專利名稱：單平面環(huán)形電容式含水率變送器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及物料含水率測量技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種單平面環(huán)形電容式含水率變送器。
背景技術(shù)：
隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，水分檢測已經(jīng)逐漸成為冶金、化工、汽車等多個領(lǐng)域中不可缺少的一部分。由于被測對象往往處于惡劣的工業(yè)環(huán)境下，在壓力溫度等多種因素的干擾下，如何精確快速的測量出被測體的水分含量始終是一項技術(shù)難題。在被測對象的介電常數(shù)與水的介電常數(shù)相差較大的情況下(例如砂石、土壤等)，使用電容式傳感器間接測量被測對象水分的方法已被廣泛使用。它的基本原理是把被測體當(dāng)做電容傳感器的介質(zhì)，當(dāng)被測體水分含量發(fā)生變化時，電容的介電常數(shù)將隨之發(fā)生改變，通過測量電容的變化我們可以間接測量被測體的水分含量。但是現(xiàn)今大多水分傳感器在實現(xiàn)工藝方面比較單一，一般以平行板或圓筒式電容結(jié)構(gòu)為主，安裝不夠方便，更容易破壞被測體。另外，平行板或圓筒式電容結(jié)構(gòu)的含水率測量裝置通常將其電容值轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的頻率值進(jìn)行間接測量，稱為頻率法。頻率法是通過測量振蕩信號的頻率間接測量水分含量，頻率法中振蕩電路的實現(xiàn)也存在多種方法，在為了提高檢測電路的抗干擾能力以及更快的響應(yīng)速度，開發(fā)者大多采用提高諧振頻率的方式，但是單純的提高諧振頻率不僅會增加自身電路間的干擾，提高三極管的開關(guān)頻率，更給頻率測量電路的采樣率提出更高的要求，從而提高制造成本，而且其溫度漂移特性更差，也不易實現(xiàn)溫度補(bǔ)償。

發(fā)明內(nèi)容
本申請所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠解決檢測電路的高頻干擾等問題，易于實現(xiàn)溫度補(bǔ)償?shù)膯纹矫姝h(huán)形電容式含水率變送器。為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N單平面環(huán)形電容式含水率變送器，包括單平面環(huán)形電容傳感器、振蕩電路、混頻器、整形電路、數(shù)字處理單元及溫度傳感器。所述單平面環(huán)形電容傳感器通過所述振蕩電路與所述混頻器連接。所述混頻器通過所述整形電路與所述數(shù)字處理單元連接。所述溫度傳感器與所述數(shù)字處理單元連接。進(jìn)一步地，還包括外殼及底板。所述外殼與所述底板固定連接形成封閉結(jié)構(gòu)。所述單平面環(huán)形電容傳感器設(shè)置在所述底板上部。所述振蕩電路、混頻器、整形電路及數(shù)字處理單元設(shè)置在所述外殼內(nèi)部。進(jìn)一步地，所述振蕩電路及混頻器構(gòu)成模擬電路層設(shè)置在所述底板的上方。所述整形電路及數(shù)字處理單元構(gòu)成數(shù)字電路層設(shè)置在所述模擬電路層的上方。進(jìn)一步地，還包括第一屏蔽層及第二屏蔽層。所述模擬電路層與所述單平面環(huán)形電容傳感器之間設(shè)置有第一屏蔽層。所述數(shù)字電路層與所述模擬電路層之間設(shè)置有第二屏蔽層。進(jìn)一步地，所述單平面環(huán)形電容傳感器包括圓形板、內(nèi)銅板及環(huán)形外銅板。所述內(nèi)銅板及所述外銅板鑲嵌在所述圓形板的下表面，且所述內(nèi)銅板設(shè)置在所述環(huán)形外銅板的中間。所述圓形板的上表面涂有金屬屏蔽層。進(jìn)一步地，所述底板采用陶瓷材料制成。進(jìn)一步地，所述振蕩電路包括:本振電路及帶極板振蕩電路。所述本振電路與所述混頻器連接。所述帶極板振蕩電路與所述混頻器連接。所述本振電路與所述帶極板振蕩電路連接。進(jìn)一步地，所述本振電路包括:第一電阻Rl、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容O1、第五電容C5、第六電容C6、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電感LI及第二電感L2。所述第一電容Cl的一端與所述第一電感LI連接,另一端接地。所述第一電阻Rl的一端與所述第一電感LI連接，另一端通過所述第二電阻R2接地。所述第三電阻R3的一端連接在所述第一電阻Rl和所述第二電阻R2的公共連接處，另一端依次通過所述第五電容C5、第二電感L2及所述第二電容C2接地。所述第四電容C4的一端連接在所述第五電容C5與所述第二電感L2的公共連接處，另一端通過所述第三電容C3接地。所述第一三極管Ql的基極連接在所述第三電阻R3與所述第五電容C5的公共連接處，集電極與所述第一電感LI連接，發(fā)射極依次通過所述第四電阻R4及所述第五電阻R5接地。所述第一三極管Ql的發(fā)射極還通過所述第六電容C6接地。所述第三電容C3與所述第四電容C4的公共連接處與所述第四電阻R4及所述第五電阻R5的公共連處之間通過導(dǎo)線連接。所述第二三極管Q2的基極與所述第一三極管Ql的發(fā)射極連接，集電極與所述第一電感LI連接，發(fā)射極與所述混頻器連接。所述平面環(huán)形電容傳感器的一端與所述第二電感L2及所述第二電容C2的公共連接處連接。進(jìn)一步地，所述本振電路包括:第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻R10、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第^^一電容C11、第十二電容C12、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第三電感L3及第四電感L4。所述第七電容C7的一端與所述第三電感L3連接，另一端接地。所述第六電阻R6的一端與所述第三電感L3連接，另一端通過所述第七電阻R7接地。所述第八電阻R8的一端連接在所述第六電阻R6和所述第七電阻R7的公共連接處，另一端依次通過所述第十一電容Cl1、第四電感L4及所述第八電容CS接地。所述第十電容ClO的一端連接在所述第十一電容Cll與所述第四電感L4的公共連接處，另一端通過所述第九電容C9接地。所述第三三極管Q3的基極連接在所述第八電阻R8與所述第十一電容Cll的公共連接處，集電極與所述第三電感L3連接，發(fā)射極依次通過所述第九電阻R9及所述第十電阻RlO接地。所述第三三極管Q3的發(fā)射極還通過所述第十二電容C12接地。所述第九電容C9與所述第十電容ClO的公共連接處與所述第九電阻R9及所述第十電阻RlO的公共連處之間通過導(dǎo)線連接。所述第四三極管Q4的基極與所述第三三極管Q3的發(fā)射極連接，集電極與所述第三電感L3連接，發(fā)射極與所述第二三極管Q2的發(fā)射極連接。進(jìn)一步地，所述數(shù)字處理單元為單片機(jī)。本申請?zhí)峁┑膯纹矫姝h(huán)形電容式含水率變送器，采用兩路對稱的振蕩電路(包括本振電路和帶極板振蕩電路)進(jìn)行混頻，通過本振電路和帶極板振蕩電路的頻率差值來間接測量電容值變化，以減小 被測信號頻率大小，降低頻率測量電路的采樣率，提高了響應(yīng)速度和共模抑制能力。并從傳感器工藝上采用獨特的單平面環(huán)形制造工藝，采用高頻低頻屏蔽分離的方法，解決了檢測電路的高頻干擾等問題。另外，由于采用的是混頻測量法，兩路對稱振蕩電路(包括本振電路和帶極板振蕩電路)的溫度漂移經(jīng)過相減能夠很好的抵消，輸出信號的溫度特性線性度有了明顯提高，更易于實現(xiàn)溫度補(bǔ)償。


圖1為本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)框圖。圖2為本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容的主視圖。圖3為本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容的仰視圖。圖4為本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容的俯視圖。圖5為本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本申請實施例提供的振蕩電路圖。
具體實施例方式本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器的設(shè)計思路是:將被測體作為單平面環(huán)形電容傳感器I的介質(zhì)，對于同一被測體，在不考慮溫度影響的情況下，被測體不同的水分含量對應(yīng)了不同的介電系數(shù)。同一溫度下，當(dāng)被測體水分含量發(fā)生改變時，其介電系數(shù)將會隨之改變，使單平面環(huán)形電容傳感器I的電容發(fā)生改變。參見圖1-圖6，本申請實施例提供的一種單平面環(huán)形電容式含水率變送器，包括:單平面環(huán)形電容傳感器1、振蕩電路、混頻器、整形電路、溫度傳感器、外殼14、底板11、第一屏蔽層10及第二屏蔽 層9。單平面環(huán)形電容傳感器I通過振蕩電路與混頻器連接?；祛l器通過整形電路與數(shù)字處理單元連接。溫度傳感器與數(shù)字處理單元連接。外殼14與底板11固定連接形成封閉結(jié)構(gòu)。單平面環(huán)形電容傳感器I設(shè)置在底板11上部。振蕩電路、混頻器、整形電路及數(shù)字處理單元設(shè)置在外殼14內(nèi)部。下面進(jìn)一步的對本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明:參見圖5，振蕩電路及混頻器構(gòu)成模擬電路層8設(shè)置在單平面環(huán)形電容傳感器I的上方。整形電路及數(shù)字處理單元構(gòu)成數(shù)字電路層7設(shè)置在模擬電路層8的上方。模擬電路層8與單平面環(huán)形電容傳感器I之間設(shè)置有第一屏蔽層10，數(shù)字電路層7與模擬電路層8之間設(shè)置有第二屏蔽層9。參見圖2-圖4，單平面環(huán)形電容傳感器I包括:圓形板6、內(nèi)銅板4及環(huán)形外銅板3。內(nèi)銅板4及外銅板3鑲嵌在圓形板6的下表面，且內(nèi)銅板4設(shè)置在外銅板3的中間(內(nèi)銅板4及外銅板3上設(shè)置有焊盤5，內(nèi)銅板4及外銅板3通過焊盤焊接在圓形板6的下表面)。圓形板6的上表面涂有金屬屏蔽層。底板11采用陶瓷材料制成。數(shù)字處理單元采用單片機(jī)。本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器通過Γ20πιΑ標(biāo)準(zhǔn)接口接入工業(yè)控制系統(tǒng)，又能夠直接通過485總線及RS232串行總線與二次儀表、PC機(jī)或HMI畫面建立通訊連接，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制各大領(lǐng)域中。參見圖6，振蕩電路包括本振電路及帶極板振蕩電路，具體為:帶極板振蕩電路包括:第一電阻RU第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電感LI及第二電感L2。第一電容C I的一端與第一電感LI的一端連接，第一電容Cl的另一端接地，LI的另一端接12V電源。第一電阻Rl的一端與第一電感LI連接，另一端通過第二電阻R2接地。第三電阻R3的一端連接在第一電阻Rl和第二電阻R2的公共連接處，另一端依次通過第五電容C5、第二電感L2及第二電容C2接地。第四電容C4的一端連接在第五電容C5與第二電感L2的公共連接處，另一端通過第三電容C3接地。第一三極管Ql的基極連接在第三電阻R3與第五電容C5的公共連接處，集電極與第一電感LI連接，發(fā)射極依次通過第四電阻R4及第五電阻R5接地。第一三極管Ql的發(fā)射極還通過第六電容C6接地。第三電容C3與第四電容C4的公共連接處與第四電阻R4及第五電阻R5的公共連處之間通過導(dǎo)線連接。第二三極管Q2的基極與第一三極管Ql的發(fā)射極連接，集電極與第一電感LI連接，發(fā)射極與混頻器連接(即圖6中Vmix端接混頻器)。單平面環(huán)形電容傳感器I的一端與第二電感L2及第二電容C2的公共連接處連接。本振電路包括:第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻R10、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容CIO、第^^一電容C11、第十二電容C12、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第三電感L3及第四電感L4。第七電容C7的一端與第三電感L3的一端連接，第七電容C7的另一端接地，第三電感L3的另一端接12V電源。第六電阻R6的一端與第三電感L3連接，另一端通過第七電阻R7接地。第八電阻R8的一端連接在第六電阻R6和第七電阻R7的公共連接處，另一端依次通過第十一電容CU、第四電感L4及第八電容C8接地。第十電容ClO的一端連接在第i^一電容Cll與第四電感L4的公共連接處，另一端通過第九電容C9接地。第三三極管Q3的基極連接在第八電阻R8與第—^一電容Cll的公共連接處，集電極與第三電感L3連接，發(fā)射極依次通過第九電阻R9及第十電阻RlO接地。第三三極管Q3的發(fā)射極還通過第十二電容C12接地。第九電容C9與第十電容ClO的公共連接處與第九電阻R9及第十電阻RlO的公共連處之間通過導(dǎo)線連接。第四三極管Q4的基極與第三三極管Q3的發(fā)射極連接，集電極與第三電感L3連接，發(fā)射極與第二三極管Q2的發(fā)射極連接。下面對本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器的工作原理進(jìn)行介紹:假設(shè)帶極板振蕩電路及本振電路的振蕩頻率分別為Π和f2，帶極板振蕩電路的振蕩信號經(jīng)過第一三極管Ql及第二三極管Q2放大后變成電流信號接入混頻器，本振電路的振蕩信號經(jīng)過第三三極管Q3及第四三極管Q4的放大后變成電流信號接入混頻器。根據(jù)混頻器的特性，混頻器的輸出信號中將含有兩個頻率成分:fl+f2和fl-f2，fl+f2和fl-f2兩路信號再經(jīng)過低通濾波后將會得到頻率為fl`-f2的正弦波Af，最后此正弦波Af通過整形電路轉(zhuǎn)換為方波送入單片機(jī)進(jìn)行頻率測量，并將此頻率值存儲至單片機(jī)中作為計算含水率的重要參數(shù)。單片機(jī)中對含水率的標(biāo)定及計算方法如下:首先取一份充分烘干的被測體稱得重量MO，用本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器測量得到頻率差值A(chǔ)fO。然后將被測體加水充分浸泡至飽和，再次稱得重量M1，用本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器測量得到頻率差值△fm。根據(jù)以上標(biāo)定過程，得到所測對象含水率變化范圍為(ΓΜ0 / M1，頻率差變化范圍為Af(TAfm。因此，考慮溫度補(bǔ)償因子后，實時含水率的計算公式為:σ =Af*M0 / Ml ( Δ fm - Δ f0) + K AT，其中，σ為實時含水率，Af為實測頻率差值，K值為溫度補(bǔ)償系數(shù)，AT為當(dāng)前溫度與常溫的溫度差值(當(dāng)前溫度是指當(dāng)前被測體的溫度，當(dāng)前溫度通過溫度傳感器從振蕩電路中的測溫點測量，并傳送至單片機(jī))。為了克服現(xiàn)有頻率法中單純采用提高諧振頻率所帶來的不足，本申請實施例提供的單平面環(huán)形電容式含水率變送器基于頻率法，采用兩路對稱的振蕩電路(分別為本振電路和帶極板振蕩電路)進(jìn)行混頻,通過本振電路和帶極板振蕩電路的頻率差值來間接測量單平面環(huán)形電容傳感器I的電容值變化，以減小被測信號頻率大小，降低頻率測量電路的采樣率，提高響應(yīng)速度和共模抑制能力。此外，從傳感器工藝上采用獨特的單平面環(huán)形制造工藝，采用高頻低頻屏蔽分離的方法，解決了檢測電路的高頻干擾等問題。溫度變化對測量的影響主要有兩個方面，一是檢測電路元器件本身的隨溫度變化產(chǎn)生的溫度漂移，一是被測對象隨溫度變化產(chǎn)生的形態(tài)變化，在兩個因素共同的干擾作用下，測量的結(jié)果與溫度之間的關(guān)系是復(fù)雜的非線性關(guān)系。然而，在本申請實施例中，由于采用的是混頻測量法，兩路對稱振蕩電路元器件的溫度漂移經(jīng)過相減能夠很好的抵消，輸出信號的溫度特性線性度有了明顯提高，更易于實現(xiàn)溫度補(bǔ)償。首先，通過對同一含水率對象在不同溫度下的測量結(jié)果計算出溫度補(bǔ)償系數(shù)K。通過溫度傳感器可以將當(dāng)前溫度送入單片機(jī)中，假設(shè)當(dāng)前溫度與常溫的溫差為λ Τ，則在單片機(jī)計算結(jié)果中加入補(bǔ)償因子K Δ T便可以方便的實現(xiàn)溫度補(bǔ)償。本申請實施例具有以下有益效果:1、采用兩路對稱的振蕩電路(包括本振電路和帶極板振蕩電路)進(jìn)行混頻,通過本振電路和帶極板振蕩電路的頻率差值來間接測量電容值變化，以減小被測信號頻率大小，降低頻率測量電路的采樣率，提高了響應(yīng)速度和共模抑制能力。2、采用獨特的單平面環(huán)形制造工藝，采用高頻低頻屏蔽分離的方法，解決了檢測電路的聞頻干擾等問題。3、由于采用的是混頻測量法，兩路對稱振蕩電路(包括本振電路和帶極板振蕩電路)的溫度漂移經(jīng)過相減能夠很好的抵消，輸出信號的溫度特性線性度有了明顯提高，更易于實現(xiàn)溫度補(bǔ)償。4、結(jié)構(gòu)簡單、成本較低，便于在工業(yè)上實施。最后所應(yīng)說明的是，以上具體實施方式
僅用以說明本申請的技術(shù)方案而非限制，盡管參照實例對本申請進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本申請的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本申請技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本申請的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，包括:單平面環(huán)形電容傳感器、振蕩電路、混頻器、整形電路、數(shù)字處理單元及溫度傳感器； 所述單平面環(huán)形電容傳感器通過所述振蕩電路與所述混頻器連接； 所述混頻器通過所述整形電路與所述數(shù)字處理單元連接； 所述溫度傳感器與所述數(shù)字處理單元連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，還包括外殼及底板； 所述外殼與所述底板固定連接形成封閉結(jié)構(gòu)； 所述單平面環(huán)形電容傳感器設(shè)置在所述底板上部； 所述振蕩電路、混頻器、整形電路及數(shù)字處理單元設(shè)置在所述外殼內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述振蕩電路及混頻器構(gòu)成模擬電路層設(shè)置在所述底板的上方； 所述整形電路及數(shù)字處理單元構(gòu)成數(shù)字電路層設(shè)置在所述模擬電路層的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，還包括:第一屏蔽層及第二屏蔽層； 所述模擬電路層與所述單平面環(huán)形電容傳感器之間設(shè)置有第一屏蔽層； 所述數(shù)字電路層與所述模擬電路層之間設(shè)置有第二屏蔽層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述單平面環(huán)形電容傳感器包括:圓形板、內(nèi)銅板及環(huán)形外銅板； 所述內(nèi)銅板及所述外銅板鑲嵌在所述圓形板的下表面，且所述內(nèi)銅板設(shè)置在所述環(huán)形外銅板的中間； 所述圓形板的上表面涂有金屬屏蔽層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述底板采用陶瓷材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述振蕩電路包括本振電路及帶極板振蕩電路； 所述本振電路與所述混頻器連接； 所述帶極板振蕩電路與所述混頻器連接； 所述本振電路與所述帶極板振蕩電路連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述帶極板振蕩電路包括:第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電感LI及第二電感L2 ； 所述第一電容Cl的一端與所述第一電感LI連接，另一端接地； 所述第一電阻Rl的一端與所述第一電感LI連接，另一端通過所述第二電阻R2接地；所述第三電阻R3的一端連接在所述第一電阻Rl和所述第二電阻R2的公共連接處，另一端依次通過所述第五電容C5、第二電 感L2及所述第二電容C2接地； 所述第四電容C4的一端連接在所述第五電容C5與所述第二電感L2的公共連接處，另一端通過所述第三電容C3接地；所述第一三極管Ql的基極連接在所述第三電阻R3與所述第五電容C5的公共連接處，集電極與所述第一電感LI連接，發(fā)射極依次通過所述第四電阻R4及所述第五電阻R5接地； 所述第一三極管Ql的發(fā)射極還通過所述第六電容C6接地； 所述第三電容C3與所述第四電容C4的公共連接處與所述第四電阻R4及所述第五電阻R5的公共連處之間通過導(dǎo)線連接； 所述第二三極管Q2的基極與所述第一三極管Ql的發(fā)射極連接，集電極與所述第一電感LI連接,發(fā)射極與所述混頻器連接； 所述單平面環(huán)形電容傳感器的一端與所述第二電感L2及所述第二電容C2的公共連接處連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述本振電路包括:第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻R10、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容CIO、第i^一電容C11、第十二電容C12、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第三電感L3及第四電感L4 ； 所述第七電容C7的一端與所述第三電感L3連接，另一端接地； 所述第六電阻R6的一端與所述第三電感L3連接，另一端通過所述第七電阻R7接地；所述第八電阻R8的一端連接在所述第六電阻R6和所述第七電阻R7的公共連接處，另一端依次通過所述第十一電容Cl1、第四電感L4及所述第八電容CS接地； 所述第十電容ClO的一端連接在所述第十一電容Cll與所述第四電感L4的公共連接處，另一端通過所述第九電容C9接地； 所述第三三極管Q3的基極連接在所述第八電阻R8與所述第十一電容Cll的公共連接處，集電極與所述第三電感L3連接，發(fā)射極依次通過所述第九電阻R9及所述第十電阻RlO接地； 所述第三三極管Q3的發(fā)射極還通過所述第十二電容C12接地； 所述第九電容C9與所述第十電容ClO的公共連接處與所述第九電阻R9及所述第十電阻RlO的公共連處之間通過導(dǎo)線連接； 所述第四三極管Q4的基極與所述第三三極管Q3的發(fā)射極連接，集電極與所述第三電感L3連接，發(fā)射極與所述第二三極管Q2的發(fā)射極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單平面環(huán)形電容式含水率變送器，其特征在于，所述數(shù)字處理單元為單片機(jī)。
全文摘要
本申請涉及物料含水率測量技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種單平面環(huán)形電容式含水率變送器，包括單平面環(huán)形電容傳感器、振蕩電路、混頻器、整形電路及數(shù)字處理單元。所述單平面環(huán)形電容傳感器通過所述振蕩電路與所述混頻器連接。所述混頻器通過所述整形電路與所述數(shù)字處理單元連接。本申請?zhí)峁┑膯纹矫姝h(huán)形電容式含水率變送器，解決了檢測電路的高頻干擾等問題，不僅提高了其響應(yīng)速度和共模抑制能力，還具有輸出信號的溫度漂移特性線性度較好，易于實現(xiàn)溫度補(bǔ)償?shù)膬?yōu)點。
文檔編號G01N27/22GK103076371SQ20121054584
公開日2013年5月1日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者張青 申請人:武漢鋼鐵(集團(tuán))公司