專利名稱：基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓力傳感器，具體地說，涉及一種耐高溫、抗腐蝕的基于智能剝離硅隔離芯片的壓力傳感器。
背景技術(shù)：
高溫壓力傳感器在飛機(jī)引擎控制、化學(xué)工業(yè)、石油化工以及能源電力等領(lǐng)域有著非常廣泛的應(yīng)用。近年來，人們把注意力集中在開發(fā)基于寬能帶材料的高溫壓力傳感器，如碳化硅、 氮化鎵等，這些材料雖然有著優(yōu)良的抗腐蝕耐高溫性能，但其加工工藝還不成熟，加工成本很高，離實(shí)現(xiàn)應(yīng)用還有較大的距離。因此，基于SOI硅材料的的低成本壓阻式高溫壓力傳感器仍然具有很大的吸引力。SOI硅材料采用二氧化硅作為介質(zhì)隔離，沒有擴(kuò)散硅壓力傳感器的PN結(jié)隔離的高溫漏電現(xiàn)象，因此可以耐受較高的溫度，用SOI制作的壓力傳感器的工作溫度可達(dá)500°C， 最高工作溫度甚至高達(dá)600°C。目前，市場(chǎng)上的SOI晶圓片主要有三種類型一種是采用硅-二氧化硅鍵合再減薄的方式形成的SOI晶圓片，這類晶圓片的激活硅層厚度較厚，一般大于2微米，較難形成高溫壓阻式傳感器所需要的摻雜均勻的激活層；第二種是采用氧離子注入方式形成的SOI晶圓片(SIM0X)，這類晶圓片的氧化層很難做厚，最厚不過0.4微米，難以次年工程超高溫傳感器所需的較厚的較高溫低漏電流的絕緣層，最高耐溫350°C 左右，而氧化層上的硅單晶層的厚度只有0. 2微米左右，需要再做硅外延以增加厚度；第三種是采用智能剝離技術(shù)(SMART-CUT)形成的SOI晶圓片，這類晶圓片的硅激活層厚度約為 0. 3-0. 4微米，可以容易通過離子注入或高溫?cái)U(kuò)散方法形成摻雜均勻的激活層，而且氧化硅埋層厚度可以做得比較厚，在1-3微米之間任意選定，因此這種基于SMART-CUT技術(shù)的SOI 硅晶圓片最適合于壓阻式超高溫壓力傳感器(350-500°C)?？垢g壓力傳感器一般采用不銹鋼作為應(yīng)變膜片，其中，不充油式傳感器通過共晶鍵合技術(shù)將電阻條芯片與不銹鋼壓力膜片粘連在一起形成，由于其面向壓力介質(zhì)的一面為不銹鋼應(yīng)變膜片的另一面，電阻條本身并不與外界接觸，因此具有抗腐蝕功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種耐高溫、抗腐蝕的基于智能剝離技術(shù)(SMART-⑶T)技術(shù)形成的SOI芯片的壓力傳感器。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
一種基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，用于檢測(cè)壓力介質(zhì)的壓力，其包括依次設(shè)置的壓力傳感器芯片、金鍺合金膜層、彈性膜片；
所述的壓力傳感器芯片為采用智能剝離技術(shù)形成的硅隔離芯片；所述的彈性膜片具有第一面和第二面；所述的壓力傳感器芯片為兩片且對(duì)稱地設(shè)置于所述的彈性膜片的第一面的應(yīng)力最大處；所述的彈性膜片的第二面面向所述的壓力介質(zhì)。
優(yōu)選的，所述的壓力傳感器芯片包括依次設(shè)置的對(duì)壓力敏感的高摻雜單晶硅層、 二氧化硅埋層、襯底硅層；所述的單晶硅層包括電阻條。優(yōu)選的，所述的壓力傳感器芯片與所述的彈性膜片通過短暫液相過渡共晶鍵合工藝封裝；所述的壓力傳感器芯片上依次淀積有粘附層、硅擴(kuò)散阻擋層、金擴(kuò)散阻擋層、第一金膜層、超薄鍺層；所述的彈性膜片上電鍍有第二金膜層；當(dāng)所述的壓力傳感器芯片與所述的彈性膜片相鍵合時(shí)，所述的超薄鍺層與所述的第一金膜層和所述的第二金膜層的界面處的金原子和鍺原子發(fā)生共晶熔化，所述的超薄鍺層中的鍺原子向周圍擴(kuò)散而使鍺原子濃度逐漸下降，最終金鍺共晶由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)形成所述的金鍺合金膜層，所述的金鍺合金膜層中鍺原子的濃度低于3%。優(yōu)選的，所述的壓力傳感器芯片與所述的彈性膜片的鍵合溫度為360°C -450°c。優(yōu)選的，所述的壓力傳感器芯片采用如下工藝制成向第一片硅晶圓片中注入氫離子形成微氣泡層，再將該第一片硅晶圓片與含有所述的二氧化硅埋層和所述的襯底硅層的第二片硅晶圓片直接鍵合后加高溫退火裂變，所述的第一片硅晶圓片與所述的第二片硅晶圓片之間形成激活層，向所述的激活層中注入硼離子形成所述的高摻雜單晶硅層，再采用等離子刻蝕方法將所述的高摻雜單晶硅層刻蝕成所述的電阻條。優(yōu)選的，所述的高摻雜單晶硅層上形成有歐姆接觸金屬層和氮化硅鈍化層。優(yōu)選的，所述的彈性膜片為金屬膜片，且所述的彈性膜片為圓形膜片。優(yōu)選的，其還包括溫度補(bǔ)償芯片，所述的溫度補(bǔ)償芯片設(shè)置于所述的彈性膜片的第一面的應(yīng)力最小處。優(yōu)選的，所述的溫度補(bǔ)償芯片包括依次設(shè)置的溫度補(bǔ)償電阻條層、溫度補(bǔ)償二氧化硅埋層、溫度補(bǔ)償襯底硅層；所述的溫度補(bǔ)償電阻條層具有溫度補(bǔ)償電阻；所述的溫度補(bǔ)償芯片通過共晶鍵合方式粘貼于所述的彈性膜片上。優(yōu)選的，其還包括外殼，所述的外殼與所述的彈性膜片采用相同材料且一體加工而成，所述的外殼包括具有中心孔的邊框，所述的彈性膜片通過懸臂梁與所述的邊框相連接于同一平面上，且所述的彈性膜片位于所述的中心孔中。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)
1、本發(fā)明采用了基于智能剝離技術(shù)形成的硅隔離芯片，能夠耐受較高的溫度，適用于高溫場(chǎng)合；
2、本發(fā)明采用了壓力傳感器芯片不與壓力介質(zhì)接觸，具有防腐蝕功能；
3、本發(fā)明的壓力傳感器電阻值控制精確，長期穩(wěn)定性好，成本低，靈敏度高，可在高溫且具有化學(xué)腐蝕氣氛的惡劣條件下可靠的工作。


附圖1為本發(fā)明的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器的壓力傳感器芯片的結(jié)構(gòu)剖視圖。附圖2為本發(fā)明的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖3為本發(fā)明的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖。
附圖4為60MPa壓力施加于彈性膜片時(shí)的有限元分析應(yīng)力三維分布圖。附圖5為60MPa壓力施加于彈性膜片時(shí)沿彈性膜片表面中心線的應(yīng)力分布圖。附圖6為本發(fā)明的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器在短暫液相過渡共晶鍵合前的結(jié)構(gòu)剖面圖。附圖7為本發(fā)明的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器在短暫液相過渡共晶鍵合后的結(jié)構(gòu)剖面圖。附圖8為金鍺合金二元相圖。以上附圖中1、外殼；11、壓力進(jìn)口 ；12、懸臂梁；13、邊框；2、彈性膜片；3、金鍺合金膜層；4、壓力傳感器芯片；401、高摻雜單晶硅層；402、二氧化硅埋層；403、襯底硅層； 404、氮化硅鈍化層；405、歐姆接觸金屬層；406、粘附層；407、硅擴(kuò)散阻擋層；408、金擴(kuò)散阻擋層；409、第一金膜層；410、超薄鍺層；5、第二金膜層；6、溫度補(bǔ)償芯片。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。實(shí)施例一參見附圖2、附圖3和附圖7所示。一種基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，用于檢測(cè)壓力介質(zhì)的壓力。其包括具有壓力進(jìn)口 11的外殼1、與外殼1采用同種材料并一體成型的彈性膜片2、 金鍺合金膜層3、壓力傳感器芯片4、溫度補(bǔ)償芯片6。外殼1和彈性膜片2采用thermo-span高溫合金或Hanye230高溫合金制成，上述材料的熱膨脹系數(shù)比一般的不銹鋼材料低。彈性膜片2為圓形膜片，外殼1包括具有圓形中心孔的邊框13，邊框13設(shè)置于壓力進(jìn)口 11的一端并與壓力進(jìn)口 11相垂直。彈性膜片 2通過四個(gè)懸臂梁12與邊框13相連接于同一平面上，且彈性膜片2位于邊框13的中心孔中。彈性膜片2具有第一面和第二面，其第二面與壓力進(jìn)口 11的一端部相對(duì)，以面向壓力介質(zhì)。壓力傳感器芯片4為采用智能剝離技術(shù)形成的硅隔離芯片。壓力傳感器芯片4為兩片且對(duì)稱地設(shè)置于彈性膜片2的第一面的應(yīng)力最大處。彈性膜片2的第一面上的應(yīng)力最小處還設(shè)置有四個(gè)溫度補(bǔ)償芯片6。由附圖4和附圖5可以看出，彈性膜片2的應(yīng)力最大處在其中心處，而在彈性膜片 2的邊緣處，應(yīng)力由負(fù)值變?yōu)檎?，而彈性膜?的外圍處應(yīng)力最小。因此，將兩片壓力傳感器芯片4沿彈性膜片2的中心對(duì)稱的設(shè)置，而溫度補(bǔ)償芯片6設(shè)置于彈性膜片2外圍的圓環(huán)處，這樣，溫度補(bǔ)償芯片6幾乎不受外加壓力的影響，而只對(duì)溫度反應(yīng)。參見附圖1所示，壓力傳感器芯片4包括依次設(shè)置的對(duì)壓力敏感的高摻雜單晶硅層401、二氧化硅埋層402、襯底硅層403 ；單晶硅層包括電阻條。其中，襯底硅層403厚度約為20-40微米，可通過機(jī)械拋光法得到；二氧化硅埋層402厚度約為1-3微米；高摻雜單晶硅層401的厚度約為0. 32-0. 7微米。高摻雜單晶硅層401上形成有歐姆接觸金屬層405 和氮化硅鈍化層404。氮化硅鈍化層404的厚度約為0. 1-0. 3微米，歐姆接觸金屬層405的厚度約為0. 8-1. 2微米。采用SMART-⑶T技術(shù)制成該壓力傳感器芯片4。首先向第一片硅晶圓片中注入氫離子形成微氣泡層，再將該第一片硅晶圓片與含有二氧化硅埋層402和襯底硅層403的第二片硅晶圓片直接鍵合后加高溫退火裂變，第一片硅晶圓片與第二片硅晶圓片之間形成激活層。向激活層中注入硼離子形成高摻雜單晶硅層401，摻雜濃度越高，電阻熱溫度系數(shù)越低。最后采用等離子刻蝕方法將高摻雜單晶硅層401刻蝕成沿晶向分布的電阻條。每兩個(gè)電阻條形成一個(gè)半橋結(jié)構(gòu)壓力傳感器芯片4，每個(gè)壓力傳感器芯片4的尺寸為 1500微米X 500微米，厚度約為20-50微米。其中，電阻條的寬度為10-20微米，長度約為 1000-1500微米。電阻條形成后，用真空濺射和LIFT-OFF相結(jié)合的方法形成耐高溫的歐姆接觸金屬層405，然后用DRIE深度刻蝕法在襯底硅層403刻出的深槽，并在襯底硅層403的背面減薄至深槽露出，這樣可以不用劃片就得到單個(gè)的壓力傳感器芯片4。壓力傳感器芯片4與彈性膜片2通過短暫液相過渡共晶鍵合工藝封裝。參見附圖6所示，首先在壓力傳感器芯片4上，即襯底硅層403的背面用真空濺射依次淀積粘附層 406、硅擴(kuò)散阻擋層407、金擴(kuò)散阻擋層408、第一金膜層409、超薄鍺層410。相對(duì)于通常采用的金錫焊片共晶鍵合的方法來說，這種方法可以使襯底硅層403上同時(shí)淀積厚度均勻的各層，而不需單片操作，既節(jié)省時(shí)間和成本，又有很好的重復(fù)性和一致性。另一方面，在彈性膜片2上電鍍第二金膜層5。然后，將壓力傳感器芯片4對(duì)準(zhǔn)貼在彈性膜片2的相應(yīng)位置上，加上一定的壓力放到高溫爐中加熱到所需的鍵和溫度，鍵合溫度為360°C _450°C，在本實(shí)施例中，采用450°C。當(dāng)壓力傳感器芯片4與彈性膜片2相鍵合時(shí)，二者通過一種叫作短暫液相過渡共晶鍵合的過程形成固態(tài)鍵合。參見附圖8所示，該鍵合過程可以通過金鍺合金二相圖來描述。圖中A點(diǎn)是金鍺合金的共晶熔點(diǎn)，溫度為361°C，這里金原子濃度為72%， 鍺原子濃度為28%。當(dāng)上述壓力傳感器芯片4和彈性膜片2放入高溫爐中，超薄鍺層410與第一金膜層409和第二金膜層5的界面處的部分金原子和鍺原子達(dá)到上述條件時(shí)發(fā)生共晶熔化。隨著溫度保持在450°C，超薄鍺層410中的鍺原子向周圍擴(kuò)散而使鍺原子濃度逐漸下降，共晶條件轉(zhuǎn)移至附圖8中的B點(diǎn)。隨著鍺的繼續(xù)擴(kuò)散，共晶點(diǎn)又慢慢轉(zhuǎn)移到C點(diǎn)，此時(shí)鍺原子的濃度降到3%左右，金鍺共晶由液態(tài)向固態(tài)轉(zhuǎn)變；當(dāng)所有區(qū)域的鍺原子的濃度降到3%以下時(shí)，所有的液態(tài)區(qū)域轉(zhuǎn)化為固態(tài)，共晶鍵合完成，形成金鍺合金膜層3。參見附圖 7所示，金鍺合金膜層3中鍺原子的濃度低于3%。由附圖8可以看出，若共晶鍵合后的鍺原子的濃度越低，則壓力傳感器芯片4的工作溫度越高，理論上工作溫度可以達(dá)到1000°C。實(shí)際操作中，超薄鍺層410的厚度控制極為關(guān)鍵。若太厚則鍺原子的濃度難以降到3%以下， 太薄又不容易形成液相共晶過渡層。此外，金的楊氏模量是79GP，金鍺合金的楊氏模量為 8IGP左右，而金錫合金的楊氏模量為60GP，低溫玻璃漿料的楊氏模量是70GP左右。因此， 采用這種鍵合技術(shù)的壓力傳感器比現(xiàn)有的鍵合方法(采用金錫焊片共晶鍵合和采用玻璃漿料鍵合)可以有更大的應(yīng)力傳遞。將兩片半橋結(jié)構(gòu)的壓力傳感器芯片4對(duì)稱的設(shè)置于彈性膜片2中心的兩側(cè)，可以形成一個(gè)全橋電路。傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償方法是采用有源電路(三極管或集成電路)進(jìn)行靈敏度補(bǔ)償。然而在高溫環(huán)境下這些補(bǔ)償元件不能與壓力傳感器芯片4處于同一溫區(qū)，因此要進(jìn)行溫度補(bǔ)償，需要一種耐高溫溫度補(bǔ)償元件并能與壓力傳感器芯片4處于同一溫區(qū)并具有良好的補(bǔ)償作用。參見附圖2和附圖3所示，在彈性膜片2的外圍處，即邊框13上設(shè)置四個(gè)溫度補(bǔ)償芯片6。溫度補(bǔ)償芯片6包括依次設(shè)置的溫度補(bǔ)償電阻條層、溫度補(bǔ)償二氧化硅埋層、溫度補(bǔ)償襯底硅層，溫度補(bǔ)償電阻條層具有溫度補(bǔ)償電阻，溫度補(bǔ)償電阻的阻值大小根據(jù)補(bǔ)償方法是恒流源還是恒壓源而定。溫度補(bǔ)償芯片6采用與壓力傳感器芯片4相同的工藝制作，則溫度補(bǔ)償電阻與壓力傳感器的電阻條具有相同的溫度系數(shù)。溫度補(bǔ)償芯片6通過共晶鍵合方式粘貼于彈性膜片2的外周上，此處不受施加的壓力影響，熱應(yīng)力也最小，溫度補(bǔ)償電阻只對(duì)溫度變化起反應(yīng)，而不對(duì)外加壓力起反應(yīng)。溫度補(bǔ)償電阻與壓力傳感器芯片4 的電阻條處于同一溫區(qū)，可以精確測(cè)量電橋工作溫度的變化。 若溫度補(bǔ)償采用恒流源供電，則將溫度補(bǔ)償電阻與惠斯頓電橋并聯(lián)；若采用恒壓源供電，則將溫度補(bǔ)償電阻與惠斯頓電橋串聯(lián)。這種補(bǔ)償方法的優(yōu)點(diǎn)是方法簡(jiǎn)單、成本低， 缺點(diǎn)是補(bǔ)償精度不高，一般能達(dá)到的精度是滿量程的1%左右。還有一種溫度補(bǔ)償方法是數(shù)字補(bǔ)償法。首先通過對(duì)壓力傳感器進(jìn)行壓力和溫度輸出信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn)調(diào)試，而得到一組壓力和溫度的輸出數(shù)據(jù)，再對(duì)數(shù)據(jù)用最小二乘法進(jìn)行高階多項(xiàng)式曲面擬合，由此得到一組多項(xiàng)式的擬合系數(shù)。在實(shí)際應(yīng)用中，只要把橋路輸出電壓信號(hào)的溫度補(bǔ)償電阻的信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)值信號(hào)，通過含有相應(yīng)補(bǔ)償系數(shù)的多項(xiàng)式計(jì)算實(shí)際壓力值。例如，一個(gè)5階多項(xiàng)式的計(jì)算公式如下
權(quán)利要求
1.一種基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，用于檢測(cè)壓力介質(zhì)的壓力，其特征在于其包括依次設(shè)置的壓力傳感器芯片、金鍺合金膜層、彈性膜片；所述的壓力傳感器芯片為采用智能剝離技術(shù)形成的硅隔離芯片；所述的彈性膜片具有第一面和第二面；所述的壓力傳感器芯片為兩片且對(duì)稱地設(shè)置于所述的彈性膜片的第一面的應(yīng)力最大處；所述的彈性膜片的第二面面向所述的壓力介質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于所述的壓力傳感器芯片包括依次設(shè)置的對(duì)壓力敏感的高摻雜單晶硅層、二氧化硅埋層、襯底硅層；所述的單晶硅層包括電阻條。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器， 其特征在于所述的壓力傳感器芯片與所述的彈性膜片通過短暫液相過渡共晶鍵合工藝封裝；所述的壓力傳感器芯片上依次淀積有粘附層、硅擴(kuò)散阻擋層、金擴(kuò)散阻擋層、第一金膜層、超薄鍺層；所述的彈性膜片上電鍍有第二金膜層；當(dāng)所述的壓力傳感器芯片與所述的彈性膜片相鍵合時(shí)，所述的超薄鍺層與所述的第一金膜層和所述的第二金膜層的界面處的金原子和鍺原子發(fā)生共晶熔化，所述的超薄鍺層中的鍺原子向周圍擴(kuò)散而使鍺原子濃度逐漸下降，最終金鍺共晶由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)形成所述的金鍺合金膜層，所述的金鍺合金膜層中鍺原子的濃度低于3%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于所述的壓力傳感器芯片與所述的彈性膜片的鍵合溫度為360°C -450°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于所述的壓力傳感器芯片采用如下工藝制成向第一片硅晶圓片中注入氫離子形成微氣泡層，再將該第一片硅晶圓片與含有所述的二氧化硅埋層和所述的襯底硅層的第二片硅晶圓片直接鍵合后加高溫退火裂變，所述的第一片硅晶圓片與所述的第二片硅晶圓片之間形成激活層，向所述的激活層中注入硼離子形成所述的高摻雜單晶硅層，再采用等離子刻蝕方法將所述的高摻雜單晶硅層刻蝕成所述的電阻條。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于所述的高摻雜單晶硅層上形成有歐姆接觸金屬層和氮化硅鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于所述的彈性膜片為金屬膜片，且所述的彈性膜片為圓形膜片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于其還包括溫度補(bǔ)償芯片，所述的溫度補(bǔ)償芯片設(shè)置于所述的彈性膜片的第一面的應(yīng)力最小處。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于所述的溫度補(bǔ)償芯片包括依次設(shè)置的溫度補(bǔ)償電阻條層、溫度補(bǔ)償二氧化硅埋層、 溫度補(bǔ)償襯底硅層；所述的溫度補(bǔ)償電阻條層具有溫度補(bǔ)償電阻；所述的溫度補(bǔ)償芯片通過共晶鍵合方式粘貼于所述的彈性膜片上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，其特征在于其還包括外殼，所述的外殼與所述的彈性膜片采用相同材料且一體加工而成，所述的外殼包括具有中心孔的邊框，所述的彈性膜片通過懸臂梁與所述的邊框相連接于同一平面上，且所述的彈性膜片位于所述的中心孔中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于智能剝離硅隔離芯片的耐高溫抗腐蝕壓力傳感器，用于檢測(cè)壓力介質(zhì)的壓力，其包括依次設(shè)置的壓力傳感器芯片、金鍺合金膜層、彈性膜片；壓力傳感器芯片為采用智能剝離技術(shù)形成的硅隔離芯片；彈性膜片具有第一面和第二面；壓力傳感器芯片為兩片且對(duì)稱地設(shè)置于彈性膜片的第一面的應(yīng)力最大處；彈性膜片的第二面面向壓力介質(zhì)。本發(fā)明采用了基于智能剝離技術(shù)形成的硅隔離芯片，能夠耐受較高的溫度，適用于高溫場(chǎng)合；采用了壓力傳感器芯片不與壓力介質(zhì)接觸，具有防腐蝕功能；本發(fā)明的壓力傳感器電阻值控制精確，長期穩(wěn)定性好，成本低，靈敏度高，可在高溫且具有化學(xué)腐蝕氣氛的惡劣條件下可靠的工作。
文檔編號(hào)G01L9/00GK102539055SQ20121003103
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月13日
發(fā)明者郭述文 申請(qǐng)人:蘇州文智芯微系統(tǒng)技術(shù)有限公司