專利名稱：裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半
晶圓劃片后，在未封裝前，在晶圓上能看到緊密相連的裸芯片(die)。裸芯片包括襯底層SUB、外延生長(zhǎng)層EPI、基礎(chǔ)器件層，其中基礎(chǔ)器件包括三極管。為保證裸芯片的良品率，為此，要對(duì)裸芯片進(jìn)行晶圓測(cè)試(CP，Circuit Prober)。晶圓測(cè)試(Wafer test) 是半導(dǎo)體后道封裝測(cè)試的第一站，晶圓測(cè)試有很多個(gè)名稱，比如針測(cè)、中測(cè)、CP (Circuit Probing) ,Wafer Sort,Wafer Probing等等。晶圓測(cè)試的目的是將裸芯片中不良的芯片挑選出來(lái)。所用到的設(shè)備有測(cè)試機(jī)(IC Tester)、探針卡(Probe Card)、探針臺(tái)(Prober)以及測(cè)試機(jī)與探針卡之間的接口(Mechanical Interface) 0晶圓測(cè)試的測(cè)試項(xiàng)目，包括漏源擊穿電壓U_DS，飽和漏極電流Idss，柵源控制電流Iess,漏源開啟電阻Rds。n。其中漏源開啟電阻Rdmn參數(shù)，根據(jù)柵極控制電壓的不同，其阻值大小也不同。為此，要在不同的柵極控制電壓下，分別測(cè)出Rdmn參數(shù)的阻值。現(xiàn)有技術(shù)中，裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，是采用4針或者5針探針卡壓接到一個(gè)裸芯片的正面和背面進(jìn)行測(cè)試，并且需要對(duì)裸芯片的背面進(jìn)行減薄、蒸金工藝后，測(cè)試源極到襯底之間電阻參數(shù)Rdsono此種測(cè)試方法，在對(duì)Rdsw參數(shù)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，晶圓的背面也要設(shè)置探針，要對(duì)晶圓中裸芯片的正面和背面同時(shí)進(jìn)行測(cè)試，從而根據(jù)中測(cè)的測(cè)試項(xiàng)目參數(shù)判斷裸芯片在不同的柵極控制電壓值范圍內(nèi)為合格品或者不合格品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服以上不足，提供了一種裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，該裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，僅需要對(duì)晶圓的正面進(jìn)行單面測(cè)試，便可測(cè)試出晶圓中裸芯片測(cè)試項(xiàng)目，從而判斷裸芯片的為合格品或者不合格品。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是一種裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，采用八根探針的探針卡壓接在相鄰近的兩個(gè)裸芯片的正面進(jìn)行測(cè)試；其中二根探針的一端壓接在第二裸芯片的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，另外一端通過(guò)探針卡與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口電連接；其中二根探針的一端壓接在第二裸芯片的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，其柵極測(cè)試點(diǎn)的供電電壓為第二柵極控制電壓Ue2，另外一端通過(guò)探針卡與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口電連接；其中二根探針的一端壓接在第一裸芯片的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，另一端通過(guò)探針卡與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口電連接；其中二根探針通過(guò)探針卡上安裝的電池E串接后，壓接在第一裸芯片的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，其柵極測(cè)試點(diǎn)的供電電壓為第一柵極控制電壓Ugi ；測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口 5與測(cè)試機(jī)臺(tái)電連接；其測(cè)試步驟如下Tl，測(cè)試出晶圓中第一裸芯片和第二裸芯片的三極管的飽和漏極電流Idss、以及除三極管的漏源開啟電阻Rdsw之外的參數(shù)；T2，在第一裸芯片和第二裸芯片的三極管的柵極端加入相同的柵極控制電壓、漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片的三極管的源漏電壓Uds，通過(guò)公式Rl = UDS/IDSS，計(jì)算出相同柵極控制電壓下第一裸芯片和第二裸芯片串聯(lián)后的第一電阻Rl ； T3，將步驟T2中的第一電阻Rl除以2，得到第一裸芯片和第二裸芯片的三極管的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw ；T4，保持第一裸芯片的三極管的柵極端的第一柵極控制電壓Ugi的電壓值，改變第二裸芯片的三極管的柵極端的第二柵極控制電壓Ue2的電壓值，在第二裸芯片的三極管的漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片的三極管的源漏電壓Uds2，通過(guò)公式R2 = UDS2/IDSS，計(jì)算出不同柵極控制電壓下第一裸芯片和第二裸芯片串聯(lián)后的第二電阻R2 ；通過(guò)公式Rdsqn = R2-1/2R1，計(jì)算出第二裸芯片的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw。T5，多次改變步驟T4中第二裸芯片的三極管柵極端的第二柵極控制電壓Ue2的電壓值，計(jì)算出不同的第二柵極控制電壓Ue2下，第二裸芯片的漏源開啟電阻參數(shù)Rds,進(jìn)一步的，所述探針卡上安裝的電池E的電壓范圍為9V到12V。進(jìn)一步的，所述第二裸芯片的三極管的第二柵極控制電壓Ue2的電壓范圍為1.2V 到 1OV。進(jìn)一步的，除三極管的漏源開啟電阻Rdmn之外的參數(shù)，包括漏源擊穿電壓U-DS， 柵源控制電流Iess。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，采用八根探針的探針卡壓接在相鄰近的兩個(gè)裸芯片的正面進(jìn)行測(cè)試，晶圓的背面不用連接探針或者連接線， 從而使測(cè)試機(jī)臺(tái)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；也不需要對(duì)裸芯片的背面進(jìn)行減薄、蒸金工藝。測(cè)試步驟T2、T3，是在第一裸芯片和第二裸芯片的柵極控制電壓相同的情況下，測(cè)試出第一裸芯片和第二裸芯片的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw。即第二柵極控制電壓Ug2等于第一柵極控制電壓Uei等于探針卡的電池E的電壓。首先，測(cè)試出晶圓中裸芯片中三極管的飽和漏極電流Idss、漏源擊穿電壓U_DS，柵源控制電流Iess ；然后，在第一裸芯片和第二裸芯片上分別加入相同的柵極控制電壓，根據(jù)飽和漏極電流Idss測(cè)試出第二裸芯片的源漏電壓 Ugs ；之后，根據(jù)公式Rl = UDS/IDSS，計(jì)算出相同柵極控制電壓下第一裸芯片和第二裸芯片串聯(lián)后的第一電阻R1。將第一電阻Rl除以2，得到第一裸芯片和第二裸芯片的三極管的漏源開啟電阻參數(shù)Rds。n。測(cè)試步驟T4，是在第一裸芯片和第二裸芯片的柵極控制電壓不相同的情況下，測(cè)試出第二裸芯片的漏源開啟電阻參數(shù)Rds,即第一柵極控制電壓Ugi等于探針卡的電池E 的電壓，第二柵極控制電壓Ug2不等于第一柵極控制電壓Ugi。首先，保持第一裸芯片的三極管的柵極端的第一柵極控制電壓Uei的電壓值，改變第二裸芯片的三極管的柵極端的第二柵極控制電壓Ug2的電壓值，在第二裸芯片的三極管的漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片的三極管的源漏電壓，通過(guò)公式R2 = UDS2/IDSS，計(jì)算出不同柵極控制電壓下第一裸芯片和第二裸芯片串聯(lián)后的第二電阻R2 ；通過(guò)公式R_n = R2-1/2R1，計(jì)算出第二裸芯片的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)Rds,步驟T2、T3，為步驟T4提供第一裸芯片在第一柵極控制電壓Ugi下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw，即第一裸芯片的Rdsw= 1/2R1。由于第一裸芯片的第一柵極控制電壓Uei的電壓值保持不變，因此，第一裸芯片的漏源開啟電阻參數(shù)禮_不變，為1/2R1。改變第二裸芯片的第二柵極控制電壓Ue2后，先測(cè)試并計(jì)算出第一裸芯片和第二裸芯片在不同的柵極控制電壓下串聯(lián)后的第二電阻R2，因此根據(jù)公式Rdson = R2-1/2R1，便可計(jì)算出第二裸芯片的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw。 步驟T5，是步驟T4的重復(fù)測(cè)試過(guò)程，不同之處在于加入的第二柵極控制電壓Ues的電壓值不相同。綜上所述，本發(fā)明裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，僅將相鄰近的兩個(gè)裸芯片正面進(jìn)行測(cè)試，便可得到晶圓中裸芯片的全部晶圓測(cè)試項(xiàng)目，從而根據(jù)晶圓測(cè)試項(xiàng)目參數(shù)判斷裸芯片在不同的柵極控制電壓值范圍內(nèi)為合格品或者不合格品。


圖1是劃片后、未封裝前的晶圓；圖2是圖1中第一裸芯片和第二裸芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3-4是八根探針的探針卡與第一裸芯片和第二裸芯片的電路連接示意圖。圖中所示1、第一裸芯片，2、第二裸芯片，3、晶圓，4、探針卡，5、接口。
具體實(shí)施例方式如圖1-4所示，本發(fā)明裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，采用八根探針的探針卡4壓接在相鄰近的兩個(gè)裸芯片的正面進(jìn)行測(cè)試；其中二根探針的一端壓接在第二裸芯片2的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，另外一端通過(guò)探針卡4與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口 5電連接；其中二根探針的一端壓接在第二裸芯片2的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，其柵極測(cè)試點(diǎn)的供電電壓為第二柵極控制電壓Ue2，另外一端通過(guò)探針卡4與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口 5電連接；其中二根探針的一端壓接在第一裸芯片1的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，另一端通過(guò)探針卡4與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口 5電連接；其中二根探針通過(guò)探針卡4上安裝的電池E串接后，壓接在第一裸芯片1的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，其柵極測(cè)試點(diǎn)的供電電壓為第一柵極控制電壓Ugi ；其測(cè)試步驟如下Tl，測(cè)試出晶圓中第一裸芯片1和第二裸芯片2的三極管的飽和漏極電流Idss、以及除三極管的漏源開啟電阻Rdsw之外的參數(shù)；T2，在第一裸芯片1和第二裸芯片2的三極管的柵極端加入相同的柵極控制電壓、 漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片2的三極管的源漏電壓Uds， 通過(guò)公式Rl = UDS/IDSS，計(jì)算出相同柵極控制電壓下第一裸芯片1和第二裸芯片2串聯(lián)后的第一電阻Rl ；T3，將步驟T2中的第一電阻Rl除以2，得到第一裸芯片1和第二裸芯片2的三極管的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw;T4，保持第一裸芯片1的三極管的柵極端的第一柵極控制電壓Uei的電壓值，改變第二裸芯片2的三極管的柵極端的第二柵極控制電壓Ue2的電壓值，在第二裸芯片2的三極管的漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片2的三極管的源漏電壓 Uds2，通過(guò)公式R2 = UDS2/IDSS，計(jì)算出不同柵極控制電壓下第一裸芯片1和第二裸芯片2串聯(lián)后的第二電阻R2 ；通過(guò)公式Rdsqn = R2-1/2R1，計(jì)算出第二裸芯片2的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw ；
T5，多次改變步驟Τ4中第二裸芯片2的三極管柵極端的第二柵極控制電壓Ug2的電壓值，計(jì)算出不同的第二柵極控制電壓Ue2下，第二裸芯片2的漏源開啟電阻參數(shù)Rds, 其中，除三極管的漏源開啟電阻Rdsqn之外的參數(shù)，包括漏源擊穿電壓U_DS，柵源控制電流Iess。優(yōu)選的，探針卡4上安裝的電池E的電壓范圍為9V到12V，由于第一裸芯片1的第一柵極控制電壓Ugi為探針卡4上的電池E的電壓，因此，使第一裸芯片1的第一柵極控制電壓Ugi的可選擇范圍更寬。優(yōu)選的，第二裸芯片2的三極管的第二柵極控制電壓Ue2的電壓范圍為1.2V到 10V，使第二裸芯片2的第二柵極控制電壓Ug2的可選擇范圍更寬。其中，圖2-4中，SUB為襯底層；EPI為外延生長(zhǎng)層；Sl為第一裸芯片1的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)；Gl為第一裸芯片1的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，Uei為第一裸芯片1的第一柵極控制電壓；S2為第二裸芯片2的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)；G2為第二裸芯片2的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，Ug2為第二柵極控制電壓。其中，圖3-4中，探針卡4的探針D2_f (Sl_f)，D2_s(Sl_s)壓接在第一裸芯片1的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，此第一裸芯片1的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)間接為第二裸芯片2的漏極測(cè)試點(diǎn)；探針卡4的探針S2_f，S2_s壓接在第二裸芯片2的源極測(cè)試點(diǎn)；探針卡4的探針 G2_f，G2_s壓接在第二裸芯片2的柵極測(cè)試點(diǎn)；探針卡4的探針Gl_f，Gl_s壓接在第一裸芯片1的柵極測(cè)試點(diǎn)。本發(fā)明裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，采用八根探針的探針卡4壓接在相鄰近的兩個(gè)裸芯片的正面進(jìn)行測(cè)試，晶圓3的背面不用連接探針或者連接線，從而使測(cè)試機(jī)臺(tái)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；也不需要對(duì)裸芯片的背面進(jìn)行減薄、蒸金工藝。測(cè)試步驟T2、T3，是在第一裸芯片1和第二裸芯片2的柵極控制電壓相同的情況下，測(cè)試出第一裸芯片1和第二裸芯片2的漏源開啟電阻參數(shù)Rds,即第二柵極控制電壓 Ug2等于第一柵極控制電壓Uei等于探針卡4的電池E的電壓。首先，測(cè)試出晶圓3中裸芯片中三極管的飽和漏極電流Idss、漏源擊穿電壓U(_s，柵源控制電流Iess;然后，在第一裸芯片1和第二裸芯片2上分別加入相同的柵極控制電壓，根據(jù)飽和漏極電流Idss測(cè)試出第二裸芯片2的源漏電壓Ues ；之后，根據(jù)公式Rl = UDS/IDSS，計(jì)算出相同柵極控制電壓下第一裸芯片1和第二裸芯片2串聯(lián)后的第一電阻R1。將第一電阻Rl除以2，得到第一裸芯片和1 第二裸芯片2的三極管的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw。測(cè)試步驟T4，是在第一裸芯片1和第二裸芯片2的柵極控制電壓不相同的情況下， 測(cè)試出第二裸芯片2的漏源開啟電阻參數(shù)Rds,即第一柵極控制電壓Ugi等于探針卡4的電池E的電壓，第二柵極控制電壓Ue2不等于第一柵極控制電壓Uei。首先，保持第一裸芯片 1的三極管的柵極端的第一柵極控制電壓Uei的電壓值，改變第二裸芯片2的三極管的柵極端的第二柵極控制電壓Ug2的電壓值，在第二裸芯片2的三極管的漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片2的三極管的源漏電壓Uds2，通過(guò)公式R2 = UDS2/IDSS， 計(jì)算出不同柵極控制電壓下第一裸芯片1和第二裸芯片2串聯(lián)后的第二電阻R2 ；通過(guò)公式 Rdsqn = R2-1/2R1，計(jì)算出第二裸芯片2的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)R_。步驟T2、T3，為步驟T4提供第一裸芯片1在第一柵極控制電壓Ugi下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdmn，即第一裸芯片1的R_n = 1/2R1。由于第一裸芯片1的第一柵極控制電壓 Ugi的電壓值保持不變，因此，第一裸芯片1的漏源開啟電阻參數(shù)Rdmn不變，為1/2R1。改變第二裸芯片2的第二柵極控制電壓Ug2后，由于第一裸芯片1的第一柵極控制電壓Ugi的電壓值保持不變，先測(cè)試并計(jì)算出第一裸芯片1和第二裸芯片2在不同的柵極控制電壓下串聯(lián)后的第二電阻R2 ，因此根據(jù)公式Rdsqn = R2-1/2R1，便可計(jì)算出第二裸芯片2的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw。步驟T5，是步驟T4的重復(fù)測(cè)試過(guò)程，不同之處在于加入的第二柵極控制電壓Ues的電壓值不相同。綜上所述，本發(fā)明裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，僅將相鄰近的兩個(gè)裸芯片正面進(jìn)行測(cè)試，便可得到晶圓中裸芯片的全部晶圓測(cè)試項(xiàng)目，從而根據(jù)晶圓測(cè)試項(xiàng)目參數(shù)判斷裸芯片在不同的柵極控制電壓值范圍內(nèi)為合格品或者不合格品。
權(quán)利要求
1.一種裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，其特征在于采用八根探針的探針卡(4)壓接在相鄰近的兩個(gè)裸芯片的正面進(jìn)行測(cè)試；其中二根探針的一端壓接在第二裸芯片( 的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，另外一端通過(guò)探針卡⑷與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口(5)電連接；其中二根探針的一端壓接在第二裸芯片O)的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，其柵極測(cè)試點(diǎn)的供電電壓為第二柵極控制電壓Ue2，另外一端通過(guò)探針卡(4)與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口(5)電連接；其中二根探針的一端壓接在第一裸芯片(1)的三極管的源極測(cè)試點(diǎn)，另一端通過(guò)探針卡(4)與測(cè)試機(jī)臺(tái)的接口(5)電連接；其中二根探針通過(guò)探針卡(4)上安裝的電池E串接后，壓接在第一裸芯片 (1)的三極管的柵極測(cè)試點(diǎn)，其柵極測(cè)試點(diǎn)的供電電壓為第一柵極控制電壓^ ；其測(cè)試步驟如下Tl，測(cè)試出晶圓中第一裸芯片(1)和第二裸芯片O)的三極管的飽和漏極電流^iss、以及除三極管的漏源開啟電阻Rdsw之外的參數(shù)；T2，在第一裸芯片(1)和第二裸芯片( 的三極管的柵極端加入相同的柵極控制電壓、 漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片( 的三極管的源漏電壓Uds， 通過(guò)公式Rl =UDS/IDSS，計(jì)算出相同柵極控制電壓下第一裸芯片(1)和第二裸芯片(2)串聯(lián)后的第一電阻Rl ；T3，將步驟T2中的第一電阻Rl除以2，得到第二裸芯片(2)的三極管的漏源開啟電阻參數(shù)Rdson ；T4，保持第一裸芯片(1)的三極管的柵極端的第一柵極控制電壓Uei的電壓值，改變第二裸芯片( 的三極管的柵極端的第二柵極控制電壓Ue2的電壓值，在第二裸芯片( 的三極管的漏極端加入步驟Tl中的飽和漏極電流Idss，測(cè)試出第二裸芯片( 的三極管的源漏電壓Uds2，通過(guò)公式R2 = UDS2/IDSS，計(jì)算出不同柵極控制電壓下第一裸芯片(1)和第二裸芯片O)串聯(lián)后的第二電阻R2;通過(guò)公式RDSQN = R2-1/2R1，計(jì)算出第二裸芯片O)的三極管在第二柵極控制電壓Ug2下的漏源開啟電阻參數(shù)Rdsw ；T5，多次改變步驟T4中第二裸芯片( 的三極管柵極端的第二柵極控制電壓Ue2的電壓值，計(jì)算出不同的第二柵極控制電壓^；2下，第二裸芯片(2)的漏源開啟電阻參數(shù)Rds,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，其特征在于所述探針卡(4) 上安裝的電池E的電壓范圍為9V到12V。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，其特征在于所述第二裸芯片(2)的三極管的第二柵極控制電壓Ug2的電壓范圍為1. 2V到IOV0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸芯片的晶圓參數(shù)的測(cè)試方法，其特征在于除三極管的漏源開啟電阻Rdmn之外的參數(shù)，包括漏源擊穿電壓U_DS，柵源控制電流參數(shù)Iess。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓中裸芯片的中測(cè)方法，采用六針探針卡壓接在相鄰近的兩個(gè)裸芯片的正面進(jìn)行測(cè)試；其測(cè)試步驟如下T1，測(cè)試出裸芯片中的柵源控制電流IGSS；T2，將第二裸芯片的第二柵極電壓UG2加入與第一裸芯片的柵極供電電源UG1相同的電壓，通過(guò)R1＝UG1/IGSS，計(jì)算兩個(gè)裸芯片串聯(lián)后的第一電阻R1；T3，將R1除以2，得到兩個(gè)裸芯片的漏源開啟電阻參數(shù)RDSON；T4，多次改變第二裸芯片的第二柵極電壓的電壓，通過(guò)R2＝UG2/IGSS，計(jì)算出兩個(gè)裸芯片串聯(lián)后的第二電阻R2；T5，通過(guò)RDSON＝R2-1/2R1，計(jì)算出第二裸芯片的RDSON參數(shù)。本發(fā)明晶圓中裸芯片的中測(cè)方法，僅需要對(duì)晶圓的正面進(jìn)行單面測(cè)試，便可測(cè)試出晶圓中裸芯片測(cè)試項(xiàng)目，從而判斷裸芯片的為合格品或者不合格品。
文檔編號(hào)G01R31/26GK102157415SQ20111006173
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月15日
發(fā)明者王健 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司