專利名稱：一種晶圓測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓測試方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件的制造過程，大致上可分為晶圓制程、晶圓測試、封裝及最后的測試，晶圓制程是在硅晶圓上制作電子電路組件，制作完成之后，晶圓上變成一個個的晶粒(die)，接著晶圓測試步驟針對晶粒作電性測試，將不合格的晶粒淘汰，并將晶圓切割成若干個晶粒，而封裝是將合格的晶粒經(jīng)過包裝與打線的步驟，使晶粒成為集成電路 (Integrated Circuit, IC)，最后要再經(jīng)過電性測試確保集成電路的質(zhì)量。請參看圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓并行測試方法示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的晶圓測試方法中，在對待測晶圓進(jìn)行并行測試時，探針卡上的探針每次接觸圖1中陰影相同的晶粒，通過測試機(jī)載入相應(yīng)的測試程序進(jìn)行測試。測試機(jī)每次測試整片晶圓時所運(yùn)行的測試程序是相同的。因此不論被測試的晶圓的良率如何，對晶圓上的每個晶粒依次完成測試均需要相同的時間。因此現(xiàn)有技術(shù)的測試方法不能夠根據(jù)晶圓的良率情況來調(diào)整測試策略，從而需要花費(fèi)大量的測試時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種晶圓測試方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)的測試方法不能夠根據(jù)晶圓的良率情況來調(diào)整測試策略，從而需要花費(fèi)大量的測試時間的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓測試方法，包括以下步驟步驟一，提供一待測晶圓，在測試機(jī)上運(yùn)行所述第一測試程序?qū)λ龃郎y晶圓進(jìn)行第一次并行探針測試；所述第一次并行探針測試測試所述待測晶圓上的部分晶粒；所述第一測試程序為正常的測試程序，包括通常所需的測試項目及測試內(nèi)容；步驟二，在測試機(jī)上運(yùn)行一腳本程序?qū)λ龅谝淮尾⑿刑结槣y試的結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計分析，并通過所述腳本程序?qū)Ψ治鼋Y(jié)果設(shè)定一定的判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述腳本程序依據(jù)所述判斷標(biāo)準(zhǔn)對所述分析結(jié)果進(jìn)行判斷，若所述分析結(jié)果符合所述判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述腳本程序調(diào)用第二測試程序進(jìn)行步驟四；若所述分析結(jié)果不符合所述判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述腳本程序調(diào)用第三測試程序進(jìn)行步驟五；步驟四，所述測試機(jī)運(yùn)行第二測試程序?qū)κＳ嗑Я＿M(jìn)行測試，所述第二測試程序為比所述第一測試程序更為精簡的測試程序；重復(fù)執(zhí)行步驟四，直至所述待測晶圓上的晶粒均進(jìn)行過測試；步驟五，所述測試機(jī)運(yùn)行第三測試程序?qū)λ鰷y試結(jié)果進(jìn)行測試，所述第三測試程序為同所述第一測試程序相同的程序或比所述第一測試程序更為嚴(yán)格的測試程序；重復(fù)執(zhí)行步驟五，直至所述待測晶圓上的晶粒均進(jìn)過測試。可選的，還包括步驟六，測試完整片晶圓后，所述腳本程序重新載入所述第一測試程序為下一片晶圓測試做準(zhǔn)備。
本發(fā)明的晶圓測試方法首先通過第一次探針測試對待測晶圓上的一部分晶粒進(jìn)行測試，并通過腳本程序?qū)y試結(jié)果進(jìn)行分析判斷，通過對待測晶圓上部分晶粒的測試分析來判斷該待測晶圓總體的良率情況。若良率較好，則可適當(dāng)放松測試要求，即對剩余未經(jīng)測試的晶粒采用寬松的測試程序進(jìn)行測試，以便節(jié)省測試時間；若良率較差，則保持原有的測試要求甚至提高測試要求，即對剩余未經(jīng)測試的晶粒采用原有的測試程序或更為嚴(yán)格的測試程序進(jìn)行測試，以確保測試的準(zhǔn)確度。采用本發(fā)明的晶圓測試方法不但可確保晶圓測試分析結(jié)果的準(zhǔn)確度，同時可有效節(jié)省測試時間，從而節(jié)約測試成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的晶圓并行測試方法示意圖；圖2為本發(fā)明的晶圓測試方法第一步方法示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。本發(fā)明所述的晶圓測試方法可利用多種替換方式實現(xiàn)，下面是通過較佳的實施例來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。請參看圖2，圖2為本發(fā)明的晶圓測試方法第一步方法示意圖。如圖2所示，本發(fā)明的晶圓測試方法基于現(xiàn)行的晶圓并行測試方法做了進(jìn)一步的改進(jìn)，包括以下步驟步驟一，提供一待測晶圓，在測試機(jī)上運(yùn)行所述第一測試程序?qū)λ龃郎y晶圓進(jìn)行第一次并行探針測試，所述第一次并行探針測試測試所述待測晶圓上的部分晶粒，如圖1 中黑色部分所代表的晶粒；所述第一測試程序為正常的測試程序，包括通常所需的測試項目及測試內(nèi)容；步驟二，在測試機(jī)上運(yùn)行一腳本程序?qū)λ龅谝淮尾⑿刑结槣y試的結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計分析，并通過所述腳本程序?qū)Ψ治鼋Y(jié)果設(shè)定一定的判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述腳本程序依據(jù)所述判斷標(biāo)準(zhǔn)對所述分析結(jié)果進(jìn)行判斷，若所述分析結(jié)果符合所述判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述腳本程序調(diào)用第二測試程序進(jìn)行步驟四；若所述分析結(jié)果不符合所述判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述腳本程序調(diào)用第三測試程序進(jìn)行步驟五；步驟四，所述測試機(jī)運(yùn)行第二測試程序?qū)κＳ嗑Я＿M(jìn)行測試，所述第二測試程序為比所述第一測試程序更為精簡的測試程序，例如相較于所述第一測試程序減少一定的測試項目，或例如測試flash產(chǎn)品的部分存儲區(qū)域而非全部；重復(fù)執(zhí)行步驟四，直至所述待測晶圓上的晶粒均進(jìn)行過測試；步驟五，所述測試機(jī)運(yùn)行第三測試程序?qū)λ鰷y試結(jié)果進(jìn)行測試，所述第三測試程序可以為同所述第一測試程序相同的程序，也可以為比所述第一測試程序更為嚴(yán)格的測試程序，例如相較于所述第一測試程序增加了更多的測試項目；重復(fù)執(zhí)行步驟五，直至所述待測晶圓上的晶粒均進(jìn)過測試。步驟六，測試完整片晶圓后，所述腳本程序重新載入所述第一測試程序為下一片晶圓測試做準(zhǔn)備。
本發(fā)明的晶圓測試方法首先通過第一次探針測試對待測晶圓上的一部分晶粒進(jìn)行測試并對測試結(jié)果進(jìn)行分析判斷，通過對待測晶圓上部分晶粒的測試分析來判斷該待測晶圓總體的良率情況。若良率較好，則可適當(dāng)放松測試要求，即對剩余未經(jīng)測試的晶粒采用寬松的測試程序進(jìn)行測試時，以便節(jié)省測試時間；若良率較差，則保持原有的測試要求甚至提高測試要求，即對剩余未經(jīng)測試的晶粒采用原有的測試程序或更為嚴(yán)格的測試程序進(jìn)行測試，以確保測試的準(zhǔn)確度。采用本發(fā)明的晶圓測試方法不但可確保晶圓測試分析結(jié)果的準(zhǔn)確度，同時可有效節(jié)省測試時間，從而節(jié)約測試成本。請參看下表1，表1中比對了對大約500片晶圓分別采用現(xiàn)有技術(shù)的測試方法和本發(fā)明方法進(jìn)行測試后最終所需要的測試時間。通過表1可看出，本發(fā)明方法相較于現(xiàn)有技術(shù)方法更為節(jié)省時間，節(jié)約成本。
權(quán)利要求
1.一種晶圓測試方法，包括以下步驟步驟一，提供一待測晶圓，在測試機(jī)上運(yùn)行所述第一測試程序?qū)λ龃郎y晶圓進(jìn)行第一次并行探針測試；所述第一次并行探針測試測試所述待測晶圓上的部分晶粒；所述第一測試程序為正常的測試程序，包括通常所需的測試項目及測試內(nèi)容；步驟二，在測試機(jī)上運(yùn)行一腳本程序?qū)λ龅谝淮尾⑿刑结槣y試的結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計分析，并通過所述腳本程序?qū)Ψ治鼋Y(jié)果設(shè)定一定的判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述腳本程序依據(jù)所述判斷標(biāo)準(zhǔn)對所述分析結(jié)果進(jìn)行判斷，若所述分析結(jié)果符合所述判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述腳本程序調(diào)用第二測試程序進(jìn)行步驟四；若所述分析結(jié)果不符合所述判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述腳本程序調(diào)用第三測試程序進(jìn)行步驟五；步驟四，所述測試機(jī)運(yùn)行第二測試程序?qū)κＳ嗑Я＿M(jìn)行測試，所述第二測試程序為比所述第一測試程序更為精簡的測試程序；重復(fù)執(zhí)行步驟四，直至所述待測晶圓上的晶粒均進(jìn)行過測試；步驟五，所述測試機(jī)運(yùn)行第三測試程序?qū)λ鰷y試結(jié)果進(jìn)行測試，所述第三測試程序為同所述第一測試程序相同的程序或比所述第一測試程序更為嚴(yán)格的測試程序；重復(fù)執(zhí)行步驟五，直至所述待測晶圓上的晶粒均進(jìn)過測試。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓測試方法，其特征在于，還包括步驟六，測試完整片晶圓后，所述腳本程序重新載入所述第一測試程序為下一片晶圓測試做準(zhǔn)備。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶圓測試方法，首先對待測晶圓上的一部分晶粒進(jìn)行并行測試，并運(yùn)用腳本程序?qū)y試結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計分析，以此來判斷該待測晶圓總體的良率情況。若良率較好，則可適當(dāng)放松測試要求，即對剩余未經(jīng)測試的晶粒采用依據(jù)產(chǎn)品而精簡測試內(nèi)容的測試程序進(jìn)行測試，以便節(jié)省測試時間；若良率較差，則保持原有的測試要求甚至提高測試要求，即對剩余未經(jīng)測試的晶粒采用原有的測試程序或更為嚴(yán)格的測試程序進(jìn)行測試，以確保測試的準(zhǔn)確度。在此過程中測試程序的更換依靠腳本程序自動執(zhí)行。采用本發(fā)明的晶圓測試方法不但可確保晶圓測試結(jié)果的準(zhǔn)確度，同時可有效節(jié)省測試時間，從而節(jié)約測試成本。
文檔編號G01R31/26GK102565653SQ201010620289
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者周第延, 張宇飛, 陳宏領(lǐng) 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司