一種輻射圓環(huán)磁體取向裝置以及取向方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其包括作為內(nèi)磁極的柱狀芯棒，用于放置磁粉的環(huán)形模腔，設(shè)置于柱狀芯棒相對兩端側(cè)的磁場產(chǎn)生裝置以及圍繞環(huán)形模腔旋轉(zhuǎn)的外磁極；所述柱狀芯棒穿過環(huán)形模腔，所述相對的磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生同極磁場使得柱狀芯棒周圍產(chǎn)生輻射磁場。本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果：同極對斥方式在柱狀內(nèi)磁極周圍產(chǎn)生的磁場其磁場飽和度相比其他方式更佳，同時磁場一致性更好。本發(fā)明還公開一種輻射圓環(huán)磁體取向方法。
【專利說明】一種輻射圓環(huán)磁體取向裝置以及取向方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種永磁體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種輻射圓環(huán)磁體取向裝置以及取向方法。

【背景技術(shù)】
[0002]輻射圓環(huán)磁體，例如輻射磁瓦或者輻射磁環(huán)，其在電機(jī)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。輻射圓環(huán)磁體的在成型階段對磁粉的取向是輻射圓環(huán)磁體制備的最大技術(shù)問題。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，為解決輻射圓環(huán)磁體取向問題采用了多種方式，例如申請?zhí)枮?00510086882.9的中國專利“輻射取向整體永磁環(huán)的制備方法”，其采用磁極同性相斥原理產(chǎn)生輻射取向磁場。該種取向方式使得磁體在圓周方向的取向均勻性較一致，但是磁場強(qiáng)度較低，并且由于磁粉不運(yùn)動，使得磁粉在物理形態(tài)上的分布均勻不一致，導(dǎo)致最終成行的磁體密度均在差異，易于開裂。
[0004]又如申請?zhí)枮?01310059494.6的中國專利“一種輻射取向永磁環(huán)的制備裝置”，其為了解決磁粉在垂直方向的取向均勻性問題，使得外磁極相對于內(nèi)磁極垂直運(yùn)動，此種方式雖然解決了磁體垂直方向的取向和強(qiáng)度問題，但是對于磁粉圓周方向的取向和強(qiáng)度問題仍未解決。
[0005]再如申請?zhí)枮?00710106670.1的中國專利“一種沿半徑或直徑方向輻射取向的圓環(huán)狀磁體的成型方法”，其為了解決磁粉在圓周方向取向強(qiáng)度偏低的問題，其通過在內(nèi)磁極和外磁極之間形成磁場同時使得外磁極高速旋轉(zhuǎn)以提高磁體圓周方向的磁場強(qiáng)度。但是由于磁粉在外磁極旋轉(zhuǎn)前的取向磁場是內(nèi)外磁極共同產(chǎn)生的磁場，其取向強(qiáng)度依然較低，同時也沒有解決圓環(huán)磁體在垂直方向取向強(qiáng)度低、取向不均勻的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提出一種取向充分且各方向取向均均勻的輻射圓環(huán)磁體取向裝置。
[0007]本發(fā)明解決技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是提出一種輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其包括作為內(nèi)磁極的柱狀芯棒，用于放置磁粉的環(huán)形模腔，設(shè)置于柱狀芯棒相對兩端側(cè)的磁場產(chǎn)生裝置以及圍繞環(huán)形模腔旋轉(zhuǎn)的外磁極；所述柱狀芯棒穿過環(huán)形模腔，所述相對的磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生同極磁場使得柱狀芯棒周圍產(chǎn)生輻射磁場。
[0008]進(jìn)一步地，所述磁場產(chǎn)生裝置為電磁產(chǎn)生裝置、永磁產(chǎn)生裝置或者電磁與永磁結(jié)合的產(chǎn)生裝置。
[0009]進(jìn)一步地，所述內(nèi)磁極與外磁極的磁極相反。
[0010]進(jìn)一步地，所述外磁極厚度等于或大于所述環(huán)形模腔厚度，所述外磁極朝向環(huán)形模腔的端面呈向內(nèi)凹陷的弧形。
[0011]進(jìn)一步地，所述外磁極朝向環(huán)形模腔的端面的弧長小于1/8環(huán)形模腔周長。
[0012]進(jìn)一步地，所述外磁極運(yùn)動角速度大于360° /S。
[0013]進(jìn)一步地，所述外磁極以螺旋方式與內(nèi)磁極呈大于90°。
[0014]本發(fā)明還公開一種輻射圓環(huán)磁體取向方法，其包括步驟:
[0015]在柱狀內(nèi)磁極相對兩端側(cè)設(shè)置極性相同的磁場使得內(nèi)磁極周圍產(chǎn)生輻射磁場；
[0016]設(shè)置外磁極使其圍繞內(nèi)磁極周向運(yùn)動。
[0017]進(jìn)一步地，所述外磁極厚度等于或大于輻射圓環(huán)磁體厚度。
[0018]本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果:
[0019]1、同極對斥方式在柱狀內(nèi)磁極周圍產(chǎn)生的磁場其磁場飽和度相比其他方式更佳，同時磁場一致性更好。
[0020]2、外磁極圍繞內(nèi)磁極旋轉(zhuǎn)能大幅提高磁粉的取向強(qiáng)度，同時外磁極厚度等于或者大于輻射圓環(huán)磁體厚度使得外磁極在旋轉(zhuǎn)的時候不僅使得磁粉周向的取向強(qiáng)度增強(qiáng)而且使得磁粉垂直方向的取向強(qiáng)度也增強(qiáng)，無需使得外磁極相對內(nèi)磁極垂直運(yùn)動。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中輻射圓環(huán)磁體取向裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為圖1的俯視示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
[0024]請參照圖1、圖2，本發(fā)明一實(shí)施例中，輻射圓環(huán)磁體取向裝置包括為內(nèi)磁極的柱狀芯棒10，用于放置磁粉20的環(huán)形模腔30，設(shè)置于柱狀芯棒相對兩端側(cè)的磁場產(chǎn)生裝置40以及圍繞環(huán)形模腔30旋轉(zhuǎn)的外磁極50。
[0025]柱狀芯棒10穿過環(huán)形模腔30，相對的磁場產(chǎn)生裝置40產(chǎn)生同極磁場使得柱狀芯棒周圍產(chǎn)生福射磁場。
[0026]外磁極50在圍繞芯棒10旋轉(zhuǎn)的過程中產(chǎn)生周向方向運(yùn)動的脈動磁場從而對模腔內(nèi)的磁粉20取向。
[0027]在本實(shí)施例中，磁場產(chǎn)生裝置40為電磁場產(chǎn)生裝置，通過設(shè)置上下線包使得相對的兩個磁場產(chǎn)生裝置40產(chǎn)生同極的磁場。同極磁場使得柱狀芯棒周圍產(chǎn)生輻射磁場，該輻射磁場對磁粉20第一次取向，其使得磁粉20在模腔內(nèi)分布均勻同時也使得磁粉20在各方向的取向均勻，模腔內(nèi)的磁粉具有很好的一致性。
[0028]可以想象地，磁場產(chǎn)生裝置40也可以由相對設(shè)置的同極永磁體構(gòu)成，或者一側(cè)由永磁體構(gòu)成，另一側(cè)由電磁構(gòu)成等，本發(fā)明對此不作限制，只要相對兩端側(cè)的磁場產(chǎn)生裝置40能夠產(chǎn)生同極性的磁場即可。
[0029]請繼續(xù)參照圖1、圖2，圖1和圖2中，外磁極50厚度大于或者等于環(huán)形模腔30厚度使得外磁極50在圍繞內(nèi)磁極旋轉(zhuǎn)時，可以同時對環(huán)形模腔30內(nèi)的磁粉垂直取向。
[0030]外磁極50朝向環(huán)形模腔30的端面51呈向內(nèi)凹陷的弧形。該弧形的弧度與環(huán)形模腔30外圓周配合。相比傳統(tǒng)的使用矩形形狀的外磁極，本申請弧形的外磁極端面各點(diǎn)與環(huán)形模腔對應(yīng)點(diǎn)的距離均相等，使得環(huán)形模腔內(nèi)部磁粉的取向更均勻。
[0031]外磁極50朝向環(huán)形模腔的端面的弧長小于1/8環(huán)形模腔周長，也即外磁極50在橫截面方向所占角度小于45°。外磁極運(yùn)動角速度大于360° /S。較小的截面積配合較高的運(yùn)動速度使得外磁極對于環(huán)形模腔內(nèi)部磁粉圓周方向的取向均勻度和取向強(qiáng)度均增強(qiáng)。
[0032]外磁極以螺旋方式與內(nèi)磁極呈大于90°
[0033]進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供一種輻射圓環(huán)磁體取向方法，其包括步驟:
[0034]在柱狀內(nèi)磁極相對兩端側(cè)設(shè)置極性相同的磁場使得內(nèi)磁極周圍產(chǎn)生輻射磁場；
[0035]設(shè)置外磁極使其圍繞內(nèi)磁極周向運(yùn)動。
[0036]外磁極厚度等于或大于輻射圓環(huán)磁體厚度。
[0037]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:包括作為內(nèi)磁極的柱狀芯棒，用于放置磁粉的環(huán)形模腔，設(shè)置于柱狀芯棒相對兩端側(cè)的磁場產(chǎn)生裝置以及圍繞環(huán)形模腔旋轉(zhuǎn)的外磁極；所述柱狀芯棒穿過環(huán)形模腔，所述相對的磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生同極磁場使得柱狀芯棒周圍產(chǎn)生輻射磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:所述磁場產(chǎn)生裝置為電磁產(chǎn)生裝置、永磁產(chǎn)生裝置或者電磁與永磁結(jié)合的產(chǎn)生裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:所述內(nèi)磁極與外磁極的磁極相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:所述外磁極厚度等于或大于所述環(huán)形模腔厚度，所述外磁極朝向環(huán)形模腔的端面呈向內(nèi)凹陷的弧形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:所述外磁極朝向環(huán)形模腔的端面的弧長小于1/8環(huán)形模腔周長。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:所述外磁極運(yùn)動角速度大于360。/8,,
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射圓環(huán)磁體取向裝置，其特征在于:所述外磁極以螺旋方式與內(nèi)磁極呈大于90。。
8.一種輻射圓環(huán)磁體取向方法，其包括步驟: 在柱狀內(nèi)磁極相對兩端側(cè)設(shè)置極性相同的磁場使得內(nèi)磁極周圍產(chǎn)生輻射磁場； 設(shè)置外磁極使其圍繞內(nèi)磁極周向運(yùn)動。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的輻射圓環(huán)磁體取向方法，其特征在于:所述外磁極厚度等于或大于輻射圓環(huán)磁體厚度。
【文檔編號】H01F7/02GK104347261SQ201410529813
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】王會杰, 胡元虎, 張?jiān)? 王涌, 陳咪珍 申請人:寧波金雞強(qiáng)磁股份有限公司