專利名稱：硅片缺陷檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
娃片缺陷檢測裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種質(zhì)量檢測設(shè)備，尤其涉及一種硅片缺陷檢測裝置。
背景技術(shù)：
[0002]硅片可能存在材料本身的缺陷、結(jié)晶缺陷、碎片、材料污染等故障，這些故障在后繼的制造過程或使用中，會使太陽電池的性能劣化，所以需要在前期予以檢測。目前，太陽電池生產(chǎn)線上，硅片的缺陷檢測手段大多是依靠人工目視的檢測方法，漏檢率和誤差率非常高，影響了太陽電池生產(chǎn)的質(zhì)量和進度。因此，無接觸式的動態(tài)監(jiān)測規(guī)模生產(chǎn)中硅片缺陷故障的狀況，對各種缺陷故障問題進行統(tǒng)計分析，對盡可能早地鑒別缺陷類型及其可能的成因以便于能及時發(fā)現(xiàn)工藝或設(shè)備中的問題而避免更多的成品率損失顯得非常必要。實用新型內(nèi)容[0003]本實用新型的目的，就是為了提供一種硅片缺陷檢測裝置，以實現(xiàn)在生產(chǎn)線上對硅片進行動態(tài)檢測。[0004]為了達到上述目的，本實用新型采用了以下技術(shù)方案:一種硅片缺陷檢測裝置，設(shè)置在生產(chǎn)線中硅片的路徑上，包括硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)、紅外成像機構(gòu)和計算機；硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)設(shè)置在硅片的正下方激發(fā)硅片發(fā)光，紅外成像機構(gòu)設(shè)置在硅片的正上方檢測硅片的發(fā)光信號并將其傳輸?shù)接嬎銠C，計算機通過安裝在其內(nèi)的圖像采集、圖像處理及數(shù)據(jù)分析軟件得出硅片的缺陷參數(shù)。[0005]所述的硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)包括激光器和光源電源，激光器設(shè)置在硅片的正下方，激光器將發(fā)出的光投射到硅片上激發(fā)硅片發(fā)光，光源電源與激光器相連向激光器提供電能并控制其發(fā)光強度。[0006]所述的紅外成像機構(gòu)前端設(shè)有濾光片。[0007]本實用新型的硅片缺陷檢測裝置通過激光器激發(fā)待測硅片產(chǎn)生特定波長的發(fā)光信號，通過紅外成像機構(gòu)和計算機檢測并處理硅片發(fā)出的特定波長的發(fā)光信號，得到其可靠的缺陷參數(shù)數(shù)據(jù)。能方便快速地檢測出硅片材料本身的缺陷、結(jié)晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且實現(xiàn)了無接觸檢測，具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、缺陷參數(shù)檢測可靠精確等優(yōu)點和特點。


[0008]圖1是本實用新型硅片缺陷檢測裝置的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0009]參見圖1，本實用新型硅片缺陷檢測裝置，設(shè)置在生產(chǎn)線中硅片I的路徑上，包括硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)2、紅外成像機構(gòu)5和計算機7。[0010]娃片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)2設(shè)置在娃片I的正下方激發(fā)娃片I發(fā)光，紅外成像機構(gòu)5設(shè)置在硅片的正上方檢測硅片I的發(fā)光信號并將其傳輸?shù)接嬎銠C7，計算機7通過安裝在其內(nèi)的圖像采集、圖像處理及數(shù)據(jù)分析軟件得出硅片I的缺陷參數(shù)。激光器激發(fā)機構(gòu)2包括激光器3和光源電源4,激光器3設(shè)置在娃片I的正下方，激光器3將發(fā)出的光投射到硅片I上激發(fā)硅片I發(fā)光，光源電源4與激光器3相連向激光器3提供電能并控制其發(fā)光強度。在紅外成像機構(gòu)5的前端設(shè)有濾光片6。在檢測過程中，首先利用激光器發(fā)出的光激發(fā)待測硅片，激光器發(fā)光強度的大小通過對光源電源的控制來實現(xiàn)。由于硅片在被激發(fā)后會產(chǎn)生特定波長的發(fā)光信號，通過檢測并處理硅片發(fā)出的特定波長的發(fā)光信號，從而得到其可靠的缺陷參數(shù)數(shù)據(jù)。
權(quán)利要求1.一種硅片缺陷檢測裝置，設(shè)置在生產(chǎn)線中硅片的路徑上，其特征在于:包括硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)、紅外成像機構(gòu)和計算機；硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)設(shè)置在硅片的正下方激發(fā)硅片發(fā)光，紅外成像機構(gòu)設(shè)置在硅片的正上方檢測硅片的發(fā)光信號并將其傳輸?shù)接嬎銠C。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片缺陷檢測裝置，其特征在于:所述的硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)包括激光器和光源電源，激光器設(shè)置在硅片的正下方，激光器將發(fā)出的光投射到硅片上激發(fā)娃片發(fā)光，光源電源與激光器相連向激光器提供電能并控制其發(fā)光強度。
3.如權(quán)利要求1所述的硅片缺陷檢測裝置，其特征在于:所述的紅外成像機構(gòu)前端設(shè)有濾光片。
專利摘要本實用新型提供了一種硅片缺陷檢測裝置，它包括硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)、紅外成像機構(gòu)和計算機；硅片光致發(fā)光激發(fā)機構(gòu)設(shè)置在硅片的正下方激發(fā)硅片發(fā)光，紅外成像機構(gòu)設(shè)置在硅片的正上方檢測硅片的發(fā)光信號并將其傳輸?shù)接嬎銠C，計算機通過安裝在其內(nèi)的圖像采集、圖像處理及數(shù)據(jù)分析軟件得出硅片的缺陷參數(shù)。本實用新型的硅片缺陷檢測裝置能方便快速地檢測出硅片材料本身的缺陷、結(jié)晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且實現(xiàn)了無接觸檢測，具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、缺陷參數(shù)檢測可靠精確等優(yōu)點和特點。
文檔編號G01N21/88GK203011849SQ20122059696
公開日2013年6月19日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者肖穎婕, 劉小宇, 黃憶華, 張瑋華, 謝均 申請人:上海太陽能工程技術(shù)研究中心有限公司