專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件以及一種半導體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
就常規(guī)而言，已經(jīng)有人提出了一種半導體動態(tài)量傳感器，其包括具有梁狀結(jié)構(gòu)的可移動部分和固定部分，并且其通過檢測(例如)可移動部分和固定部分之間的電容的變化來檢測諸如加速度、偏航率、振動等的動態(tài)量(例如，參考專利文獻1到；3)。在文獻1到 3的每一個中，均示出了一種半導體動態(tài)量傳感器，其中在多層SOI襯底上形成各自用作感測部分的具有梁狀結(jié)構(gòu)的可移動部分和固定部分，并且由多晶硅等形成連接各個部分的布線。在專利文獻4中，提出了一種半導體動態(tài)量傳感器，其能夠通過采用帽構(gòu)件覆蓋可移動部分而避免水或外來物質(zhì)進入到該可移動部分中。在專利文獻4所示的半導體動態(tài)量傳感器中，提供了具有大量通孔的帽構(gòu)件，并且直接向設置在形成有可移動部分和固定部分的SOI襯底上的引線鍵合焊盤執(zhí)行引線鍵合，從而采用引線作為布線層的替代品。在專利文獻5中，提出了一種半導體動態(tài)量傳感器，其具有通過在構(gòu)成SOI襯底并設有可移動部分等的硅層上疊置構(gòu)成另一 SOI襯底并通過環(huán)形突起設有信號處理電路的硅層而獲得的結(jié)構(gòu)。在專利文獻6中，提出了環(huán)形突起的另一個例子。在具有這種結(jié)構(gòu)的傳感器中，從信號處理電路提供布線層，以使信號處理電路與外部電連接，并且將布線層交叉地提取到環(huán)形突起的外部，同時使其與環(huán)形突起絕緣。專利文獻1 JP-H9-129898A專利文獻2 JP-H1U95336A專利文獻3 JP-H6-123628A專利文獻4 JP-2004-333133A專利文獻5 JP-2004-311951A
專利文獻 6 JP-Hl 1-94506A然而，在專利文獻1到3中說明的技術(shù)中的每一種的問題在于，由于在形成有感測部分的同一襯底上形成由多晶硅層構(gòu)成的布線層，因而制造過程復雜，進而降低了所制造的半導體動態(tài)量傳感器的成品率。就專利文獻4所述的技術(shù)而言，必須形成大量的延伸穿過帽構(gòu)件的孔。然而，由于使用鍵合工具將鍵合引線連接到引線鍵合焊盤，因而應當形成大尺寸通孔，以避免所述工具與通孔的側(cè)壁表面接觸。這導致了如下問題形成有半導體動態(tài)量傳感器的半導體芯片具有大芯片尺寸。就專利文獻5所述的技術(shù)而言，由于布線層與環(huán)形突起交叉，因而應當采用絕緣體層使突起與布線層隔離，從而使它們相互電絕緣。這導致了半導體動態(tài)量傳感器的結(jié)構(gòu)復雜的問題。因此，要求簡化半導體器件中的傳感器的結(jié)構(gòu)，并減小芯片尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種半導體器件。本發(fā)明的另一目的是提供一種半導體器件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一種半導體器件包括具有表面的板狀傳感器元件，其包括設置在該傳感器元件的表面部分中的傳感器結(jié)構(gòu)；以及結(jié)合到傳感器元件的表面的板狀帽元件。所述帽元件具有面對傳感器元件的布線圖案部分；并且所述布線圖案部分連接傳感器元件的表面的外側(cè)邊緣和傳感器結(jié)構(gòu)，從而使傳感器結(jié)構(gòu)通過所述外側(cè)邊緣與外部元件電耦合。在上述器件中，由于布線圖案部分設置在帽元件中，所以所述傳感器元件不具有復雜的多層結(jié)構(gòu)。因此，簡化了所述傳感器元件的結(jié)構(gòu)。此外，還減小了所述器件的尺寸。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，一種半導體器件包括第一芯片，具有第一表面的板狀第一芯片，其包括設置在該第一芯片的第一表面部分中的第一 IC電路部分；以及具有第二表面的板狀第二芯片，其包括設置在該第二芯片的第二表面部分中的第二 IC電路部分。所述第一芯片還包括第一布線圖案部分，該第一布線圖案部分包括第一絕緣膜、第一布線層、第二絕緣膜和第二布線層。第一絕緣膜設置在第一 IC電路部分上。在第一絕緣膜上對第一布線層進行構(gòu)圖，并使其與第一 IC電路部分耦合。第二絕緣膜設置在第一布線層上。第二絕緣膜具有第一開口，從而使第一布線層通過第一開口從第二絕緣膜露出。第二布線層設置在于第一開口中露出的第一布線層上。所述第二芯片包括第二布線圖案部分，該第二布線圖案部分包括第三絕緣膜、第三布線層、第四絕緣膜和第四布線層。第三絕緣膜設置在第二 IC電路部分上。在第三絕緣膜上對第三布線層進行構(gòu)圖，并使其與第二 IC電路部分耦合。 第四絕緣膜設置在第三布線層上。第四絕緣膜具有第二開口，從而使第三布線層通過所述第二開口從所述第四絕緣膜露出。第四布線層設置在從第二開口露出的第三布線層上。第一芯片的表面面對第二芯片的表面。使第一芯片的第一布線圖案部分的第二布線層與第二芯片的第二布線圖案部分的第四布線層彼此結(jié)合。將每一布線圖案部分設置在相應的芯片上，從而使所述布線圖案部分不設置在相應的電路部分中。因此，簡化了每一電路部分的結(jié)構(gòu)，還減小了器件的尺寸。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，一種半導體器件的制造方法包括制備具有表面的板狀傳感器元件，并在傳感器元件的表面部分中形成傳感器結(jié)構(gòu)；制備具有布線圖案部分的板狀帽元件，并對布線圖案部分進行構(gòu)圖，以便以如下方式使其與傳感器元件結(jié)合利用布線圖案部分將傳感器元件的表面的外側(cè)邊緣連接到傳感器結(jié)構(gòu)；以及使帽元件與傳感器元件結(jié)合，以便將布線圖案部分連接到傳感器結(jié)構(gòu)。在上述方法中，由于傳感器結(jié)構(gòu)僅設置在傳感器元件中，所以傳感器元件不具有復雜的布線結(jié)構(gòu)。因此，簡化了形成傳感器元件的步驟。此外，由于在帽元件中形成了布線圖案部分，因此還簡化了帽元件的形成步驟。因此，簡化了半導體器件的制造方法，并提高了器件的成品率。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，一種半導體器件的制造方法包括制備具有多個各自具有表面的板狀傳感器元件的傳感器晶片，在每一個傳感器元件的表面部分中形成傳感器結(jié)構(gòu)；制備具有多個板狀帽元件的帽晶片，每一個帽元件具有將要與相應的傳感器元件結(jié)合的布線圖案部分，并且對每一個布線圖案部分進行構(gòu)圖，以便連接相應的傳感器元件的外側(cè)邊緣與相應的傳感器結(jié)構(gòu)；使傳感器晶片與帽晶片結(jié)合，以便將每一個布線圖案部分連接到相應的傳感器結(jié)構(gòu)；以及將帽晶片和傳感器晶片劃分為多個傳感器芯片。在上述方法中，簡化了形成傳感器元件的步驟，并且還簡化了形成帽元件的步驟。 因此，簡化了半導體器件的制造方法，并提高了所述器件的成品率。此外，同時形成了多個傳感器芯片。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，一種半導體器件的制造方法包括制備具有表面的板狀第一芯片，在第一芯片的表面部分中形成第一 IC電路部分，并且在第一 IC電路部分上形成第一布線圖案部分，所述第一布線圖案部分包括第一絕緣膜、第一布線層、第二絕緣膜和第二布線層，其中在第一 IC電路部分上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上對第一布線層進行構(gòu)圖，以便使其連接到第一 IC電路部分，第二絕緣膜形成在所述第一布線層上并具有第一開口，以便通過所述第一開口暴露第一布線層，并且將第二布線層形成在通過所述開口從第二絕緣膜露出的第一布線層上；制備具有表面的板狀第二芯片，在第二芯片的表面部分中形成第二 IC電路部分，并且在第二 IC電路部分上形成第二布線圖案部分，所述第二布線圖案部分包括第三絕緣膜、第三布線層、第四絕緣膜和第四布線層，其中在第二 IC電路部分上形成第三絕緣膜，在第三絕緣膜上對第三布線層進行構(gòu)圖，以便使其連接到第二 IC 電路部分，第四絕緣膜形成在所述第三布線層上并具有第二開口，以便通過所述第二開口暴露第三布線層，并且將第四布線層形成在通過第二開口從第四絕緣膜露出的第三布線層上；使第一芯片的表面面對第二芯片的表面，并使第一芯片的第一布線圖案部分的第二布線層與第二芯片的第二布線圖案部分的第四布線層結(jié)合。將每一個布線圖案部分設置在相應的芯片上，從而使所述布線圖案部分不設置在相應的電路部分中。因此，簡化了每一個電路部分的結(jié)構(gòu)，還減小了器件的尺寸。此外，將第一芯片容易地連接到第二芯片。因此，簡化了所述器件的制造方法。


通過以下參考附圖進行的詳細說明，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將變得顯而易見。在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導體動態(tài)量傳感器的平面圖；圖2是沿線II-II的圖1所示的傳感器的截面圖；圖3A是傳感器部分的平面圖，圖IBB是帽部分的平面圖；圖4A到4C是示出制造根據(jù)第一實施例的半導體動態(tài)量傳感器的傳感器部分的步驟的截面圖；圖5A到5D是示出制造根據(jù)第一實施例的半導體動態(tài)量傳感器的帽部分的步驟的截面圖；圖6是示出結(jié)合根據(jù)第一實施例的半導體動態(tài)量傳感器的傳感器部分和帽部分的制造步驟的示圖7是示出形成在單個硅晶片上的多個半導體動態(tài)量傳感器的示圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的第九實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明的第十實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖17A到17C是示出制造根據(jù)第十實施例的傳感器部分的步驟的截面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例的帽部分的平面圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明的第十三實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明的第十四實施例的半導體器件的示意性截面圖；圖22是示出制造圖21所示的半導體器件的步驟的示圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明的第十五實施例的半導體器件的示意性截面圖；圖M是根據(jù)本發(fā)明的第十六實施例的半導體動態(tài)量傳感器的平面圖；圖25是沿圖M的線XXV-XXV的截面圖；圖沈是根據(jù)本發(fā)明的第十七實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖27是根據(jù)本發(fā)明的第十八實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖；圖28A是根據(jù)本發(fā)明的第十九實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性平面圖，圖 28B是沿圖^A的線XXVIIIB-XXVIIIB的截面圖；以及圖29A是根據(jù)本發(fā)明的第二十實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性平面圖，圖 29B是沿圖^A的線XXIX-XXIX的截面圖。
具體實施例方式第一實施例現(xiàn)在參考附圖，將在下文中說明本發(fā)明的第一實施例。作為下文所示的半導體器件的半導體動態(tài)量傳感器是諸如具有可移動部分的加速度傳感器或角速度傳感器(Gyro 傳感器)的動態(tài)量傳感器，其用于檢測(例如)車輛的加速度或角速度。在所述半導體器件中，采用帽保護諸如IC或LSI的集成電路、具有可移動部分的半導體動態(tài)量傳感器(加速度傳感器、角速度傳感器(Gyro傳感器)等)和MEM振蕩器。所述器件適用于加速度傳感器或角速度傳感器(Gyro傳感器)。圖1是根據(jù)第一實施例的半導體動態(tài)量傳感器的平面圖。圖2是沿線II-II的圖 1所示的傳感器1的截面圖。圖3A是傳感器部分10的平面圖，圖:3B是帽部分20的平面圖，各自示出了其中傳感器部分10和帽部分20彼此相對的平面。在圖:3B中，省略了第一絕緣膜22和第二絕緣膜M。在下文中將參考圖1到3說明半導體動態(tài)量傳感器的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，半導體動態(tài)量傳感器包括相互疊置的板狀傳感器部分10和板狀帽部分20。傳感器部分10設有用于檢測諸如加速度的物理量的感測部分。傳感器部分10包括具有第一硅層U、第二硅層12和置于硅層11和12之間的絕緣層13的SOI襯底，以及設置在第一硅層11上的布線層14。對于硅層11和12中的每一個，例如，采用N型單晶硅。 對于絕緣層13，例如，采用Si02。對于布線層14，例如，采用Al。在具有表面并且構(gòu)成SOI襯底的板狀第一硅層11的表面的表面層部分中設置感測部分。具體而言，如圖1所示，第一硅層11形成有可移動電極固定部分15、可移動電極部分16、固定電極部分17、連接部分18和外圍部分19。每一個可移動電極固定部分15呈塊狀，并且設置在絕緣層13上的兩個位置處。將可移動電極部分16設置在這些可移動電極固定部分15之間。如圖3A所示，可移動電極部分16包括連接可移動電極固定部分15的直線部分16a、各自垂直于直線部分16a的彈性部分16b和條狀電極部分16c。作為將可移動電極16設置在可移動電極固定部分15之間的結(jié)果，可移動電極16處于在第二硅層12之上浮動的狀態(tài)。將條狀固定電極部分17設置在絕緣層13上的各自與可移動電極部分16的電極部分16c相對的位置上。盡管本實施例所示的電極部分16c和固定電極部分17各自在數(shù)量上為最小值，但是在實際情況中，按照梳齒結(jié)構(gòu)設置更大數(shù)量的電極部分16c和更大數(shù)量的固定電極部分17，以構(gòu)成梳齒電極，即，電容器。采用這種結(jié)構(gòu)，當半導體動態(tài)量傳感器從外部接收加速度(或角速度)時，可移動電極部分16的彈性部分16b收縮，從而使可移動電極部分16的電極部分16c相對于處于固定位置的固定電極部分17沿可移動電極部分16的直線部分16a延伸的方向移動。因此，通過檢測包括固定電極部分17和電極部分16c的電容器的電容值，可以獲得由半導體動態(tài)量傳感器接收的加速度或角速度。在下文中將各自構(gòu)成梳齒結(jié)構(gòu)的可移動電極固定部分15、可移動電極部分16和固定電極部分17稱為傳感器結(jié)構(gòu)。連接部分18用作使半導體動態(tài)量傳感器與外部電連接的端子。如圖2所示，由于在第一硅層11上設置布線層14，因此可以通過布線層14使半導體動態(tài)量傳感器與外部電連接。如圖3A所示，將外圍部分19設置成環(huán)繞前述傳感器結(jié)構(gòu)一次，還環(huán)繞連接部分18 一次。將容易地認識到，即使在并未完全環(huán)繞連接部分18 —次時，也不存在操作問題。也就是說，通過外圍部分19隔離了設有傳感器結(jié)構(gòu)的區(qū)域和設有與外部連接的連接部分18 的區(qū)域。另一方面，帽部分20避免了水或外來物質(zhì)進入到上述的傳感器結(jié)構(gòu)中，并且其由硅襯底21、第一絕緣膜22、第一布線層23、第二絕緣膜M和第二布線層25構(gòu)成。第一絕緣膜22和第二絕緣膜M可以由相同的材料或不同的材料構(gòu)成。第一布線層23和第二布線層25同樣是這種情況。第一布線層23、第二絕緣膜M和第二布線層25對應于布線圖案部分。硅襯底21具有凹入部分21a，其中四邊形的側(cè)表面朝向其另一側(cè)表面凹入。當帽部分20和傳感器部分10相互重疊時，凹入部分21a從硅襯底21暴露出連接部分18。在硅襯底21與傳感器部分10相對的表面上形成第一絕緣膜22。第一絕緣膜22 使第一布線層23與硅襯底21彼此絕緣。對第一布線層23進行構(gòu)圖，并且將其設置在第一絕緣膜22上。在第一布線層23上形成第二絕緣膜24，以便覆蓋第一布線層23。在第二絕緣膜 24當中，在與固定電極部分17、可移動電極固定部分15和連接部分18相對的相應部分形成開口。對第二布線層25進行構(gòu)圖，并將其設置在由此設有開口的第二絕緣膜M上。也就是說，第二布線層25包括結(jié)合到傳感器部分10的固定電極部分17、可移動電極固定部分15和連接部分18的布線部分25a以及結(jié)合到傳感器部分10的外圍部分19的密封部分 25b。將密封部分2 設置成橫越(traverse)第一布線層23。換言之，將密封部分2 設置成跨越(span over)第一布線層23。在具有這樣的布線結(jié)構(gòu)的第二布線層25中，布線部分2 和密封部分2 距硅襯底21的表面的相應高度是相同的。在本實施例中，在硅襯底21的一個側(cè)表面中設置凹入部分21a，從而未提供與相對于凹入部分21a的外圍部分19對應的第二布線層25。相應地，將第二布線層25設置成至少環(huán)繞傳感器部分10的傳感器結(jié)構(gòu)一次。如上所述，在第二絕緣膜M的開口部分中，使第一布線層23與第二布線層25的布線部分25a電連接。另一方面，在第二絕緣膜M的未開口部分中，即，在第二絕緣膜M 與外圍部分19相對的區(qū)域中，在第二絕緣膜M上形成第二布線層25的密封部分25b，從而使第一布線層23與密封部分2 絕緣。也就是說，可以提供這樣一種布線配置，其中第一布線層23和密封部分2 彼此交叉，并且越過外圍部分19使連接部分18與傳感器單元 10的固定電極部分17和可移動電極固定部分15中的每一個電連接。對于上面分別提到的第一絕緣膜22和第二絕緣膜對，例如，采用SiO2或Si3N4。對于第一布線層23和第二布線層25，例如，采用Al或多晶硅。然后，通過諸如直接結(jié)合的方法將帽部分20的第二布線層25穩(wěn)固地結(jié)合到傳感器部分10的外圍部分19。因此，提供了一種如圖2所示的結(jié)構(gòu)，其中通過傳感器單元10的第二硅層12、絕緣層13和外圍部分19以及通過帽部分20的第二布線層25、第二布線層25 的密封部分25b、第二絕緣膜M和第一絕緣膜22密封傳感器結(jié)構(gòu)。也就是說，通過密封傳感器結(jié)構(gòu)，可以避免水或外來物質(zhì)進入到密封空間中。存在以下情況將所述空間抽空；以及使所述空間含有諸如隊或徹的惰性氣體，或者含有空氣。 在本實施例中，所述空間為真空。另外，如圖1所示，設置在帽部分20的硅襯底21中的凹入部分21a從硅襯底21 暴露出傳感器部分10的連接部分18。如圖2所示，將鍵合引線31鍵合到從硅襯底21露出的連接部分18，以將半導體動態(tài)量傳感器電連接到外部。上文是對根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的總體結(jié)構(gòu)的說明。接下來，將說明制造上述半導體動態(tài)量傳感器的方法。以下假設在單個硅晶片上形成多個傳感器部分10。圖4A到4C是示出制造根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的傳感器部分10的步驟的截面圖。首先，在圖4A所示的步驟中，制備SOI襯底。具體而言，使用單晶硅晶片作為第二硅層12，其作為支撐基底，在支撐基底上形成厚度在0. 1到2 μ m的范圍內(nèi)的S^2膜作為絕緣層13。此外，通過晶片結(jié)合方法將作為第一硅層11的硅層結(jié)合到SiO2膜上，由此制備SOI襯底。在本實施例中，使用電阻率在例如0. 001 Ω · cm到0. 02 Ω · cm的范圍內(nèi)的N型 (100)硅層作為第一硅層11。使用電阻率在例如0.001 Ω · cm到10 Ω .cm的范圍內(nèi)的N 型(100)硅襯底作為第二硅層12。上面分別提到的單晶硅襯底和硅層還可以具有P型導電性。不僅可以使用(100) 型作為結(jié)晶取向，還可以使用其他通常采用的取向作為結(jié)晶取向?？梢匀菀椎乩斫?，還可以通過采用CVD法等不僅沉積單晶硅而且沉積含有高濃度的雜質(zhì)的多晶硅作為硅來形成SOI 襯底。除了硅襯底之外，還可以采用玻璃襯底、金屬、陶瓷、其他半導體材料等?？梢詫⒌谝缓偷诙鑼?1和12中的每一個的厚度任意設置為在Iym到500 μπι的范圍內(nèi)的值。在圖4Β所示的步驟中，例如，通過CVD法在SOI襯底的第一硅層11上形成厚度在 0. Ιμπι到2μπι的范圍內(nèi)的Al層作為布線層14。在這種情況下，在第一硅層11的整個表面上形成布線層14。接下來，在圖4C所示的步驟中，通過光刻/蝕刻步驟在布線層14和第一硅層11中的每一個中形成溝槽，以形成固定電極部分17、可移動電極固定部分15、外圍部分19和連接部分18。在這種情況下，通過利用氣相或液相HF (氟化氫)蝕刻劑去除第一硅層11用作可移動電極部分16的部分和第二硅層12之間的絕緣層13來形成可移動電極部分16。通過上述步驟，完成半導體動態(tài)量傳感器的傳感器部分10。接下來，將說明制造帽部分20的方法。以下假設在單個硅晶片上形成多個帽部分 20。圖5Α到5D是示出制造根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的帽部分20的步驟的截面圖。首先，在圖5Α所示的步驟中，制備電阻率例如為0.01 Ω 的取向為(100)面的作為所謂的硅晶片的單晶硅襯底21。在硅襯底21上，形成厚度在1 μ m到2 μ m的范圍內(nèi)的 Si3N4膜作為第一絕緣膜22?？梢酝ㄟ^LPCVD法或等離子體CVD法形成Si3N4膜。在圖5B所示的步驟中，在第一絕緣膜22上形成厚度在0. 1 μ m到2 μ m的范圍內(nèi)的Al層，并通過光刻/蝕刻步驟對其進行構(gòu)圖，以形成第一布線層23。還可以利用由諸如不銹鋼的金屬構(gòu)成的多孔掩模來使用所謂的掩模氣相沉積法。在圖5C所示的步驟中，在第一布線層23和第一絕緣膜22上形成厚度在0. 5 μ m 到4 μ m的范圍內(nèi)的SW2膜作為第二絕緣膜24。將第二絕緣膜M形成為具有充分大于第一布線層23的厚度，在整個晶片上通過CMP法對第二絕緣膜M的表面進行平坦化。不對第二絕緣膜M進行平坦化，可以在將要于下一步驟中形成的整個表面上形成充分厚的第二布線層25，通過CMP法對第二布線層25的整個表面進行平坦化，然后通過光刻/蝕刻步驟對第二布線層25進行構(gòu)圖。通過對SW2膜進行構(gòu)圖，在面對傳感器部分10的固定電極部分17、可移動電極固定部分15和連接部分18的SiO2膜的相應部分中形成暴露第一布線層23的開口部分Ma。開口部分2 不必一定形成在恰好與傳感器部分10的固定電極部分17、可移動電極固定部分15和連接部分18相對的位置上，其也可以形成在與恰好相對的位置偏離的位置上。開口部分2 在第一布線層23和將要在下一步驟中形成的第二布線層25之間提供接觸。這時，已經(jīng)以相同的方式部分去除了第二絕緣膜M至少對應于可移動電極部分16的電極部分16c的部分。這是為了使可移動電極部分16的電極部分16c不太可能與帽部分20發(fā)生接觸。
在圖5D所示的步驟中，通過形成Al層并對其進行構(gòu)圖的方法或者通過采用掩模的方法形成各自作為第二布線層25的布線部分2 和密封部分25b。因此，連接第二布線層25的布線部分2 和第一布線層23，以在第二絕緣膜M提供了開口部分Ma的部分中導電。在這種情況下，將布線部分2 和密封部分2 形成為使得布線部分2 和密封部分2 距硅襯底21的表面的高度相等。根據(jù)需要，密封部分2 可以是電浮置的，或者可以處于預定電勢(例如地電勢)下。通過上述步驟，完成了半導體動態(tài)量傳感器的帽部分20。還可以采用玻璃襯底、金屬、陶瓷或者硅襯底21以外的其他半導體材料作為帽部分 20的襯底。接下來，如圖6所示，將傳感器部分10和帽部分20彼此結(jié)合。具體而言，使傳感器部分10的布線層14與帽部分20的第二布線層25具有相對關(guān)系，通過在真空中利用氬離子等進行濺射來激勵它們各自的表面，然后通過所謂的直接結(jié)合法在從室溫到500°C的范圍內(nèi)的溫度下使布線層14和25穩(wěn)固結(jié)合，如JP-H10-92702 A所示。通過這種方式，使傳感器部分10的外圍部分19和帽部分20的密封部分2 結(jié)合，以密封傳感器結(jié)構(gòu)。另一方面，通過將傳感器部分10的固定電極部分17、可移動電極固定部分15和連接部分18結(jié)合到帽部分25的布線部分25a，可以電連接傳感器部分10的傳感器結(jié)構(gòu)和連接部分18。在本實施例中，通過如上所述的直接結(jié)合使傳感器部分10和帽部分20結(jié)合。然而，也可以通過例如在傳感器部分10的布線層14和帽部分20的第二布線層25上形成由 m、Cu、Au等構(gòu)成的金屬層而執(zhí)行焊接連接等?；蛘撸€可以使用諸如銀膏的導電粘合劑提供連接，以代替執(zhí)行焊接連接。根據(jù)所述方法，在上述直接結(jié)合的情況下，布線部分2 和密封部分2 距硅襯底21在帽部分20的第二布線層25中的表面的高度必須相等。然而， 在使用焊接連接或?qū)щ娬澈蟿┑那闆r下，焊料或粘合劑起著調(diào)節(jié)布線部分2 和密封部分 25b的相應高度的作用，從而布線部分2 和密封部分2 距硅襯底21的表面的高度不一定相等。也就是說，在使用焊接連接和導電粘合劑的情況下，可以通過將帽部分20壓在傳感器部分10上來密封傳感器結(jié)構(gòu)。如上所述，在相應的硅晶片上形成傳感器部分10和帽部分20，然后使它們相互疊置。因此，如圖7所示，在晶片40上形成多個半導體動態(tài)量傳感器。因此，通過經(jīng)由切割成小片來切割圖7所示的晶片40，可以在每一芯片的基礎上劃分晶片40，以提供獨立的半導體動態(tài)量傳感器。應該注意的是，在實際情況下，在晶片40上形成傳感器部分10和帽部分20，使得在其中包括幾百個半導體動態(tài)量傳感器，最終在每一芯片的基礎上劃分晶片40。另一方面， 如圖6所示，還可以通過分立地形成傳感器部分10和帽部分20，并使獨立的傳感器部分10 和獨立的帽部分20結(jié)合來制造半導體動態(tài)量傳感器。此后，將每一個半導體動態(tài)量傳感器安裝在電路板等(未示出)上，并對連接部分 18和電路(未示出)進行引線鍵合，以允許將在傳感器結(jié)構(gòu)中根據(jù)物理量產(chǎn)生的電信號輸出到半導體動態(tài)量傳感器的外部。如上所述，本實施例的特征在于在與傳感器部分10相對的半導體動態(tài)量傳感器的帽部分20的表面上設置多層結(jié)構(gòu)，其包括第一絕緣膜22、第一布線層23、第二絕緣膜M 和第二布線層25。這消除了在設有用作感測部分的傳感器結(jié)構(gòu)的傳感器部分10中設置復雜的布線層的必要性，實現(xiàn)了傳感器部分10的結(jié)構(gòu)的簡化，由此實現(xiàn)了半導體動態(tài)量傳感器的結(jié)構(gòu)的簡化。通過提供具有布線層的帽部分20，并使其起著密封件的作用，而使為傳感器部分 10提供布線層的步驟變得沒有必要，而且也不再需要為傳感器部分10提供多層結(jié)構(gòu)。因此，可以簡化傳感器部分10的制造過程，并且還簡化了整個半導體動態(tài)量傳感器的制造過程。這樣能夠提高半導體動態(tài)量傳感器的成品率，并且降低成本。此外，各自構(gòu)成第二布線層25的布線部分2 和密封部分2 距硅襯底21的表面的高度相等。這允許通過僅使傳感器部分10和帽部分20結(jié)合，由布線部分2 使連接部分18和傳感器結(jié)構(gòu)電連接，這還允許通過密封部分2 密封傳感器結(jié)構(gòu)。此外，在帽部分20中設置凹入部分21a，以便從其中暴露傳感器部分10的連接部分18。該布置能夠使用于執(zhí)行引線鍵合的工具避免與帽部分20發(fā)生接觸，還能夠容易地實現(xiàn)到連接部分18的引線鍵合。因此，沒有必要為帽部分20提供用于引線鍵合的通孔。這樣可以避免帽部分20的尺寸的增大，由此實現(xiàn)了芯片尺寸的減小。第二實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第一實施例的半導體器件不同的部分。在上述的第一實施例中，為半導體動態(tài)量傳感器的傳感器部分10提供了用于實現(xiàn)與外部的電連接的連接部分18。本實施例具有允許從帽部分20與外部電連接的特征結(jié)構(gòu)。圖8是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，提供了這樣一種結(jié)構(gòu)，其中未提供圖2所示的傳感器部分10的連接部分18，傳感器部分10只具有由外圍部分19所包圍的部分。另一方面，帽部分20具有與第一實施例相同的結(jié)構(gòu)。因此，如圖8所示，未設有連接部分18的傳感器部分10的尺寸小于圖2所示的傳感器部分的尺寸。在通過帽部分20的密封部分2 密封傳感器部分10的傳感器結(jié)構(gòu)時， 暴露了結(jié)合到圖2所示的傳感器部分10的連接部分18的帽部分20的布線部分25a。在本實施例中，在傳感器部分10中采用暴露的(即未被密封)的布線部分2 作為焊盤。如圖8所示，將鍵合引線31連接到所暴露的布線部分25a，以使半導體動態(tài)量傳感器與外部電連接。通過這種方式，可以將帽部分20的布線部分2 連接到外部。在這種情況下，傳感器部分10的尺寸小于第一實施例中的尺寸，而帽部分20的尺寸則保持不變。這實現(xiàn)了圖2所示的半導體動態(tài)量傳感器的尺寸的減小。此外，在本實施例中，在傳感器部分10中提供在第一實施例中設置在帽部分20的硅襯底21中的凹入部分21a。在獨立組裝而非晶片到晶片組裝的情況下，還可以除去凹入部分21a。第三實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第二實施例的半導體器件不同的部分。圖9是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。本實施例具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中未在圖8所示的傳感器部分10中的第一硅層11上設置布線層14，并且將帽部分20的第二布線層25的布線部分2 和密封部分2 直接連接到傳感器部分10的第一硅層11。具體地，在第一硅層11中使用P型硅并且采用Al層作為第二布線層25的情況下，硅的電阻率在0.01到1Ω · cm的范圍內(nèi)，從而與利用N型硅相比更容易形成歐姆接觸。相應地，可以采用具有相對較低濃度的P型硅。
在將帽部分20結(jié)合到具有這樣的結(jié)構(gòu)的傳感器部分10時，可以在室溫下將Al層直接結(jié)合到硅層上。在這種情況下，可以消除熱處理等步驟的必要性，從而簡化了制造過程。此外，由于傳感器部分10不必設有布線層14，因此可以省略制造布線層14的步驟，并且還簡化了傳感器部分10的結(jié)構(gòu)。第四實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第一實施例的半導體器件不同的部分。本實施例的特征在于在半導體動態(tài)量傳感器中，尤其是在帽部分20中設置IC電路部分。圖10是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在構(gòu)成帽部分20的硅襯底21的與設有絕緣膜22的表面相對的表面上設置IC電路50。IC電路部分50設有電路，例如用于放大等效于由傳感器部分10檢測到的物理量的信號的放大電路和用于基于該信號執(zhí)行數(shù)學運算的數(shù)學運算電路。在帽部分20的制造過程中，尤其是在形成包括第一布線層23的多層布線之前形成IC電路部分50。將引線32連接到IC電路部分50。例如，將引線連接到傳感器部分10的連接部分 18，連接到設置在半導體動態(tài)量傳感器外部的電路，等等。因此，可以實現(xiàn)在帽部分20中設置IC電路部分50的結(jié)構(gòu)。第五實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第四實施例的半導體器件不同的部分。圖11是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在帽部分20的硅襯底21 的與傳感器部分10相對的表面上設置IC電路部分50。然后，形成第一絕緣膜22，以覆蓋包括IC電路部分50的硅襯底21的表面，并在其上依次形成第一布線層23、第二絕緣膜M和第二布線層25。在這種情況下，在第一絕緣膜 22中設置未示出的開口，并且可以采用所謂的IC芯片制造法。此外，由Al或Cu形成IC芯片的布線層，從而還可以使用多層布線層。在IC電路50和第一布線層23之間通過開口提供電連接。帽部分20的這種結(jié)構(gòu)允許在硅襯底21的表面上設置IC電路部分50之后立即執(zhí)行設置第一絕緣膜22的步驟。此外，不必將引線32連接到IC電路部分50。通過這種方式，可以簡化制造根據(jù)第四實施例的帽部分20的步驟。第六實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第三實施例的半導體器件不同的部分。圖12是示出根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，將帽部分20結(jié)合到未設有連接部分18的傳感器部分10。在帽部分20的硅襯底21的與傳感器部分10相對的表面上設置IC電路部分50。通過這種方式，可以實現(xiàn)在圖9所示的結(jié)構(gòu)中設置IC電路部分50的結(jié)構(gòu)。這同樣適用于圖8所示的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，如圖10所示，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中設置IC電路部分50。第七實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第一實施例的半導體器件不同的部分。圖13是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在傳感器部分10中設置多個連接部分18。在本實施例中，除了圖2所示的單向連接部分18之外，還提供雙向連接部分18。 這允許從傳感器部分10沿多個方向連接引線31。在這種情況下，在帽部分20中，沿著在傳感器部分10中設置連接部分18的方向形成第一布線層23，以便跨越傳感器部分10的外圍部分19。而且在本實施例中，第二布線層25的布線部分2 和密封部分2 距硅襯底21 的表面的高度相等。因此，可以在傳感器部分10中沿多個方向設置連接部分18。還可以將本實施例應用于圖8所示的第二實施例，并沿多個方向設置連接部分18。還可以形成環(huán)繞整個傳感器部分10—次的外圍部分，并通過將引線(未示出)連接到外圍部分19而屏蔽外圍部分19 的內(nèi)部。而且在本實施例中，可以按照與(例如)第四和第五實施例相同的方式實現(xiàn)在帽部分20中設置IC電路部分50的結(jié)構(gòu)。第八實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第七實施例的半導體器件不同的部分。圖14是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在帽部分20的硅襯底21 的與傳感器部分10相對的表面中設置凹入部分21a。在由密封部分25b圍繞的區(qū)域中設置凹入部分21a。具體地，在所圍繞的區(qū)域中， 在結(jié)合了布線部分2 和傳感器部分10的部分以外的硅襯底21的區(qū)域中，S卩，在與傳感器部分10的第二硅層12相對的硅襯底21中形成凹入部分21a。還在硅襯底21的與可移動電極部分16相對的區(qū)域中設置凹入部分21a。凹入部分21a降低了設置在傳感器部分10中的傳感器結(jié)構(gòu)從帽部分20接收的電或機械接觸等的影響。因此，在圖14所示的結(jié)構(gòu)中，在硅襯底21中設置三個凹入部分21a。 然而，至少在與檢測物理量的可移動電極部分16相對的區(qū)域中設置凹入部分21a就足夠了。因此，可以在帽部分20的硅襯底21中設置凹入部分21a，并減小從硅襯底21到傳感器結(jié)構(gòu)的影響。例如，還可以為圖14所示的上述結(jié)構(gòu)提供圖10所示的IC電路部分50?；蛘撸€可以通過除去傳感器部分10的連接部分18實現(xiàn)圖8和圖9所示的結(jié)構(gòu)。第九實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第一實施例的半導體器件不同的部分。本實施例的特征在于將帽部分20的硅襯底21和傳感器部分10的外圍部分19設置為處于相同的電勢下。圖15是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在各自構(gòu)成帽部分20的與設置在第一硅層11的外緣部分處的外圍部分19相對的第一絕緣膜22 和第二絕緣膜M的相應部分中設置開口部分2 和開口部分Ma。在開口部分2 和2 中，分別形成導電接觸部分26和27。形成在第一絕緣膜22的開口部分2 中的導電接觸部分沈?qū)诘谝粚щ娊佑|部分。形成在第二絕緣膜M的開口部分Ma中的導電接觸部分27對應于第二導電接觸部分。導電接觸部分沈起著電連接硅襯底21和第一布線層23的作用。導電接觸部分27起著電連接第一布線層23和第二布線層25的布線部分25a的作用。通過這樣的結(jié)構(gòu)， 使硅襯底21、導電接觸部分沈、第一布線層23、導電接觸部分27、布線部分25a、布線層14 和第一硅層11的外圍部分19處于導電狀態(tài)，并將其設置為處于相同的電勢下。在該結(jié)構(gòu)中，沿設置在第一硅層11的外緣部分的整個外圍部分19設置這些導電接觸部分沈和27。然而，也可以沿外圍部分19的一部分設置導電接觸部分沈和27。另一方面，可以通過例如利用銀膏等將第二硅層12連接到引線框架上來設置傳感器部分10的第二硅層12的電勢。因此通過為帽部分20的布線層提供電連接外圍部分19和硅襯底21的導電接觸部分沈和27，可以實現(xiàn)為半導體物理量傳感器提供了屏蔽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。應該注意的是，還可以在圖15所示的半導體動態(tài)量傳感器中實現(xiàn)在第二到第八實施例中已經(jīng)實現(xiàn)了的內(nèi)容。第十實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第九實施例的半導體器件不同的部分。本實施例的特征在于在傳感器部分10中使第一硅層11的外圍部分19與第二硅層12電連接。圖16是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。圖16所示的半導體物理量傳感器具有通過為圖15所示的結(jié)構(gòu)的外圍部分19和第二硅層12之間的絕緣層 13提供用于使外圍部分19和第二硅層12電連接的襯底接觸部分Ila而實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。襯底接觸部分Ila例如由多晶硅形成?？梢匝卦O置在第一硅層11中的整個外圍部分19，或者沿外圍部分19的一部分形成襯底接觸部分11a。接下來，將說明根據(jù)本實施例的傳感器部分10的制造方法。圖17A到17C是示出制造根據(jù)本實施例的傳感器部分10的步驟的截面圖。首先，在圖17A所示的步驟中，制備支撐基底作為第二硅層12，并在支撐基底上形成厚度為0. 1 μ m到2 μ m的S^2膜作為絕緣層13。然后，通過光刻/蝕刻步驟，在設置外圍部分19的絕緣層13的區(qū)域中設置暴露第二硅層12的開口部分13a。接下來，在圖17B所示的步驟中，通過例如CVD法在絕緣層13上沉積厚度為3 μ m 到100 μ m的多晶硅層作為第一硅層11。在通過CVD法形成多晶硅層的過程中，通過同時提供P、As、B等作為雜質(zhì)能夠獲得具有高濃度和低電阻的摻雜多晶硅。通過這種方式，在設置在絕緣層13中的開口部分13a中形成襯底接觸部分11a，并且形成第一硅層11。然后，按照與圖4B所示的步驟相同的方式在第一硅層11上形成布線層14。之后，在圖17C所示的步驟中，通過執(zhí)行與圖4C所示的步驟相同的步驟，在第一硅層11中形成外圍部分19和傳感器結(jié)構(gòu)。通過這種方式，可以獲得具有設置在外圍部分19 和第二硅層12之間的襯底接觸部分11a，并使外圍部分19和第二硅層12電連接的結(jié)構(gòu)，由此完成根據(jù)本實施例的傳感器部分10。因此通過將電連接外圍部分19和第二硅層12的襯底接觸部分Ila設置成位于其間，可以將第二硅層12設置為處于與帽部分20的硅襯底21相同的電勢下，并且可以形成屏蔽結(jié)構(gòu)。由于著允許第二硅層12減小來自外部的影響，因此可以獲得比圖15所示的結(jié)構(gòu)更高的屏蔽效果。在所述制造方法中，在通過CVD法形成多晶硅層的情況下，當在例如 900°C到1200°C的范圍內(nèi)的較高溫度下形成多晶硅層時，可以通過外延生長形成由單晶硅形成襯底接觸部分Ila的一部分。第—^一實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第九和第十實施例的半導體器件不同的部分。在上述的根據(jù)第九和第十實施例的結(jié)構(gòu)中，沿位于第一硅層11的外緣部分的整個外圍部分 19或者沿外圍部分19的一部分設置導電接觸部分沈和27。然而，還可以采取其中在一處設置導電接觸部分的結(jié)構(gòu)。圖18是根據(jù)本實施例的帽部分20的平面圖。如圖所示，僅在密封部分25b中的一處設置導電接觸部分觀。也可以在多處設置這樣的導電接觸部分觀。因此，可以在一個位置單獨地設置導電接觸部分28。第十二實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第六實施例的半導體器件不同的部分。本實施例的特征在于利用突起設置結(jié)合到帽部分20的傳感器部分10。圖19是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在傳感器部分10中的連接部分18上設置用于倒裝安裝(球結(jié)合)的突起60。更具體而言，在連接部分18的由Al構(gòu)成的布線層14上設置突起60。在傳感器部分10中形成多個突起60。形成厚度在例如10 μ m到100 μ m的范圍內(nèi)的帽部分20。另一方面，形成相對于傳感器部分10高于帽部分20的突起60。例如，形成Au球作為突起60。還可以形成由Cu構(gòu)成的突起60。在突起60上，倒裝安裝電路板70。由于突起60相對于傳感器部分10高于帽部分 20，因此可以結(jié)合平的電路板70。在將突起60的高度設置為例如大約30 μ m時，可以實現(xiàn)小規(guī)模的倒裝安裝(球結(jié)合)。盡管在帽部分20中形成IC電路部分50，但是帽部分20不必設有IC電路部分50。如下形成突起60。制備SOI襯底，并在第一硅層11上形成布線層14。然后，在布線層14上形成抗蝕劑，并對其進行構(gòu)圖，以暴露將要形成突起60的布線層14的區(qū)域。此后，例如，相對于抗蝕劑的上表面執(zhí)行Cu電鍍，然后去除抗蝕劑。結(jié)果，將突起60留在了抗蝕劑具有開口的布線層14的區(qū)域上。通過這種方式，可以形成突起60。然后，在形成突起60之后，如上所述，將帽部分20結(jié)合到傳感器部分10。此后，制備電路板70，并通過突起60將其倒裝安裝在傳感器部分10上，由此完成了圖19所示的傳感器。因此通過為傳感器部分10提供突起，可以將電路板70倒裝安裝在傳感器部分10 上，并且可以進一步實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)。第十三實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第十二實施例的半導體器件不同的部分。在上述第十二實施例中，將突起60形成為相對于傳感器部分10高于帽部分20。在本實施例中，相反，將突起60形成為低于帽部分20。圖20是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，將突起 60形成為相對于傳感器部分10低于帽部分20。另一方面，在電路板70的與帽部分20相對的表面中形成凹陷部分71。因此，即使在將電路板70倒裝安裝在傳感器部分10上時，也可以使帽部分20包含在電路板71中的凹陷部分71中。因此，可以在不接觸帽部分20的
17情況下將電路板70安裝在傳感器部分10上。電路板70中的凹陷部分71還穿過電路板70延伸。在這種情況下，這相當于在電路板70中設置開口。然而，由于帽部分20包含在開口中，因此可以按照與上述相同的方式使電路板70避免與帽部分20接觸。因此，即使在突起60相對于傳感器部分10低于帽部分20時，也可以通過在電路板70中設置凹陷部分71或者開口將電路板70倒裝安裝在傳感器部分10上。第十四實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)每一實施例的半導體器件不同的部分。本實施例的特征在于使兩個具有相應的布線圖案部分的芯片結(jié)合，以構(gòu)成半導體器件。圖21是根據(jù)本實施例的半導體器件的示意性截面圖。如圖所示，半導體器件包括彼此結(jié)合的第一芯片80和第二芯片90。具有表面的第一芯片80具有板狀外形，并且具有設置在所述表面的表面層中的第一 IC電路部分81。第一芯片80具有布線圖案部分82，其結(jié)構(gòu)與圖2所示的布線圖案部分相同。具體地，在第一 IC電路部分81上形成第一絕緣膜83。在第一絕緣膜83上，對將要連接到第一 IC部分81的第一布線層84進行構(gòu)圖。此外，在第一布線層84上形成具有暴露第一布線層84的開口部分85a的第二絕緣膜85。在從開口部分8 暴露的第一布線層84上，形成第二布線層86。盡管在圖21中未示出，但是將布線圖案部分82電連接到第一 IC電路部分81。同樣地，具有表面的第二芯片90具有板狀外形，并且具有設置在所述表面的表面層部分中的第二 IC電路部分91。第二芯片90還具有形成在第二 IC電路部分91上的布線圖案部分92，其結(jié)構(gòu)與上述布線圖案部分82相同。具體地，在第二 IC電路部分91上形成第一絕緣膜93。在第一絕緣膜93上，對將要連接到第二 IC部分91的第一布線層94進行構(gòu)圖。此外，在第一布線層94上形成設有暴露第一布線層94的開口 9 的第二絕緣膜95。在從開口部分9 暴露的第一布線層94 上，形成第二布線層96。將容易地認識到，將布線圖案部分92電連接到第二 IC電路部分 91。使第一芯片80的表面和第二芯片90的表面具有彼此面對的取向，并使第一芯片 80的布線圖案部分82的第二布線層86與第二芯片90的布線圖案部分92的第二布線層 96彼此結(jié)合。第一芯片80的尺寸小于第二芯片90的尺寸，從而使第二芯片90的第二布線層96 從第一芯片80中暴露出來。將鍵合引線31連接到所暴露的第二布線層96，以使半導體器件與外部電連接。如下制造具有這種結(jié)構(gòu)的半導體器件。如圖22所示，制備形成有第一 IC電路部分81和布線圖案部分82的第一芯片80，以及形成有第二 IC電路部分91和布線圖案部分 92的第二芯片90。在第一芯片80中，第二布線層86的高度在任何位置上均相對于第一芯片80的表面相同。同樣地，在第二芯片90中，第二布線層96的高度也在任何位置上均相對于第二芯片90的表面相同。
圖22所示的芯片80和90均在晶片狀態(tài)下形成。在形成有大量的第一芯片80的晶片中，在設置鍵合弓I線的各個部分中形成通孔。然后，在室溫下結(jié)合獨立的晶片。此時，使第一芯片80的布線圖案部分82的第二布線層86與第二芯片90的布線圖案部分92的第二布線層96彼此結(jié)合。此后，通過切割成小片來切割并劃分每一個晶片，由此完成圖21所示的每一個半導體器件。因此，通過為各個芯片80和90提供相應的布線圖案部分82和92，并且使獨立的布線圖案部分82和92彼此結(jié)合，可以形成每一個半導體器件。在這種情況下，由于沒有必要在每一電路部分81和91中設置復雜的布線圖案，因此可以避免電路部分81和91占據(jù)的面積增大，并由此避免芯片80和90中的每一個的尺寸增大。此外，由于只結(jié)合了獨立的芯片80和90的布線圖案部分82和92，因此可以簡化半導體器件的制造過程。第十五實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第十四實施例的半導體器件不同的部分。本實施例的特征在于布線圖案部分82和92設有相應的密封部分。圖23是根據(jù)本實施例的半導體器件的示意性截面圖。如圖所示，在第一芯片80 中，在布線圖案部分82的第二絕緣膜85上形成密封部分86a。如圖所示，密封部分86a 具有一端與其另一端連接的環(huán)形形狀。在第二絕緣膜85上形成密封部分86a，從而使其與第一布線層84電絕緣，并且具有與第二布線層86相同的高度。同樣地，在第二芯片90中，還在第二絕緣膜95上形成與上述密封部分86a相同的密封部分96a。使獨立的第二布線層86和96結(jié)合，并使獨立的密封部分86a和96a結(jié)合，以密封由密封部分86a和96a、第一絕緣膜83和93以及第二絕緣膜85和95限定的空間。因此通過為獨立的布線圖案部分82和92提供與第二布線層86和96具有相同高度的環(huán)形密封部分86a和96a，可以避免來自外部的水蒸氣、濕氣、離子等的進入，并且可以保護密封空間不受外部的影響。由于密封空間不受來自外部的影響，例如，溫度等的影響，因此可以避免獨立的電路部分81和91的特性的變化。第十六實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)每一實施例的半導體器件不同的部分。在上述的每一實施例中，通過舉例的方式示出檢測平行于傳感器部分10的表面的方向上的加速度的半導體動態(tài)量傳感器或半導體器件。在本實施例中，相反，將說明檢測垂直于傳感器部分 10的表面的方向上的加速度的半導體動態(tài)量傳感器。圖M是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的平面圖。圖25是沿圖M的線 XXV-XXV的截面圖。盡管在圖M的平面圖中主要示出了傳感器部分10，但是在其中還示出了帽部分20的第一布線層23的一部分。如圖M所示，在由外圍部分19環(huán)繞的傳感器部分10的區(qū)域中設置梁部分100和可移動電極110。如圖25所示，在由SiO2等構(gòu)成的絕緣層13上形成每一個梁部分100。通過將第一硅層11的一部分蝕刻成圖M所示的板狀外形來形成可移動部分110?？梢苿硬糠?10使其側(cè)表面連接到梁部分100?？梢苿与姌O110設有大量的通孔111。在可移動電極110上留下布線層14。
去除可移動電極110和第二硅層12之間的絕緣層13，從而使可移動電極110處于在第二硅層12之上浮置的狀態(tài)。也就是說，在可移動電極110之下形成高度對應于可移動電極110和第二硅層12之間的絕緣層13的厚度的下部縫隙。另一方面，在可移動電極 110上的布線層14和帽部分M的第二絕緣膜M之間形成高度對應于第二布線層25的厚度的上部縫隙。因此，可移動電極Iio用作可以沿圖25所示的箭頭指示的方向，即沿垂直于傳感器部分10的表面的方向移動的軸。以下將垂直于傳感器部分10的表面的方向稱作 Z軸。通過結(jié)合到外圍部分19的密封部分2 環(huán)繞梁部分100和可移動電極110，并將
其設置在密封空間中。此外，帽部分20具有第一布線層23，其形成在當使帽部分20和傳感器部分10彼此結(jié)合時與可移動電極110相對的位置處。將第一布線層23夾在第一絕緣膜22和第二絕緣膜M之間。使用第一布線層23作為上部電極(固定電極)并且使用可移動電極110作為下部電極來形成電容器。在這種半導體器件中，在可移動電極110沿Z軸方向振動時，檢測第一布線層23 和可移動電極Iio之間的距離的變化。更具體而言，檢測可移動電極110上的布線層14和第一布線層23之間的距離的變化。也就是說，通過檢測隨距離的變化而變化的電容器的電容獲得Z軸方向上的加速度。例如，可以通過與圖1所示的可移動電極部分16相同的制造方法形成可移動電極 110。本實施例示出了均形成為具有與SOI襯底的第一硅層11相同的厚度的梁部分100。 然而，也可以根據(jù)需要減小每一個梁部分100的厚度。在這種情況下，重要的是無波動地精確地形成在可移動電極110和第一布線層23之間的縫隙，其用于檢測Z軸方向上的電容。 本實施例使用CVD多層沉積法、濺射法等，這允許形成均具有精確厚度的梁部分100。如上所述，可以使用帽部分20的第一布線層23的一部分作為用于檢測加速度的傳感器的固定電極，并且可以檢測Z軸方向上的加速度。此外，可以通過密封部分2 密封梁部分100和可移動電極110。這可以避免可移動電極110受到外部的影響，并提高加速度檢測的準確度。第十七實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第十六實施例的半導體器件不同的部分。圖沈是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在本實施例中，從可移動電極110上方去除布線層14。因此，形成高度對應于第二布線層25和從可移動電極110上方去除的布線層14的組合厚度的上部縫隙。因此，與在可移動電極110上形成布線層14 的情況相比，第二絕緣膜M和可移動電極110之間的縫隙沿垂直方向更寬。因此，可以避免沿Z軸方向移動的可移動電極110與第二絕緣膜M接觸。此外，還從外圍部分19上方去除布線層14。因此，從第一硅層11去除布線層14 的未結(jié)合到帽部分20的部分。換言之，僅在第一硅層11上設置布線層14的結(jié)合到帽部分 20的第二布線層25的布線部分2 和密封部分25b的部分。因此，通過僅在使傳感器部分10和帽部分20結(jié)合所需的第一硅層11的區(qū)域中形成布線層14，可以減小硅和金屬之間的熱膨脹系數(shù)的差異的影響。第十八實施例
在本實施例中，將只說明與根據(jù)第十七實施例的半導體器件不同的部分。圖27是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性截面圖。如圖所示，在本實施例中，在與可移動電極110相對的第二絕緣膜M的區(qū)域中形成反電極25c。與布線部分25a同時，在第二絕緣膜M上形成反電極25c作為第二布線層25。通過設置在第二絕緣膜M中的開口部分 2 將反電極25c電連接到第一布線層23。例如，反電極25c由Al和多晶硅形成。布線層14也由Al和多晶硅形成。在本實施例中，從可移動電極100去除布線層14，從而形成高度對應于從可移動電極110去除的布線層14的厚度的上部縫隙。通過檢測可移動電極110和反電極25c之間的距離的變化檢測Z軸方向上的加速度。因此，通過在第二絕緣膜M上設置反電極25c，可以使可移動電極110和反電極 25c之間的距離減小到比使用第一布線層23作為固定電極的情況要小的值。因此，可以使檢測到的值的輸出范圍變寬。第十九實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第十九實施例的半導體器件不同的部分。圖28A 是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性平面圖。圖28B是沿圖28k的線C-C的截面圖。在圖中，僅示出了外圍部分19和可移動部分110，省略了其他部件。如圖28A所示，在本實施例中，在兩個位置，即可移動電極110的側(cè)表面112和其與側(cè)表面112相對的側(cè)表面113，設置梁部分100。獨立的梁部分100連接將位于彼此相反的側(cè)上的外圍部分19和可移動電極110。因此，如圖28B所示，在均垂直于可移動電極110 的側(cè)表面112和113的兩個側(cè)表面114和115當中，可移動電極110的側(cè)表面114比側(cè)表面115離梁部分100更遠，并且移動幅度大，而更接近于梁部分110的側(cè)表面115則比側(cè)表面114的移動幅度小。在這種情況下，梁部分沿移動方向扭曲。如圖28B所示，帽部分20具有作為固定電極的第一布線層23，將其劃分并設置在與側(cè)表面114和側(cè)表面115相對的可移動電極110的相應區(qū)域中。因此，在可移動電極110沿Z軸方向移動時，其鄰近側(cè)表面114的一側(cè)移向第一布線層23，而可移動電極110的與側(cè)表面115相鄰的一側(cè)則遠離第一布線層23移動。相反， 在可移動電極110的鄰近側(cè)表面114的一側(cè)遠離第一布線層23移動時，可移動電極110的鄰近側(cè)表面115的一側(cè)移向第一布線層23。通過檢測移動的可移動電極110和第一布線層 23之間的電容的變化，可以檢測Z軸方向上的加速度。在圖觀所示的情況下，在可移動電極110中沒有設置布線層14。然而，將容易認識到，也可以在其中設置布線層14。如圖27所示，也可以劃分反電極25c并將其設置在帽部分20中的鄰近側(cè)表面114和側(cè)表面115的可移動電極110的相應側(cè)上。如上所述，也可以通過為可移動電極110的兩個側(cè)表面112和113提供連接當可移動電極110的梁部分100來檢測Z軸方向上的加速度。第二十實施例在本實施例中，將只說明與根據(jù)第十八實施例的半導體器件不同的部分。圖29A 是根據(jù)本實施例的半導體動態(tài)量傳感器的示意性平面圖。圖29B是沿圖^A的線D-D的截面圖。在圖29A和^B中，僅示出了外圍部分19和可移動電極110，省略了其他部件。如圖29A所示，在可移動電極110的鄰近側(cè)表面115的一側(cè)上提供將要沿垂直于
21側(cè)表面115的方向設置的兩個通孔116。置于通孔116之間的部分用作梁部分110。梁部分110是第一硅層11的一部分，并且通過絕緣層13固定至第二硅層12。相應地，通過扭曲梁部分100，允許可移動電極110的鄰近側(cè)表面114和115的相應側(cè)沿Z軸方向移動。因此，按照與第十九實施例相同的方式，通過檢測第一布線層23和可移動電極 110的鄰近側(cè)表面114的一側(cè)之間的距離的變化，以及第一布線層23和可移動電極110的鄰近側(cè)表面115的一側(cè)之間的距離的變化來檢測Z軸方向上的加速度。如圖M所示，還可以在可移動電極110中設置大量的通孔111。還可以檢測圖27 所示的反電極25c和鄰近側(cè)表面114和115的側(cè)中的每一個之間的距離的變化，而不是第一布線層23和鄰近側(cè)表面114和115的側(cè)中的每一個之間的距離的變化。因此，通過提供在可移動電極110的范圍內(nèi)設置梁部分并使其扭曲的結(jié)構(gòu)，可以檢測Z軸方向上的加速度。其他實施例在上述實施例的每一個中，示出了設有密封部分25b的半導體器件。然而，密封部分2 用于密封傳感器結(jié)構(gòu)15到17，因此不必一定要將其設置在半導體器件中。換言之， 半導體器件還可以具有未設有密封部分25b的結(jié)構(gòu)。在上述實施例的每一個中，將N型單晶硅用于傳感器部分10的硅層11和12中的每一個。然而，例如，也可以采用N+型單晶硅。盡管此前使用的硅襯底21以及硅層11和 12中的每一個均具有高濃度，但是也可以使用通過將雜質(zhì)離子注入到低濃度襯底和低濃度層中而獲得的襯底和層，或者使用各自通過利用氣相雜質(zhì)擴散法等提高其整個部分的濃度或者僅提高其表面的濃度而獲得的襯底和層。在上述實施例的每一個中，將硅襯底21用于帽部分20。然而，也可能使用諸如玻璃的絕緣材料。這消除了第一絕緣膜22的必要性，允許將第一布線層23直接形成在絕緣材料上。第一布線層23還可以由摻雜多晶硅形成。此外，還可以將摻雜多晶硅用于第二布線層25。在使用多晶硅的情況下，通過室溫結(jié)合形成硅一硅結(jié)，從而提高機械強度和穩(wěn)定性。在這種情況下，可以僅在用于引線鍵合的鍵合焊盤部分上形成Al層。為了進一步的簡化，可以通過噴墨法、絲網(wǎng)印刷法等在鍵合焊盤部分上形成Al、Au和Cu印刷層，并根據(jù)需要執(zhí)行熱處理，以提高附著力，并且相對于所述區(qū)域執(zhí)行引線鍵合。在第十二實施例中，在傳感器部分10中設置突起60。然而，還可以相對于帽部分 20執(zhí)行倒裝安裝(球結(jié)合)。在這種情況下，可以進一步減小從外部施加在傳感器部分10 上的應力。在第十二和十三實施例中，在帽部分20面對傳感器部分10的側(cè)面上設置IC電路部分50。然而，也可以在與帽部分20將要結(jié)合到傳感器部分10的側(cè)面相對的側(cè)面上，即， 在具有電路板70的側(cè)面上設置IC電路部分50。在第十四和十五實施例中，示出了具有僅形成在其表面的表面層部分中的相應電路部分81和91的芯片80和90。然而，它們只是示例性的，也可以在與上述表面相對的表面的表面層部分中設置電路部分。在這種情況下，可以通過延伸穿過芯片80和90的電極適當連接設置在兩個表面上的相應電路部分。不僅可以將在第十六到第二十實施例中的每一個中示出的沿Z軸方向移動的可移動電極110用于加速度傳感器中，而且還可以將其用作Gyro傳感器的驅(qū)動電極(在這種情況下，檢測電極用作可平行于具有梳齒狀的襯底移動的電極)，或者將其用作Gyro傳感器的檢測電極(在這種情況下，可移動電極110用作可平行于具有梳齒狀的襯底移動的電極)。在上述實施例中，已經(jīng)說明了各自用于檢測在Z軸方向上或者在垂直于Z軸方向的方向上的加速度的各個加速度傳感器。然而，也可以制造雙軸加速度傳感器，其中將用于檢測Z軸方向上的加速度的加速度傳感器和用于檢測垂直于Z軸方向的方向上的加速度的加速度傳感器集成在單個芯片上。同樣地，也可以將能夠分別檢測沿Z軸、沿X軸以及沿垂直于X軸和Z軸的Y軸的加速度的傳感器集成在單個芯片上。在這種情況下，可以通過密封部分2 單獨環(huán)繞用于檢測各個軸向上的加速度的加速度傳感器中的每一個，或者可以通過單個密封部分2 環(huán)繞所有的加速度傳感器。盡管已經(jīng)參考其優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了說明，但是應當理解的是，本發(fā)明不限于所述優(yōu)選實施例和結(jié)構(gòu)。本發(fā)明旨在涵蓋各種修改和等效方案。此外，盡管所述各種組合和結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的，但是其他包括或多或少或僅一個元件的組合和結(jié)構(gòu)也在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件，包括具有表面的板狀傳感器元件(10)，其包括設置在該傳感器元件(10)的表面部分中的傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)、圍繞所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)的外圍部分(19)；以及結(jié)合到所述傳感器元件(10)的所述表面的板狀帽元件(20)，其中 所述帽元件00)具有面對所述傳感器元件(10)的布線圖案部分(23到25)； 所述布線圖案部分(23到2 包括形成在所述帽元件00)與傳感器部分(10)相對的表面上的第一布線層；設置在所述第一布線層上的第一絕緣膜04)；以及包括布線部分(25a)和密封部分0 )的第二布線層(25)，所述布線部分(25a)設置于從所述第一絕緣膜04)露出的所述第一布線層03)上，所述密封部分(25b)具有環(huán)狀并且面對所述外圍部分(19)；將所述密封部分(25b)設置在所述第一絕緣膜04)上，從而使所述密封部分(25b)與所述第一布線層03)電絕緣；將所述密封部分(25b)結(jié)合到所述外圍部分(19)，從而將所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17) 密封和容納在由所述帽元件OO)和所述傳感器元件(10)限定的空間中； 所述布線部分(25a)與所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)耦合；并且所述布線部分(25a)還從所述空間中露出，從而使所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)與所述外部元件耦合。
2.一種半導體器件，包括具有表面的板狀傳感器元件(10)，其包括設置在該傳感器元件(10)的表面部分中的傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)、圍繞所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)的外圍部分(19)、以及用于連接到外部元件的連接部分(18)，將所述連接部分(18)設置在所述外圍部分(19)的外側(cè)上；以及結(jié)合到所述傳感器元件(10)的所述表面的板狀帽元件(20)，其中 所述帽元件OO)具有面對所述傳感器元件(10)的布線圖案部分03到25)； 所述布線圖案部分03到2 包括形成在所述帽元件OO)與傳感器部分(10)相對的表面上的第一布線層；設置在所述第一布線層上的第一絕緣膜04)；以及包括布線部分(25a)和密封部分0 )的第二布線層(25)，所述布線部分(25a)設置于從所述第一絕緣膜04)露出的所述第一布線層上，所述密封部分(25b)具有環(huán)狀并且面對所述外圍部分(19)；將所述密封部分(25b)設置在所述第一絕緣膜04)上，從而使所述密封部分0 )與所述第一布線層電絕緣；將所述密封部分(25b)結(jié)合到所述外圍部分(19)，從而將所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17) 密封和容納在由所述帽元件OO)和所述傳感器元件(10)限定的空間中； 所述布線部分(25a)與所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)耦合；并且所述布線部分05a)還與所述連接部分(18)耦合，從而使所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17) 通過所述連接部分(18)和所述布線部分(25a)與所述外部元件耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件，其中所述第一絕緣膜04)具有第一開口 0如)，所述開口面對所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)， 從而使所述第一布線層在所述第一開口(Ma)中從所述第一絕緣膜04)露出。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中所述連接部分(18)將引線(31)連接到所述外部元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述布線部分(25a)接觸用于連接所述外部元件的引線(31)，從而使所述傳感器結(jié)構(gòu) (15到17)通過所述布線部分(25a)和所述引線(31)與所述外部元件耦合。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，還包括用于倒裝片安裝的突起(60)，其中將所述突起(60)結(jié)合到所述連接部分(18)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件，其中所述帽元件00)還包括設置在所述帽元件00)的表面部分中并且背對所述傳感器元件(10)的IC電路部分(50)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件，其中所述帽元件00)還包括設置在所述帽元件00)的表面部分中并且面對所述傳感器元件(10)的IC電路部分(50)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中所述第一絕緣膜(24)還具有另一第一開口 0 ),其面對所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)， 從而使所述第一布線層在所述另一第一開口(Ma)中從所述第一絕緣膜04)露出；所述第二布線層05)還包括另一布線部分0 ),其設置于在所述另一第一開口 (24a)中從所述第一絕緣膜04)露出的所述第一布線層03)上；使所述另一布線部分(25a)與所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)耦合；還使所述另一布線部分(25a)與所述連接部分(18)耦合；并且使所述布線部分(25a)指向與所述另一布線部分(25a)不同的一個方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件，其中所述帽元件OO)還包括凹入部分Ola)，其至少面對所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)，而且不設置在所述布線部分(25a)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件，其中所述帽元件OO)具有硅襯底(21)、位于所述硅襯底上的第二絕緣膜0 和第一導電接觸部分06)；所述第二絕緣膜0 具有第二開口 0加)，以便通過所述第二開口(22a)暴露所述硅襯底；所述第一導電接觸部分06)設置在所述第二開口(22a)中，并且電連接所述硅襯底 (21)和所述第一布線層03)；所述布線圖案部分03到2 還包括第二導電接觸部分(27)，其設置在所述第一開口 (24a)中；所述第二導電接觸部分(XT)電連接所述第一布線層和所述密封部分0 )；并且所述硅襯底通過所述第一導電接觸部分(26)、所述第一布線層(23)、所述第二導電接觸部分(XT)和所述密封部分0 )電連接所述傳感器元件(10)的所述外圍部分 (19)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中所述傳感器元件(10)具有包括第一硅層(11)、第二硅層(1 和絕緣層(1 的SOI襯底；所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)設置在所述第一硅層(11)中； 所述絕緣層(1 夾在所述第一硅層(11)和所述第二硅層(1 之間； 所述外圍部分(19)設置在所述第一硅層(11)中； 所述絕緣層(1 具有其中設置襯底接觸部分(Ila)的第三開口 ；并且將所述襯底接觸部分(Ila)設置在所述外圍部分(19)和所述第二硅層(1 之間，以電連接所述外圍部分(19)和所述第二硅層(12)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，其中所述傳感器元件(10)具有位于所述第一硅層(11)上的第三布線層(14)；并且將所述帽元件00)結(jié)合到所述第三布線層(14)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體器件，其中所述傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)包括可在所述傳感器元件(10)內(nèi)移動的可移動電極 (110)；所述第一布線層03)面對所述可移動電極(110)；并且所述傳感器元件(10)檢測所述第一布線層和所述可移動電極(110)之間的距離變化，從而所述傳感器元件(10)檢測垂直于所述傳感器元件(10)的表面的方向上的加速度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體器件，其中 所述布線圖案部分03到25)還包括反電極05c)；所述反電極(25c)設置在所述第一絕緣膜04)上，并且面對所述可移動電極(110)；并且所述傳感器元件(10)檢測所述可移動電極(110)和所述反電極(25c)之間的距離變化，其對應于所述第一布線層03)和所述可移動電極(110)之間的距離變化。
全文摘要
一種半導體器件，包括具有表面的板狀傳感器元件(10)，其包括設置在該傳感器元件(10)的表面部分中的傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)；以及結(jié)合到傳感器元件(10)的表面的板狀帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面對傳感器元件(10)的布線圖案部分(23到25)。所述布線圖案部分(23到25)連接傳感器元件(10)的表面的外側(cè)邊緣和傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)，從而使傳感器結(jié)構(gòu)(15到17)通過所述外側(cè)邊緣與外部元件電耦合。所述傳感器元件(10)不具有復雜的多層結(jié)構(gòu)，從而簡化了傳感器元件(10)。此外，還減小了器件的尺寸。
文檔編號G01P3/44GK102180436SQ201110058290
公開日2011年9月14日 申請日期2008年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月2日
發(fā)明者杉浦和彥, 藤井哲夫 申請人:株式會社電裝