專利名稱:太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及一種太陽能硅片檢測系統(tǒng),特別涉及一種多晶硅片表面缺陷檢測設(shè)備。
背景技術(shù):
隨著太陽能發(fā)電進入民用領(lǐng)域,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)以突飛猛進的速度發(fā)展。由此對太陽能硅片的質(zhì)量檢測越來越被重視。太陽能硅片的表面缺陷是其中一個重要方面。但是多晶硅片由于其自身緣故,晶粒之間明暗變化非常明顯,這嚴重降低了表面缺陷的信噪比,從而降低了表面缺陷的檢測精度。在現(xiàn)有的產(chǎn)品中,基本都是靠后期圖像處理的方法將晶粒噪聲消除。這不僅延長了圖像處理的時間,而且會丟失一些細微的信息。對在線檢測及高精度都造成了不良影響。
實用新型內(nèi)容為了彌補以上不足,本實用新型提供了一種多晶硅片表面缺陷檢測設(shè)備,該多晶硅片表面缺陷檢測設(shè)備照明系統(tǒng)能夠在檢測區(qū)形成亮度均勻性和角度均勻性非常高的光斑,能消除晶粒噪聲干擾,檢測精度高。本實用新型為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,包括機架、照明室、傳送機構(gòu)、成像裝置和處理器,以實際使用方向為基準,所述照明室固定于機架上,照明室內(nèi)設(shè)有光源,照明室的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層,傳送機構(gòu)能夠傳送待檢測產(chǎn)品到照明室內(nèi)光源形成的均勻光照區(qū)域,照明室上方的頂壁設(shè)有與待檢測產(chǎn)品位置正對的通光孔,所述成像裝置位于通光孔正上方的機架上,成像裝置能夠?qū)D片信息傳信給處理器,傳送機構(gòu)將待檢測產(chǎn)品輸送到光源形成的均勻光照區(qū)域內(nèi)并與成像裝置正對的位置,光源發(fā)出的光線經(jīng)過照明室內(nèi)壁漫反射后投射在待檢測產(chǎn)品上,在待檢測產(chǎn)品上形成照度均勻性和角度均勻性非常高的光斑,成像裝置通過照明室頂壁的通光孔對待檢測產(chǎn)品成像,并將圖像信號傳輸給處理器進行分析比對,得出檢測結(jié)果,由于待檢測產(chǎn)品上的光斑照度均勻性和照明角度均勻性非常高,這就消除了待檢測產(chǎn)品上晶粒噪聲干擾,提高了檢測精度,在本專利中,照度均勻指的是在光斑的不同區(qū)域光強一致或接近,照明角度均勻指的是在同一區(qū)域,入射角不同的光的強度一致或接近。作為本實用新型的進一步改進,所述光源為單色LED、多色LED、鹵素燈和熒光燈中的一種,所述光源固定于照明室內(nèi)側(cè)邊緣位置,這樣容易在照明室內(nèi)壁發(fā)生漫反射,當然不排除在側(cè)壁上其它位置。作為本實用新型的進一步改進,所述光源對應(yīng)位于待檢測產(chǎn)品的四個側(cè)面形成方形結(jié)構(gòu)和環(huán)形結(jié)構(gòu)中的一種,條狀光源的間隔比待待檢測產(chǎn)品尺寸大,用于容置待檢測產(chǎn)
品O作為本實用新型的進一步改進,所述照明室頂壁的通光孔為圓形孔、方形孔和多邊形孔中的一種。作為本實用新型的進一步改進,所述成像裝置為相機。作為本實用新型的進一步改進,所述照明室側(cè)壁上設(shè)有能夠開啟和閉合的門,便于實時查看多晶硅片及設(shè)備維修。作為本實用新型的進一步改進,所述機架下側(cè)設(shè)有高度能夠調(diào)節(jié)的支腳,便于調(diào)節(jié)光源高度,確保光源高度與待檢測產(chǎn)品匹配以及光源與待檢測產(chǎn)品的平行度,確保光斑的照度均勻性和照明角度均勻性。 作為本實用新型的進一步改進,所述照明室內(nèi)壁的漫反射涂層為高漫反射涂料(比如BaS04)和貼膜中的一種。作為本實用新型的進一步改進,所述照明室內(nèi)壁2為方筒形和圓筒形的腔體中的一種。本文所檢測的太陽能多晶硅電池片是指從硅片到成品電池片生產(chǎn)過程中的任何半成品或成品。本實用新型的有益技術(shù)效果是本實用新型通過散射腔將光源的光線漫反射,使得投射在多晶硅片上的光斑亮度均勻性和角度均勻性非常高,進而消除了晶粒噪聲干擾,提聞了多晶娃片表面檢測精度。
圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)原理示意圖;圖2為本實用新型的立體圖。
具體實施方式
實施例一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,包括機架I、照明室
2、傳送機構(gòu)3、成像裝置4和處理器,以實際使用方向為基準,所述照明室2固定于機架I上,照明室2內(nèi)設(shè)有光源5,照明室2的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層,傳送機構(gòu)3能夠傳送待檢測產(chǎn)品到照明室2內(nèi)光源5形成的均勻光照區(qū)域,照明室2上方的頂壁設(shè)有與待檢測產(chǎn)品位置正對的通光孔6,所述成像裝置4位于通光孔6正上方的機架I上,成像裝置4能夠?qū)D片信息傳信給處理器,傳送機構(gòu)3將待檢測產(chǎn)品輸送到光源5形成的均勻光照區(qū)域內(nèi)并與成像裝置4正對的位置,光源5發(fā)出的光線經(jīng)過照明室2內(nèi)壁漫反射后投射在待檢測產(chǎn)品上,在待檢測產(chǎn)品上形成照度均勻性和角度均勻性非常高的光斑,成像裝置4通過照明室2頂壁的通光孔6對待檢測產(chǎn)品成像,并將圖像信號傳輸給處理器進行分析比對,得出檢測結(jié)果,由于待檢測產(chǎn)品上的光斑照度均勻性和照明角度均勻性非常高,這就消除了待檢測產(chǎn)品上晶粒噪聲干擾,提高了檢測精度,在本專利中,照度均勻指的是在光斑的不同區(qū)域光強一致或接近,照明角度均勻指的是在同一區(qū)域,入射角不同的光的強度一致或接近。所述光源5為單色LED、多色LED、鹵素燈和熒光燈中的一種,所述光源固定于照明室內(nèi)側(cè)邊緣位置,這樣容易在照明室2內(nèi)壁發(fā)生漫反射,當然不排除在側(cè)壁上其它位置。所述光源5對應(yīng)位于待檢測產(chǎn)品的四個側(cè)面形成方形結(jié)構(gòu)和環(huán)形結(jié)構(gòu)中的一種,條狀光源5的間隔比待待檢測產(chǎn)品尺寸大,用于容置待檢測產(chǎn)品。[0020]所述照明室2頂壁的通光孔6為圓形孔、方形孔和多邊形孔中的一種。所述成像裝置4為相機。所述照明室2側(cè)壁上設(shè)有能夠開啟和閉合的門10,便于實時查看多晶硅片及設(shè)備維修。所述機架I下側(cè)設(shè)有高度能夠調(diào)節(jié)的支腳11,便于調(diào)節(jié)光源5高度,確保光源5高度與待檢測產(chǎn)品匹配以及光源5與待檢測產(chǎn)品的平行度,確保光斑的照度均勻性和照明角度均勻性。所述照明室2內(nèi)壁的漫反射涂層為高漫反射涂料(比如BaS04)和貼膜中的一種。所述照明室內(nèi)壁2為方筒形和圓筒形的腔體中的一種。本文所檢測的太陽能多晶硅電池片是指從硅片到成品電池片生產(chǎn)過程中的任何半成品或成品。
權(quán)利要求1.一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是包括機架(I)、照明室(2)、傳送機構(gòu)(3)、成像裝置(4)和處理器,以實際使用方向為基準,所述照明室(2)固定于機架(I)上,照明室(2)內(nèi)設(shè)有光源(5),照明室(2)的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層,傳送機構(gòu)(3)能夠傳送待檢測產(chǎn)品到照明室(2)內(nèi)光源(5)形成的均勻光照區(qū)域,照明室(2)上方的頂壁設(shè)有與待檢測產(chǎn)品位置正對的通光孔¢),所述成像裝置(4)位于通光孔(6)正上方的機架(I)上,成像裝置(4)能夠?qū)D片信息傳信給處理器。
2.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述光源(5)為單色LED、多色LED、鹵素燈和熒光燈中的一種,所述光源固定于照明室內(nèi)側(cè)邊緣位置。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述光源(5)對應(yīng)位于待檢測產(chǎn)品的四個側(cè)面形成方形結(jié)構(gòu)和環(huán)形結(jié)構(gòu)中的一種。
4.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所 述照明室(2)頂壁的通光孔¢)為圓形孔、方形孔和多邊形孔中的一種。
5.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述成像裝置(4)為相機。
6.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述照明室⑵側(cè)壁上設(shè)有能夠開啟和閉合的門(10)。
7.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述機架(I)下側(cè)設(shè)有高度能夠調(diào)節(jié)的支腳(11)。
8.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述照明室(2)內(nèi)壁的漫反射涂層為高漫反射涂料和貼膜中的一種。
9.如權(quán)利要求I所述的太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,其特征是所述照明室內(nèi)壁(2)為方筒形和圓筒形的腔體中的一種。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備,照明室固定于機架上,照明室內(nèi)設(shè)有光源,照明室的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層,傳送機構(gòu)能夠傳送待檢測產(chǎn)品到照明室內(nèi)光源形成的均勻光照區(qū)域,照明室上方的頂壁設(shè)有與待檢測產(chǎn)品位置正對的通光孔,所述成像裝置位于通光孔正上方的機架上,成像裝置能夠?qū)D片信息傳信給處理器,本實用新型通過照明室將光源的光線漫反射,使得投射在太陽能多晶硅電池片上的光斑亮度均勻性和角度均勻性非常高,進而消除了晶粒噪聲干擾,提高了太陽能多晶硅電池片表面檢測精度。
文檔編號G01N21/88GK202502055SQ20122016059
公開日2012年10月24日 申請日期2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月16日
發(fā)明者丁正雍, 廖國偉, 權(quán)炳浩, 李波, 楊廣, 趙潤川, 陳利平 申請人:蘇州中導光電設(shè)備有限公司