專利名稱：化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種測試裝置，尤其是一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，屬于微波、毫米波元器件的測試技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
GaAs, GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料具有禁帶寬、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性，因此它們大量應(yīng)用在半導(dǎo)體微波功率器件制作中。GaAs,GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料可制作成微波功率芯片，微波功率芯片經(jīng)過適當(dāng)裝配后成為器件。工程師通常使用紅外測試系統(tǒng)對微波功率芯片的發(fā)熱區(qū)進行溫度測試，以便為器件的后續(xù)裝配提供應(yīng)用依據(jù)。他們在測試過程中遇到一個問題微波功率芯片 的厚度很薄，通常只有80微米 100微米之間，為了測試結(jié)溫，通常需要將其燒結(jié)在載體或其它形式的封裝里，并通過載體或其它形式的封裝對器件加電工作，載體越薄，熱阻計算越 接近微波功率芯片的熱阻，但實際對微波功率芯片的結(jié)溫特性進行測試時，需外接微波測試轉(zhuǎn)接端口(如同軸接口)、連接線纜、儀表等，需要大大加厚微波功率芯片的轉(zhuǎn)配載體或其它形式的封裝，導(dǎo)致實際測得的結(jié)溫偏離目的結(jié)溫，從而影響最終微波功率芯片熱阻計算的準(zhǔn)確度。目前，通常的結(jié)溫測試方法是制作簡單的測試底座，將器件安裝在底座上，根據(jù)器件的實際微波端口情況，在測試底座上安裝微帶同軸轉(zhuǎn)換接頭和直流饋電端子。測試時，將整個測試底座放在紅外結(jié)溫測試臺上，微帶同軸轉(zhuǎn)換接頭通過線纜與微波測試儀器或負載相連，直流饋電端子與直流電源相連測試。由于測試底座非常厚，通常有10毫米以上，從紅外結(jié)溫恒溫臺到器件的發(fā)熱區(qū)距離很長。測試完成后，再把整個測試底座從恒溫臺上卸下來。這種解決方法存在如下缺點首先在測試時增加了跟直流電源及測試儀表的連接程序，降低了測試工作效率；其次，在測試完成后，還要再有一道卸載程序把被測件取下，降低工作效率；最后，由于測試底座很厚，使被測件的熱阻受到影響。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠提高測試精度和測試效率的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案是一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，包括對稱設(shè)置的兩個底座，在每個底座上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭和帶線，所述兩個底座通過對稱分布的兩個橫梁固定連接；所述每個橫梁上分別設(shè)有螺栓；所述每個帶線的帶線金屬上均焊接有接觸式壓片；所述兩個底座之間設(shè)有芯片載體；所述接觸式壓片與芯片載體的射頻端口連接。所述每個橫梁上設(shè)有的螺栓的數(shù)量為2個，橫梁上設(shè)有與螺栓相適配的螺紋孔。所述帶線與水平面間的夾角為30° 60°。使用上述裝置對微波功率芯片進行結(jié)溫測試時，將整個裝置底座放置在恒溫臺上，然后將待測微波功率芯片放置于相應(yīng)的芯片載體上，將芯片載體置于兩個底座之間、四個橫梁螺栓之下，旋轉(zhuǎn)橫梁螺栓，使芯片載體的底面與恒溫臺良好接觸并固定，將測試線纜的一端與測試儀表連接，另一端與兩個同軸微帶轉(zhuǎn)接頭連接，這樣即可實現(xiàn)待測微波功率芯片與測試儀表的電氣連接。測試完成后，旋轉(zhuǎn)四個橫梁螺栓即可將芯片載體與測試裝置分離，操作簡單，使用方便。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于本實用新型所述的測試裝置能夠準(zhǔn)確、高效地實現(xiàn)對微波功率芯片的結(jié)溫測試，該裝置不需要通過反復(fù)裝卸線纜來整體更換芯片和測試底座，因而能夠提高測試精度和測試效率；芯片載體在滿足機械強度要求和芯片熱膨脹系數(shù)相匹配的前提之下，可以制作的非常薄，因而測得熱阻更接近于芯片的熱阻，保證了測試準(zhǔn)確度；將帶線與水平面呈30° 60°角可以減小底座厚度，同時減小接觸式壓片的長度，提高射頻傳輸性能。
以下結(jié)合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。 圖I是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I的俯視圖；其中，I、底座，2、同軸微帶轉(zhuǎn)接頭，3、帶線，4、螺栓，5、橫梁，6、芯片載體，7、芯片，
8、接觸式壓片。
具體實施方式
如圖I、圖2所示的實施例可知，本實用新型所述的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，包括對稱設(shè)置的兩個底座1，在每個底座I上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭2和帶線3，所述兩個底座I通過對稱分布的兩個橫梁5固定連接；所述每個橫梁5上分別設(shè)有螺栓4 ;所述每個帶線3的帶線金屬上均焊接有接觸式壓片8 ;所述兩個底座I之間設(shè)有芯片載體6 ;所述接觸式壓片8與芯片載體6的射頻端口連接。所述每個橫梁5上設(shè)有的螺栓4的數(shù)量為2個，橫梁5上設(shè)有與螺栓4相適配的螺紋孔。所述帶線3與水平面間的夾角為30° 60°。上述接觸式壓片8探出帶線的部分下翹，以便于和芯片載體6的射頻端口連接。使用上述裝置對微波功率芯片進行結(jié)溫測試時，將整個裝置底座I放置在恒溫臺上，然后將待測微波功率芯片放置于相應(yīng)的芯片載體6上，將芯片載體6置于兩個底座I之間、四個橫梁螺栓4之下，旋轉(zhuǎn)橫梁螺栓4，使芯片載體6的底面與恒溫臺良好接觸并固定，將測試線纜的一端與測試儀表連接，另一端與兩個同軸微帶轉(zhuǎn)接頭2連接，這樣即可實現(xiàn)待測微波功率芯片與測試儀表的電氣連接。測試完成后，旋轉(zhuǎn)四個橫梁螺栓4即可將芯片載體6與測試裝置分離，操作簡單，使用方便。
權(quán)利要求1.一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，其特征在于，包括對稱設(shè)置的兩個底座(1)，在每個底座(I)上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭(2)和帶線(3)，所述兩個底座(I)通過對稱分布的兩個橫梁(5)固定連接；所述每個橫梁(5)上分別設(shè)有螺栓(4);所述每個帶線(3)的帶線金屬上均焊接有接觸式壓片(8);所述兩個底座(I)之間設(shè)有芯片載體(6);所述接觸式壓片(8)與芯片載體(6)的射頻端口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，其特征在于，所述每個橫梁(5)上設(shè)有的螺栓(4)的數(shù)量為2個，橫梁(5)上設(shè)有與螺栓(4)相適配的螺紋孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，其特征在于，所 述帶線(3)與水平面間的夾角為30° 60°。
專利摘要本實用新型公開了一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測試裝置，包括對稱設(shè)置的兩個底座，在每個底座上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭和帶線，所述兩個底座通過對稱分布的兩個橫梁固定連接；所述每個橫梁上分別設(shè)有螺栓；所述每個帶線的帶線金屬上均焊接有接觸式壓片；所述兩個底座之間設(shè)有芯片載體；所述接觸式壓片與芯片載體的射頻端口連接。本實用新型的有益效果如下不需要通過反復(fù)裝卸線纜來整體更換芯片和測試底座，因而能夠提高測試精度和測試效率；芯片載體可以制作的非常薄，因而測得熱阻更接近于芯片的熱阻，保證了測試準(zhǔn)確度；將帶線與水平面呈30°～60°角可以減小底座厚度，同時減小接觸式壓片的長度，提高射頻傳輸性能。
文檔編號G01J5/02GK202485803SQ20122012146
公開日2012年10月10日 申請日期2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月28日
發(fā)明者王會智 申請人:中國電子科技集團公司第十三研究所