專利名稱:用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù):
電能表電壓互感器二次回路中有大量的接線機(jī)構(gòu)?,F(xiàn)有技術(shù)的接線機(jī)構(gòu)包括接線端子和鋁線,鋁線和接線端子連接(如圖I所示)。該技術(shù)的接線機(jī)構(gòu)存在以下問題常規(guī)鋁線外都有一層絕緣層保護(hù),但是鋁線和接線端子的連接處的鋁線是裸露在外的,裸露在外的鋁線很容易氧化,在外表面形成一層氧化膜,該氧化膜大大增加了接線機(jī)構(gòu)所帶來的接觸電阻,該接觸電阻的阻值在電壓互感器二次回路的阻抗中占了很大的比重,有時(shí)候甚至比二次導(dǎo)線本身的電阻還大,嚴(yán)重影響了電能表計(jì)量的準(zhǔn)度。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是為電能表電壓互感器二次回路提供一種接觸電阻小的接線機(jī)構(gòu)。為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為一種用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu),包括接線端子和鋁線,鋁線和接線端子連接,鋁線和接線端子的連接處的鋁線上設(shè)有防氧化層。采用上述技術(shù)方案后,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu)在鋁線和接線端子的連接處的鋁線上設(shè)有防氧化層,該結(jié)構(gòu)能有效防止裸露在外的鋁線氧化,從而避免氧化層的產(chǎn)生而大大增加接線機(jī)構(gòu)的接觸電阻,進(jìn)而避免電能表的計(jì)量受到影響。所述防氧化層為中性凡士林層。
圖I是現(xiàn)有技術(shù)用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖。圖中所示,I、接線端子2、鋁線3、連接處4、中性凡士林。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖2示一種用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu),包括接線端子I和鋁線2,鋁線2和接線端子I連接。鋁線2和接線端子I的連接處3的鋁線2上設(shè)有防氧化層4。 所述防氧化層4為中性凡士林層。圖2中為了看得清楚,把中性凡士林層給放大了,事實(shí)上該中性凡士林層是很薄的。[0014]圖2中的虛線表示鋁線2和接線端子I的連接處3的鋁線2原有的輪廓(鍍上中性凡士林層后就看不到了,所以用虛線表示),實(shí)線表示中性凡士林層。鋁線2中的省略號表示鋁線2省略的部分。以上所述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示,通過上述的說明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求1.一種用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu),包括接線端子(I)和鋁線(2),鋁線(2)和接線端子(I)連接,其特征在于鋁線(2)和接線端子(I)的連接處(3)的鋁線(2)上設(shè)有防氧化層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu),其特征在于所述防氧化層(4 )為中性凡士林層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu),包括接線端子(1)和鋁線(2),鋁線(2)和接線端子(1)連接,其特征在于鋁線(2)和接線端子(1)的連接處(3)的鋁線(2)上設(shè)有防氧化層(4)。本實(shí)用新型用于電能表電壓互感器二次回路的接線機(jī)構(gòu)在鋁線和接線端子的連接處的鋁線上設(shè)有防氧化層,該結(jié)構(gòu)能有效防止裸露在外的鋁線氧化,從而避免氧化層的產(chǎn)生而大大增加接線機(jī)構(gòu)的接觸電阻,進(jìn)而避免電能表的計(jì)量受到影響。
文檔編號G01R11/04GK202433422SQ201120515019
公開日2012年9月12日 申請日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者何昂, 周偉光, 崔永峰, 邵柳東 申請人:寧波三星電氣股份有限公司