一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，包括電壓電流信號(hào)取樣模塊、電能SOC芯片、高速隔離通訊模塊、管理MCU，抗直流飽和新型三相多功能表基于三相錳銅采集電流信號(hào)，三相獨(dú)立的SOC電能電能SOC芯片分別采集A、B、C電流電壓模擬信號(hào)將其轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)，通過高速隔離通訊模塊獨(dú)立、分時(shí)傳輸給數(shù)據(jù)管理MCU，由該芯片進(jìn)行相關(guān)數(shù)據(jù)處理、有無功脈沖輸出，然后通過高速SPI通道“實(shí)時(shí)”傳輸給邏輯板管理MCU，由它來完成顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、通訊、功能選擇以及參數(shù)化數(shù)據(jù)設(shè)定等工作。
【專利說明】一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電網(wǎng)運(yùn)行管理設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表。
【背景技術(shù)】
[0002]如果按照現(xiàn)行的電能計(jì)量方式，基于CT米樣的電能表在5000安阻外部恒定磁場影響、0.8特斯拉永磁鐵影響(緊貼電表)、含直流和偶次諧波計(jì)量數(shù)據(jù)環(huán)境下無法準(zhǔn)確計(jì)量。
[0003]CN200820163184.3公開的一種電子式三相多功能電能表，其特征在于:包括三相電能SOC芯片(I)、帶液晶驅(qū)動(dòng)的功能處理芯片(2)，三相電能SOC芯片⑴連接在功能處理芯片(2)的輸入端，功能處理芯片(2)上還分別連接有脈沖輸出電路(3)、IXD顯示電路(4)、存儲(chǔ)器(5)、紅外通訊電路(6)、RS485電路(7)和帶溫度補(bǔ)償?shù)臅r(shí)鐘芯片(8)，所述三相電能SOC芯片(I)采用ATT7022B芯片，所述存儲(chǔ)器(5)采用24LC256I芯片。其不足之處在于:電能表內(nèi)未設(shè)置高速隔離通訊模塊，計(jì)量受磁場影響嚴(yán)重，外磁場竊電現(xiàn)象眾多。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，該電能表不僅能夠防止外界磁場的影響，而且能夠有效防止竊電問題發(fā)生。
[0005]為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的所采用的技術(shù)方案是:一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，包括電壓電流信號(hào)取樣模塊、電能SOC芯片、高速隔離通訊模塊、管理MCU，所述電壓電流信號(hào)取樣模塊包括第一錳銅互感器、第二錳銅互感器和第三錳銅互感器，所述第一錳銅互感器、第二錳銅互感器和第三錳銅互感器，分別對(duì)A、B、C相電流進(jìn)行信號(hào)取樣計(jì)量，所述管理MCU包括數(shù)據(jù)管理MCU和邏輯板管理MCU，所述電能SOC芯片與所述電壓電流信號(hào)取樣模塊的連接采用直通的方式連接，所述電能SOC芯片與所述高速隔離通訊模塊采用UART方式連接，所述高速隔離通訊模塊與所述數(shù)據(jù)管理MCU采用UART方式連接，所述數(shù)據(jù)管理MCU與所述邏輯板管理MCU采用SPI方式連接，所述邏輯板管理MCU包括CPU、存儲(chǔ)器、顯示器裝置、按鈕、通信接口和接地實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
[0006]所述電能SOC芯片采用ATT7022B。
[0007]所述顯示裝置采用IXD顯示器。
[0008]所述IXD顯示器設(shè)有透明罩，該透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層。
[0009]所述電壓電流信號(hào)取樣模塊、高速隔離通訊模塊和管理MCU上設(shè)有三防漆層。
[0010]所述電能SOC芯片上設(shè)有三防漆層。
[0011]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和新型三相多功能表基于三相錳銅采集電流信號(hào)，三相獨(dú)立的SOC電能電能SOC芯片分別采集A、B、C電流電壓模擬信號(hào)將其轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)，通過高速隔離通訊模塊獨(dú)立、分時(shí)傳輸給數(shù)據(jù)管理MCU，由該芯片進(jìn)行相關(guān)數(shù)據(jù)處理、有無功脈沖輸出，然后通過高速SPI通道“實(shí)時(shí)”傳輸給邏輯板管理MCU，由它來完成顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、通訊、功能選擇以及參數(shù)化數(shù)據(jù)設(shè)定等工作，該電能表不僅能夠防止外界磁場的影響，而且能夠有效防止竊電問題發(fā)生。所述LCD顯示器設(shè)有透明罩，該透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層，透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層，則三防漆層可保護(hù)電子線路板及其上的相關(guān)設(shè)備塊免受壞境的侵蝕，從而減少霧氣的發(fā)生；防霧劑層可去除和防止水汽在透明罩殼上的凝結(jié)，保持視線清晰，值得廣泛推廣和應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
[0013]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1所不,一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表,包括電壓電流信號(hào)取樣模塊、電能SOC芯片、高速隔離通訊模塊、管理MCU,所述電壓電流信號(hào)取樣模塊包括第一錳銅互感器、第二錳銅互感器和第三錳銅互感器，所述第一錳銅互感器、第二錳銅互感器和第三錳銅互感器，分別對(duì)A、B、C相電流進(jìn)行信號(hào)取樣計(jì)量，所述管理MCU包括數(shù)據(jù)管理MCU和邏輯板管理MCU，所述電能SOC芯片與所述電壓電流信號(hào)取樣模塊的連接采用直通的方式連接，所述電能SOC芯片與所述高速隔離通訊模塊采用UART方式連接，所述高速隔離通訊模塊與所述數(shù)據(jù)管理MCU采用UART方式連接，所述數(shù)據(jù)管理MCU與所述邏輯板管理MCU采用SPI方式連接，所述邏輯板管理MCU包括CPU、存儲(chǔ)器、顯示器裝置、按鈕、通信接口和接地實(shí)時(shí)時(shí)鐘，所述電能SOC芯片采用ATT7022B，所述CPU采用NEC處理器，所述顯示裝置采用LCD顯示器，所述LCD顯示器設(shè)有透明罩，該透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層，所述電壓電流信號(hào)取樣模塊、高速隔離通訊模塊和管理MCU上設(shè)有三防漆層，所述電能SOC芯片上設(shè)有三防漆層。
[0015]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和新型三相多功能表基于三相錳銅采集電流信號(hào)，三相獨(dú)立的SOC電能電能SOC芯片分別采集A、B、C電流電壓模擬信號(hào)將其轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)，通過高速隔離通訊模塊獨(dú)立、分時(shí)傳輸給數(shù)據(jù)管理MCU，由該芯片進(jìn)行相關(guān)數(shù)據(jù)處理、有無功脈沖輸出，然后通過高速SPI通道“實(shí)時(shí)”傳輸給邏輯板管理MCU，由它來完成顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、通訊、功能選擇以及參數(shù)化數(shù)據(jù)設(shè)定等工作，該電能表不僅能夠防止外界磁場的影響，而且能夠有效防止竊電問題發(fā)生。所述LCD顯示器設(shè)有透明罩，該透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層，透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層，則三防漆層可保護(hù)電子線路板及其上的相關(guān)設(shè)備塊免受壞境的侵蝕，從而減少霧氣的發(fā)生；防霧劑層可去除和防止水汽在透明罩殼上的凝結(jié)，保持視線清晰，值得廣泛推廣和應(yīng)用。
【權(quán)利要求】
1.一種抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，其特征在于:包括電壓電流信號(hào)取樣模塊、電能SOC芯片、高速隔離通訊模塊、管理MCU,所述電壓電流信號(hào)取樣模塊包括第一錳銅互感器、第二錳銅互感器和第三錳銅互感器，所述第一錳銅互感器、第二錳銅互感器和第三錳銅互感器，分別對(duì)A、B、C相電流進(jìn)行信號(hào)取樣計(jì)量，所述管理MCU包括數(shù)據(jù)管理MCU和邏輯板管理MCU，所述電能SOC芯片與所述電壓電流信號(hào)取樣模塊的連接采用直通的方式連接，所述電能SOC芯片與所述高速隔離通訊模塊采用UART方式連接，所述高速隔離通訊模塊與所述數(shù)據(jù)管理MCU采用UART方式連接，所述數(shù)據(jù)管理MCU與所述邏輯板管理MCU采用SPI方式連接，所述邏輯板管理MCU包括CPU、存儲(chǔ)器、顯示器裝置、按鈕、通信接口和接地實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，其特征在于:所述電能SOC芯片采用ATT7022B。
3.如權(quán)利要求1所述的抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，其特征在于:所述顯示裝置采用IXD顯示器。
4.如權(quán)利要求3所述的抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，其特征在于:所述IXD顯示器設(shè)有透明罩，該透明罩殼上設(shè)有透明的防霧劑層。
5.如權(quán)利要求1所述的抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，其特征在于:所述電壓電流信號(hào)取樣模塊、高速隔離通訊模塊和管理MCU上設(shè)有三防漆層。
6.如權(quán)利要求1所述的抗強(qiáng)磁場、抗直流飽和三相多功能電能表，其特征在于:所述電能SOC芯片上設(shè)有三防漆層。
【文檔編號(hào)】G01R11/04GK203396803SQ201320376970
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】鄭建華, 鄭衛(wèi)東, 鄭義, 高銳鋒, 萬群俊 申請人:國家電網(wǎng)公司, 河南省電力公司南陽供電公司