用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體，所述基板本體的上表面設(shè)有光滑平整層，所述基板本體的下表面設(shè)有凹凸不均的漫反射層，且所述基板本體為透明基板本體。通過(guò)上述方式，本實(shí)用新型使生長(zhǎng)在所述基板上的碘化銫閃爍體可以利用常見(jiàn)的防水金屬膜進(jìn)行密封，能夠大大節(jié)約閃爍體的防水密封成本，并提高閃爍體的生產(chǎn)率。
【專利說(shuō)明】用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于功能薄膜材料的【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說(shuō)，本實(shí)用新型涉及一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板。
【背景技術(shù)】
[0002]無(wú)機(jī)閃爍體(inorganic scintillator)在福射探測(cè)中起著非常重要的作用，廣泛應(yīng)用于影像核醫(yī)學(xué)、核物理、高能物理、工業(yè)CT、油井勘探和安全檢查等領(lǐng)域。目前研究和應(yīng)用最多的是無(wú)機(jī)閃爍體，而這其中具有高亮度、高分辨率的碘化銫閃爍體應(yīng)用最為廣泛。但是碘化銫材料為吸濕性材料，當(dāng)其吸收空氣中的水分而潮解時(shí)，會(huì)使得閃爍體的特性，特別是圖像分辨率大大降低，因此，如何有效的封裝閃爍體更尤為重要。而不同的基板其封裝的工藝也都不相同。
[0003]目前，作為代表性的碘化銫閃爍體，是以碳材料為基板來(lái)生長(zhǎng)碘化銫閃爍體，封裝方式為浜松光子學(xué)株式會(huì)社的鍍膜封裝方法，如專利為W099/66348、W002/23219以及JP170092/1998所公布的封裝方法。該碘化銫閃爍體封裝方式首先通過(guò)CVD法在碘化銫表面鍍一層厚為IOum的聚對(duì)二甲苯層,然后派射一層200nm的SiO2膜,最后CVD法形成一層IOum聚對(duì)二甲苯層。
[0004]然而，利用CVD法蒸鍍聚對(duì)二甲苯膜及濺射SiO2層作為用來(lái)使閃爍體免受濕氣影響的防濕屏障。這種封裝技術(shù)存在生產(chǎn)成本很高和生產(chǎn)率很低。為了解決這個(gè)問(wèn)題，利用防水性好的薄膜進(jìn)行封裝，但由于基板為不透明的碳材料，所以防水薄膜必須是透明材質(zhì)才可以滿足出光要求，因此，這種薄膜即需要很低的水蒸氣透過(guò)率，又需要很高的可見(jiàn)光透過(guò)率。能夠滿足這些性能條件要求的薄膜非常少，同樣成本也很高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，使生長(zhǎng)在所述基板上的碘化銫閃爍體可以利用常見(jiàn)的防水金屬膜進(jìn)行密封，大大節(jié)約閃爍體的防水密封成本，提高閃爍體生產(chǎn)率。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體，所述基板本體的上表面設(shè)有光滑平整層，所述基板本體的下表面設(shè)有凹凸不均的漫反射層，且所述基板本體為透明基板本體。
[0007]在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述光滑平整層的上表面敷設(shè)有增透膜。
[0008]在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述漫反射層為非各向同性光學(xué)漫反射層。
[0009]在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述基板本體的材質(zhì)為玻璃。
[0010]在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述基板本體的厚度為0.5_3mm。
[0011]在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述光滑平整層的平面度小于等于0.2 mm。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:采用高可見(jiàn)光透過(guò)率的材料作為基板材料，使經(jīng)過(guò)碘化銫閃爍體轉(zhuǎn)化出來(lái)的可見(jiàn)光可以完全的透過(guò)基板，從而大大提高閃爍體的亮度性能；在基板的下表面敷設(shè)非各向同性光學(xué)漫反射層，使得閃爍屏外的光源不會(huì)在基板的下表面產(chǎn)生反射影像，不會(huì)產(chǎn)生偽影等反光現(xiàn)象，能夠大大提高閃爍體的圖像質(zhì)量；同時(shí)，也不會(huì)因?yàn)榈饣C上表面的顆?；蚍庋b薄膜上產(chǎn)生折皺、氣泡等異常而影響其X射線探測(cè)器的成像。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型的碘化銫閃爍體封裝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、基板本體，2、光滑平整層，3、漫反射層，4、閃爍體層，
5、封裝鋁膜。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0017]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例包括:
[0018]一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體1，所述基板本體I的厚度為0.5~3mm,在本實(shí)施例中,所述基板本體I的材質(zhì)為玻璃，具有一定的防水性，該基板本體I的可見(jiàn)光透過(guò)率大于等于80%、水蒸氣透過(guò)率小于等于0.1g/m2 ?day-l，且其厚度為2.5mm。
[0019]所述基板本體I的上表面設(shè)有光滑平整層2，所述光滑平整層2的上表面可以敷設(shè)增透膜，用于提高整個(gè)基板的 透過(guò)率，且所述光滑平整層3的平面度小于等于0.2 mm。
[0020]所述基板本體I的下表面設(shè)有漫反射層3，所述漫反射層3為利用金剛砂打磨或化學(xué)方法(化學(xué)腐蝕)處理形成的非各向同性光學(xué)漫反射層，其反射率小于等于10%，所述非各向同性光學(xué)漫反射層的表面凹凸不均，從而對(duì)可見(jiàn)光進(jìn)行無(wú)規(guī)則性的反射，使得在所述基板的漫反射層不會(huì)反射成像，起到防眩作用，從而提高閃爍體性能。
[0021]如圖2所示，利用本實(shí)用新型所述的基板生長(zhǎng)碘化銫閃爍體，其中，封裝鋁膜5為軟質(zhì)薄膜，利于密封不規(guī)則高度的閃爍體層4 ;所述閃爍體層4生長(zhǎng)在透明的基板本體I上，當(dāng)X射線從上面射下，當(dāng)經(jīng)過(guò)閃爍體層4時(shí)，會(huì)被轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光，可見(jiàn)光可以通過(guò)透明的基板本體I射出，從而達(dá)到閃爍體面板的使用功能。
[0022]本實(shí)用新型揭示了一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，采用高可見(jiàn)光透過(guò)率的材料作為基板材料，使經(jīng)過(guò)碘化銫閃爍體轉(zhuǎn)化出來(lái)的可見(jiàn)光可以完全的透過(guò)基板，從而大大提高閃爍體的亮度性能；在基板的下表面敷設(shè)非各向同性光學(xué)漫反射層，使得閃爍屏外的光源不會(huì)在基板的下表面產(chǎn)生反射影像，不會(huì)產(chǎn)生偽影等反光現(xiàn)象，能夠大大提高閃爍體的圖像質(zhì)量；同時(shí)，也不會(huì)因?yàn)榈饣C上表面的顆?；蚍庋b薄膜上產(chǎn)生折皺、氣泡等異常而影響其X射線探測(cè)器的成像。
[0023]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，包括基板本體，其特征在于，所述基板本體的上表面設(shè)有光滑平整層，所述基板本體的下表面設(shè)有凹凸不均的漫反射層，且所述基板本體為透明基板本體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述光滑平整層的上表面敷設(shè)有增透膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述漫反射層為非各向同性光學(xué)漫反射層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述基板本體的材質(zhì)為玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述基板本體的厚度為0.5-3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于生長(zhǎng)碘化銫閃爍體的基板，其特征在于，所述光滑平整層的平面度小于等于0.2 mm。
【文檔編號(hào)】G01T1/20GK203616484SQ201320720026
【公開(kāi)日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月13日
【發(fā)明者】范波, 徐碩, 李明 申請(qǐng)人:江蘇龍信電子科技有限公司