一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，由支架（2）、標準平板（1）、橫桿（3）、上斜桿（4）、下斜桿（5）組成，支架（2）為三角形，標準平板（1）為矩形，設置在支架（2）的斜面上，橫桿（3）設置在標準平板（1）的上方，橫桿（3）與標準平板（1）之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸的上公差；上斜桿（4）設置在標準平板（1）的中部，與標準平板（1）之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸的下公差，采用本裝置檢測半導體致冷器晶片，具有檢測準確度好、輕便快捷、省時省力、效率高的優(yōu)點，減輕了勞動強度，提高了半導體致冷器的合格率。
【專利說明】一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種厚度檢測設備，尤其是一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置。
【背景技術】
[0002]半導體致冷器又稱熱電致冷器或溫差電致冷器，是利用特種半導體材料組成P-N結，通上直流電而達到制冷目的，屬新型電子元器件范疇，半導體致冷器自六十年代工業(yè)化生產(chǎn)以來，僅限于應用于航空、航天、國防以及重大科研項目中，由于其具有安全、環(huán)保、壽命長等特點，國內(nèi)外自七十年代末已逐步用于醫(yī)療器械、小型冷藏箱、電子計算機、通訊設備和飲水機等民用領域，特別是近幾年來，家用飲水機在國內(nèi)外的廣泛應用為半導體致冷器的發(fā)展和應用提供了廣闊的前景，使得半導體致冷器的生產(chǎn)及技術都有了快速發(fā)展；在半導體致冷器生產(chǎn)過程中，需將圓柱狀的半導體材料(碲化鉍)切成圓型晶片，然后切割成細小的顆粒狀；為了保證半導體致冷器制冷性能的一致性，對半導體致冷器晶片厚度的標準尺寸有公差要求，即厚度不能大于上公差、小于下公差，而且要求每片都要檢測；在現(xiàn)有生產(chǎn)工藝流程中，半導體致冷器晶片的厚度檢驗是采用千分尺測量半導體致冷器晶片的十字對角四個點的厚度來判斷是否合格，檢驗工作量相當大，而且人工操作，繁瑣而勞累，誤差在所難免，效率低下，經(jīng)常造成半導體致冷器合格率達不到要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術的檢驗工作量大、繁瑣勞累，誤差難免、合格率達不到要求的不足，本實用新型提供一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，能快速自動檢測半導體致冷器晶片的厚度，具有檢測準確度好、輕便快捷、省時省力、效率高的優(yōu)點，可保證半導體致冷器晶片的合格率，從而提高半導體致冷器的合格率。
[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是:它由支架、標準平板、橫桿、上斜桿、下斜桿組成，所述支架為三角形；所述標準平板為矩形，設置在支架的斜面上；所述橫桿設置在標準平板的上方，在橫桿與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸上公差；所述上斜桿設置在標準平板的中部，在上斜桿與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸下公差；所述下斜桿設置在標準平板的下部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1是本實用新型一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置結構示意圖。
[0006]圖2是本實用新型一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置結構示意圖的A向視圖。
[0007]圖1、圖2中，1、標準平板，2、支架，3、橫桿，4、上斜桿，5、下斜桿。
【具體實施方式】[0008]下面結合附圖1、圖2對本實用新型一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置作進一步說明。
[0009]圖1、圖2所示的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，由支架2、標準平板1、橫桿
3、上斜桿4、下斜桿5組成，所述支架2為三角形采用木質材料制作，三角形的斜度設置為45度至60度；所述標準平板I為矩形，采用鋼制材料制作，設置在支架2的斜面上，標準平板I朝上的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度；所述橫桿3設置在標準平板I的上方，橫桿3與標準平板I相對的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度，橫桿3與標準平板I之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸的上公差；所述上斜桿4設置在標準平板I的中部，上斜桿4與標準平板I相對的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度，上斜桿4與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸的下公差；所述下斜桿5設置在標準平板I的下部，與標準平板I之間沒有間隙。
[0010]工作原理:檢驗工直接將多塊半導體致冷器晶片放在橫桿3處，小于標準尺寸上公差的半導體致冷器晶片會自動下滑，落到上斜桿4上，橫桿3上不能下滑的半導體致冷器晶片為不合格品，落到上斜桿4上、不能下滑到下斜桿5上的半導體致冷器晶片為合格品，繼續(xù)下滑到下斜桿5上的半導體致冷器晶片為不合格品。
[0011]采用本實用新型一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置檢測半導體致冷器晶片，現(xiàn)有技術比較，省時省力、檢測速度快、效率高，減輕了勞動強度，半導體致冷器晶片均在可控尺寸范圍內(nèi)，提高了半導體致冷器的合格率。
[0012]需要特別指出的是，上述實施例的方式僅限于描述本實施例，但本實用新型不止局限于上述方式，且本領域的技術人員據(jù)此可在不脫離本實用新型的范圍內(nèi)方便的進行修飾，因此本實用新型的范圍應當包括本實用新型所揭示的原理和新特征的最大范圍。
【權利要求】
1.一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是:它由支架、標準平板、橫桿、上斜桿、下斜桿組成，所述支架為三角形；所述標準平板為矩形，設置在支架的斜面上；所述橫桿設置在標準平板的上方，在橫桿與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸上公差；所述上斜桿設置在標準平板的中部，在上斜桿與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸下公差；所述下斜桿設置在標準平板的下部。
2.根據(jù)權利要求1所說的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是:所述支架三角形的斜度設置為45度至60度。
3.根據(jù)權利要求1所說的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是:所述標準平板(I)朝上的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度。
4.根據(jù)權利要求1所說的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是:所述橫桿(3)、上斜桿(4)與標準平板(I)相對的一面均制成光滑平面，并有足夠的平整度。
【文檔編號】G01B5/06GK203595477SQ201320766981
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2013年11月29日
【發(fā)明者】李水祥, 楊紅, 鄭美良 申請人:浙江邁特電子有限公司