一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，包括：機(jī)臺、芯片吸取機(jī)構(gòu)、氣壓檢測表、數(shù)據(jù)采集板、上位機(jī)，其中，芯片吸取機(jī)構(gòu)設(shè)置在機(jī)臺上方，吸取芯片并將芯片移置到預(yù)定的位置；氣壓檢測表與芯片吸取機(jī)構(gòu)連接，采集芯片吸取機(jī)構(gòu)的實時輸出信號；數(shù)據(jù)采集板根據(jù)機(jī)臺發(fā)送的觸發(fā)信號和停止信號開始和停止對氣壓檢測表的實時輸出信號的采集，并將所采集的信號轉(zhuǎn)換成壓力值數(shù)據(jù)發(fā)送給上位機(jī)；上位機(jī)將采集的壓力值數(shù)據(jù)在窗口中按照時間軸繪制成氣壓變化波形。通過本發(fā)明提供的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，挑晶人員可以精確地觀察芯片在吸放過程中的氣壓變化曲線，并且可將芯片吸放OK的曲線保持，必要時重新載入與當(dāng)前吸放NG的曲線相對比來診斷問題。
【專利說明】—種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片測試行業(yè)，特別涉及一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的對芯片，特別是對CMOS芯片進(jìn)行測試的系統(tǒng)中，挑晶機(jī)的吸嘴機(jī)構(gòu)上配有氣壓檢測表，在芯片吸取和放置過程中，操作人員在適當(dāng)?shù)臅r間點讀取氣壓表輸出值來判斷此過程中有無吸到芯片，有無成功放置芯片?，F(xiàn)有的問題是:1、氣壓檢測表的數(shù)字輸出實時性差，只適用靜態(tài)下觀察吸嘴機(jī)構(gòu)的氣壓值。2、即使機(jī)臺檢測氣壓檢測表的值達(dá)到閾值要求，還是會出現(xiàn)芯片吸取歪斜，芯片放置不平的現(xiàn)象。
[0003]由于現(xiàn)有的氣壓檢測表顯示的結(jié)果實時性差，挑晶人員無法精確的觀察吸嘴機(jī)構(gòu)的氣壓值變化曲線，也無法了解在某一時間點的氣壓值變化以便診斷芯片吸放的故障。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種可視化的芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)。
[0005]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，包括:機(jī)臺、芯片吸取機(jī)構(gòu)、氣壓檢測表、數(shù)據(jù)采集板、上位機(jī)，其中，
[0007]所述芯片吸取機(jī)構(gòu)設(shè)置在機(jī)臺上方，用于吸取芯片并將芯片移置到預(yù)定的位置；
[0008]所述氣壓檢測表與吸芯片吸取機(jī)構(gòu)連接，用于采集芯片吸取機(jī)構(gòu)的實時輸出信號;
[0009]所述數(shù)據(jù)采集板用于根據(jù)機(jī)臺發(fā)送的觸發(fā)信號和停止信號開始和停止對氣壓檢測表的實時輸出信號的采集，并將所采集的信號轉(zhuǎn)換成壓力值數(shù)據(jù)發(fā)送給上位機(jī)；
[0010]所述上位機(jī)用于將采集的壓力值數(shù)據(jù)在窗口中按照時間軸繪制成氣壓變化波形。
[0011]進(jìn)一步地，在上述可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)中，所述氣壓變化波形中X坐標(biāo)表示時間,其中采樣頻率是氣壓檢測表采樣頻率的10倍，Y坐標(biāo)表示經(jīng)過數(shù)據(jù)采集板中A/D轉(zhuǎn)換后的氣壓值，其中Y軸正方向為負(fù)值，表示負(fù)壓。
[0012]進(jìn)一步地，在上述可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)中，所述芯片吸取機(jī)構(gòu)包括氣管、吸嘴、電磁閥接頭，所述芯片吸取機(jī)構(gòu)通過氣管與所述氣壓檢測表連接。
[0013]進(jìn)一步地，在上述可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)中，所述數(shù)據(jù)采集板采集氣壓檢測表的模擬輸出，并進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，將采集的數(shù)據(jù)寫入緩存。
[0014]進(jìn)一步地，在上述可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)中，所述上位機(jī)通過以太網(wǎng)口主動從數(shù)據(jù)采集板獲取氣壓值數(shù)據(jù)。
[0015]進(jìn)一步地，在上述可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)中，所述上位機(jī)將芯片吸取和放置成功的曲線保存，所保持的曲線可重新載入，與當(dāng)前的吸收和放置不成功的曲線進(jìn)行對比，以診斷在吸放過程中存在的問題。[0016]優(yōu)選地，在上述可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)中，所述氣壓檢測表包括SMCISE30高精度數(shù)字壓力開關(guān)。
[0017]通過本發(fā)明提供的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，挑晶人員可以精確地觀察芯片在吸取和放置過程中的氣壓變化曲線，并且可以將芯片吸放OK的曲線保持，必要時重新載入程序和當(dāng)前的吸放NG的曲線相對比來診斷問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)示意圖；
[0019]圖2為一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測方法示意圖。
【具體實施方式】
[0020]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例及附圖，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0021]本實施例提供一種可視化CMOS芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，如圖1所示，包括:機(jī)臺、芯片吸取機(jī)構(gòu)、氣壓檢測表、數(shù)據(jù)采集板、上位機(jī)，其中，所述芯片吸取機(jī)構(gòu)設(shè)置在機(jī)臺上方，用于吸取芯片并將芯片移置到預(yù)定的位置；所述氣壓檢測表與芯片吸取機(jī)構(gòu)連接，用于采集芯片吸取機(jī)構(gòu)的實時輸出信號；所述數(shù)據(jù)采集板用于根據(jù)機(jī)臺發(fā)送的觸發(fā)信號和停止信號開始和停止對氣壓檢測表的實時輸出信號的采集，并將所采集的信號轉(zhuǎn)換成壓力值數(shù)據(jù)發(fā)送給上位機(jī)；所述上位機(jī)用于將采集的壓力值數(shù)據(jù)在窗口中按照時間軸繪制成氣壓變化波形。
[0022]其中，所述氣壓變化波形中X坐標(biāo)表示時間，其中采樣頻率是氣壓檢測表采樣頻率的10倍，Y坐標(biāo)表示經(jīng)過數(shù)據(jù)采集板中A/D轉(zhuǎn)換后的氣壓值，其中Y軸正方向為負(fù)值，表示負(fù)壓。
[0023]所述芯片吸取機(jī)構(gòu)包括氣管、吸嘴、電磁閥接頭，所述芯片吸取機(jī)構(gòu)通過氣管與所述氣壓檢測表連接。
[0024]所述氣壓檢測表包括SMC ISE30高精度數(shù)字壓力開關(guān)。
[0025]所述上位機(jī)采用XP/Win7系統(tǒng)，IGhz內(nèi)存，intel pentium 43.0ghz以上CPU,主板自帶以太網(wǎng)口。
[0026]如圖2所示，使用上述系統(tǒng)的檢測方法包括如下步驟:
[0027]步驟1:提供一種如上所述的可視化CMOS芯片挑晶機(jī)氣壓監(jiān)測系統(tǒng)；
[0028]步驟2:機(jī)臺發(fā)送開始觸發(fā)信號到數(shù)據(jù)采集板，數(shù)據(jù)采集板開始采集氣壓檢測表的實時輸出信號；
[0029]步驟3:芯片吸取機(jī)構(gòu)(吸嘴機(jī)構(gòu))吸取芯片并將芯片放置到預(yù)定的位置；同時，數(shù)據(jù)采集板采集氣壓檢測表的模擬輸出，并進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，將采集的數(shù)據(jù)寫入緩存；其中，所述吸嘴機(jī)構(gòu)可以進(jìn)行吸取芯片、移動吸嘴位置、防止芯片的一個周期動作；
[0030]步驟4:機(jī)臺發(fā)送停止觸發(fā)信號到數(shù)據(jù)采集板，數(shù)據(jù)采集板停止采集氣壓檢測表的實時輸出信號；
[0031]步驟5:上位機(jī)通過以太網(wǎng)口主動從數(shù)據(jù)采集板獲取氣壓值數(shù)據(jù)；[0032]步驟6:上位機(jī)將氣壓值數(shù)據(jù)在窗口中按照時間軸繪制成氣壓變化波形；優(yōu)選地，氣壓變化波形的X坐標(biāo)表示時間，其中采樣頻率是氣壓檢測表采樣頻率的10倍，Y坐標(biāo)表示經(jīng)過數(shù)據(jù)采集板中A/D轉(zhuǎn)換后的氣壓值，其中Y軸正方向為負(fù)值表示負(fù)壓；
[0033]步驟7:操作人員根據(jù)氣壓變化波形判斷芯片是否吸取和成功放置；優(yōu)選地，操作人員根據(jù)氣壓變化波形開始時，也就是吸嘴吸取芯片時的負(fù)壓值(絕對值)從小到大的變化及穩(wěn)定值的經(jīng)歷的時間或保持時間確認(rèn)芯片被完全吸牢需要的時間；操作人員根據(jù)氣壓變化波形中間區(qū)域中負(fù)壓值是否抖動很大(正常應(yīng)該相對平穩(wěn))確認(rèn)吸嘴機(jī)構(gòu)(包括氣管、吸嘴、電磁閥接頭)的密封性是否完好。
[0034]在上述可視化CMOS芯片挑晶機(jī)氣壓檢測方法中，上位機(jī)可以將芯片吸取和放置成功(OK)的曲線保存，所保存的曲線可重新載入，與當(dāng)前的吸取和放置芯片不成功(NG)的曲線進(jìn)行對比，以診斷芯片吸取機(jī)構(gòu)在吸取和放置芯片過程中存在的問題。操作人員能夠根據(jù)氣壓變化波形，判斷芯片在吸放過程中吸嘴機(jī)構(gòu)的密封性不好或者電磁閥的響應(yīng)速度不夠而導(dǎo)致芯片和吸嘴之間有相對位移或者芯片會被甩掉。
[0035]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括:機(jī)臺、芯片吸取機(jī)構(gòu)、氣壓檢測表、數(shù)據(jù)采集板、上位機(jī)，其中， 所述芯片吸取機(jī)構(gòu)設(shè)置在機(jī)臺上方，用于吸取芯片并將芯片移置到預(yù)定的位置； 所述氣壓檢測表與芯片吸取機(jī)構(gòu)連接，用于采集芯片吸取機(jī)構(gòu)的實時輸出信號； 所述數(shù)據(jù)采集板用于根據(jù)機(jī)臺發(fā)送的觸發(fā)信號和停止信號開始和停止對氣壓檢測表的實時輸出信號的采集，并將所采集的信號轉(zhuǎn)換成壓力值數(shù)據(jù)發(fā)送給上位機(jī)； 所述上位機(jī)用于將采集的壓力值數(shù)據(jù)在窗口中按照時間軸繪制成氣壓變化波形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述氣壓變化波形中X坐標(biāo)表示時間，其中采樣頻率是氣壓檢測表采樣頻率的10倍，Y坐標(biāo)表示經(jīng)過數(shù)據(jù)采集板中A/D轉(zhuǎn)換后的氣壓值，其中Y軸正方向為負(fù)值，表示負(fù)壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片吸取機(jī)構(gòu)包括氣管、吸嘴、電磁閥接頭，所述芯片吸取機(jī)構(gòu)通過氣管與所述氣壓檢測表連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)采集板采集氣壓檢測表的模擬輸出，并進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，將采集的數(shù)據(jù)寫入緩存。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述上位機(jī)通過以太網(wǎng)口主動從數(shù)據(jù)采集板獲取氣壓值數(shù)據(jù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述上位機(jī)將芯片吸取和放置成功的曲線保存，所保持的曲線可重新載入，與當(dāng)前的吸收和放置不成功的曲線進(jìn)行對比，以診斷在吸放過程中存在的問題。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可視化芯片挑晶機(jī)氣壓檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述氣壓檢測表包括SMC ISE30高精度數(shù)字壓力開關(guān)。
【文檔編號】G01L9/00GK103644998SQ201310589245
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月20日
【發(fā)明者】朱俊 申請人:太倉思比科微電子技術(shù)有限公司