技術(shù)特征：
1.一種MEMS陀螺儀，包括：測量體、與所述測量體相連接的上蓋板硅片以及下蓋板硅片；其特征在于，所述測量體包括外框架、位于所述外框架內(nèi)的內(nèi)框架以及與所述內(nèi)框架相連接的質(zhì)量塊；所述外框架與所述內(nèi)框架之間通過第一彈性梁相連接；所述質(zhì)量塊及所述內(nèi)框架與所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片之間各自形成有電容，并用于測量MEMS陀螺儀的旋轉(zhuǎn)角速度；所述質(zhì)量塊與所述內(nèi)框架通過第二彈性梁相連接；所述質(zhì)量塊的四邊與所述內(nèi)框架之間設(shè)置有四組梳狀耦合結(jié)構(gòu)，其中兩組所述梳狀耦合結(jié)構(gòu)用于驅(qū)動所述質(zhì)量塊，另外兩組所述梳狀耦合結(jié)構(gòu)用于測量所述質(zhì)量塊相對于所述內(nèi)框架的位移。2.如權(quán)利要求1所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，所述內(nèi)框架與所述外框架之間設(shè)置有多根所述第一彈性梁；所述第一彈性梁以所述質(zhì)量塊的中線對稱設(shè)置。3.如權(quán)利要求1所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，多組所述第一彈性梁設(shè)置在所述外框架和所述內(nèi)框架之間的間隔空間內(nèi)，并在所述間隔空間中自由活動。4.如權(quán)利要求3所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，每根所述第一彈性梁包括兩根Y型彈性梁，每根所述Y型彈性梁包括一根主干部以及兩根分支部；兩根所述分支部分別與所述內(nèi)框架以及所述外框架相連接。5.如權(quán)利要求4所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，兩根所述Y型彈性梁的主干部的末端設(shè)置在所述內(nèi)框架的端角處，兩末端呈直角相連接。6.如權(quán)利要求1所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，所述質(zhì)量塊與所述內(nèi)框架之間形成活動間隙，所述質(zhì)量塊與所述內(nèi)框架通過多根所述第二彈性梁相連接；所述第二彈性梁分別設(shè)置于所述質(zhì)量塊的端角處；并與所述內(nèi)框架相連接。7.如權(quán)利要求6所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，所述第二彈性梁為U型折疊梁。8.如權(quán)利要求1所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，所述測量體采用包括有上硅層及下硅層的雙層硅結(jié)構(gòu)，每層硅層之間分別設(shè)置有氧化埋層，所述上硅層的表面形成有外延層。9.如權(quán)利要求8所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，所述第一彈性梁成型于所述外延層；所述第二彈性梁成型于所述外延層以及所述上硅層。10.如權(quán)利要求1所述的MEMS陀螺儀，其特征在于，所述測量體、所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片上分別設(shè)置有電極。11.一種MEMS陀螺儀的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝包括以下步驟：第一步，在絕緣體上外延硅硅片的上硅層上生長出一外延層；第二步，通過高溫氧化以及淀積處理，分別在所述上硅層的外延層和下硅層表面上形成一層二氧化硅層和一層氮化硅層；第三步，通過光刻和刻蝕將所述下硅層表面外側(cè)部分的氮化硅層和二氧化硅層去除，露出部分所述下硅層；同時將下硅層表面的內(nèi)側(cè)部分的氮化硅層去除，露出所述二氧化硅層；第四步，將所述下硅層暴露在外的外側(cè)部分刻蝕至一定深度，形成外框架；第五步，通過刻蝕，將暴露在外的內(nèi)側(cè)部分的所述二氧化硅層去除，并露出所述下硅層；第六步，將暴露在外的所述下硅層的外側(cè)及內(nèi)側(cè)進一步刻蝕，直至所述下硅層的外側(cè)部分被刻蝕至氧化埋層，從而形成外框架及內(nèi)框架；第七步，通過刻蝕將所述下硅層的外側(cè)部分的氧化埋層去除，并將暴露在外的所述下硅層的外側(cè)和內(nèi)側(cè)進一步刻蝕，直至所述下硅層的內(nèi)側(cè)部分被刻蝕至氧化埋層，從而形成第二彈性梁；同時下硅層的外側(cè)部分刻蝕至外延層，從而形成第一彈性梁；第八步，將所述下硅層表面的二氧化硅層、氮化硅層及所述第二彈性梁表面的氧化埋層去除，并將兩塊刻蝕后的絕緣體上外延硅硅片進行背對背硅-硅鍵合；第九步，通過光刻和刻蝕，在兩塊絕緣體上外延硅硅片的所述上硅層表面的氮化硅層及二氧化硅層上刻蝕出多個深至外延層的孔；并再次對所述孔進行深度刻蝕形成通孔，從而形成自由活動的第一和第二彈性梁；第十步，將所述絕緣體上外延硅硅片表面的氮化硅層及二氧化硅層去除，形成測量體；第十一步，將所述測量體與上蓋板硅片及下蓋板硅片進行鍵合。12.如權(quán)利要求11所述的MEMS陀螺儀的制造工藝，其特征在于，對所述上蓋板硅片及下蓋板硅片的加工工藝還包括：A、在所述上蓋板硅片或下蓋板硅片上通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成多個通孔；B、在所述上蓋板硅片和所述下蓋板硅片的鍵合面上分別通過光刻、深度刻蝕及刻蝕各自形成一個凹陷區(qū)；C、與所述絕緣體上外延硅硅片鍵合之前，對所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片進行清洗；D、與所述絕緣體上外延硅硅片鍵合之后，在所述上蓋板硅片、所述下蓋板硅片的表面上淀積金屬并引出電極，通過所述上蓋板硅片或下蓋板硅片上的所述通孔在所述絕緣體上外延硅硅片的表面上淀積金屬，并通過所述通孔引出電極。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的MEMS陀螺儀的制造工藝，其特征在于，所述深度刻蝕及所述刻蝕的方法為以下方法中的一種或多種方法：干法刻蝕或濕法刻蝕，所述干法刻蝕包括：硅的深度反應(yīng)離子刻蝕及反應(yīng)離子刻蝕。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MEMS陀螺儀的制造工藝，其特征在于，用于刻蝕所述硅層的刻蝕劑為以下刻蝕劑中的一種或多種的組合：氫氧化鉀、四甲基氫氧化氨、乙二胺磷苯二酚或氣態(tài)的二氟化氙。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MEMS陀螺儀的制造工藝，其特征在于，用于刻蝕所述二氧化硅層的刻蝕劑為以下刻蝕劑中的一種或多種的組合：緩沖氫氟酸、49％氫氟酸或氣態(tài)的氟化氫。