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覆金屬ito膜ito方阻的測試方法

文檔序號:5965521閱讀:879來源:國知局
專利名稱:覆金屬ito膜ito方阻的測試方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,屬于觸控面板技術(shù)研究領(lǐng)域,尤指覆金屬膜材料中的ITO的測試方法探究。
背景技術(shù)
目前觸摸屏行業(yè)使用的原材料有覆金屬ITO導(dǎo)電膜,結(jié)構(gòu)為PET或玻璃基材上濺鍍ITO透明導(dǎo)電材料,再濺鍍銅鎳等金屬材料,以增加成品觸控面板邊框引線的導(dǎo)電性。但原料中的ITO因?yàn)樵诮饘賹酉路剑瑹o法直接測量方阻。本發(fā)明是用金屬選擇性蝕刻液蝕刻掉金屬層,留下ITO層,再測試材料底層的ITO方阻,以保證原材料的質(zhì)量可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)目的本發(fā)明是要提供覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,解決覆金屬原料中ITO方阻的測試方法,從而保證原材料的質(zhì)量可靠性。技術(shù)方案本發(fā)明公開覆金屬ITO膜方阻的測試方法,包括如下步驟
步驟一取大小適中的覆金屬ITO膜樣品;
步驟二 選擇合適的金屬選擇性蝕刻液;
步驟三將樣品投入該蝕刻液中,蝕刻掉金屬層,留下ITO層;
步驟四取出上述蝕刻掉金屬層后ITO膜,水洗干燥后測量ITO的9點(diǎn)方阻;
步驟五與原材料廠家提供的ITO方阻進(jìn)行比對。有益效果本發(fā)明公開了覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,通過該方法可判斷覆金屬ITO膜ITO層的方阻大小,從而判斷原材料的質(zhì)量可靠性。


圖1 :覆金屬ITO膜剖面圖;圖2 :蝕刻掉金屬層后ITO膜剖面 簡單符號說明1、基材;2、ITO層;3、金屬層。
具體實(shí)施例方式下面是本發(fā)明的具體實(shí)施例來進(jìn)一步描述
本發(fā)明公開覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,包括如下步驟
步驟一取大小適中的覆金屬ITO膜樣品;
步驟二 選擇合適的金屬選擇性蝕刻液;
步驟三將樣品投入該蝕刻液中,蝕刻掉金屬層,留下ITO層;
步驟四取出上述蝕刻掉金屬層后ITO膜,水洗干燥后測量ITO的9點(diǎn)方阻;
步驟五與原材料廠家提供的ITO方阻進(jìn)行比對。
實(shí)施例
步驟一取一片覆金屬(Cu-Ni) ITO膜,如圖1 ;
步驟二 用膠帶粘貼到卷對卷黃光工藝的生產(chǎn)線;
步驟三用金屬選擇性蝕刻液將銅鎳金屬層3蝕刻掉,留下ITO層2 ;
步驟四取出上述蝕刻掉金屬層后ITO膜,如圖2,水洗干燥后用方阻儀測量ITO的9點(diǎn)方阻值為
158、162、157、157、159、157、154、154、153 ( Ω/ □);
步驟五與原材料廠家提供的ITO方阻進(jìn)行比對(原廠標(biāo)準(zhǔn)150±30Ω/ □),
原廠 ITO 測試的 9 點(diǎn)方阻值為 146、152、150、152、155、160、153、155、155 ( Ω/ □);對比步驟四和步驟五,兩者測試結(jié)果相近,說明覆金屬ITO膜ITO方阻在標(biāo)準(zhǔn)要求范圍內(nèi),原材料方阻滿足使用要求,合格。
權(quán)利要求
1.覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,其特征包括如下步驟 步驟一取大小適中的覆金屬ITO膜樣品; 步驟二 選擇合適的金屬選擇性蝕刻液; 步驟三將樣品投入該蝕刻液中,蝕刻掉金屬層,留下ITO層; 步驟四取出上述蝕刻掉金屬層后ITO膜,水洗干燥后測量ITO的9點(diǎn)方阻; 步驟五與原材料廠家提供的ITO方阻進(jìn)行比對。
2.如權(quán)利要求1所述的覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,其特征在于 步驟二中選擇合適的金屬選擇性蝕刻液,此蝕刻液只蝕刻金屬,不蝕刻IT0,即蝕刻掉金屬層,留下ITO層。
3.如權(quán)利要求1所述的覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,其特征在于 步驟四測試結(jié)果與步驟五ITO方阻比對,來判定覆金屬ITO膜ITO方阻是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。
全文摘要
本發(fā)明涉及覆金屬ITO膜ITO方阻的測試方法,屬于觸控面板技術(shù)研究領(lǐng)域,尤指覆金屬膜材料中的ITO的測試方法探究。本發(fā)明是用金屬選擇性蝕刻液蝕刻掉金屬層后,留下ITO層,再測試材料的ITO方阻,并與原材料廠家提供的ITO方阻進(jìn)行比對,來判定覆金屬ITO膜ITO方阻是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求,保證原材料的質(zhì)量可靠性。
文檔編號G01R27/02GK103018563SQ201210534149
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者張新玲, 王連榮, 唐毅晟, 張濱, 史小鋒 申請人:煙臺正??萍加邢薰?br>
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