一種測量功率型led熱阻的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導體領域，確切地說，是一種測量功率型LED熱阻的方法。所述方法包括：將待測LED放置于恒溫箱內(nèi)，調(diào)節(jié)恒溫箱的溫度為30℃，加熱保持30分鐘；待加熱完畢后，調(diào)整恒流源使待測LED流過的電流為5mA,等待測LED正向壓降穩(wěn)定時，記錄相應的正向壓降；將恒溫箱溫度分別設置為40℃、50℃、60℃、70℃、80℃K為電壓隨溫度變化的系數(shù)，T為測試條件穩(wěn)定時LED的結(jié)溫溫度，T0為指定環(huán)境的待測溫度，VFT、VF0分別為環(huán)境溫度T、T0時LED兩端的電壓；將恒溫箱控制在30℃，待測LED兩端施加測試電流IM(5mA)，記下此時LED正向電壓VF1，加熱電流IH設置為200mA，代替IM加到LED兩端，待LED器件穩(wěn)態(tài)時，測量正向壓降VH，并得到耗散功率Ps。
【專利說明】一種測量功率型LED熱阻的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體領域，確切地說，是一種測量功率型LED熱阻的方法。
【背景技術】
[0002]隨著發(fā)光二極管的發(fā)展，現(xiàn)于廣泛的用于應用于背光源、交通信號燈及通用照明等領域。功率型LED作為半導體照明的關鍵部件，它的結(jié)溫變化會使芯片發(fā)射光譜紅移，導致熒光粉量子效率上的降低，影響出光效率及色溫、色度變化，加速熒光粉及芯片的老化，縮短使用壽命。
[0003]但是，現(xiàn)有技術測量功率型LED芯片的結(jié)溫和熱阻的方法存在以下缺點:只能測量未封裝的裸露芯片，對封裝后的芯片必須拆封后才能進行測量，并且儀器昂貴。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種測量功率型LED熱阻的方法，旨在解決對封裝后功率型LED芯片的熱阻進行測量，且保存其外表的完好性。
[0005]本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下:一種測量功率型LED熱阻的方法，所述方法包括:
[0006]步驟1:將待測LED放置于恒溫箱內(nèi)，調(diào)節(jié)恒溫箱的溫度為30°C，加熱保持30分鐘；
[0007]步驟2:待加熱完畢后，調(diào)整恒流源使待測LED流過的電流為5mA，等待測LED正向壓降穩(wěn)定時，記錄相應的正向壓降；
[0008]步驟3:將恒溫箱溫度分別設置為40°c、50°c、6(rc、7(rc、8(rc，重復步驟1、2，并
記錄各溫度下的正向壓降；
[0009]步驟4:利用公式(1)，采用最小二乘法對測試數(shù)據(jù)擬合，求出K系數(shù)值:
[0010]Vft = VF0+K (T-T0) (I)
[0011]式(I)中，K為電壓隨溫度變化的系數(shù)，T為測試條件穩(wěn)定時LED的結(jié)溫溫度，Ttl為指定環(huán)境的待測溫度，VFT, Vfo分別為環(huán)境溫度T、T0時LED兩端的電壓；
[0012]步驟5:將恒溫箱控制在30°C，待測LED兩端施加測試電流IM(5mA)，記下此時LED正向電壓Vfi，加熱電流Ih設置為200mA，代替Im加到LED兩端，待LED器件穩(wěn)態(tài)時，測量正向壓降Vh，并得到耗散功率Ps;
[0013]Ps = Ih.Vh (2)
[0014]步驟6:將Im迅速取代Ih加到LED兩端，測得此時的正向電壓Vff;
[0015]步驟7:分別設置為250mA、300mA、350mA,重復步驟5和6 ;
[0016]步驟8:將所測的數(shù)據(jù)帶入公式(3)、(4)得到待測LED的結(jié)溫與熱阻:
[0017]
【權利要求】
1.一種測量功率型LED熱阻的方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟1:將待測LED放置于恒溫箱內(nèi)，調(diào)節(jié)恒溫箱的溫度為30°C，加熱保持30分鐘；步驟2:待加熱完畢后，調(diào)整恒流源使待測LED流過的電流為5mA，等待測LED正向壓降穩(wěn)定時，記錄相應的正向壓降； 步驟3:將恒溫箱溫度分別設置為40°C、50°C、6(TC、7(rC、8(rC，重復步驟1、2，并記錄各溫度下的正向壓降； 步驟4:利用公式(1)，采用最小二乘法對測試數(shù)據(jù)擬合，求出K系數(shù)值:
Vft = Vfo+K(T-T0) (I) 式(I)中，K為電壓隨溫度變化的系數(shù)，T為測試條件穩(wěn)定時LED的結(jié)溫溫度，T0為指定環(huán)境的待測溫度，VFT, Vfo分別為環(huán)境溫度T、T0時LED兩端的電壓； 步驟5:將恒溫箱控制在30°C，待測LED兩端施加測試電流IM(5mA)，記下此時LED正向電壓Vfi，加熱電流Ih設置為200mA，代替Im加到LED兩端，待LED器件穩(wěn)態(tài)時，測量正向壓降Vh，并得到耗散功率Ps; Ps=VVh (2) 步驟6:將Im迅速取代Ih加到LED兩端，測得此時的正向電壓Vff; 步驟7:分別設置為250mA、300mA、350mA，重復步驟5和6 ; 步驟8:將所測的數(shù)據(jù)帶入公式(3)、(4)得到待測LED的結(jié)溫與熱阻:
2.根據(jù)權利要求1中所述的一種測量功率型LED熱阻的方法，其特征在于，所述恒溫箱的控制溫度范圍30°C~100°C，精度為±0.5°C，且恒流源精度為±0.1°C。
【文檔編號】G01R31/26GK103576069SQ201310551601
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權日:2013年11月8日
【發(fā)明者】李文禮, 周泰武, 彭應光, 萬文華 申請人:桂林機床電器有限公司