，例如約20 μ m。
[0090]然后，除去樹脂掩蔽物104。
[0091]制造豎直的溝槽可以包括一個或多個使用SF6的蝕刻步驟，隨后使用C4F8執(zhí)行鈍化溝槽的壁和底部的步驟。蝕刻后，可以實施從溝槽的壁和底部除去C4F8的步驟。例如可以通過使用O2等離子體并且在400°C下氧氣下退火執(zhí)行此除去步驟。然后，為了除去所形成的氧化物厚度和易于含有的C4F8殘留物，例如使用例如1%或5% HF來使表面去氧化。
[0092]此處理后，對所獲得的溝槽的側(cè)面和底部的表面進(jìn)行去污。
[0093]然后，為了獲得由溝槽所露出的基板100材料的徹底去污，可以執(zhí)行一個或多個額外的去氧化-除去的循環(huán)。
[0094]然后，在溝槽105的壁和底部處進(jìn)行載體材料的多孔化。因此，基板100材料在與溝槽鄰接或接壤的區(qū)域中可以制成多孔的(圖2C)。
[0095]特別是當(dāng)基板100基于Si時，可以用電化學(xué)方法，并且確切地通過在氫氟酸介質(zhì)中的陽極溶解來執(zhí)行此多孔化。為此，可以將基板100浸入在濃度例如介于I %至50%之間的氫氟酸介質(zhì)中。
[0096]在此方法中，由在防護(hù)層102中制成的開口所暴露的基板100的正面區(qū)域隨著陽極氧化進(jìn)行而被消耗，而基板100的另一面充當(dāng)偏壓裝置(polarizing means)的接觸元件。所形成的多孔材料108的厚度可以例如介于I μ m和3 μ m之間。
[0097]因此，一旦制成了溝槽，就僅將位于溝槽的壁和底部處的載體材料制成多孔的。
[0098]非多孔材料的蝕刻能夠更好地限定溝槽，而通過在溝槽形成后進(jìn)行多孔化，防止了用于蝕刻或去氧化的產(chǎn)物，特別是具有疏水性能的C4F8污染孔隙。
[0099]因此，獲得了沒有污染物并且具有更優(yōu)質(zhì)量的多孔材料。
[0100]然后，形成用于傳感器的電極。
[0101]為此，首先在溝槽105中沉積導(dǎo)電材料110 (圖2D)。導(dǎo)電材料110可以是金屬材料，諸如AlCu。可以例如通過PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)進(jìn)行沉積。
[0102]然后，為了形成電極115、125，可以例如通過CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)進(jìn)行平坦化或拋光以除去導(dǎo)電材料110從溝槽的口部突出的區(qū)域。在多孔化期間充當(dāng)防護(hù)掩模的層102可以有利地進(jìn)一步充當(dāng)導(dǎo)電材料102的拋光阻擋層。隨后可以除去此層102(圖2E)。
[0103]特別是當(dāng)傳感器被用作濕度傳感器時，可以執(zhí)行使多孔材料108親水的處理?？梢岳缡褂肏2O2執(zhí)行此處理。特別是當(dāng)傳感器被用作濕度傳感器時，可以執(zhí)行使多孔材料108親水的處理。
[0104]可以在多孔化步驟與用導(dǎo)電材料110填充溝槽105的填充步驟之間或者在通過CMP除去層110和102后執(zhí)行此處理。
[0105]根據(jù)制造傳感器的替代方法，尤其是當(dāng)傳感器被用作氣體傳感器時，可以執(zhí)行功能化多孔材料108，特別是在溝槽105的壁處的多孔材料108的步驟。
[0106]可以例如在多孔化步驟后并且在用導(dǎo)電材料110填充溝槽105的填充步驟前進(jìn)行此功能化。例如，為了檢測CO2，可以用聚(烯丙胺)型的化合物(具有化學(xué)通式:[CH2CH (CH2NH2) ]n)功能化多孔材料。為了檢測NO2，用例如ITO(銦錫氧化物)覆蓋多孔材料。
[0107]根據(jù)圖3中所示的傳感器的替代實施方式，在執(zhí)行多孔化后，可以用例如S1CH或MSQ類型的多孔介電材料158的一個或多個層覆蓋溝槽壁。
[0108]根據(jù)圖4中所示的傳感器另一個替代實施方式，為了在溝槽105的壁和底部處形成彼此不接觸的多孔介電材料258的區(qū)域，在制成溝槽105后，可以執(zhí)行多孔化步驟。
[0109]當(dāng)傳感器被用來檢測濕度或?qū)Ｓ糜跈z測特定氣體(諸如CO、CO2, NO2和CH4)的特定多孔材料時，介電材料258可以是易于吸附水分子的材料。
[0110]然后，用導(dǎo)電材料填充溝槽105，以便形成電極115和125。對于此替代方案，為了使電極115和125彼此絕緣并且使電極115和125與基板100絕緣，布置多孔絕緣材料258以包圍并且接觸電極115、125中的一個。在此實例中，通過基板100的區(qū)域?qū)⒍嗫捉殡姴牧系膮^(qū)域258與這些區(qū)域258所涂覆的電極彼此分離。
[0111]這種實施方式可以被設(shè)置在以下情況中:例如通過PECVD來化學(xué)沉積區(qū)域258的多孔介電材料，或者用電化學(xué)方法形成的多孔材料的厚度薄。
[0112]對于此替代方案，覆蓋溝槽的壁和底部的多孔材料的厚度可以被設(shè)置成較厚，且優(yōu)選至少等于2 μ m,以使得氣體或水蒸汽能夠擴(kuò)散到多孔材料中。
[0113]現(xiàn)將給出電容傳感器的詳細(xì)的特定示例性實施方式。
[0114]在此實例中，傳感器被設(shè)置有:在0%的相對濕度(RH)下理論電容為45pf，并且副導(dǎo)電支路 115a、115b、115c、115d、125a、125b、125c 為約 150。
[0115]副支路具有約ΙΟΟΟμπι的長度和約3μπι的厚度，并以約1.2 μ m的距離彼此隔開。
[0116]在此實例中，多孔材料108是Si，并且具有約3μπι的厚度、約12的介電常數(shù)以及約35%的開口孔隙率。
[0117]根據(jù)本發(fā)明的傳感器的應(yīng)用很多。
[0118]除了密封部件中的濕度檢測，在這些應(yīng)用中可以為:陶瓷工業(yè)中用于零件在燒制前的干燥控制的濕度測量；造紙廠和文具店中的濕度測量；食品工業(yè)中的濕度測量；溫室濕度中的濕度測量；電子工業(yè)中用于潔凈室控制的濕度測量；醫(yī)院中的濕度測量；汽車室內(nèi)的濕度測量。
[0119]根據(jù)本發(fā)明的傳感器也可以被用于在測量工業(yè)場所中例如在萃取位置處以大規(guī)模生產(chǎn)的氣體中的水痕量。
[0120]根據(jù)本發(fā)明的傳感器也可以被用于氣體控制裝置中，例如尤其在用于合成純物質(zhì)(諸如藥物)的方法中濕度被禁止的工業(yè)場所中，或者例如制造聚合物的場所中。
[0121]根據(jù)本發(fā)明的傳感器也可以被用于檢測微電子工業(yè)中的密封部件中的泄漏和由殼體保護(hù)的加速計、陀螺測試儀或壓力傳感器型的微系統(tǒng)中的泄漏。
【權(quán)利要求】
1.一種制造電容傳感器的方法，包括以下步驟: 通過蝕刻至少一種給定的材料而在基于所述至少一種給定的材料的載體(100)中形成溝槽(105)； 使所述給定的材料在所述溝槽的壁和底部制成多孔； 使用導(dǎo)電材料(110)填充所述溝槽(105)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過防護(hù)掩蔽物(102)制成所述溝槽，在填充所述溝槽的步驟后，所述方法進(jìn)一步包括通過平坦化來除去所述導(dǎo)電材料(110)從所述溝槽的口部突出的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，進(jìn)一步包括處理使給定的多孔材料親水的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的方法，進(jìn)一步包括功能化所述多孔材料的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法，其中，所述載體是硅類基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的制造電容傳感器的方法，其中，在使所述給定的材料制成多孔的步驟后且在填充所述溝槽的步驟前，包括在所述溝槽中沉積介電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的制造電容傳感器的方法，其中，形成所述溝槽包括交替進(jìn)行使用SF6的蝕刻階段和使用C4F8的鈍化階段，隨后使用O2等離子體進(jìn)行處理的一個或多個步驟。
【文檔編號】G01N27/22GK104246486SQ201380021826
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月15日
【發(fā)明者】休伯特·格蘭奇, 讓-塞巴斯蒂安·丹奈爾, 弗里德里克-格扎維?！どw拉德 申請人:原子能和替代能源委員會