缺陷檢測裝置制造方法

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缺陷檢測裝置制造方法
【專利摘要】一個實施方式的缺陷檢測裝置設置有測定部、存儲部、控制部及顯示部。測定部測定向被檢查裝置發(fā)送第1信號后到接收被檢查裝置的缺陷部位反射的反射信號為止的第1時間。存儲部具備：具有被檢查裝置的CAD數(shù)據(jù)的CAD數(shù)據(jù)部和存儲根據(jù)CAD數(shù)據(jù)表示第1時間和第1信號的預測傳導距離的關系的模型數(shù)據(jù)的模型數(shù)據(jù)部。控制部根據(jù)CAD數(shù)據(jù)計算由被檢查裝置選擇的檢查對象的范圍，根據(jù)模型數(shù)據(jù)由第1時間計算預測傳導距離，在檢查對象的范圍內(nèi)，確定從測定部算起以預測傳導距離離開的被檢查裝置的缺陷部位的位置。顯示部在CAD數(shù)據(jù)顯示缺陷部位的位置。
【專利說明】缺陷檢測裝置
[0001] 相關申請的引用
[0002] 本申請以2012年3月1日申請的日本專利申請第2012-045742號為基礎并要求其優(yōu)先權，通過引用其全部內(nèi)容而結合于此。

【技術領域】
[0003] 這里說明的實施方式涉及采用例如時域反射測定（TDR:Time Domain Reflectometry)檢測缺陷的缺陷檢測裝置。

【背景技術】
[0004] 在安裝基板上安裝電子部件的電子裝置的制造工序中，在安裝基板上安裝電子部件時，通過焊料連接安裝基板上的連接部和電子部件的連接部。對通過焊料連接的連接部，檢查短路、斷線等發(fā)生的有無。
[0005] 半導體裝置的一個形態(tài)例如是BGA型半導體裝置。球網(wǎng)格陣列中，在封裝體的底面，外部端子即焊料球網(wǎng)格狀配設，經(jīng)由焊料球與印刷基板等進行連接。印刷基板（安裝基板）中，安裝的焊料球的狀態(tài)無法目視確認。因而，例如，進行基于邊界掃描、X射線的檢查。
[0006] 除了邊界掃描、X射線的檢查，例如，還提出了采用時域反射測定（TD R;Time Domain Reflectometry)裝置的焊接檢查裝置。
[0007] 【現(xiàn)有技術文獻】
[0008] 【專利文獻】
[0009] 【專利文獻1】特開2003-124851號公報 [0010]【專利文獻2】特開平9-61486號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 提供可高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位的缺陷檢測裝置。
[0012] 一個實施方式的缺陷缺陷檢測裝置設置有測定部、存儲部、控制部及顯示部。測定部測定向被檢查裝置發(fā)送第1信號后到接收被檢查裝置的缺陷部位反射的反射信號為止的第1時間。存儲部具備：具有被檢查裝置的CAD數(shù)據(jù)的CAD數(shù)據(jù)部和存儲根據(jù)CAD數(shù)據(jù)表示第1時間和第1信號的預測傳導距離的關系的模型數(shù)據(jù)的模型數(shù)據(jù)部?？刂撇扛鶕?jù)CAD 數(shù)據(jù)計算由被檢查裝置選擇的檢查對象的范圍，根據(jù)模型數(shù)據(jù)由第1時間計算預測傳導距離，在檢查對象的范圍內(nèi)，確定從測定部算起以預測傳導距離離開的被檢查裝置的缺陷部位的位置。顯示部在CAD數(shù)據(jù)顯示缺陷部位的位置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是表示第1實施方式的缺陷檢測裝置的全體構成例。
[0014] 圖2是表示第1實施方式的被檢查裝置的截面圖。
[0015] 圖3是表示第1實施方式的被檢查裝置的環(huán)氧玻璃基板的第1主面對應的CAD數(shù) 據(jù)的不意圖。
[0016] 圖4是表示圖3的圖像數(shù)據(jù)的放大圖。
[0017] 圖5是表示第1實施方式的被檢查裝置的圖像數(shù)據(jù)的示意圖。
[0018]圖6是表示第1實施方式的存儲部存儲的特性數(shù)據(jù)相關的表的示意圖。
[0019]圖7是表示第1實施方式的存儲部存儲的特性數(shù)據(jù)和模型數(shù)據(jù)的關系的表的示意圖。
[0020] 圖8是表示第1實施方式的缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。
[0021] 圖9是表示圖8的步驟S5的詳細的流程圖。
[0022] 圖10是表示變形例1的缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。
[0023] 圖11是表示變形例3的缺陷檢測裝置的存儲部存儲的模型數(shù)據(jù)相關的表的圖。
[0024] 圖12是表示變形例3的缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。
[0025] 圖13是表示第2實施方式的缺陷檢測裝置的存儲部存儲的模型數(shù)據(jù)相關的表的圖。
[0026] 圖14是表示第2實施方式的缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。
[0027] 圖15是表示到缺陷部位為止的距離和反射波測定時間的關系的示圖。

【具體實施方式】
[0028] 以下，參照圖面說明實施方式。說明時，向全圖相同的部分附上相同的參照符號。但是，應當注意圖面為示意圖，厚度和平面尺寸的關系、各層的厚度的比率等不同于現(xiàn)實。從而，具體的厚度、尺寸應當參照以下的說明判斷。另外，在圖面之間，當然也包括相互尺寸的關系、比率不同的部分。
[0029] 第1實施方式的缺陷檢測裝置（fault detection apparatus)參照圖1說明。圖 1是本實施方式的缺陷檢測裝置和被檢查裝置（test apparatus)的方框圖。如圖1所示，設置缺陷檢測裝置100和被檢查裝置200。這里，用BGA型半導體裝置說明被檢查裝置200 的一例，但是不限于此，只要是多個電子部件電氣連接的裝置，也可以是任意裝置。例如，可以是設置有外部端子即球端子并層疊形成了半導體芯片并樹脂密封的LGA型半導體裝置、層疊形成了 NAND型閃速存儲器芯片的SSD卡、SD卡等。
[0030] 本實施方式的缺陷檢測裝置說明前，參照圖2說明被檢查裝置。圖2是被檢查裝置的截面圖。
[0031] 如圖2所示，在BGA型半導體裝置即被檢查裝置200，設置有環(huán)氧玻璃基板201、粘接層202、第1半導體芯片203a、第2半導體芯片203b、第3半導體芯片203c、粘接層204a、粘接層204b、鍵合線205、焊料球206及模塑樹脂209。第1半導體芯片203a經(jīng)由粘接層202 載置并粘接于環(huán)氧玻璃基板201。第2半導體芯片203b經(jīng)由粘接層204a載置并粘接于第 1半導體芯片203a。第3半導體芯片203c經(jīng)由粘接層204b載置并粘接于第2半導體芯片 203b。環(huán)氧玻璃基板201的表面（圖2的第1主面）設置有多個第1電極和與第1電極分別連接的多個第1布線（未圖示）。第1電極與外部端子即焊料球206分別連接。環(huán)氧玻璃基板201的背面（圖2的第1主面相向的第2主面）設置有多個第2電極和與第2電極分別連接的第2布線（未圖示）。第2電極與對應的鍵合線205連接。第1布線和第2布線經(jīng)由通孔連接（未圖示）。鍵合線205與在第1半導體芯片203a、第2半導體芯片203b 及第3半導體芯片203c設置的第3電極和第2電極分別連接。第1半導體芯片203a、第2 半導體芯片203b、第3半導體芯片203c及鍵合線205用模塑樹脂209密封。焊料球206被分別賦予銷編號。
[0032] 說明第1實施方式的缺陷檢測裝置的全體構成。如圖1所示，在缺陷檢測裝置 100,設置有輸入輸出部10、控制部20、存儲部30、時域反射測定部（TDR unit ;Time Domain Reflectometry unit)40及顯示部50。輸入輸出部10與外部進行數(shù)據(jù)的收發(fā)?？刂撇?0 執(zhí)行期望的運算處理。存儲部30存儲各種數(shù)據(jù)。時域反射測定部40向被檢查裝置200發(fā) 送例如高速脈沖信號，輸入反射波測定信號，進行期望的測定。顯示部50例如顯示缺陷檢測關聯(lián)的各種數(shù)據(jù)。
[0033] 輸入輸出部10與控制部20連接。輸入輸出部10將使用者輸入的被檢查裝置200 的CAD數(shù)據(jù)等向控制部20傳送。輸入輸出部10執(zhí)行被檢查裝置200的缺陷檢測檢查時，向控制部20傳送使用者輸入的各種數(shù)據(jù)。
[0034] 控制部20向顯示部50發(fā)送被檢查裝置200的檢查結果。在被檢查裝置200判明存在缺陷部位時，使顯示部50顯示在CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)中表示缺陷部位的指示器。其結果，外部的使用者可以明確確認缺陷部位。這里，顯示部50設置在缺陷檢測檢查100,但是不限于此。顯示部50也可以設置在缺陷檢測檢查100的外部。該場合，使用者獲得從缺陷檢測檢查100的輸入輸出部10輸出的信息，在顯示裝置確認缺陷部位。
[0035] 在控制部20,設置有RAM部21、圖書館部22、分割部23及運算部24。這里，圖書館部22設置在控制部20,但是不限于此。例如，也可以設置在后述存儲裝置30。
[0036] RAM部21存儲從輸入輸出部10傳送的CAD數(shù)據(jù)等。RAM部21用作執(zhí)行期望的運算的空間。CAD數(shù)據(jù)包括圖像數(shù)據(jù)和表示各部件的尺寸等的特性數(shù)據(jù)（詳細情況后述）。
[0037] 分割部23將CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)分割為構成被檢查裝置200的部件。分割的部件相關的數(shù)據(jù)在圖書館部22存儲。分割部23在CAD數(shù)據(jù)被讀入RAM部21后，訪問圖書館部22,將CAD數(shù)據(jù)分割為部件。
[0038] 參照圖3及圖4說明CAD數(shù)據(jù)的具體例。圖3是被檢查裝置的環(huán)氧玻璃基板的第 1主面對應的CAD數(shù)據(jù)的示意圖。圖4是圖3的圖像數(shù)據(jù)的放大圖。
[0039] 如圖3所示，環(huán)氧玻璃基板201的第1主面中分割部23將與銷編號1的焊料球 206(1)連接的圖像數(shù)據(jù)S分割為部件（component)時，分割部23訪問圖書館部22,根據(jù)各部件相關的數(shù)據(jù)，如圖4所示，將圖像數(shù)據(jù)S分割為銷編號1的焊料球206(1)和與焊料球 206 (1)連接的第1布線207 (1)、通孔208 (1)。
[0040] 分割部23在部件的特性在部件的途中變化時，將部件按每個特性分割為部分 (part)。例如，如圖4所示，第1布線207(1)在布線的途中，布線寬度變化，在布線的途中，布線彎曲。分割部23根據(jù)第1布線207(1)的特性，將第1布線分割為第1部分207 (1-1)，第2部分207 (1-2)，…，第13部分（2-13)。
[0041] 圖書館部22存儲表示將部件分割為部分的判斷基準的數(shù)據(jù)。例如，部件為布線時，布線寬度若變化則分割布線。布線若彎曲則分割布線（例如207(1?6))。
[0042] 上述分割方法中，在單位長度的電阻值變化時分割。只要單位長度的電阻值不變化，可以不分割而作為一個部分處理。布線寬度不同時單位長度的電阻值變化，因此進行分害IJ。同樣，布線途中彎曲時，單位長度的電阻值變化，因此進行分割。另外，分割方法也可以是所述的方法以外的方法。
[0043] 控制部20向存儲部30輸出CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)及每個分割的部件或部分的特性數(shù)據(jù)。另外，也可以不限于該情況，例如，按每個分割的部件或部分，向存儲部30輸出CAD 數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)和特性數(shù)據(jù)。
[0044] 運算部24在缺陷檢測檢查時，識別實施缺陷檢測檢查的焊料球對應的部件或部分，向RAM部21讀出每個部件或部分的模型數(shù)據(jù)，將從時域反射測定部40輸出的數(shù)據(jù)適用于模型數(shù)據(jù)，計算處于部件或部分的缺陷部位，確定缺陷部位。另外，詳細的說明將后述。
[0045] 在存儲部30設置有CAD數(shù)據(jù)部31和模型數(shù)據(jù)部32。在CAD數(shù)據(jù)部31設置圖像數(shù)據(jù)部33和特性數(shù)據(jù)部34。按每個構成被檢查裝置200的部件，或按將部件多個分割的部分，CAD數(shù)據(jù)的特性數(shù)據(jù)存儲在特性數(shù)據(jù)部34。可以將CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)作為整體在圖像數(shù)據(jù)部33存儲，也可以按每個部件或部分將CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)在圖像數(shù)據(jù)部33存儲。
[0046] 上述數(shù)據(jù)是用于以非破壞方式確定處于部件或部分的缺陷部位的數(shù)據(jù)，也可以是用于向使用者提示處于部件或部分的缺陷部位的數(shù)據(jù)。
[0047] 存儲部30在每次從輸入輸出部10輸出CAD數(shù)據(jù)時，存儲圖像數(shù)據(jù)和按每個部件或部分的特性數(shù)據(jù)。參照圖5說明圖像數(shù)據(jù)。圖5是表示圖像數(shù)據(jù)的示意圖。如圖5所示，例如為BGA型半導體裝置即被檢查裝置200時（圖2所示），5個圖像數(shù)據(jù)II?15在圖像數(shù)據(jù)部33存儲，與圖像數(shù)據(jù)II?15對應的每個部件或部分的特性數(shù)據(jù)D1?D5在特性數(shù) 據(jù)部34存儲。
[0048] 圖像數(shù)據(jù)II是與環(huán)氧玻璃基板201的第1主面相關的圖像數(shù)據(jù)。圖像數(shù)據(jù)II是在環(huán)氧玻璃基板201的第1主面形成的第1電極、第1布線及通孔的圖像數(shù)據(jù)。特性數(shù)據(jù) D1是第1電極、第1布線及通孔的特性數(shù)據(jù)（表示配置位置的數(shù)據(jù)、表示長度的數(shù)據(jù)、表示寬度的數(shù)據(jù)、表示相對于基準線的傾斜度的數(shù)據(jù)、表示形狀的數(shù)據(jù)、材料數(shù)據(jù)等）。
[0049] 圖像數(shù)據(jù)12是與環(huán)氧玻璃基板201的第1主面相向的第2主面相關的圖像數(shù)據(jù)。圖像數(shù)據(jù)12是在環(huán)氧玻璃基板201的第2主面形成的第2電極、第2布線及通孔的圖像數(shù) 據(jù)。特性數(shù)據(jù)D2是第2電極、第2布線及通孔的特性數(shù)據(jù)（表示配置位置的數(shù)據(jù)、表示長度的數(shù)據(jù)、表示寬度的數(shù)據(jù)、表示相對于基準線的傾斜度的數(shù)據(jù)、表示形狀的數(shù)據(jù)、材料數(shù) 據(jù)等）。
[0050] 圖像數(shù)據(jù)13?15是與第1半導體芯片203a、第2半導體芯片203b及第3半導體芯片203c相關的圖像數(shù)據(jù)。是與第1半導體芯片203a、第2半導體芯片203b及第3半導體芯片203c的第3電極連接的布線的圖像數(shù)據(jù)或者第1半導體芯片203a、第2半導體芯片 203b及第3半導體芯片203c內(nèi)的電子部件等的圖像數(shù)據(jù)。特性數(shù)據(jù)D3?D5是布線和/ 或電子部件等的特性數(shù)據(jù)（表示配置位置的數(shù)據(jù)、表示長度的數(shù)據(jù)、表示寬度的數(shù)據(jù)、表示相對于基準線的傾斜度的數(shù)據(jù)、表示形狀的數(shù)據(jù)、材料數(shù)據(jù)等）。
[0051] 本實施方式中，存儲部30存儲圖像數(shù)據(jù)II?15和與圖像數(shù)據(jù)II?15對應的按每個部件或部分的的特性數(shù)據(jù)D1?D5。例如通過特性數(shù)據(jù)D1?D5可再現(xiàn)圖像數(shù)據(jù)II? 15時，也可以取而代之，僅僅在存儲部30存儲特性數(shù)據(jù)D1?D5。本實施方式中，作為特性數(shù)據(jù)，部件為布線時，說明了表示部件或部分的配置位置的數(shù)據(jù)、表示長度的數(shù)據(jù)、表示寬度的數(shù)據(jù)、表示相對于基準線的傾斜度的數(shù)據(jù)、表示形狀的數(shù)據(jù)，但是不限于此，只要是確定布線或布線的部分的數(shù)據(jù)，則可以是任何數(shù)據(jù)。作為焊料球、通孔的特性數(shù)據(jù)，例如是表示圓形形狀的數(shù)據(jù)、表示直徑的大小的數(shù)據(jù)（表示第1直徑的大小的數(shù)據(jù)、表示第2直徑的大小的數(shù)據(jù)）、表示材料的數(shù)據(jù)。只要是焊料球等的部件的數(shù)據(jù)、確定部件的部分的數(shù)據(jù)，則可以是任何數(shù)據(jù)。
[0052] 參照圖6說明特性數(shù)據(jù)的一例。圖6是本實施方式的存儲部存儲的特性數(shù)據(jù)相關的表的示意圖。這里，特性數(shù)據(jù)用表的方式在存儲部30存儲。
[0053] 如圖6所示，按每個部件或部分，使表示寬度（或第1直徑）、長度（或第2直徑）、重心坐標、相對于基準線的傾斜度、材料、形狀的確定數(shù)據(jù)相關聯(lián)。焊料球206(1)、第1布線207 (1-1)?207 (1-13)、通孔208 (1)的寬度（或第1直徑），分別設定成al-1，a2-l? a2-13，a3-l。長度（或第2直徑）分別設定成bl-l，b2-l?b2-13，b3-l。形狀分別設定成 cl-l，c2-l ?c2-13，c3-l。焊料球 206(1)、第 1 布線 207(1-1)?207(1-13)、通孔 208(1) 的材料都是X(例如銅（Cu))。
[0054] 存儲部30不僅存儲CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)、按每個部件或部分的特性數(shù)據(jù)，還在模型數(shù)據(jù)部32存儲模型數(shù)據(jù)。這里，模型數(shù)據(jù)是按每個部件或部分將脈沖波的傳導特性模型化的數(shù)據(jù)（例如函數(shù)數(shù)據(jù)）。模型化的數(shù)據(jù)用于根據(jù)從后述的時域反射測定部40輸出的數(shù) 據(jù)、圖像數(shù)據(jù)及特性數(shù)據(jù)，確定處于部件或部分的缺陷部位。
[0055] 模型數(shù)據(jù)在由時域反射測定部40進行缺陷檢測檢查前事先在存儲部30的模型數(shù) 據(jù)部32存儲。模型數(shù)據(jù)的計算方法將后述。
[0056] 按每個部件或部分的特性數(shù)據(jù)對應的模型數(shù)據(jù)在模型數(shù)據(jù)部32存儲。
[0057] 用表參照圖7進行說明。圖7是表示在實施方式的存儲部存儲的特性數(shù)據(jù)和模型數(shù)據(jù)的關系的表的示意圖。
[0058] 如圖7所示，例如特性數(shù)據(jù)是材料X、寬度a2_l、形狀c2_l時，模型數(shù)據(jù)L2-1用下述式表示：
[0059] L2-1 = f2-l (t)......式（1)
[0060] 這里，模型數(shù)據(jù)L2-1表示從具有材料X、寬度a2_l、形狀c2_l的布線（或布線的部分）的一端輸入脈沖波并經(jīng)過時間t，脈沖波傳導到布線（或布線的部分）的另一端為止的預測傳導距離。
[0061] 圖7中，僅僅公開3種的模型數(shù)據(jù)，但是，用于被檢查裝置200的全部部件、部分對應的模型數(shù)據(jù)在模型數(shù)據(jù)部32存儲。但是，對于具有材料X、寬度a2-l、形狀c2-l (直線）的布線，具有長度不同的多個布線時，在脈沖波的傳導特性相同的情況下，模型數(shù)據(jù)最好使用共同的數(shù)據(jù)。該場合，可以抑制要存儲的模型數(shù)據(jù)的增大。
[0062] 本實施方式中，將用于被檢查裝置200的全部部件、部分對應的模型數(shù)據(jù)在模型數(shù)據(jù)部32存儲，但是，預定了檢查對象時，也可以在模型數(shù)據(jù)部32僅僅存儲檢查對象的部件、部分對應的模型數(shù)據(jù)。
[0063] 函數(shù)f2_l⑴是與時間t具有正的相關的函數(shù)。例如，是f2_l⑴= {(A2-l)*t} + (B2-l)的一次函數(shù)。這里，A2-1比零（0)大。A2-UB2-1是根據(jù)材料X、寬度 a2-l、形狀c2-l而定的常數(shù)。
[0064] 模型數(shù)據(jù)f 1-1 (t)，f2-l (t)，…與特性數(shù)據(jù)分別相關聯(lián)地在存儲部30存儲。另夕卜，本實施方式中，與特性數(shù)據(jù)分別相關聯(lián)地在存儲部30存儲模型數(shù)據(jù)，但是，也可以按部件或按部分，將模型數(shù)據(jù)相關聯(lián)地在存儲部30存儲。
[0065] 接著，用圖1說明時域反射測定部40。如圖1所示，時域反射測定部40與控制部 20和被檢查裝置200連接。在時域反射測定部40,例如設置有脈沖發(fā)生器、示波器及探頭 (未圖示）。探頭與檢查對象的焊料球接觸。
[0066] 作為時域反射測定部40,采用例如采用脈沖波的時域反射測定（TDR:T ime Domain Reflectometry)裝置。脈沖波是從脈沖發(fā)生器生成的高速脈沖信號。
[0067] 從控制部20接收開始缺陷檢測檢查的信號后，時域反射測定部40將高速脈沖信號SG1經(jīng)由例如探頭向被檢查裝置200發(fā)送。在被檢查裝置200的檢查對象的焊料球所連接的布線等產(chǎn)生缺陷（布線的斷線、裂痕等）時，在缺陷部位反射高速脈沖信號SG1。時域反射測定部40將反射的脈沖波作為反射信號SG2接收。時域反射測定部40計測發(fā)送高速脈沖信號SG1后到反射信號SG2接收為止的反射波測定時間。
[0068] 時域反射測定部40向控制部20輸出測定的反射波測定時間的數(shù)據(jù)。
[0069] 接著，參照圖8說明缺陷檢測裝置的檢查工作。圖8是缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。
[0070] 本實施方式的缺陷檢測裝置的檢查工作中，按構成被檢查裝置200的檢查對象的部件，或，按將該部件多個分割的部分，CAD數(shù)據(jù)的特性數(shù)據(jù)在特性數(shù)據(jù)部34存儲。按部件或按部分的模型數(shù)據(jù)在模型數(shù)據(jù)部32存儲后，執(zhí)行被檢查裝置200的缺陷檢查。
[0071] 說明具體的缺陷檢測裝置的檢查方法前，說明模型數(shù)據(jù)的計算方法的一例。按每個部件或部分測定傳導特性，確定模型數(shù)據(jù)。具體地說，例如，布線的傳導特性如下測定。
[0072] 準備2根相同特性的布線。在第1根布線，在從布線的一端離開距離LL1的部位發(fā)生缺陷。在第2根布線，在從布線的一端離開距離LL2 0LL1)的部位發(fā)生缺陷。例如將時域反射測定部40的探頭與第1根布線的一端連接，向第1根布線輸出第1脈沖波。時域反射測定部40計測第1脈沖波輸出后到接收反射的第1脈沖波為止的時間TT1。同樣，例如將時域反射測定部40的探頭與第2根布線的一端連接，向第2根布線輸出第2脈沖波。時域反射測定部40計測從第2脈沖波輸出到接收反射的第2脈沖波為止的時間TT2。
[0073] 根據(jù)時間TT1、時間TT2、距離LL1及距離LL2,確定模型數(shù)據(jù)。通過增大樣本數(shù)，可以確定精度高的模型數(shù)據(jù)。
[0074] 通過反復上述操作而確定的按每個部件或部分的模型數(shù)據(jù)在模型數(shù)據(jù)部32存儲。
[0075] 參照圖8說明本實施方式的缺陷檢測裝置的檢查工作。圖8是缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。這里，按每個被檢查裝置200的構成部件或該部件多個分割的部分的CAD 數(shù)據(jù)的特性數(shù)據(jù)已經(jīng)在特性數(shù)據(jù)部34存儲。CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)已經(jīng)在圖像數(shù)據(jù)部33存儲。用于被檢查裝置200的全部部件、部分對應的模型數(shù)據(jù)已經(jīng)在模型數(shù)據(jù)部32存儲。
[0076] 首先，步驟S1中，接收檢查對象的焊料球的銷編號后，輸入輸出部10向控制部20 輸出銷編號。另外，不僅銷編號，還接收了例如阻焊劑的材料、布線的材料、焊料球的材料及大小、布線的高度（布線與延伸平面垂直的方向的高度）的信息數(shù)據(jù)時，輸入輸出部10向控制部20輸出這些信息數(shù)據(jù)。另外，也可以根據(jù)這些信息數(shù)據(jù)，由后述步驟S3抽出模型數(shù) 據(jù)并排列。
[0077] 接著，步驟S2中，運算部24將與選擇的銷編號的焊料球電氣連接的范圍作為檢查對象，從CAD數(shù)據(jù)抽出檢查對象的范圍。例如，被檢查裝置200為BGA型半導體裝置時，運算部24從圖像數(shù)據(jù)II確定與檢查對象的焊料球連接的第1電極、第1布線及通孔，將其包括在檢查對象的范圍。
[0078] 運算部24從圖像數(shù)據(jù)12,確定在圖像數(shù)據(jù)II而包括在檢查對象的范圍的通孔所連接的第2布線、第2電極，將第2布線、第2電極包括在檢查對象的范圍。同樣，從圖像數(shù) 據(jù)13?15,在第1半導體芯片203a、第2半導體芯片203b及第3半導體芯片203c內(nèi)，確定經(jīng)由鍵合線205與圖像數(shù)據(jù)12的檢查對象的范圍連接的第1半導體芯片203a、第2半導體芯片203b及第3半導體芯片203c的電子部件等，將這些包括在檢查對象的范圍。
[0079] 接著，步驟S3中，運算部24以將包括在檢查對象的范圍的部件、部分所對應的模型數(shù)據(jù)按照脈沖波傳導順序排列的方式，向RAM部21讀出。具體地說，運算部24從圖6所示表向RAM部21讀出與檢查對象的范圍所包括的部件、部分相應的特性數(shù)據(jù)。運算部24按照脈沖波傳導順序，排列在檢查對象包括的部件、部分。運算部24訪問圖7所示表，向RAM 部21讀出各部件、部分的特性數(shù)據(jù)對應的模型數(shù)據(jù)。運算部24按脈沖波傳導順序，使模型數(shù)據(jù)在RAM部21排列。
[0080] 步驟S4中，控制部20向時域反射測定部40輸出開始缺陷檢測檢查的信號。從而，執(zhí)行缺陷檢測檢查。時域反射測定部40使探頭接觸被檢查裝置200的檢查對象的焊料球。時域反射測定部40經(jīng)由探頭向被檢查裝置200輸出高速脈沖信號SG1。時域反射測定部 40計測從輸出高速脈沖信號SG1到接收反射的脈沖波作為反射信號SG2為止的時間。時域反射測定部40將計測的時間T1作為數(shù)據(jù)向控制部20輸出。
[0081] 接著，步驟S5中，控制部20根據(jù)步驟S3獲得的按照脈沖波傳導順序的模型數(shù)據(jù) 及步驟S4取得的時間T1，確定缺陷部位。
[0082] 參照圖9說明確定缺陷部位的具體方法。圖9是表示圖8的步驟S5的詳細的流程圖。這里，檢查對象的焊料球為銷編號1，缺陷部位處于第1布線207(1-3)。在步驟S3 獲得的按照脈沖波傳導順序的模型數(shù)據(jù)和長度的特性數(shù)據(jù)為下述的信息。
[0083] 焊料球206 (1)的模型數(shù)據(jù)用Ll-1 = f 1-1⑴表示，長度（第2直徑）設為bl-Ι。第1布線207 (1-1)的模型數(shù)據(jù)用L2-1 = f2-l (t)表示，長度（第2直徑）設為b2-l。第 1布線207 (1-2)的模型數(shù)據(jù)用L2-2 = f2-2 (t)表示，長度（第2直徑）設為b2-2。第1 布線207 (1-3)的模型數(shù)據(jù)用L2-3 = f2-3 (t)表示，長度（第2直徑）設為b2-3。同樣，第1布線207 (1-12)的模型數(shù)據(jù)用L2-12 = f2-12 (t)表示，長度（第2直徑）設為b2-12。第1布線207 (1-13)的模型數(shù)據(jù)用L2-13 = f2-13 (t)表示，長度（第2直徑）設為b2-13。以下省略說明。
[0084] 這里，通過以下的步驟，控制部20確定缺陷部位。如圖9所示，步驟S5-1中，運算部24向順序排列的模型數(shù)據(jù)內(nèi)的開頭的模型數(shù)據(jù)代入時間T1。
[0085] 接著，步驟S5-2中，運算部24設定i = 1，j = 1。這里表示的i及j是將例如距離表現(xiàn)為Li-j時的情況。
[0086] 接著，步驟S5-3中，運算部24通過代入了時間T1的模型數(shù)據(jù)，計算距離 Li-j (T1)。
[0087] 步驟S5-4中，運算部24比較距離Li-j (T1)和長度的特性數(shù)據(jù)bi-j。
[0088] 判斷距離Li-j (T1)比長度的特性數(shù)據(jù)bi-j大時，執(zhí)行步驟S5-5的處理。具體地說，使j加一（increment)。但是，j為最大值時，使i加一。使i加一時，j設定成初始的 j = l。另外，i和j在由分割部23分割圖像數(shù)據(jù)時設定。i和j在缺陷檢測裝置100的內(nèi) 部存儲。運算部24計算滿足下式（2)的時間T (i) (j)。
[0089] Li-j(T(i) (j)) = bi-j......式（2)
[0090] 運算部24計算時間τι-Στα) (j) { S卩，將對全部的j的T(l) (j)的總和、對全部的j的T(2) (j)的總和、…、對全部的j的T(i-l) (j)的總和、從T(i) (1)到T(i) (j-Ι)為止的總和的全部合計的時間}。這里，設為T11 = 0。運算部24設定時間Tl-STij，取代時間T1 (步驟S5-5)，返回步驟S5-3。
[0091] 距離Li-j(Tl)比長度的特性數(shù)據(jù)bi-j小時，運算部24將距離Li-j(Tl)檢測為缺陷部位（步驟S5-6)，進入步驟S6。
[0092] 用上述的例詳細說明步驟S5-3以下的工作。運算部24計算距離Ll-1 (T1)，比較距離Ll-1 (T1)和長度的特性數(shù)據(jù)bl-Ι (步驟S5-4)。距離Ll-1 (T1)大時，運算部24使i 加一，設為i = 2, j = 1，計算T(l) (1)(步驟S5-5)。然后，返回步驟S5-3,運算部24通過代入了時間Tl-T(l)(l)的模型數(shù)據(jù)，計算距離L2-1(T1-T(1)(1))(步驟S5-3)。運算部24 比較 L2-1 (Tl-T (1) (1))和 b2-l (步驟 S5-4)。距離 L2-1 (Tl-T (1) (1))大時，運算部 24 使 j 加一，設為i = 2, j = 2,計算T (1) (1)+T (2) (1)(步驟S5-5)。然后，返回步驟S5-3,運算部 24通過代入了時間{Tl-T(l) (1)-T(2) (1)}的模型數(shù)據(jù)，計算距離L2-1(T1-T(1) (1)-T(2) ⑴）（步驟S5-3)。
[0093] 運算部 24 比較距離 L2-1(T1-T(1) (1)-T(2)⑴）和 b2-2(步驟 S5-4)。距離 L2-1 (Tl-T (1) (1) -T ⑵（1))小時，運算部 24 將距離 L2-1 (Tl-T (1) (1) -T ⑵（1))檢測為缺陷部位（步驟S5-6)并結束。
[0094] 接著，步驟S6中，控制部20從存儲部30中向RAM部21讀出CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)，在圖像數(shù)據(jù)標注在步驟S5檢測的缺陷部位的位置?？刂撇?0向顯示部50輸出標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。
[0095] 步驟S7中，控制部20向顯示部50輸出標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。顯示部50 接收并顯示標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。
[0096] 其結果，本實施方式的缺陷檢測裝置可以高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位。以下，以時域反射測定（TDR:Time Domain Reflectometry)裝置確定被檢查裝置的缺陷部位的比較例為例，具體地說明本實施方式的效果。
[0097] 為比較例的裝置的場合，確定被檢查裝置的缺陷部位時，即使計測從脈沖波向被檢查裝置發(fā)送到接收反射脈沖為止的時間，也無法通過計測的時間判斷缺陷部位處于何處。被檢查裝置為BGA型的半導體裝置時，難以判斷是在環(huán)氧玻璃基板的布線存在缺陷還是在半導體芯片內(nèi)部的布線存在缺陷。
[0098] 另一方面，本實施方式中，控制部20根據(jù)CAD數(shù)據(jù)，按每個部件或部分分割，按每個分割的部件或部分，讀出模型數(shù)據(jù)并進行期望的運算，從而確定缺陷部位。結果，不僅可以檢測在分割的哪個部件或部分存在缺陷部位，而且，在部件或部分中，可以檢測在離開規(guī) 定的距離的部分存在缺陷部位。
[0099] 參照圖15說明采用時域反射測定部40的反射波測定時間的測定結果的一例。圖 15是到缺陷部位的距離和反射波測定時間的關系的示圖。如圖15所示，到被檢查裝置的缺陷部位為止的距離（L)和反射波測定時間即上述第1時間（t)的關系中在將Co作為光速，將e #作為有效相對介電常數(shù)，將A作為常數(shù)時，用下述式（3)表示：
[0100] L = (C0Xt)/{2X e ef(1/2)}+A......式（3)
[0101] 式（3)用一次函數(shù)表示。
[0102] 從圖15所示直線的斜率，計算有效相對介電常數(shù)為3. 0。
[0103] 被檢查裝置例如由多個材料構成時，通過分別向上式（3)代入構成材料的距離 (AL)、反射波測定時間（At)及相對介電常數(shù)（Λ e rf)，求出其總和，計算到被檢查裝置的缺陷部位為止的距離（L)，可以進行缺陷部位的確定。其結果，即使被檢查裝置由多個材料構成，本實施方式的缺陷檢測裝置也可以高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位。
[0104] 接著，說明變形例1的缺陷檢測裝置。變形例1的缺陷檢測裝置中，相對于第1實施方式的缺陷檢測裝置的構成的不同點在于，模型數(shù)據(jù)及圖7所示表在存儲部30存儲，存儲部30不存儲CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)和/或特性數(shù)據(jù)，其他構成同樣，詳細的說明省略。
[0105] 參照圖10說明變形例1的缺陷檢測裝置的檢查工作。圖10是變形例1的缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。這里，存儲部30已經(jīng)存儲用于被檢查裝置200的全部部件、部分所對應的模型數(shù)據(jù)。
[0106] 首先，步驟S11中，接收檢查對象的焊料球的銷編號、CAD數(shù)據(jù)（圖像數(shù)據(jù)和特性數(shù)據(jù)）后，輸入輸出部10向控制部20輸出銷編號、CAD數(shù)據(jù)。步驟S11中，除了銷編號、 CAD數(shù)據(jù)，還接收例如阻焊劑的材料、布線的材料、焊料球的材料及大小、布線的高度（布線相對于延伸平面垂直的方向的高度）的信息數(shù)據(jù)時，輸入輸出部10向控制部20輸出信息數(shù)據(jù)。另外，也可以根據(jù)信息數(shù)據(jù)，由后述的步驟S14抽出模型數(shù)據(jù)并排列。
[0107] 接著，步驟S12中，控制部20的運算部24在RAM部21存儲CAD數(shù)據(jù)，將與選擇的銷編號的焊料球電連接的范圍作為檢查對象，從CAD數(shù)據(jù)抽出檢查對象的范圍。檢查對象的范圍的抽出方法與第1實施方式的步驟S2同樣。
[0108] 接著，步驟S13中，在RAM部21內(nèi)，分割部23根據(jù)圖書館部22存儲的數(shù)據(jù)，按部件、部分分割檢查對象的范圍。分割部23僅僅將檢查對象的范圍分割為部件或部分，檢查對象外的范圍不分割。
[0109] 在步驟S14中，運算部24訪問圖7所示表，將檢查對象的范圍包括的部件、部分對應的模型數(shù)據(jù)按照脈沖波傳導順序排列。
[0110] 接著，步驟S15中，控制部20向時域反射測定部40輸出開始缺陷檢測檢查的信號。從而，執(zhí)行缺陷檢測檢查。時域反射測定部40使探頭接觸被檢查裝置200的檢查對象的焊料球。時域反射測定部40計測經(jīng)由探頭向被檢查裝置200發(fā)送高速脈沖信號SG1到接收反射的脈沖波即反射信號SG2為止的反射波測定時間。時域反射測定部40將計測的時間T2作為信息數(shù)據(jù)向控制部20輸出。
[0111] 接著，步驟S16中，控制部20根據(jù)步驟S3獲得的按照脈沖波傳導順序的模型數(shù)據(jù) 和步驟S5獲得的時間T2,確定缺陷部位。
[0112] 步驟S17中，控制部20對RAM部21中的CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)標注缺陷部位。控制部20將標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)向顯示部50輸出。
[0113] 接著，步驟S18中，顯示部50接收并顯示標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。其結果，變形例1的缺陷檢測裝置中，與第1實施方式同樣，可以高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位。
[0114] 另外，變形例1的缺陷檢測裝置中，相對于第1實施方式，可以減小存儲部30的大小。而且，變形例1的缺陷檢測裝置中，檢查工作的步驟S13中，分割部23僅僅將檢查對象的范圍分割為部件或部分，檢查對象外的范圍不分割。因而，可以在不分割被檢查裝置的全部部件或部分的情況下，進行缺陷檢測檢查。從而，本變形例1的檢查工作與第1實施方式的檢查工作比較，可以短時間進行檢查。
[0115] 接著，說明變形例2的缺陷檢測裝置。變形例2的缺陷檢測裝置中，與第1實施方式的缺陷檢測裝置的構成同樣。變形例2與第1實施方式的檢查工作的不同點在于將第1 實施方式的檢查工作的步驟S2及步驟S3與步驟S4并行處理，而其他檢查工作同樣，詳細的說明省略。檢知步驟S3及步驟S4都結束后，控制部20進入步驟S5。
[0116] 其結果，變形例2的缺陷檢測裝置中，與第1實施方式同樣，可以高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位。
[0117] 另外，變形例2的缺陷檢測裝置中，第1實施方式的檢查工作的步驟S2及步驟S3 與步驟S4并行處理。從而，本變形例2的檢查工作中，與第1實施方式的檢查工作比，可以短時間進行檢查。
[0118] 另外，也可以對變形例1適用變形例2,該場合，與變形例1相比，可以更短時間進行檢查。
[0119] 接著，說明變形例3的缺陷檢測裝置。變形例3的缺陷檢測裝置中，相對于第1實施方式的缺陷檢測裝置，不同點在于在存儲部30,按各部件或部分，存儲從部件或部分的一端向另一端為止傳導脈沖波的時間，其他構成相同，詳細的說明省略。
[0120] 具體參照圖11說明從部件或部分的一端向另一端為止傳導脈沖波的時間。圖11 是表示變形例3的缺陷檢測裝置的存儲部存儲的模型數(shù)據(jù)相關的表的圖。
[0121] 如圖11所示,例如特性數(shù)據(jù)為材料X、寬度a2-l、形狀c2_l時的模型數(shù)據(jù)L2-1滿足第1實施方式所示的式（1)。
[0122] 這里，模型數(shù)據(jù)L2-1表示，從材料X、形狀c2_l的布線（或布線的部分）的一端輸入脈沖波后經(jīng)過時間t，脈沖波傳導到布線（或布線的部分）的另一端為止的預測傳導距離。
[0123] 函數(shù)€2-1(〇是與時間七具有正的相關的函數(shù)。模型數(shù)據(jù)€1-1(〇42-1(〇，? 與特性數(shù)據(jù)分別相關聯(lián)地在存儲部30存儲。另外，存儲部30與特性數(shù)據(jù)分別相關聯(lián)地存儲模型數(shù)據(jù)，也可以在存儲部30按每個部件或部分相關聯(lián)地存儲模型數(shù)據(jù)。
[0124] 例如，與模型數(shù)據(jù)L2-1對應，從部件或部分的一端向另一端為止傳導脈沖波的時間tt2-l在存儲部30存儲。
[0125] 接著，參照圖12說明變形例3的缺陷檢測裝置。圖12是變形例3的缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。這里，按每個被檢查裝置200的構成部件或每個該部件多個分割的部分的CAD數(shù)據(jù)的特性數(shù)據(jù)已經(jīng)在特性數(shù)據(jù)部34存儲。CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)已經(jīng)在圖像數(shù)據(jù)部33存儲。用于被檢查裝置200的全部部件、部分所對應的模型數(shù)據(jù)已經(jīng)存儲。
[0126] 首先，步驟S21中，接收檢查對象的焊料球的銷編號后，輸入輸出部10向控制部20 輸出銷編號。步驟S21中，不僅銷編號，還接收例如阻焊劑的材料、布線的材料、焊料球的材料及大小、布線的高度（布線與延伸平面垂直的方向的高度）的信息數(shù)據(jù)時，輸入輸出部10 向控制部20輸出信息數(shù)據(jù)。
[0127] 接著，步驟S22中，控制部20的運算部24將與選擇的銷編號的焊料球電連接的范圍作為檢查對象，從CAD數(shù)據(jù)抽出檢查對象的范圍。
[0128] 接著，步驟S23中，運算部24將檢查對象的范圍包括的部件、部分對應的模型數(shù)據(jù) 按照脈沖波傳導順序排列的方式，向RAM部21讀出。此時，將模型數(shù)據(jù)對應的從部件或部分的一端向另一端為止傳導脈沖波的時間tt向RAM部21讀出。時間tt按照脈沖波傳導順序排列。
[0129] 步驟S24中，控制部20向時域反射測定部40輸出開始缺陷檢測檢查的信號。從而，執(zhí)行缺陷檢測檢查。時域反射測定部40使探頭接觸被檢查裝置200的檢查對象的焊料球。時域反射測定部40計測經(jīng)由探頭向被檢查裝置200發(fā)送高速脈沖信號SG1到接收反射的脈沖波即反射信號SG2為止的反射波測定時間。時域反射測定部40將計測的時間T3 作為信息數(shù)據(jù)向控制部20輸出。
[0130] 接著，步驟S25中，控制部20根據(jù)步驟S23獲得的按照脈沖波傳導順序的模型數(shù) 據(jù)、時間tt及步驟S24獲得的時間T3,確定缺陷部位。
[0131] 缺陷部位確定時，控制部20比較從開頭的模型數(shù)據(jù)對應的部件或部分的一端向另一端為止傳導脈沖波的時間（ttl-Ι)和時間T3。時間T3比時間（ttl-Ι)大時，控制部20向RAM部21讀出下一個模型數(shù)據(jù)對應的時間tt2-l，比較時間T3和時間 {(ttl _l) + (tt2_l)}。
[0132] 時間T3比時間{(ttl-l) + (tt2_l)}大時，控制部20向RAM部21讀出下一個模型數(shù)據(jù)對應的時間（tt2-2)。例如，相加到時間{(ttl-l) + (tt2-l)+，…，+(tt(2-i))}為止時，時間T3首次變得比時間{(ttl-l) + (tt2-l)+，…，+ (tt(2-i))}小時，控制部20向時間 (tt(2-i))對應的模型數(shù)據(jù) L 代入時間{T3-(ttl-l)-(tt2-l)_，…，-(?(2-(1-1))}，確定缺陷部位。
[0133] 接著，步驟S26中，控制部20在存儲部30中，向RAM部21讀出CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù) 據(jù)，在圖像數(shù)據(jù)標注在步驟S25檢測的缺陷部位的位置?？刂撇?0向顯示部50輸出標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。
[0134] 步驟S27中，顯示部50接收并顯示標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。其結果，變形例 3的缺陷檢測裝置中，與第1實施方式同樣，可以高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位。
[0135] 另外，變形例3的缺陷檢測裝置中，與第1實施方式的檢查工作比較，步驟S25的運算處理顯著削減。從而，本變形例3的檢查工作與第1實施方式相比，可以短時間進行缺陷部位的檢測。
[0136] 另外，可以向變形例3的缺陷檢測裝置適用變形例2的缺陷檢測裝置。該場合，與變形例3相比，可以更短時間進行缺陷部位的檢測。
[0137] 參照圖13說明第2實施方式的缺陷檢測裝置。圖13是表示缺陷檢測裝置的存儲部存儲的模型數(shù)據(jù)相關的表的圖。
[0138] 第2實施方式的缺陷檢測裝置中，相對于第1實施方式的缺陷檢測裝置的構成，存儲部30的模型數(shù)據(jù)不同，其他構成同樣，僅僅說明不同的部分。
[0139] 本實施方式的缺陷檢測裝置的存儲部30也存儲模型數(shù)據(jù)。這里，模型數(shù)據(jù)是按部件或部分將脈沖波的傳導特性模型化的數(shù)據(jù)（例如函數(shù)數(shù)據(jù)）。模型數(shù)據(jù)是用于根據(jù)從后述的時域反射測定部40輸出的數(shù)據(jù)、圖像數(shù)據(jù)及特性數(shù)據(jù)來確定處于部件或部分的缺陷部位的。
[0140] 如圖13所示，模型數(shù)據(jù)是時間t的函數(shù)和寬度的函數(shù)。模型數(shù)據(jù)按材料、形狀而相關聯(lián)。例如，特性數(shù)據(jù)為材料X、形狀C2-1時的模型數(shù)據(jù)L2-1滿足第1實施方式所示的式⑴。
[0141] 這里，模型數(shù)據(jù)L2-1表示，從材料X、形狀c2_l的布線（或布線的部分）的一端輸入脈沖波后經(jīng)過時間t時，脈沖波傳導到布線（或布線的部分）的另一端為止的預測傳導距離。
[0142] 函數(shù)f2_l(t)是與時間t具有正的相關的函數(shù)，是與布線寬度具有負的相關的函數(shù)。
[0143] 模型數(shù)據(jù)f 1-1 (t)，f2_l (t)，…與特性數(shù)據(jù)相關聯(lián)地分別在存儲部30存儲。另夕卜，本實施方式中，存儲部30分別與特性數(shù)據(jù)相關聯(lián)地存儲模型數(shù)據(jù)，但是也可以按部件或按部分，相關聯(lián)地在存儲部30存儲模型數(shù)據(jù)。
[0144] 這里，本實施方式的模型數(shù)據(jù)的變量設為時間和寬度的特性數(shù)據(jù)，但是不限于此。在模型數(shù)據(jù)存在可作為變量代入的特性數(shù)據(jù)時，也可以將模型數(shù)據(jù)作為這些特性數(shù)據(jù)的函數(shù)。
[0145] 參照圖14說明缺陷檢測裝置的檢查工作。圖14是缺陷檢測裝置的檢查工作的流程圖。這里，按每個被檢查裝置200的構成部件或按該部件多個分割的部分的CAD數(shù)據(jù)的特性數(shù)據(jù)已經(jīng)在特性數(shù)據(jù)部34存儲。CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)已經(jīng)在圖像數(shù)據(jù)部33存儲。被檢查裝置200中采用的全部部件、部分所對應的模型數(shù)據(jù)已經(jīng)在模型數(shù)據(jù)部32存儲。
[0146] 首先，步驟S31中，接收檢查對象的焊料球的銷編號后，輸入輸出部10向控制部20 輸出銷編號。另外，步驟S31中，不僅銷編號，還接收例如阻焊劑的材料、布線的材料、焊料球的材料及大小、布線的高度（布線與延伸平面垂直的方向的高度）的信息數(shù)據(jù)時，輸入輸出部10向控制部20輸出信息數(shù)據(jù)。
[0147] 接著，步驟S32中，控制部20的運算部24將與選擇的銷編號的焊料球電連接的范圍作為檢查對象，從CAD數(shù)據(jù)抽出檢查對象的范圍。
[0148] 接著，步驟S33中，運算部24以將檢查對象的范圍包括的部件、部分所對應的模型數(shù)據(jù)按照脈沖波傳導順序排列的方式，向RAM部21讀出。此時，根據(jù)未成為模型數(shù)據(jù)的變量的特性數(shù)據(jù)和模型數(shù)據(jù)的相關聯(lián)，選擇模型數(shù)據(jù)，向RAM部21讀出。
[0149] 步驟S34中，控制部20向時域反射測定部40輸出開始缺陷檢測檢查的信號。從而，執(zhí)行缺陷檢測檢查。時域反射測定部40使探頭接觸被檢查裝置200的檢查對象的焊料球。時域反射測定部40計測經(jīng)由探頭向被檢查裝置200發(fā)送高速脈沖信號SG1到接收反射的脈沖波即反射信號SG2為止的反射波測定時間。時域反射測定部40將計測的時間T4 作為信息數(shù)據(jù)向控制部20輸出。
[0150] 接著，步驟S35中，控制部20根據(jù)步驟S33獲得的按照脈沖波傳導順序的模型數(shù) 據(jù)和步驟S34獲得的時間T4、布線寬度的數(shù)據(jù)，確定缺陷部位。
[0151] 此時，模型數(shù)據(jù)的變量即布線寬度的數(shù)據(jù)也從CAD數(shù)據(jù)的特性數(shù)據(jù)向RAM部21讀出，依次代入模型數(shù)據(jù)。在布線寬度按每個部件或按每個部分變化而材料和/或形狀等的其他特性數(shù)據(jù)不變時，優(yōu)選采用相同模型數(shù)據(jù)計算缺陷部位。
[0152] 接著，步驟S36中，控制部20在存儲部30內(nèi)，向RAM部21讀出CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù) 據(jù)，在圖像數(shù)據(jù)標注步驟在S35檢測的缺陷部位的位置?？刂撇?0將標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)向顯示部50輸出。
[0153] 步驟S37中，顯示部50接收并顯示標注了缺陷部位的圖像數(shù)據(jù)。其結果，第2實施方式的缺陷檢測裝置中，與第1實施方式同樣，可以高精度檢測被檢查裝置的缺陷部位。
[0154] 另外，第2實施方式的缺陷檢測裝置中，控制部20根據(jù)步驟S33獲得的按照脈沖波傳導順序的模型數(shù)據(jù)、步驟S34獲得的時間T4及布線寬度的數(shù)據(jù)，確定缺陷部位。結果，控制部20在布線寬度按部件或按部分變化而材料和/或形狀等的其他特性數(shù)據(jù)不變時，采用相同模型數(shù)據(jù)計算缺陷部位。
[0155] 從而，本實施方式中，與第1實施方式比，可以減小存儲部30的大小。
[0156] 雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但是這些實施方式只是例示，而不是限定發(fā) 明的范圍。這些新實施方式可以各種形態(tài)實施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍，可以進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形是發(fā)明的范圍和要旨所包括的，也是技術方案的范圍記載的發(fā)明及其均等的范圍所包括的。
【權利要求】
1. 一種缺陷檢測裝置，其特征在于，具備：測定部，測定從向被檢查裝置發(fā)送第1信號起到接收由上述被檢查裝置的缺陷部位反射的反射信號為止的第1時間；存儲部，具備具有上述被檢查裝置的CAD數(shù)據(jù)的CAD數(shù)據(jù)部和存儲相應于上述CAD數(shù) 據(jù)表示上述第1時間和上述第1信號的預測傳導距離的關系的模型數(shù)據(jù)的模型數(shù)據(jù)部，控制部，根據(jù)上述CAD數(shù)據(jù)計算由上述被檢查裝置選擇的檢查對象的范圍，根據(jù)上述模型數(shù)據(jù)由上述第1時間計算上述預測傳導距離，在上述檢查對象的范圍內(nèi)，確定從上述測定部起僅離開上述預測傳導距離的上述被檢查裝置的缺陷部位的位置；以及顯示部，在上述CAD數(shù)據(jù)顯示上述缺陷部位的位置。
2. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述CAD數(shù)據(jù)部具有圖像數(shù)據(jù)部和特性數(shù)據(jù)部，上述圖像數(shù)據(jù)部存儲的圖像數(shù)據(jù)是從頂面觀察構成上述被檢查裝置的部件的部分的圖像，上述特性數(shù)據(jù)部存儲的特性數(shù)據(jù)包括上述部分的位置、傾斜度、形狀及材質的數(shù)據(jù)。
3. 如權利要求2所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述存儲部還具有模型數(shù)據(jù)部，上述模型數(shù)據(jù)部存儲的模型數(shù)據(jù)是按每個上述部件或上述部分將對脈沖波的傳導特性函數(shù)化的數(shù)據(jù)。
4. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，在上述控制部設置有RAM部、圖書館部、分割部及運算部。
5. 如權利要求4所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述RAM部存儲上述CAD數(shù)據(jù)。
6. 如權利要求4所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述分割部將上述CAD數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)分割為上述被檢查裝置的部件。
7. 如權利要求4所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述圖書館部存儲表示將部件分割為部分的判斷基準的數(shù)據(jù)。
8. 如權利要求4所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述運算部在上述被檢查裝置的缺陷部位的檢測時，將從上述測定部輸出的數(shù)據(jù)適用于模型數(shù)據(jù)，進行部件或者部分的缺陷部位的確定。
9. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述第1信號經(jīng)由與上述被檢查裝置的外部端子接觸的探頭，輸入上述被檢查裝置。
10. 如權利要求9所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述第1信號是高速脈沖信號。
11. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述缺陷檢測裝置適用于上述被檢查裝置的安裝工序中的布線或連接部的短路或者斷線的檢測。
12. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述被檢查裝置是層疊形成了半導體芯片并設置有球端子的樹脂密封型半導體裝置。
13. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，上述被檢查裝置是層疊形成有非易失性半導體存儲芯片的SSD卡或SD卡。
14. 如權利要求1所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，在將Co作為光速、將e rf作為有效相對介電常數(shù)、將A作為常數(shù)時，上述被檢查裝置的到缺陷部位的距離（L)和作為反射波測定時間的上述第1時間（t)的關系用下述式表示： L = (C〇Xt"{2X 心1/2)}+A。
【文檔編號】G01R31/28GK104145188SQ201280071035
【公開日】2014年11月12日申請日期:2012年8月29日優(yōu)先權日:2012年3月1日
【發(fā)明者】瀨戶基司, 村上浩明申請人:株式會社東芝

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