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充電樁的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路和裝置制造方法

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充電樁的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路和裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種充電樁的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路和裝置。其中,充電樁的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路包括:中央處理器;電壓檢測(cè)模塊,與中央處理器相連接,用于檢測(cè)充電樁的導(dǎo)引電壓;PWM檢測(cè)模塊,與中央處理器相連接,用于檢測(cè)充電樁的PWM波形的占空比;接口模塊,用于連接充電電纜,并與中央處理器相連接;人機(jī)交互模塊,與中央處理器相連接;以及供電模塊,與中央處理器、電壓檢測(cè)模塊、PWM檢測(cè)模塊和人機(jī)交互模塊均相連接。通過(guò)本實(shí)用新型,解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法檢測(cè)充電樁充電過(guò)程的問(wèn)題,進(jìn)而達(dá)到了對(duì)充電樁進(jìn)行控制導(dǎo)引檢測(cè),為安全性做出保障。
【專(zhuān)利說(shuō)明】充電樁的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電力【技術(shù)領(lǐng)域】,具體而言,涉及一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]大氣污染日益加劇,電動(dòng)汽車(chē)也越來(lái)越普及,充電設(shè)施的應(yīng)用也越來(lái)越多,其性能的穩(wěn)定直接影響電動(dòng)汽車(chē)的推廣,所以充電過(guò)程的安全性和可靠性至關(guān)重要。但是,目前卻沒(méi)有相應(yīng)的檢測(cè)設(shè)備對(duì)充電過(guò)程的安全性和可靠性進(jìn)行檢測(cè)。
[0003]針對(duì)相關(guān)技術(shù)中無(wú)法檢測(cè)充電粧充電過(guò)程的問(wèn)題,目前尚未提出有效的解決方案。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路和裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法檢測(cè)充電粧充電過(guò)程的問(wèn)題。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面,提供了一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,包括:中央處理器;電壓檢測(cè)模塊,與中央處理器相連接,用于檢測(cè)充電粧的導(dǎo)引電壓;PWM檢測(cè)模塊,與中央處理器相連接,用于檢測(cè)充電粧的PftfM波形的占空比;接口模塊,用于連接充電電纜,并與中央處理器相連接;人機(jī)交互模塊,與中央處理器相連接;以及供電模塊,與中央處理器、電壓檢測(cè)模塊、PWM檢測(cè)模塊和人機(jī)交互模塊均相連接。
[0006]進(jìn)一步地,電壓檢測(cè)模塊包括:運(yùn)算放大器,輸出端與中央處理器相連接,反相輸入端與第一節(jié)點(diǎn)相連接,其中,第一節(jié)點(diǎn)為運(yùn)算放大器的輸出端與中央處理器之間的節(jié)點(diǎn);第一電阻,連接在運(yùn)算放大器的正相輸入端與充電粧的電壓檢測(cè)端之間;第二電阻,連接在第二節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間,其中,第二節(jié)點(diǎn)為第一電阻與運(yùn)算放大器的正相輸入端之間的節(jié)點(diǎn);磁珠,連接在第一電阻與電壓檢測(cè)端之間;第一電容,連接在第三節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間,其中,第三節(jié)點(diǎn)為磁珠與電壓檢測(cè)端之間的節(jié)點(diǎn);以及第二電容,連接在第一節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間。
[0007]進(jìn)一步地,電壓檢測(cè)模塊還包括:第一二極管,陽(yáng)極與磁珠相連接,陰極與第一電阻相連接;以及第二二極管,陽(yáng)極與信號(hào)地相連接,陰極連接至第三節(jié)點(diǎn)。
[0008]進(jìn)一步地,PWI檢測(cè)模塊包括:光耦芯片,與中央處理器相連接;第一場(chǎng)效應(yīng)管,柵極連接至PWM波形的第一輸出端,源極連接至信號(hào)地;第三電阻,連接在第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與光耦芯片之間;第二場(chǎng)效應(yīng)管,柵極連接至PWI波形的第二輸出端,漏極連接至第一電壓源,源極連接至信號(hào)地;第四電阻,連接在第一電壓源與第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極之間;以及第五電阻,連接在第四節(jié)點(diǎn)域光耦芯片之間,其中,第四節(jié)點(diǎn)為第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與第四電阻之間的節(jié)點(diǎn)。
[0009]進(jìn)一步地,人機(jī)交互模塊包括:顯示屏,與中央處理器相連接;以及濾波模塊,連接在供電模塊與顯示屏之間。[0010]進(jìn)一步地,供電模塊包括:第一電壓調(diào)節(jié)芯片,輸入端與第一電壓源相連接,輸出端用于輸出第一電壓,其中,第一電壓源的電壓大于第一電壓;以及第二電壓調(diào)節(jié)芯片,輸入單與第一電壓調(diào)節(jié)芯片的輸出端相連接,輸出端用于輸出第二電壓,其中,第一電壓大于
第二電壓。
[0011]進(jìn)一步地,控制導(dǎo)引檢測(cè)電路還包括:存儲(chǔ)芯片,與中央處理器相連接。
[0012]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面,提供了一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)裝置,包括本實(shí)用新型上述內(nèi)容所提供的任一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路。
[0013]本實(shí)用新型采用具有以下結(jié)構(gòu)的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路:中央處理器;電壓檢測(cè)模塊,與中央處理器相連接,用于檢測(cè)充電粧的導(dǎo)引電壓;PWM檢測(cè)模塊,與中央處理器相連接,用于檢測(cè)充電粧的PftfM波形的占空比;接口模塊,用于連接充電電纜,并與中央處理器相連接;人機(jī)交互模塊,與中央處理器相連接;以及供電模塊,與中央處理器、電壓檢測(cè)模塊、PWM檢測(cè)模塊和人機(jī)交互模塊均相連接。通過(guò)接口模塊連接充電電纜,通過(guò)電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)充電粧的導(dǎo)引電壓、PWM檢測(cè)模塊檢測(cè)充電粧的PftfM波形的占空比,并通過(guò)人界交互模塊和中央處理器進(jìn)行控制和處理,實(shí)現(xiàn)了對(duì)充電過(guò)程的安全性和可靠性進(jìn)行檢測(cè),解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法檢測(cè)充電粧充電過(guò)程的問(wèn)題,進(jìn)而達(dá)到了對(duì)充電粧進(jìn)行控制導(dǎo)引檢測(cè),為安全性做出保障。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0015]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路的示意圖;
[0016]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中中央處理器的電路圖;
[0017]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中電壓檢測(cè)模塊的電路圖;
[0018]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中PWM檢測(cè)模塊的電路圖;
[0019]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中人機(jī)交互模塊的電路圖;
[0020]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中供電模塊的電路圖;以及
[0021]圖7是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中存儲(chǔ)芯片的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]需要說(shuō)明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,以下對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路進(jìn)行具體介紹:
[0024]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路的示意圖,如圖1所示,該控制導(dǎo)引檢測(cè)電路主要包括:中央處理器10、電壓檢測(cè)模塊20、PffM (脈寬調(diào)制Pulse-Width Modulation,簡(jiǎn)稱(chēng)PWM)檢測(cè)模塊30、接口模塊40、人機(jī)交互模塊50和供電模塊60,其中:
[0025]電壓檢測(cè)模塊20、PWM檢測(cè)模塊30、接口模塊40和人機(jī)交互模塊50均與中央處理器10相連接,電壓檢測(cè)模塊20用于檢測(cè)充電粧的導(dǎo)引電壓,進(jìn)而確定充電粧的充電階段。PWM檢測(cè)模塊30用于檢測(cè)充電粧的PWM波形的占空比。接口模塊40用于連接充電電纜,在本實(shí)用新型實(shí)施例中,接口模塊40可以采用現(xiàn)有技術(shù)中任一種充電插座,用來(lái)模擬車(chē)端接口,在對(duì)充電粧進(jìn)行檢測(cè)時(shí),接口模塊40與充電電纜連接。人機(jī)交互模塊50,用來(lái)顯示檢測(cè)內(nèi)容和結(jié)果,并可以接收檢測(cè)員的檢測(cè)指令,確定具體的檢測(cè)項(xiàng)目。供電模塊60則與中央處理器10、電壓檢測(cè)模塊20、PWM檢測(cè)模塊30和人機(jī)交互模塊50均相連接,用于為各部分提供用電支持。
[0026]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,通過(guò)接口模塊連接充電電纜,通過(guò)電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)充電粧的導(dǎo)引電壓、PWM檢測(cè)模塊檢測(cè)充電粧的PWM波形的占空比,并通過(guò)人界交互模塊和中央處理器進(jìn)行控制和處理,實(shí)現(xiàn)了對(duì)充電過(guò)程的安全性和可靠性進(jìn)行檢測(cè),解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法檢測(cè)充電粧充電過(guò)程的問(wèn)題,進(jìn)而達(dá)到了對(duì)充電粧進(jìn)行控制導(dǎo)引檢測(cè),為安全性做出保障。
[0027]具體地,中央處理器10的具體電路在圖2中示出,如圖2所示,中央處理器10主要包括處理器芯片STM32F107及該處理器芯片的外圍電路,其外圍電路主要包括晶振電路和復(fù)位電路,其中,晶振電路包括由晶振X1、電容C2和電容C4組成的第一晶振電路,以及由晶振X2、電容C12和電容C13組成的第二晶振電路。復(fù)位電路包括由開(kāi)關(guān)SWl和電阻R4組成的第一復(fù)位電路,以及由開(kāi)關(guān)SW2和電阻R9組成的第二復(fù)位電路。
[0028]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中電壓檢測(cè)模塊20的電路圖,如圖3所示,電壓檢測(cè)模塊20主要包括運(yùn)算放大器B、第一電阻R46、第二電阻R47、磁珠FB21、第一電容C77和第二電容C78,其中,運(yùn)算放大器B的輸出端與中央處理器10相連接,反相輸入端與第一節(jié)點(diǎn)相連接,其中,第一節(jié)點(diǎn)為運(yùn)算放大器B的輸出端與中央處理器10之間的節(jié)點(diǎn)。第一電阻R46連接在運(yùn)算放大器B的正相輸入端與充電粧的電壓檢測(cè)端之間。第二電阻R47連接在第二節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間,其中,第二節(jié)點(diǎn)為第一電阻R46與運(yùn)算放大器B的正相輸入端之間的節(jié)點(diǎn)。磁珠FB21連接在第一電阻R46與電壓檢測(cè)端之間。第一電容C77連接在第三節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間,其中,第三節(jié)點(diǎn)為磁珠FB21與電壓檢測(cè)端之間的節(jié)點(diǎn)。第二電容C78,連接在第一節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間。
[0029]電壓檢測(cè)模塊20的上述電路中,200K的第一電阻R46與51K的第二電阻R47構(gòu)成分壓電路,以降低輸入電壓,IOnF的第一電容C77與磁珠FB21以及運(yùn)算放大器B構(gòu)成濾波電路,以濾除噪聲,整個(gè)電路便是信號(hào)調(diào)理電路,將檢測(cè)到的導(dǎo)引電壓的模擬信號(hào)通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器送入中央處理器10。
[0030]進(jìn)一步地,電壓檢測(cè)模塊20還包括第一二極管D8和第二二極管T14,其中,第一二極管D8的陽(yáng)極與磁珠FB21相連接,陰極與第一電阻R46相連接。第二二極管T14的陽(yáng)極與信號(hào)地相連接,陰極連接至第三節(jié)點(diǎn),其中,第二二極管T14為瞬變電壓抑制二極管。[0031]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中PWM檢測(cè)模塊30的電路圖,如圖4所示,PWM檢測(cè)模塊30主要包括光耦芯片U3、第一場(chǎng)效應(yīng)管Q1、第三電阻R32、第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第四電阻R42和第五電阻R36,其中,光耦芯片U3與中央處理器10相連接,并且光耦芯片U3通過(guò)電阻R33和R37連接3.3V直流供電電壓。第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql的柵極通過(guò)電阻R30連接至PWM波形的第一輸出端,源極連接至信號(hào)地,漏極依次通過(guò)電阻R25和R24連接至柵極。第三電阻R32連接在第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql的漏極與光耦芯片U3之間。第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)電阻R46連接至PWM波形的第二輸出端,漏極連接至第一電壓源(12V直流電壓源),柵極還通過(guò)電阻R44連接至該第一電壓源,源極連接至信號(hào)地。第四電阻R42連接在第一電壓源與第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極之間。第五電阻R36連接在第四節(jié)點(diǎn)域光耦芯片U3之間,其中,第四節(jié)點(diǎn)為第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與第四電阻R42之間的節(jié)點(diǎn)。
[0032]PffM檢測(cè)模塊30的上述電路中,型號(hào)為2N7002的第一場(chǎng)效應(yīng)管Ql和第二場(chǎng)效應(yīng)管Q2構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路,以增強(qiáng)輸入的電流驅(qū)動(dòng)能力,并增大電壓的輸入范圍;型號(hào)為T(mén)LP281的光耦芯片U3起到電壓變換作用,將電壓變?yōu)橹醒胩幚砥?0可以接受的O到3.3V電平.[0033]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中人機(jī)交互模塊50的電路圖,如圖5所示,人機(jī)交互模塊50主要包括顯示屏JP6和濾波模塊,其中,顯示屏JP6與中央處理器10相連接,在本實(shí)用新型實(shí)施例中,顯示屏JP6可以采用128*64的點(diǎn)陣式液晶屏,通過(guò)SPI接口與中央處理器10連接,濾波模塊連接在供電模塊60與顯示屏之間,以對(duì)顯示屏JP6進(jìn)行電源濾波,其中,濾波模塊主要包括磁珠FBLCD、電容ZDC、電容C38B和電容C38。此外,人機(jī)交互模塊50還可以包括鍵盤(pán)接口,以連接鍵盤(pán),在本實(shí)用新型實(shí)施例中,鍵盤(pán)接口可以采用DB9的接口,以方便安裝。
[0034]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路中供電模塊60的電路圖,如圖6所示,供電模塊60主要包括第一電壓調(diào)節(jié)芯片U7和第二電壓調(diào)節(jié)芯片U5,其中,第一電壓調(diào)節(jié)芯片U7輸入端與第一電壓源相連接,輸出端用于輸出第一電壓,其中,第一電壓源的電壓大于第一電壓,第二電壓調(diào)節(jié)芯片U5輸入單與第一電壓調(diào)節(jié)芯片U7的輸出端相連接,輸出端用于輸出第二電壓,其中,第一電壓大于第二電壓。
[0035]在本實(shí)用新型實(shí)施例中,以第一電壓為5V直流電壓,第二電壓為3.3V直流電壓為例具體說(shuō)明供電模塊60的電路構(gòu)成,其中,第一電壓調(diào)節(jié)芯片U7可以采用DC-DC變換器,將12V電壓變?yōu)?V電壓,構(gòu)成其外圍電路的元器件包括電容C49、二極管D5、33Uh/2A磁屏蔽貼片電感LI和電容C50。第二電壓調(diào)節(jié)芯片U5可以采用LD0,將5V電壓變?yōu)?.3V電壓,構(gòu)成其外圍電路的元器件包括電容C29、C30、C28和C31。
[0036]進(jìn)一步地,本實(shí)用新型實(shí)施例的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路還包括存儲(chǔ)芯片U2,該存儲(chǔ)芯片U2與中央處理器10相連接,作為中央處理器10的存儲(chǔ)擴(kuò)展芯片,用于對(duì)檢測(cè)內(nèi)容和結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ),圖7是存儲(chǔ)芯片的電路圖,如圖7所示,在本實(shí)用新型實(shí)施例中,存儲(chǔ)芯片U2可以采用型號(hào)為AT45DB161的FLASH存儲(chǔ)芯片。
[0037]此外,本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)裝置,該控制導(dǎo)引檢測(cè)裝置包括本實(shí)用新型上述內(nèi)容所提供的任一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路。
[0038]從以上的描述中,可以看出,本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了對(duì)充電過(guò)程的安全性和可靠性進(jìn)行檢測(cè),達(dá)到了為安全性做出保障的效果。[0039]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,包括: 中央處理器(10); 電壓檢測(cè)模塊(20),與所述中央處理器(10)相連接,用于檢測(cè)所述充電粧的導(dǎo)引電壓; P麗檢測(cè)模塊(30),與所述中央處理器(10)相連接,用于檢測(cè)所述充電粧的P麗波形的占空比; 接口模塊(40),用于連接充電電纜,并與所述中央處理器(10)相連接; 人機(jī)交互模塊(50 ),與所述中央處理器(10 )相連接;以及 供電模塊(60),與所述中央處理器(10)、所述電壓檢測(cè)模塊(20)、所述PWI檢測(cè)模塊(30)和所述人機(jī)交互模塊(50)均相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,所述電壓檢測(cè)模塊(20)包括: 運(yùn)算放大器(B),輸出端與所述中央處理器(10)相連接,反相輸入端與第一節(jié)點(diǎn)相連接,其中,所述第一節(jié) 點(diǎn)為所述運(yùn)算放大器(B)的輸出端與所述中央處理器(10)之間的節(jié)點(diǎn); 第一電阻(R46),連接在所述運(yùn)算放大器(B)的正相輸入端與所述充電粧的電壓檢測(cè)端之間; 第二電阻(R47),連接在第二節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間,其中,所述第二節(jié)點(diǎn)為所述第一電阻(R46)與所述運(yùn)算放大器(B)的正相輸入端之間的節(jié)點(diǎn); 磁珠(FB21),連接在所述第一電阻(R46)與所述電壓檢測(cè)端之間; 第一電容(C77),連接在第三節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間,其中,所述第三節(jié)點(diǎn)為所述磁珠(FB21)與所述電壓檢測(cè)端之間的節(jié)點(diǎn);以及 第二電容(C78),連接在所述第一節(jié)點(diǎn)與信號(hào)地之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,所述電壓檢測(cè)模塊(20)還包括: 第一二極管(D8),陽(yáng)極與所述磁珠(FB21)相連接,陰極與所述第一電阻(R46)相連接;以及 第二二極管(T14),陽(yáng)極與信號(hào)地相連接,陰極連接至所述第三節(jié)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,所述PWM檢測(cè)模塊(30)包括: 光耦芯片(U3),與所述中央處理器(10)相連接; 第一場(chǎng)效應(yīng)管(Ql ),柵極連接至所述PWM波形的第一輸出端,源極連接至信號(hào)地; 第三電阻(R32),連接在所述第一場(chǎng)效應(yīng)管(Ql)的漏極與所述光耦芯片(U3)之間;第二場(chǎng)效應(yīng)管(Q2),柵極連接至所述PWM波形的第二輸出端,漏極連接至第一電壓源,源極連接至信號(hào)地; 第四電阻(R42),連接在所述第一電壓源與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管(Q2)的漏極之間;以及第五電阻(R36),連接在第四節(jié)點(diǎn)域所述光耦芯片(U3)之間,其中,所述第四節(jié)點(diǎn)為所述第二場(chǎng)效應(yīng)管(Q2)的漏極與所述第四電阻(R42)之間的節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,所述人機(jī)交互模塊(50)包括: 顯示屏(JP6),與所述中央處理器(10)相連接;以及 濾波模塊,連接在所述供電模塊(60)與所述顯示屏之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,所述供電模塊(60)包括: 第一電壓調(diào)節(jié)芯片(U7),輸入端與第一電壓源相連接,輸出端用于輸出第一電壓,其中,所述第一電壓源的電壓大于所述第一電壓;以及 第二電壓調(diào)節(jié)芯片(U5),輸入單與所述第一電壓調(diào)節(jié)芯片(U7)的輸出端相連接,輸出端用于輸出第二電壓,其中,所述第一電壓大于所述第二電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路,其特征在于,所述控制導(dǎo)引檢測(cè)電路還包括: 存儲(chǔ)芯片(U2),與所述中央處理器(10)相連接。
8.一種充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的充電粧的控制導(dǎo)引檢測(cè)電路。`
【文檔編號(hào)】G01R19/00GK203606447SQ201320833858
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月17日
【發(fā)明者】馬龍飛, 張寶群, 時(shí)銳, 焦然, 遲忠君, 潘鳴宇, 陳艷霞, 趙建勇 申請(qǐng)人:國(guó)家電網(wǎng)公司, 國(guó)網(wǎng)北京市電力公司
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