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壓力傳感器、特別是壓力差傳感器的制作方法

文檔序號:6002088閱讀:246來源:國知局
專利名稱:壓力傳感器、特別是壓力差傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種壓力傳感器,特別地涉及一種壓力差傳感器。
背景技術(shù)
壓力傳感器包括平臺、測量膜和換能器,其中測量膜被緊固在平臺上,其中測量膜與至少一個(gè)壓力可接觸并且具有依賴壓力的彈性變形,并且其中換能器提供依賴于測量膜的變形的電信號,其中平臺進(jìn)而具有膜床(membrane bed),在過載的情形下測量膜處于該膜床上從而支撐該測量膜。在這種情形下,有利的是膜床具有近似自然的依賴壓力的變形的輪廓,即匹配所謂的撓度曲線輪廓的輪廓。然而,以可再現(xiàn)和成本劃算的方式制造這種膜床是困難的。膜床的成形以及其制造依賴于膜床的和支承膜床的基板的材料、和選擇哪種結(jié)合技術(shù)來將平臺或者膜床與膜結(jié)合。Si平臺特別地適合于壓力差傳感器,因?yàn)檫@些平臺良好地承受靜態(tài)壓力。存在用于連接兩個(gè)硅芯片的各種方法,諸如、例如共晶鍵合或者硅直接鍵合。鑒于對于以密閉方式密封的和固定的構(gòu)件連接的要求,該連接盡管這樣也無任何重大副效應(yīng),根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的這些鍵合方法給出了仍然能夠提高的產(chǎn)率和再現(xiàn)性。另外地,例如根據(jù)YAMATAKE的 US 7,360,431B2的球面凹面膜床的制造在硅中不是直接地可能的。當(dāng)前已知的是非確定 (non-established)的灰度光刻或者硅的直接研磨/拋光,這僅在高度的努力下才給出可再現(xiàn)的結(jié)果。尚未公開的專利申請DE 102008043171公開了一種包括至少一個(gè)平臺、至少一個(gè)測量膜和換能器的壓力傳感器,其中測量膜包括半導(dǎo)體材料(特別是硅),其中封裝壓力腔室的測量膜被緊固到平臺,其中測量膜與至少一個(gè)壓力可接觸并且能夠以依賴壓力的方式彈性變形,其中換能器提供依賴于測量膜的變形的電信號,其中平臺具有膜床,在過載的情形下測量膜倚靠在該膜床上從而支撐該測量膜,其特征在于,膜床具有玻璃層,該玻璃層的表面面對測量膜并且形成壓力腔室的壁。玻璃層的表面特別地設(shè)置有適合于在過載的情形下支撐測量膜的輪廓。為此,玻璃層的表面能夠被微機(jī)械地處理。玻璃層可以類似地具有借助熱壓印制備的表面輪廓。進(jìn)而,該專利申請公開了膜床具有近似地與測量膜的撓度曲線相同或者與之等同的表面輪廓是有利的。雖然該程序關(guān)于膜床的質(zhì)量給出了令人滿意的結(jié)果,但是仍然期望替代以此方式制造的壓力傳感器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種壓力傳感器、特別是一種壓力差傳感器,和一種用于制造該壓力傳感器的方法,該方法能夠成本劃算地并且以提高的產(chǎn)率和提高的再現(xiàn)性地實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明利用如在獨(dú)立專利權(quán)利要求1中限定的壓力傳感器和如在獨(dú)立專利權(quán)利要求8和12中限定的方法實(shí)現(xiàn)了該目的。本發(fā)明的壓力傳感器包括至少一個(gè)平臺、至少一個(gè)測量膜,和換能器,其中測量膜包括半導(dǎo)體材料,其中封裝壓力腔室的測量膜被緊固到平臺,其中測量膜與至少一個(gè)壓力可接觸并且以依賴壓力的方式彈性地可變形,其中換能器提供依賴于測量膜的變形的電信號,其中平臺具有膜床,在過載的情形下測量膜處于該膜床上從而支撐該測量膜,其中膜床具有玻璃層,該玻璃層的表面面對測量膜并且形成壓力腔室的壁,其中玻璃層的表面具有適合于在過載的情形下支撐測量膜的輪廓,其特征在于,通過由于在玻璃板的非支撐區(qū)域上的重力而使在增加的溫度下形成玻璃層的玻璃板的非支撐區(qū)域下垂并且隨后冷卻玻璃板可獲得膜床的輪廓。在本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)中,平臺包括基板,該基板具有支撐玻璃層的、面向玻璃層的表面,其中該表面具有空腔,經(jīng)由該空腔形成膜床的輪廓。在給定情形下,背離膜床的一側(cè)的空腔可以填充有填充材料,從而防止在玻璃層下面的中空空間。填充材料可以特別地包括玻璃,該玻璃例如被以玻璃粉的形式施加,并且具有比玻璃層的玻璃更低的熔化溫度。另外地,背離膜床的基板和玻璃的下側(cè)能夠通過研磨、精研(lapping)和/或拋光而被平整。在本發(fā)明的一個(gè)替代的實(shí)施例中,用于平整背離膜床的基板和玻璃的下側(cè)的平整、精研和/或拋光可以在未預(yù)先填充玻璃層的非支撐區(qū)域的情況下完全地進(jìn)行。在當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施例中,玻璃層的或者膜床的玻璃包括與平臺的基板材料的膨脹系數(shù)相匹配的硼硅酸鹽玻璃。特別地適當(dāng)?shù)牟AЮ缬?,能夠從khott公司獲得的Pyrex 7740、TEMPAX、Hoya SD-2、或者 Borof Ioat 33?;宀牧蟽?yōu)選地是半導(dǎo)體材料,特別是硅。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),玻璃層具有不小于100 μ m,優(yōu)選地不小于200 μ m并且進(jìn)一步優(yōu)選地不小于400 μ m的厚度。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),玻璃層具有不大于2000 μ m,優(yōu)選地不大于1400 μ m并且進(jìn)一步優(yōu)選地不大于1000 μ m的材料厚度。進(jìn)而,當(dāng)前地優(yōu)選的是膜床具有非球面輪廓,特別地近似測量膜的撓度曲線,或者與此等同。這在用于允許玻璃層的非支撐區(qū)域沉降的玻璃層回火期間和在隨后的玻璃層冷卻期間導(dǎo)致經(jīng)由玻璃層的支撐區(qū)域的水平定向的第一近似。為了制造膜床的輪廓,玻璃層可以例如在平坦?fàn)顟B(tài)下與具有所需要的空腔的平臺的表面連接,或者可以被非固定地放置在該表面上,在此之后玻璃層被加熱,從而引發(fā)非支撐區(qū)域的沉降。在于玻璃層和平臺之間預(yù)先連接的情形下,這可以例如經(jīng)由陽極鍵合產(chǎn)生。在玻璃層僅僅被非固定地放置的程度上,可以在加熱期間經(jīng)由在硅基板的表面上的氧化硅層來產(chǎn)生在平臺和玻璃層之間的連接。可以在具有相應(yīng)的空腔的模具上加熱玻璃層來代替在平臺上制備膜床,從而引起非支撐區(qū)域沉降。由于多次地再使用模具,這證明用于其制造的、更大的努力是正當(dāng)?shù)摹_@意味著在非支撐區(qū)域下面的空腔能夠被以如此方式實(shí)現(xiàn),使得非支撐區(qū)域在特定的下垂深度之后,能夠例如被局部地支撐,從而局部地限制沉降。然而,基本上,當(dāng)前優(yōu)選的是,不受
5局部支撐影響地形成該輪廓。在本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)中,至少膜床的凹面輪廓區(qū)域保持不受用于面向測量膜的玻璃層表面粗糙度的工具的影響。該表面盡管如此仍然能夠是在很大程度上,并且實(shí)際上, 在無任何局部升高部分或者發(fā)生凹陷的意義上是光滑的,局部升高部分或發(fā)生凹陷能夠?qū)е戮植繎?yīng)力和所要支撐的測量膜最終破裂。與膜床是否形成在模具上或者在平臺上無關(guān),在于非支撐區(qū)域中形成輪廓之后平整玻璃層的支撐區(qū)域的表面能夠是有利的??梢岳缃?jīng)由研磨、精研和/或拋光進(jìn)行平整。 例如,當(dāng)在玻璃板的非支撐區(qū)域沉降的情形下,在支撐區(qū)域中的玻璃板的上側(cè)和下側(cè)被暴露于不同的邊界條件,例如由于下側(cè)處于基板上并且上側(cè)是自由的,這在上側(cè)和下側(cè)上引起顯著不同的剪切作用力時(shí),能夠產(chǎn)生對于平整的需要。在本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)中,因此提出將板安置于玻璃板的上側(cè)上,其中這個(gè)板具有與基板的空腔對準(zhǔn)的空腔,并且處于玻璃體的支撐區(qū)域上。能夠在制備膜床的輪廓之后再次移除這個(gè)板。在本發(fā)明的變型中,所安置的板包括具有比非支撐區(qū)域更大的內(nèi)部橫截面的開口,從而在每一情形下,玻璃板的支撐區(qū)域的環(huán)形邊緣部包圍非支撐區(qū)域。在一方面,為了在支撐區(qū)域的環(huán)形邊緣部中實(shí)現(xiàn)玻璃層的、足夠平坦的上側(cè),并且在另一方面,邊緣區(qū)域的尺寸允許在其上緊固測量膜,這都是足夠的。 以此方式,可以省略移除所安置的板。利用根據(jù)本發(fā)明制備的膜床,壓力傳感器的抗過載性(overload resistance)能夠被顯著地增加。例如,自身-即無支撐地-具有IOmbar的測量范圍并且具有30 μ m的材料厚度和例如5mm的直徑的Si測量膜具有例如Ibar的抗過載性。當(dāng)測量膜能夠在本發(fā)明的膜床上支撐自身時(shí),抗過載性隨之升高到至少50bar,特別地到至少lOObar,優(yōu)選地至少到140bar并且特別地優(yōu)選地至少到160bar。所指出的壓力值特別地涉及具有IOmbar的測量范圍的壓力傳感器。為了更大的測量范圍,當(dāng)抗過載性類似地更大時(shí)是優(yōu)選的。例如,具有500mbar的測量范圍的壓力傳感器應(yīng)該具有至少lOObar,優(yōu)選地至少300bar,進(jìn)一步優(yōu)選地至少420bar并且特別地優(yōu)選地 500bar的抗過載性。在壓力差傳感器的情形下,抗過載性優(yōu)選地在兩個(gè)方向上是有效的。本發(fā)明的壓力傳感器可以是與真空相比測量壓力的絕對壓力傳感器,或者是與大氣壓力相比測量壓力的相對壓力傳感器。然而,本發(fā)明特別地對于記錄在第一壓力和第二壓力之間的差的壓力差傳感器是相關(guān)的。精確地在壓力差傳感器的情形下,存在大的靜態(tài)單側(cè)過載的危險(xiǎn),因?yàn)樗獪y量的壓力差通常顯著地小于其差將被記錄的第一或者第二壓力。因此,在當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施例中, 本發(fā)明的壓力傳感器是具有測量膜、第一平臺和第二平臺的壓力差傳感器,其中測量膜被布置在第一平臺和第二平臺之間,并且與該兩個(gè)平臺中的每一個(gè)連接,從而封裝第一壓力腔室和第二壓力腔室,其中第一壓力腔室和第二壓力腔室每一個(gè)均分別地具有分別地通過第一和第二平臺的至少一個(gè)管道,其中測量膜經(jīng)由該管道與第一和第二壓力可接觸。膜的撓度然后依賴于在第一壓力和第二壓力之間的差。本發(fā)明的壓力傳感器可以具有本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何換能器,從而將測量膜的依賴壓力或者依賴壓力差的變形轉(zhuǎn)換成電信號。在這種情形下,特別地電容性或者(壓電)電阻性換能器是用于這種意圖的選擇。對于電容性換能器,例如通過金屬的氣相沉積而將要在膜床上制備的電極設(shè)置在測量膜和膜床上。由Si制成的測量膜可以或者經(jīng)由金屬化或者通過摻雜而類似地設(shè)置有電極。例如,通過由摻雜膜制備的全橋式電阻元件來制造壓電電阻性換能器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的用于制造用于特別地根據(jù)前面權(quán)利要求中的一項(xiàng)的壓力傳感器的膜床的方法包括以下步驟(a)提供平坦的玻璃層、(b)在具有支撐玻璃層的表面的支撐體上施加玻璃層,其中該表面具有至少一個(gè)空腔,從而在空腔的區(qū)域中玻璃層不受支撐、(c)將玻璃層加熱到玻璃層的非支撐區(qū)域沉降的溫度或者溫度范圍,和(d)允許玻璃層冷卻。在該方法的進(jìn)一步改進(jìn)中,玻璃層在達(dá)到非支撐區(qū)域沉降的溫度之后,可以在這個(gè)溫度下被保持一段時(shí)間,從而玻璃層能夠沉降足夠的程度。保持時(shí)間在這種情形下特別地依賴于所選擇的溫度和層厚。對于用于具有若干 100 μ m的厚度的窗格(pane)的硼硅酸鹽玻璃,保持時(shí)間能夠例如由關(guān)系式t = a*d+b給出,其中在750°C下對于a的值處于例如0. 1和0. 8之間,特別在0. 2和0. 6之間,并且對于 b的值處于-60和20之間,特別地-40和0之間,其中t是以分鐘為單位的時(shí)間并且d是以 μm為單位的玻璃層的厚度。優(yōu)選地在用于多個(gè)壓力傳感器的一個(gè)未劃分的晶片上進(jìn)行膜床輪廓的制備。測量膜與平臺或者平臺的膜床的連接優(yōu)選地在一個(gè)未劃分的晶片上進(jìn)行。在壓力差傳感器的情形下,測量膜將被布置在兩個(gè)基板和基板各自的膜床之間。 在膜床的玻璃層和測量膜的硅之間的連接可以特別地經(jīng)由陽極鍵合進(jìn)行。在于晶片復(fù)合物中平行地制造多個(gè)傳感器的程度上,傳感器的分離最后例如經(jīng)由鋸切進(jìn)行。


現(xiàn)在將基于附圖更加詳細(xì)地解釋本發(fā)明,附圖中的圖如下地示出圖1用于制備膜床和用于制造本發(fā)明的相對壓力傳感器的步驟的示意性截面圖示;圖2在分離之前通過本發(fā)明的壓力差傳感器的裝載(charge)的實(shí)施例的一個(gè)實(shí)例的縱向截面,和圖3本發(fā)明的壓力傳感器的膜床輪廓的形貌的表示。
具體實(shí)施例方式圖1所示制造步驟的序列利用具有420 μ m的厚度的Si晶片10而開始于步驟(a), 在第一步驟中在Si晶片10中制備了凹陷11??梢岳缤ㄟ^(超聲波)鉆孔和/或蝕刻制造凹陷11。僅在不允許凹陷11在隨后的制備步驟期間降低玻璃板的非支撐區(qū)域的性能的范圍內(nèi),在制造凹陷的情形下,精度才是本質(zhì)性的。在本發(fā)明的方法的基本變型中,這僅僅意味著凹部或者空腔的截面面積應(yīng)該被與測量膜的所期形狀匹配。在這里作為平坦板應(yīng)用測量膜的范圍內(nèi),提供了在測量膜中實(shí)現(xiàn)圓對稱性的可能性。凹陷11能夠具有幾mm的直徑,例如,3到10mm,優(yōu)選地4到6mm。在該實(shí)例中,直徑等于5mm。在第二步驟(b)中,具有幾個(gè)100 μ m厚度的玻璃板20被施加在硅片10上,其中玻璃板在凈化室條件下被非固定地放置在硅片上。玻璃板包括硼硅酸鹽玻璃,例如, Borofloat 33。在實(shí)施例的實(shí)例中,玻璃板具有例如500 μ m的厚度。在第三步驟(C)中,具有基板10和玻璃板20的堆疊體在一個(gè)時(shí)間段-例如 1. 5h-中被從室溫加熱到750°C,并且然后在該溫度下保持例如池。在這時(shí),在一方面,玻璃板的非支撐區(qū)域足夠深地沉降,其中出現(xiàn)適于作為用于在過載的情形下支撐測量膜的膜床的輪廓21,并且在另一方面,在玻璃板和基板之間出現(xiàn)機(jī)械固定的連接,其中基板表面的 Si原子被氧化。然后可以經(jīng)過多個(gè)小時(shí)冷卻該堆疊體。當(dāng)前應(yīng)用的溫度是通過在具有耐火襯砌的加熱爐中在環(huán)境空氣的氣氛中執(zhí)行加熱步驟而產(chǎn)生的。在于受控氣氛-例如保護(hù)性氣體-中執(zhí)行加熱步驟和/或在凈化室條件下加熱的情形下,溫度能夠安全地進(jìn)一步增加,由此在給定幾何邊界條件的情形下,還能夠縮短用于加熱步驟的時(shí)間。在第四步驟(d)中,可以利用填充材料、特別地利用玻璃22填充在輪廓21下面的其余中空空間,其中可以例如以熔點(diǎn)低于玻璃板10的玻璃軟化點(diǎn)的多孔玻璃(fritted glass)的形式來施加玻璃。在多孔玻璃熔化并且隨后冷卻之后,可以通過研磨或者精研平整背離膜床的下側(cè)。利用微機(jī)械制備方法-例如,利用超聲波鉆孔-制備通過各層的序列的管道23,其中這些管道23在每一情形下均從包括基板10、玻璃層10和玻璃填充物23的平臺的下側(cè)延伸到膜床的輪廓21。在第五步驟(e)中,借助陽極鍵合將特別地包括硅的測量膜晶片30與在一個(gè)未分劃晶片中的平臺連接。然后,可以通過沿著所圖示的垂直線鋸切來分離這里圖示的相對壓力傳感器。圖2示出在本發(fā)明的壓力差傳感器的分離之前通過該壓力差傳感器的縱向截面。 為了制造壓力差傳感器,借助陽極鍵合將特別地包括硅的測量膜晶片130與作為一個(gè)未分劃復(fù)合物的兩個(gè)基板緊固。使用未分劃的晶片,在每一個(gè)情形下,利用基板晶片110、150和玻璃板120、140,對應(yīng)于圖1中的制備步驟a到d,平臺在每一個(gè)情形下均被更早地制造。最終通過沿著豎直短劃線分離而獲得了各個(gè)壓力差傳感器。最終,圖3示出本發(fā)明的膜床的輪廓的形貌數(shù)據(jù),其中非支撐區(qū)域由兩條豎直點(diǎn)線表示并且具有5mm的直徑。結(jié)果,能夠根據(jù)所描述的程序制備限定的非球面輪廓,該輪廓適合于在過載的情形下支撐測量膜。本形貌數(shù)據(jù)來自膜床,在此情形下玻璃板的上表面在沉降期間是自由的。 在此情形下,在安裝測量膜之前例如通過研磨、精研和/或拋光來平整玻璃板的支撐區(qū)域是有益的。在該方法的進(jìn)一步改進(jìn)中,在輪廓制備期間,具有與基板的空腔對準(zhǔn)的空腔的板被放置在玻璃板上,這使得在輪廓制備之后玻璃板的支撐區(qū)域是基本齊平的,從而進(jìn)一步的平整變得不必要。
權(quán)利要求
1.一種壓力傳感器,所述壓力傳感器包括至少一個(gè)平臺、至少一個(gè)測量膜(30)和換能器,其中所述測量膜包括半導(dǎo)體材料,其中封裝壓力腔室的所述測量膜被緊固在所述平臺上,其中所述測量膜與至少一個(gè)壓力可接觸并以依賴壓力的方式彈性地可變形,其中所述換能器提供依賴于所述測量膜(30)的變形的電信號,其中所述平臺具有膜床(21),在過載的情形下所述測量膜處于所述膜床上從而支撐所述測量膜,其中所述膜床具有玻璃層(20),所述玻璃層00)的表面面對所述測量膜(30)并且形成所述壓力腔室的壁,其中所述玻璃層00)的表面具有適合于在過載的情形下支撐所述測量膜(30)的輪廓,其特征在于,通過由于所述玻璃板在非支撐區(qū)域上的重力而使在增加的溫度下所述玻璃板的非支撐區(qū)域下垂并且隨后冷卻所述玻璃板可獲得所述膜床的輪廓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器,其中所述平臺包括基板,所述基板具有面向所述玻璃層的、支撐所述玻璃層的表面,其中所述表面具有空腔,經(jīng)由所述空腔形成所述膜床的輪廓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的壓力傳感器,其中利用填充材料在后側(cè)上填充所述空腔,從而防止在所述玻璃層下面的中空空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力傳感器,其中所述填充材料特別地包括玻璃,所述玻璃具有比所述玻璃層的玻璃更低的熔化溫度。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓力傳感器,其中所述玻璃層具有不小于 100 μ m,優(yōu)選地不小于200 μ m并且進(jìn)一步優(yōu)選地不小于400 μ m的厚度。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓力傳感器,其中所述玻璃層具有不大于 2000 μ m,優(yōu)選地不大于1400 μ m并且進(jìn)一步優(yōu)選地不大于1000 μ m的厚度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓力傳感器,其中所述膜床具有非球面輪廓,特別地近似所述測量膜的撓度曲線,或者與所述測量膜的撓度曲線等同。
8.一種用于制備特別地根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的壓力傳感器的膜床的方法, 包括以下步驟(a)提供平坦的玻璃層,(b)在支撐體上施加所述玻璃層,所述支撐體具有支撐所述玻璃層的表面,其中所述表面具有至少一個(gè)空腔,從而在所述空腔的區(qū)域中所述玻璃層不受支撐,(c)將所述玻璃層加熱到所述玻璃層的所述非支撐區(qū)域沉降的溫度或者溫度范圍,和(d)允許所述玻璃層冷卻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述玻璃層在達(dá)到所述非支撐區(qū)域沉降的溫度之后,在該溫度下被保持一段保持時(shí)間,從而所述玻璃層能夠沉降足夠的程度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中對于硼硅酸鹽玻璃的所述保持時(shí)間由關(guān)系式t= a*d+b給出,其中在750°C下對于a的值處于0. 1和0. 8之間,特別地在0. 2和0. 6之間,并且對于 b的值處于-60和20之間,特別地在-40和0之間,其中t是以分鐘為單位的時(shí)間、并且d 是以μm為單位的所述玻璃層的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8到10中的一項(xiàng)所述的方法,其中在用于多個(gè)膜床的一個(gè)未劃分的晶片上進(jìn)行所述膜床輪廓的制備。
12. 一種用于制造壓力傳感器的方法,包括按照權(quán)利要求8到11中的一項(xiàng)所述的方法制備膜床,并且將測量膜與所述平臺或者與形成所述膜床的所述平臺的所述玻璃層結(jié)合。
全文摘要
本發(fā)明的壓力傳感器包括至少一個(gè)平臺、至少一個(gè)測量膜(30)和換能器,其中測量膜包括半導(dǎo)體材料,其中封裝壓力腔室的測量膜被緊固在平臺上,其中測量膜與至少一個(gè)壓力可接觸并且以依賴壓力的方式彈性地可變形,其中換能器提供依賴于測量膜的變形的電信號,其中平臺具有膜床,測量膜在過載的情形下處于該膜床上從而支撐測量膜,其中膜床(21)具有玻璃層(20),該玻璃層(20)的表面面對測量膜并且形成壓力腔室的壁,其中玻璃層的表面具有適合于在過載的情形下支撐測量膜(30)的輪廓,其特征在于,通過在增加的溫度下玻璃板的非支撐區(qū)域由于在玻璃板的非支撐區(qū)域上的重力而下垂并且隨后冷卻玻璃板可獲得膜床21的輪廓。
文檔編號G01L19/06GK102597730SQ201080048839
公開日2012年7月18日 申請日期2010年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者羅蘭德·維爾特舒茨基, 英·圖安·塔姆, 蒂莫·科博, 邁克爾·菲利普斯, 迪特爾·施托爾塞 申請人:恩德萊斯和豪瑟爾兩合公司
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