專利名稱：一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及測(cè)試設(shè)備相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備。
背景技術(shù)：
[0002]娃樹脂封裝的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED),因其良好的聚光性能被大量應(yīng)用于汽車儀表面板產(chǎn)品中。這類LED存在的風(fēng)險(xiǎn)是若硅樹脂和LED管燈絲沒(méi)有很好的結(jié)合，會(huì)導(dǎo)致加熱冷卻后硅樹脂和LED元器件之間出現(xiàn)裂縫甚至脫落，最終使燈光效果不能達(dá)到要求?，F(xiàn)有生產(chǎn)制造中的測(cè)試方法及設(shè)備由于缺少快速加熱冷卻的測(cè)試條件，所以不能夠有效地檢測(cè)存在上述風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型提供一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)由于缺少快速加熱冷卻的測(cè)試條件，而不能對(duì)硅樹脂封裝LED進(jìn)行有效檢測(cè)的技術(shù)問(wèn)題。[0004]采用的技術(shù)方案如下[0005]—種娃樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，用于對(duì)若干個(gè)待測(cè)發(fā)光二極管進(jìn)行測(cè)試，包括主恒流源、若干個(gè)副恒流源電路和測(cè)試部，所述主恒流源與若干個(gè)副恒流源電路并聯(lián)后與測(cè)試部串聯(lián)，所述副恒流源電路包括一個(gè)副恒流源和若干個(gè)副恒流源開關(guān)，副恒流源與并聯(lián)后的若干個(gè)副恒流源開關(guān)串聯(lián)，所述測(cè)試部包括一個(gè)數(shù)據(jù)采集板卡，以及與數(shù)據(jù)采集板卡并聯(lián)的若干測(cè)試通道，每條測(cè)試通道包括依次串聯(lián)的第一測(cè)試開關(guān)、第一測(cè)試點(diǎn)、待測(cè)發(fā)光二極管、第二測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試開關(guān)。[0006]進(jìn)一步的，每個(gè)副恒流源電路包括一個(gè)副恒流源和兩個(gè)副恒流源開關(guān)。[0007]進(jìn)一步的，所述副恒流源電路為一個(gè)，所述主恒流源的輸出為I毫安，所述副恒流源的輸出為179毫安。[0008]進(jìn)一步的，所述副恒流源開關(guān)為程控開關(guān)。[0009]進(jìn)一步的，所述副恒流源開關(guān)在閉合12毫秒后斷開。[0010]進(jìn)一步的，所述測(cè)試電路還包括數(shù)據(jù)采集板卡，第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)分別與數(shù)據(jù)采集板卡連接。[0011]進(jìn)一步的，所述測(cè)試通道為32條。[0012]本實(shí)用新型用瞬間電流沖擊的熱效應(yīng)來(lái)模擬實(shí)際環(huán)境的極端溫度，從而對(duì)硅樹脂封裝LED進(jìn)行有效檢測(cè)，同時(shí)使用了用簡(jiǎn)單程控開關(guān)的方式實(shí)現(xiàn)了精確地時(shí)序控制。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)預(yù)留32路測(cè)試通道，可以基本兼容現(xiàn)有儀表面板的所有產(chǎn)品。因此，本實(shí)用新型測(cè)試一臺(tái)儀表產(chǎn)品僅需4-5秒鐘，測(cè)試效率得到了很大的提高。


[0013]圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例的測(cè)試時(shí)序圖；[0014]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
[0015]
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。[0016]本實(shí)用新型提出了一種基于“瞬時(shí)大電流沖擊”測(cè)試?yán)砟畹男滦蜏y(cè)試電路，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)硅樹脂封裝LED性能的有效檢測(cè)。[0017]如圖I所示，本實(shí)施例的條件模擬分為兩個(gè)部分加熱和冷卻，以實(shí)現(xiàn)對(duì)時(shí)間環(huán)境的極端溫度的模擬。加熱部分采用180mA的瞬間大電流沖擊以對(duì)待測(cè)LED進(jìn)行加熱。冷卻部分采用ImA的正常電流供電。[0018]在時(shí)序控制方面，首先使得對(duì)待測(cè)LED輸入的ImA正常電流在Ims之內(nèi)變?yōu)?80mA 的大電流，180mA的大電流持續(xù)12ms后，在Ims之內(nèi)的變?yōu)镮mA正常電流。[0019]判定方法，在冷卻過(guò)程中(即圖I中的A點(diǎn)和B點(diǎn))測(cè)量?jī)蓚€(gè)瞬時(shí)電壓值，兩點(diǎn)電壓的變化量必須小于26mV，則判斷該待測(cè)LED為合格LED。[0020]如圖2所示為本實(shí)用新型實(shí)施例的電路原理圖。一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，用于對(duì)若干個(gè)待測(cè)發(fā)光二極管進(jìn)行測(cè)試，包括主恒流源21、一個(gè)副恒流源電路22和測(cè)試部23，所述主恒流源21與副恒流源電路22并聯(lián)后與測(cè)試部23串聯(lián)，副恒流源電路22包括一個(gè)副恒流源221和兩個(gè)副恒流源開關(guān)2221和2222，副恒流源221與并聯(lián)后的兩個(gè)副恒流源開關(guān)2221和2222串聯(lián)。[0021]測(cè)試部23包括一個(gè)數(shù)據(jù)采集板卡231，以及與數(shù)據(jù)采集板卡231并聯(lián)的若干測(cè)試通道。[0022]測(cè)試通道包括依次串聯(lián)的第一測(cè)試開關(guān)(2321-1，2321-2，…2321_n)、第一測(cè)試點(diǎn)(2322-1，2322-2，…2322-n)、待測(cè)發(fā)光二極管(2323-1，2323-2，... 2323-n)、第二測(cè)試點(diǎn) (2324-1，2324-2，…2324-n)和第二測(cè)試開關(guān)(2325-1，2325-2，…2325-n)。[0023]其中，主恒流源21的輸出為I毫安，副恒流源221的輸出為179毫安。[0024]而副恒流源222開關(guān)為程控開關(guān)，副恒流源開關(guān)222在閉合12毫秒后斷開。[0025]以測(cè)量待測(cè)發(fā)光二極管2323-1為例。瞬時(shí)沖擊前，先把第一測(cè)試開關(guān)2321-1和第二測(cè)試開關(guān)2324-1閉合，并使用數(shù)據(jù)采集板卡231連續(xù)采集發(fā)光二極管2323-1兩端電壓。瞬時(shí)沖擊時(shí)，閉合副恒流源開關(guān)2321和2322，主恒流源21和副恒流源221共同輸出 180mA的大電流對(duì)LEDOl進(jìn)行沖擊，過(guò)12ms后斷開副恒流源開關(guān)2221和2222，沖擊結(jié)束。 瞬時(shí)沖擊后，數(shù)據(jù)采集板卡繼續(xù)采集，持續(xù)時(shí)間大于50ms，待采集結(jié)束后將數(shù)據(jù)傳出進(jìn)行分析。分析數(shù)據(jù)時(shí)先尋找電壓波形的上升沿，再找下降沿，找到后計(jì)算這兩點(diǎn)之間的時(shí)間是否為12ms，再分別尋找下降沿后7ms和47ms的電壓值，計(jì)算其差值。如果確定沖擊時(shí)間為 12ms，并且電壓差值小于設(shè)定值(可以設(shè)定為26mV)，則認(rèn)為產(chǎn)品OK ;否則為不良品。[0026]本實(shí)用新型提供了兩個(gè)程控恒流源替代一個(gè)程控恒流源的硬件結(jié)構(gòu)，因此大大簡(jiǎn)化了復(fù)雜時(shí)序的控制。同時(shí)由于使用了精密恒流源(精度達(dá)到uA級(jí))，通過(guò)開關(guān)而非靠發(fā)指令控制電流，這樣做可以避免因?yàn)榭刂七^(guò)程時(shí)間不準(zhǔn)導(dǎo)致沖擊時(shí)間達(dá)不到要求。另外，測(cè)試過(guò)程不是靠定時(shí)來(lái)測(cè)電壓，而是采集整個(gè)過(guò)程的電壓值，再具體分析。這樣避免了因?yàn)槎〞r(shí)不準(zhǔn)確帶來(lái)的測(cè)量誤差。最后，每一塊產(chǎn)品沖擊2-3次，全程采集所有的數(shù)據(jù)點(diǎn)經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)計(jì)算后保留有效數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷，避免數(shù)據(jù)采集過(guò)程中異常情況的發(fā)生。
權(quán)利要求1.一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，用于對(duì)若干個(gè)待測(cè)發(fā)光二極管進(jìn)行測(cè)試，其特征在于，包括主恒流源、若干個(gè)副恒流源電路和測(cè)試部，所述主恒流源與若干個(gè)副恒流源電路并聯(lián)后與測(cè)試部串聯(lián)，所述副恒流源電路包括一個(gè)副恒流源和若干個(gè)副恒流源開關(guān)，副恒流源與并聯(lián)后的若干個(gè)副恒流源開關(guān)串聯(lián)，所述測(cè)試部包括一個(gè)數(shù)據(jù)采集板卡，以及與數(shù)據(jù)采集板卡并聯(lián)的若干測(cè)試通道，每條測(cè)試通道包括依次串聯(lián)的第一測(cè)試開關(guān)、第一測(cè)試點(diǎn)、待測(cè)發(fā)光二極管、第二測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，其特征在于，每個(gè)副恒流源電路包括一個(gè)副恒流源和兩個(gè)副恒流源開關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述副恒流源電路為一個(gè)，所述主恒流源的輸出為I毫安，所述副恒流源的輸出為179暈安。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述副恒流源開關(guān)為程控開關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)試設(shè)備還包括數(shù)據(jù)采集板卡，第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)分別與數(shù)據(jù)采集板卡連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)試通道為32條。
專利摘要本實(shí)用新型涉及測(cè)試設(shè)備相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種硅樹脂封裝發(fā)光二極管的電流沖擊測(cè)試設(shè)備，包括主恒流源、若干個(gè)副恒流源電路和測(cè)試部，所述主恒流源與若干個(gè)副恒流源電路并聯(lián)后與測(cè)試部串聯(lián)，所述副恒流源電路包括一個(gè)副恒流源和若干個(gè)副恒流源開關(guān)，副恒流源與并聯(lián)后的若干個(gè)副恒流源開關(guān)串聯(lián)，所述測(cè)試部包括一個(gè)數(shù)據(jù)采集板卡，以及與數(shù)據(jù)采集板卡并聯(lián)的若干測(cè)試通道，每條測(cè)試通道包括依次串聯(lián)的第一測(cè)試開關(guān)、第一測(cè)試點(diǎn)、待測(cè)發(fā)光二極管、第二測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試開關(guān)。本實(shí)用新型用瞬間電流沖擊的熱效應(yīng)來(lái)模擬實(shí)際環(huán)境的極端溫度，從而對(duì)硅樹脂封裝LED進(jìn)行有效檢測(cè)，同時(shí)使用了用簡(jiǎn)單程控開關(guān)的方式實(shí)現(xiàn)了精確地時(shí)序控制。
文檔編號(hào)G01R31/26GK202815168SQ20122048708
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月24日
發(fā)明者林振國(guó), 黃曉彬, 梁元 申請(qǐng)人:惠州市德賽西威汽車電子有限公司