專利名稱：：復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體來說，本發(fā)明涉及一種集成了溫度傳感器、加速度傳感器和壓力傳感器的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著傳感器技術(shù)的發(fā)展，傳感器芯片不再是包含單一的傳感器件，而是更多地以片上系統(tǒng)(S0C或者SIP)的形式出現(xiàn)。在一個(gè)片上系統(tǒng)中，往往集成有多個(gè)傳感器器件單元，甚至還會(huì)包含外圍的CMOS集成電路，構(gòu)成系統(tǒng)化的片上復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)。片上傳感系統(tǒng)的出現(xiàn)，使得傳感器的集成度越來越高，功能越來越強(qiáng)，體積越來越小，與此同時(shí)成本也得到了顯著的降低。復(fù)合集成傳感器的結(jié)構(gòu)和制造方法不僅是影響傳感器性能的關(guān)鍵，而且還將決定傳感器芯片成本、最終決定傳感器競(jìng)爭(zhēng)力的主要因素。當(dāng)前絕大多數(shù)傳感器的工藝都需要背面的工藝，在背面工藝完成后，通過鍵合的方法實(shí)現(xiàn)腔體的密封。這些工藝是當(dāng)前的主流，然而卻與常規(guī)的半導(dǎo)體工藝不兼容，因此需要采用定制化特點(diǎn)的傳感器加工生產(chǎn)線，增加了生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是一種復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方法，能夠與常規(guī)的半導(dǎo)體工藝相兼容，簡(jiǎn)化制造工藝，降低生產(chǎn)成本。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，所述復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)包括加速度傳感器、溫度傳感器和壓力傳感器，所述制造方法包括步驟提供基底，在所述基底上形成摻雜區(qū)域，分別作為所述壓力傳感器的壓阻陣列、所述加速度傳感器的壓阻單元和所述溫度傳感器單元；在所述基底的表面淀積絕緣層；依次刻蝕所述絕緣層和所述基底，在所述基底中形成用于制作腔體的槽；在所述基底的表面和所述槽的側(cè)壁與底部淀積含高濃度摻雜元素的阻擋層；將所述阻擋層中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至所述槽與所述阻擋層接觸的基底表面內(nèi)，在所述槽的側(cè)壁與底部形成重?fù)诫s層；去除所述絕緣層的表面和所述槽的底部的所述阻擋層，在所述槽的側(cè)壁上形成側(cè)壁保護(hù)層；以所述側(cè)壁保護(hù)層和所述絕緣層為掩模，繼續(xù)刻蝕所述槽，形成深槽；采用濕法腐蝕法腐蝕所述深槽，在所述基底的內(nèi)部分別形成所述壓力傳感器和所述加速度傳感器的腔體；在所述槽的側(cè)壁保護(hù)層之間填滿隔離和/或填充材料，形成插塞結(jié)構(gòu)，將所述腔體與外界隔離；在所述基底的表面制作導(dǎo)電引線和電極；在所述加速度傳感器的區(qū)域淀積質(zhì)量塊，并對(duì)其作圖形化；在所述質(zhì)量塊的周圍形成隔離槽，所述隔離槽穿透所述加速度傳感器的腔體上方的基底，所述質(zhì)量塊以懸臂形式與所述基底相連接?？蛇x地，所述基底為(111)晶向的硅?？蛇x地，在所述基底上形成摻雜區(qū)域的方法為離子注入法。可選地，所述槽的形狀和/或深度根據(jù)實(shí)際需要是可調(diào)的?？蛇x地，所述阻擋層是通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法形成的。可選地，所述絕緣層的表面和所述槽的底部的阻擋層是通過回刻工藝去除的?？蛇x地，所述槽的深度為0.0560μm?？蛇x地，所述深槽的深度為0.180μm。可選地，所述濕法腐蝕法采用各向異性的腐蝕工藝在所述基底的內(nèi)部形成腔體?？蛇x地，所述濕法腐蝕的溶液為KOH、NaOH,EPff和/或TMAH?？蛇x地，所述腔體的形狀和/或深度是任意的?？蛇x地，通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法在所述槽的側(cè)壁保護(hù)層之間填充隔離和/或填充材料?？蛇x地，所述隔離和/或填充材料為單層或者多層結(jié)構(gòu)。可選地，所述隔離和/或填充材料為多晶硅?？蛇x地，所述導(dǎo)電引線和/或所述電極的材料包括鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、金、銀及其任意合金?？蛇x地，所述淀積質(zhì)量塊的方法為物理氣相淀積法或者化學(xué)電鍍法?？蛇x地，所述質(zhì)量塊為單層或者多層結(jié)構(gòu)?？蛇x地，所述質(zhì)量塊的材料包括銅、鎢、鎳。可選地，圍繞所述質(zhì)量塊的所述隔離槽的形狀為多邊形和任意不規(guī)則圖形?？蛇x地，所述溫度傳感器單元為溫阻傳感器、PN二極管或者其他類型的溫度傳感ο相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種根據(jù)上述方法中任一項(xiàng)制造的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)，采用正面的、與常規(guī)半導(dǎo)體工藝相兼容的工藝，在通用的半導(dǎo)體生產(chǎn)線上都能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模的制造，具有實(shí)用、經(jīng)濟(jì)、高性能等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢(shì)將通過下面結(jié)合附圖和實(shí)施例的描述而變得更加明顯，其中圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)沿著圖中的A-A、B_B和C-C方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖；圖4至圖18為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述地其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況作類似推廣、演繹，因此不應(yīng)以此具體實(shí)施例的內(nèi)容限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，可以看到該種復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)上含有一個(gè)加速度傳感器(位于圖中上半部區(qū)域)、一個(gè)溫度傳感器(位于圖中中部區(qū)域)以及一個(gè)壓力傳感器(位于圖中下部區(qū)域)。在圖1所顯示的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的平面圖中，在基底001上形成有加速度傳感器的加速度質(zhì)量塊009、壓阻單元007、壓力傳感器的壓阻陣列004和溫度傳感器單元006。其中溫度傳感器單元006可以為溫阻傳感器、PN二極管或者其他類型的溫度傳感器。各單元通過導(dǎo)電引線003或者金屬電極005連接，整個(gè)結(jié)構(gòu)具有多個(gè)導(dǎo)電的電極002。為了更好地說明該復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)，對(duì)上述的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)分別在A-A、B-B和C-C方向做剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示。圖2為圖1所示的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)沿著圖中的A-A、B_B和C-C方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。從圖2中可見，復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)在A-A、B-B和C-C方向的剖面結(jié)構(gòu)圖從左至右的分布分別是壓力傳感器、溫度傳感器和加速度傳感器單元。壓阻陣列004形成在具有一定的厚度的基底膜上，膜懸空在空隙010的上方，圖中標(biāo)號(hào)011所示的是隔離和/或填充材料；摻雜區(qū)域008的兩端形成有電極005；加速度傳感器的質(zhì)量塊是009，底下具有空隙010，形成懸臂梁結(jié)構(gòu)，懸臂梁靠近基底側(cè)有摻雜區(qū)域007，具備壓阻效應(yīng)，標(biāo)號(hào)003為導(dǎo)電引線。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，上述由圖1和圖2所示的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的分布圖是示意性的。在此還要理解，其可以隨意根據(jù)需要對(duì)復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)的內(nèi)部各個(gè)傳感器組件進(jìn)行位置的排布和調(diào)整，都是在本發(fā)明申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)，而且根據(jù)需要可以選擇加速度傳感器、溫度傳感器和壓力傳感器中的一種或多種器件進(jìn)行組合，即不一定同時(shí)實(shí)現(xiàn)上述三種器件，可以是單獨(dú)的速度傳感器和壓力傳感器，或是速度傳感器和壓力傳感器的集成器件。另外，對(duì)于本發(fā)明中涉及質(zhì)量塊、溫度單元、壓阻單元的形狀和/或尺寸也都是可以根據(jù)需要進(jìn)行任意調(diào)整的。圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。該復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)可以包括加速度傳感器、溫度傳感器和壓力傳感器。如圖所示，該方法流程可以包括執(zhí)行步驟S101，提供基底，在基底上形成摻雜區(qū)域，分別作為壓力傳感器的壓阻陣列、加速度傳感器的壓阻單元和溫度傳感器單元；執(zhí)行步驟S102，在基底的表面淀積絕緣層；執(zhí)行步驟S103，依次刻蝕絕緣層和基底，在基底中形成用于制作腔體的槽；執(zhí)行步驟S104，在基底的表面和槽的側(cè)壁與底部淀積含高濃度摻雜元素的阻擋層；執(zhí)行步驟S105，將阻擋層中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至槽與阻擋層接觸的基底表面內(nèi)，在槽的側(cè)壁與底部形成重?fù)诫s層；執(zhí)行步驟S106，去除絕緣層的表面和槽的底部的阻擋層，在槽的側(cè)壁上形成側(cè)壁保護(hù)層；執(zhí)行步驟S107，以側(cè)壁保護(hù)層和絕緣層為掩模，繼續(xù)刻蝕槽，形成深槽；執(zhí)行步驟S108，采用濕法腐蝕法腐蝕深槽，在基底的內(nèi)部分別形成壓力傳感器和加速度傳感器的腔體；執(zhí)行步驟S109，在槽的側(cè)壁保護(hù)層之間填滿隔離和/或填充材料，形成插塞結(jié)構(gòu)，將腔體與外界隔離；執(zhí)行步驟S110，在基底的表面制作導(dǎo)電引線和電極；執(zhí)行步驟S111，在加速度傳感器的區(qū)域淀積質(zhì)量塊，并對(duì)其作圖形化；執(zhí)行步驟S112，在質(zhì)量塊的周圍形成隔離槽，隔離槽穿透加速度傳感器的腔體上方的基底，質(zhì)量塊以懸臂形式與基底相連接。下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造過程作進(jìn)一步說明。圖4至圖18為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)可以包括加速度傳感器、溫度傳感器和壓力傳感器。需要注意的是，這些以及后續(xù)其他的附圖均僅作為示例，其并非是按照等比例的條件繪制的，并且不應(yīng)該以此作為對(duì)本發(fā)明實(shí)際要求的保護(hù)范圍構(gòu)成限制。如圖4所示，提供基底101，該基底101可以為(111)晶向的硅，也可以是其他基底，例如鍺、鍺硅等基底。然后如圖5所示，利用離子注入法或者離子注入法加擴(kuò)散的方法在基底101上形成摻雜區(qū)域102。該摻雜區(qū)域102可以具備一定的形狀，可以根據(jù)通用的半導(dǎo)體工藝獲得，幾塊分立的區(qū)域的離子注入條件可以相同也可以不同，分別作為壓力傳感器的壓阻陣列004、加速度傳感器的壓阻單元007和溫度傳感器單元006。在基底101的上方，在采用例如離子注入法對(duì)基底101進(jìn)行摻雜的過程中，可以在基底101的不需要摻雜的區(qū)域上方覆蓋掩模，例如掩?？梢允茄趸?、氮化物或者光刻膠等。在此基底101以(111)晶向的硅(Si)為例，但是本發(fā)明可以采用的基底材料顯然不限于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的需要進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。在本實(shí)施例中，在形成制作腔體109的槽104之前還包括在基底101的表面淀積絕緣層103，其形成后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示。如圖6所示，依次刻蝕絕緣層103和基底101，在基底101中形成用于制作腔體的槽104，其中槽104的形狀和/或深度根據(jù)實(shí)際需要是可調(diào)節(jié)的(adjustable)。而從俯視圖(未圖示)上看，槽104的投影可以使多邊形(含矩形)，也可以是圓形，顯然也可以是其他形狀，在此不在贅述。槽104的深度可以為0.0560μm。如圖7所示，利用例如化學(xué)氣相淀積法在絕緣層103的表面和槽104的側(cè)壁與底部淀積一層含高濃度摻雜元素的阻擋層105，也可以采用其他的例如原子層淀積法等方法代替，但是淀積的阻擋層105務(wù)必要覆蓋槽104的側(cè)壁。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)至IJ，具體采用何種的淀積方法取決于該種方法能否很好地覆蓋槽104的側(cè)壁。另外需要注意的是，含高濃度摻雜元素的阻擋層105可以是任何符合要求的材料，如含高濃度摻雜元素B和/或h的SiA和/或其他玻璃、陶瓷材料。如圖8所示，通過高溫退火工藝使得阻擋層105中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至槽104與阻擋層105接觸的基底表面內(nèi)，由此在槽104的側(cè)壁與底部表面形成一層重?fù)诫s層106。在后續(xù)的濕法腐蝕深槽的步驟中，這層重?fù)诫s層106與阻擋層105對(duì)槽104的側(cè)壁形成了雙重保護(hù)。我們之后提到的后續(xù)濕法腐蝕是一種各向異性的腐蝕，在此過程中，若選用了Κ0Η、NaOH、EPW和/或TMAH等腐蝕液，當(dāng)腐蝕液碰到重?fù)诫s層106時(shí)其腐蝕速率將顯著下降。這是由于重?fù)诫s區(qū)域與腐蝕液的相互作用生成了一層納米鈍化層，阻擋了腐蝕的進(jìn)行，利用這一點(diǎn)可達(dá)到自動(dòng)中止腐蝕的目的，對(duì)槽104側(cè)壁起到了保護(hù)作用。如圖9所示，通過回刻工藝去除絕緣層103的表面和槽104的底部的阻擋層105，特別是要露出槽104的底部的基底材料，即完全去除底部的阻擋層105。該阻擋層105在槽104中附著于側(cè)壁上未被去除的部分則成為槽104的側(cè)壁保護(hù)層。如圖10所示，采用刻蝕工藝，以側(cè)壁保護(hù)層和絕緣層103為掩模，繼續(xù)刻蝕槽104，形成深槽108。該深槽108的深度可以為0.180μm。在此過程中，由于側(cè)壁保護(hù)層和絕緣層103作為刻蝕過程中的硬掩膜存在，保護(hù)了其他區(qū)域，因此，選擇的刻蝕條件需要較好的刻蝕選擇比。通過深槽108的形成，在得到的結(jié)構(gòu)中形成了“L”和反“L”形狀的重?fù)诫s層106，此種形狀有助于在后續(xù)濕法腐蝕的過程中保護(hù)空腔上方基底不受腐蝕，如此能夠更好地實(shí)現(xiàn)工藝的穩(wěn)定性和均勻性(因?yàn)槌鲇诰A上不同區(qū)域均勻性的考慮，一般會(huì)選擇對(duì)晶圓進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^度腐蝕，“L”和反“L”形狀的重?fù)诫s層106有助于結(jié)構(gòu)的保持)。如圖11所示，采用濕法腐蝕法腐蝕深槽108，在基底101的內(nèi)部分別形成壓力傳感器和加速度傳感器的腔體109。在此過程中，為了更好的控制腐蝕過程，形成比較理想的腔體109，所以，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的需要，優(yōu)選地采用各向異性的腐蝕工藝。當(dāng)然也可以是其他的腐蝕方式。例如，選擇(111)晶格取向的硅基底，在其內(nèi)部腔體腐蝕時(shí)采用K0H、Na0H、EPW和/或TMAH等濕法腐蝕溶液對(duì)基底101進(jìn)行各向異性的(選擇性的)腐蝕，在其內(nèi)部形成腔體109。在形成橫向腔體的同時(shí)，因?yàn)椤癓”和反“L”結(jié)構(gòu)的存在，腐蝕過程對(duì)于上下方基底的腐蝕極其有限，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的腐蝕和高可靠的控制。因?yàn)閭?cè)壁保護(hù)層和絕緣層103的保護(hù)，加上KOH、NaOH,EPff和/或TMAH的各向異性腐蝕，被側(cè)壁保護(hù)層和絕緣層103保護(hù)的區(qū)域保持完好，形成如圖11所示的結(jié)構(gòu)，圖中的腔體109都是空心結(jié)構(gòu)。需要注意的是，這里的顯示的腔體109在截面上看是規(guī)則的矩形，然而，在此需要指出，視圖不過是為了表述方便，實(shí)際得到的腔體109的形狀和/或深度是任意的，與腐蝕工藝、基底和其他方面密切相關(guān)，并不是規(guī)則的矩形，例如腔體109的側(cè)壁和底面之間可以形成一定的夾角，例如M.7度(如圖12所示)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解到腔體109的形狀和/或深度并不是限制本發(fā)明的內(nèi)容。為了形成壓力傳感器等傳感器組件，必須要形成密封的結(jié)構(gòu)。如圖13所示，優(yōu)選通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法等工藝在槽104的側(cè)壁保護(hù)層之間填滿隔離和/或填充材料110，例如單層或者多層的多晶硅、氧化硅，氮化硅等，形成插塞結(jié)構(gòu)，將腔體109與外界隔離。如圖14所示，不對(duì)基底101表面做平坦化，直接在基底101表面制作導(dǎo)電引線和電極111，該導(dǎo)電引線和/或電極111的材料可以包括鋁、銅、鎢、鈦、鈦鎢、金、銀及其任意選擇的合金，優(yōu)選為鋁。如圖15所示，在加速度傳感器的區(qū)域淀積質(zhì)量塊112，并對(duì)其作圖形化，采用的方法可以是物理氣相淀積法，也可以是化學(xué)電鍍法。淀積的質(zhì)量塊112可以是單層的結(jié)構(gòu)，也可以是多層的結(jié)構(gòu)。質(zhì)量塊112的材料優(yōu)選但不局限于銅、鎢、鎳等材料。對(duì)質(zhì)量塊112進(jìn)行圖形化的方法可以采用刻蝕方法。整個(gè)復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)形成了質(zhì)量塊112之后的俯視圖如圖16所示。如圖17所示，在質(zhì)量塊112的周圍形成隔離槽113，該隔離槽113的形狀可以為多邊形和任意不規(guī)則圖形。隔離槽113穿透加速度傳感器的腔體109上方的基底101，可以看到質(zhì)量塊112僅僅是依靠懸臂粱的形式與基底101相連接。最終形成的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的平面結(jié)構(gòu)示意圖如圖18所示。在本發(fā)明中，如有加速度存在，那么加速度傳感器在質(zhì)量塊的放大作用下，實(shí)現(xiàn)懸臂梁的扭曲，通過電橋?qū)崿F(xiàn)信號(hào)的轉(zhuǎn)換和放大，輸出了加速度信號(hào)；溫度傳感器根據(jù)溫度的變化輸出不同的電阻；壓力傳感器根據(jù)壓力的變化，形成硅薄膜的形變，通過電橋，將形變?cè)斐傻碾娮枳兓D(zhuǎn)換成與壓力對(duì)應(yīng)的電壓輸出。如此，就形成了復(fù)合的集成傳感器。本發(fā)明提供的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)，采用正面的、與常規(guī)半導(dǎo)體工藝相兼容的工藝，在通用的半導(dǎo)體生產(chǎn)線上都能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模的制造，具有實(shí)用、經(jīng)濟(jì)、高性能等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，所述復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)包括加速度傳感器、溫度傳感器和壓力傳感器，所述制造方法包括步驟提供基底(101)，在所述基底(101)上形成摻雜區(qū)域(102)，分別作為所述壓力傳感器的壓阻陣列(004)、所述加速度傳感器的壓阻單元(007)和所述溫度傳感器單元(006)；在所述基底(101)的表面淀積絕緣層(103)；依次刻蝕所述絕緣層(103)和所述基底(101)，在所述基底(101)中形成用于制作腔體(109)的槽(104)；在所述基底(101)的表面和所述槽(104)的側(cè)壁與底部淀積含高濃度摻雜元素的阻擋層(105)；將所述阻擋層(10中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至所述槽(104)與所述阻擋層(10接觸的基底表面內(nèi)，在所述槽(104)的側(cè)壁與底部形成重?fù)诫s層(106)；去除所述絕緣層(10的表面和所述槽(104)的底部的所述阻擋層(105)，在所述槽(104)的側(cè)壁上形成側(cè)壁保護(hù)層；以所述側(cè)壁保護(hù)層和所述絕緣層(10為掩模，繼續(xù)刻蝕所述槽(104)，形成深槽(108)；采用濕法腐蝕法腐蝕所述深槽(108)，在所述基底(101)的內(nèi)部分別形成所述壓力傳感器和所述加速度傳感器的腔體(109)；在所述槽(104)的側(cè)壁保護(hù)層之間填滿隔離和/或填充材料(110)，形成插塞結(jié)構(gòu)，將所述腔體(109)與外界隔離；在所述基底(101)的表面制作導(dǎo)電引線和電極(111)；在所述加速度傳感器的區(qū)域淀積質(zhì)量塊(112)，并對(duì)其作圖形化；在所述質(zhì)量塊(112)的周圍形成隔離槽(113)，所述隔離槽(11穿透所述加速度傳感器的腔體(109)上方的基底(101)，所述質(zhì)量塊(112)以懸臂形式與所述基底(101)相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基底(101)為(111)晶向的硅。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述基底(101)上形成摻雜區(qū)域(102)的方法為離子注入法。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述槽(104)的形狀和/或深度根據(jù)實(shí)際需要是可調(diào)的。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層(10是通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法形成的。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述絕緣層(10的表面和所述槽(104)的底部的阻擋層(105)是通過回刻工藝去除的。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述深槽(108)的深度為0.180μm08.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕法采用各向異性的腐蝕工藝在所述基底(101)的內(nèi)部形成腔體(109)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的溶液為KOH、NaOH,EPff禾口/或TMAH。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述腔體(109)的形狀和/或深度是任意的。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法在所述槽(104)的側(cè)壁保護(hù)層之間填充隔離和/或填充材料(110)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述隔離和/或填充材料(110)為單層或者多層結(jié)構(gòu)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述隔離和/或填充材料(110)為多晶娃。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電引線和/或所述電極(111)的材料包括鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、金、銀及其任意合金。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述淀積質(zhì)量塊(11的方法為物理氣相淀積法或者化學(xué)電鍍法。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述質(zhì)量塊(11為單層或者多層結(jié)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述質(zhì)量塊(11的材料包括銅、^^、^^ο18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，圍繞所述質(zhì)量塊(112)的所述隔離槽(113)的形狀為多邊形和任意不規(guī)則圖形。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，溫度傳感器單元(006)為溫阻傳感器、PN二極管或者其他類型的溫度傳感器。20.一種根據(jù)上述權(quán)利要1至19種任一項(xiàng)所述的方法制造的復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)。全文摘要本發(fā)明提供一種復(fù)合集成傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方法，該方法包括提供基底，在其上形成摻雜區(qū)域；在基底表面淀積絕緣層；刻蝕絕緣層和基底形成槽；在基底表面和槽側(cè)壁與底部淀積含摻雜元素的阻擋層；將其中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至基底內(nèi)，形成重?fù)诫s層；去除槽底部的阻擋層，在槽側(cè)壁上形成側(cè)壁保護(hù)層；以側(cè)壁保護(hù)層和絕緣層為掩模，繼續(xù)刻蝕槽，形成深槽；腐蝕深槽，在基底內(nèi)部形成腔體；在側(cè)壁保護(hù)層之間填滿隔離和/或填充材料；在基底表面制作導(dǎo)電引線和電極；在加速度傳感器的區(qū)域淀積質(zhì)量塊，并作圖形化；在質(zhì)量塊的周圍形成隔離槽，質(zhì)量塊以懸臂形式與基底相連接。本發(fā)明采用正面的、與常規(guī)半導(dǎo)體工藝相兼容的工藝，具有實(shí)用、經(jīng)濟(jì)、高性能等優(yōu)點(diǎn)。文檔編號(hào)G01D21/02GK102502479SQ20111036604公開日2012年6月20日申請(qǐng)日期2011年11月17日優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日發(fā)明者倪勝中,張挺,薛維佳,謝志峰申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司