專利名稱：金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機的制作方法
金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機，特別是有關(guān) 于一種能減少金屬蝕刻終點偵測機的掃描儀擺設(shè)位置的影響，并且能更精確地確定金屬膜 的蝕刻終點時間的金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機。
背景技術(shù)：
請參考圖1，顯示現(xiàn)有制作液晶面板，對金屬進行蝕刻的金屬濕式蝕刻機10傳送 承載金屬膜的基板100的示意圖。制作液晶面板時，會有金屬濕式蝕刻機10對金屬進行蝕 刻的金屬濕式蝕刻工序。金屬濕式蝕刻是表面鍍有金屬膜(金屬層)的基板100置于盛滿 酸液的蝕刻槽內(nèi)，對金屬膜未被光阻保護的區(qū)域進行蝕刻，以得到為光阻保護的圖案。在金 屬濕式蝕刻機10對批量的金屬膜進行蝕刻之前，先從批量的金屬膜中選取一塊作為樣板 金屬膜，并獲取樣板金屬膜進行蝕刻終點的偵測。目前業(yè)界現(xiàn)存有兩種方式來進行蝕刻終 點的偵測，一種方式是如圖2所示，由工作人員150實施抽檢，以目視方式結(jié)合經(jīng)驗進行判 定而獲取樣板金屬膜的蝕刻終點時間，但無法由于無法數(shù)據(jù)化管理，因此較為不精確。另一 種方式是會先通過終點偵測機(EPD，End Point Detector)的掃描儀104獲取樣板金屬膜 的蝕刻終點時間，蝕刻終點時間的定義為從基板100 (基板100用于承載金屬膜)進入盛有 酸液的蝕刻槽開始，到終點偵測機掃描并確認(rèn)金屬膜透光為止，相較于人工目視方式，較為 精確許多。終點偵測機的工作原理為采用光反射/透射原理，當(dāng)基板100有金屬膜時，因金 屬膜無法透光，終點偵測機的掃描儀104所發(fā)射出的光線會被金屬膜反射，終點偵測機據(jù) 此判定仍未達金屬膜的蝕刻終點；而當(dāng)基板100所承載的金屬膜被酸液蝕刻完全時則會透 光，掃描儀104射出的光線會穿透基板100而不會被反射，終點偵測機據(jù)此判定已達金屬膜 的蝕刻終點。然而如圖3所示，基板100的金屬膜就其功能而言，可分有用區(qū)域IOOa和無用區(qū) 域100b，無用區(qū)域IOOb就是指沒有圖案(光阻)的區(qū)域，由于有用區(qū)域IOOa在進行曝光工 藝時圖案即被細(xì)分成許許多多得細(xì)小且形狀不規(guī)則的區(qū)域。因此，有用區(qū)域IOOa被酸液蝕 刻時，蝕刻時間基本上僅單純地與金屬膜的厚度相關(guān)；而無用區(qū)域IOOb因沒有圖案，整體 面積相對有用區(qū)域IOOa較大，被酸液蝕刻時，會從外部到內(nèi)部較慢地蝕刻，因此雖與有用 區(qū)域IOOa的金屬層具有同樣的膜厚，但其所需的蝕刻時間較長。雖然采用終點偵測機的方式，能夠測得每塊金屬膜的蝕刻終點時間。然而，因現(xiàn)有 終點偵測機均如圖4所示，是采用單點掃描的方式進行，故掃描儀104的設(shè)置位置會直接影 響蝕刻終點的確定。如掃描儀104 —般是設(shè)置于一固定位置進行掃描，但不同基板的金屬 膜的有用區(qū)域100a、無用區(qū)域IOOb的位置不同，若掃描儀104的固定位置多掃描到無用區(qū) 域100b，會導(dǎo)致測得的蝕刻終點時間比真正所需的蝕刻終點時間長，則造成蝕刻終點時間 確定的誤差將明顯較大。因此，有必要提供一種金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機，以解決前述現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機， 能減少金屬蝕刻終點偵測機的掃描儀擺設(shè)位置的影響，并且能更地精確確定金屬膜的蝕刻 終點時間。為達成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種金屬蝕刻終點偵測方法，應(yīng)用于一金 屬蝕刻終點偵測機，本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測方法包含下述步驟對金屬膜進行掃描，以 獲取掃描區(qū)域中，所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例；判斷所述金屬膜的透光 面積占所述掃描區(qū)域的比例是否達到一預(yù)定比例；當(dāng)達到所述預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對所 述金屬膜已蝕刻的時間為蝕刻終點時間。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測方法的一實施例中，在判斷所述金屬膜的透光面積占 所述掃描區(qū)域的比例是否達到所述預(yù)定比例的步驟中，若判定未達到所述預(yù)定比例，則重 復(fù)執(zhí)行所述對金屬膜進行掃描的步驟。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測方法的一實施例中，所述終點偵測機包括一用于對金 屬膜進行掃描的掃描儀，且所述掃描儀以其長度方向垂直于承載所述金屬膜的基板的傳送 方向設(shè)置。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測方法的一實施例中，所述終點偵測機包括一用于對金 屬膜進行掃描的掃描儀。，且所述掃描儀的長度大于或等于承載金屬膜的基板的寬度，以使 所述掃描儀獲得的所述掃描區(qū)域橫跨所述基板的寬度。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測方法的一實施例中，所述預(yù)定比例優(yōu)選為50% 75%。為達成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種金屬蝕刻終點偵測機，包含獲取模 塊、判斷模塊及確定模塊。獲取模塊用于對金屬膜進行掃描，以獲取掃描區(qū)域中，所述金屬 膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例；判斷模塊用于判斷金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū) 域的比例是否達到一預(yù)定比例；確定模塊用于在所述判斷模塊判定所述金屬膜的透光面積 占所述掃描區(qū)域的比例達到所述預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對金屬膜已蝕刻的時間為蝕刻終點 時間。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測機的一實施例中，若所述判斷模塊判定所述金屬膜的 透光面積占所述掃描區(qū)域的比例未達到所述預(yù)定比例，則觸發(fā)所述獲取模塊對所述金屬膜 進行掃描。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測機的一實施例中，所述獲取模塊包括掃描儀及比例 獲取單元。掃描儀用于對所述金屬膜進行掃描，以獲得所述金屬膜的透光面積；比例獲取單 元用于獲取所述掃描區(qū)域中，所述金屬膜的所述透光面積占所述掃描區(qū)域的比例。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測機的一實施例中，所述掃描儀的長度大于或等于承載 所述金屬膜的基板的寬度，以使所述掃描儀獲得的所述掃描區(qū)域橫跨所述基板的寬度。本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測機的一實施例中，所述預(yù)定比例優(yōu)選為50% 75%。依據(jù)本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機，能減少終點偵測機 的掃描儀擺設(shè)位置的影響，并且能更地精確地確定金屬膜所需的蝕刻終點時間，進而提升液晶面板制造良率。

圖1是顯示現(xiàn)有制作液晶面板，對金屬進行蝕刻的金屬濕式蝕刻機傳送承載金屬 膜的基板的示意圖。圖2是顯示現(xiàn)有技術(shù)工作人員實施抽檢，以目視方式進行金屬膜的蝕刻終點時間 判定的示意圖。圖3是說明液晶面板的基板所承載的金屬膜具有分有用區(qū)域和無用區(qū)域的示意 圖。圖4是說明以現(xiàn)有技術(shù)的金屬蝕刻終點偵測機進行金屬膜的蝕刻終點時間判定 的示意圖。圖5是說明本發(fā)明金屬蝕刻終點偵測機的結(jié)構(gòu)方塊圖。圖6是說明利用本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測機進行金屬膜的蝕刻終點時間判定 的示意圖。圖7是說明本發(fā)明金屬蝕刻終點偵測方法的流程圖。
具體實施方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實施例，并配 合附圖，作詳細(xì)說明如下請參考圖3、圖5、圖6與圖7。圖5是說明本發(fā)明金屬蝕刻終點偵測機的結(jié)構(gòu)方塊 圖。圖6是說明本發(fā)明金屬蝕刻終點偵測機進行金屬膜的蝕刻終點時間確定的示意圖。圖 7是說明本發(fā)明金屬蝕刻終點偵測方法的流程圖。如圖5所示，本發(fā)明的終點偵測機包含獲 取模塊20、判斷模塊30及確定模塊40。獲取模塊20用于對金屬膜進行掃描，以獲取掃描區(qū) 域中，所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例；判斷模塊30用于判斷所述金屬膜的 透光面積占所述掃描區(qū)域的比例是否達到一預(yù)定比例；以及確定模塊40用于在判斷模塊 30判定所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例達到所述預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對金 屬膜已蝕刻的時間為蝕刻終點時間。如圖6所示，在本發(fā)明的此實施例中，終點偵測控制器202為判斷模塊30及確定 模塊40的具體實施例，但并非以此為限定。獲取模塊20則可包含掃描儀204及圖5中所 示的比例獲取單元204-1為具體之實施例，但并非以此為限定。在本發(fā)明的此實施例中，掃描儀204用于對金屬膜進行掃描，以獲得金屬膜的透 光面積。比例獲取單元204-1用于獲取掃描區(qū)域中，金屬膜的透光面積占掃描區(qū)域的比例， 掃描儀204可為光學(xué)式掃描儀為具體之實施例，且可視金屬膜的材料而決定其所適用的光 譜范圍及規(guī)格。比例獲取單元204-1，則可為一 ASIC特殊應(yīng)用的IC電路為具體之實施例； 或者與掃描儀204、判斷模塊30及確定模塊40整合為一獨立的檢測裝置；或者比例獲取單 元204-1、判斷模塊30及確定模塊40的部分以硬體電路架構(gòu)實現(xiàn)，或者以作業(yè)軟體的程式 來實現(xiàn)個別的功能亦可，但亦非以此為限定。再者，本發(fā)明的金屬蝕刻終點偵測機包含的獲取模塊20的掃描儀204亦可以為一 單獨之檢測裝置，而掃描儀204、判斷模塊30及確定模塊40亦可由金屬濕式蝕刻機內(nèi)部的控制機制具體實現(xiàn)?；蛘?，本發(fā)明的終點偵測機包含的獲取模塊20、判斷模塊30及確定模 塊40皆可由金屬濕式蝕刻機內(nèi)部的控制機制具體實現(xiàn)。在本發(fā)明此實施例中，掃描儀204可以設(shè)置在金屬濕式蝕刻機內(nèi)，用以對蝕刻的 基板100-1、100-2所承載的金屬膜進行掃描。其原理簡述如下掃描儀204射出光線至基 板100-1、100-2上的金屬膜，對金屬膜進行掃描。并且，掃描儀204更具有一接受器(未顯 示)，感測射出光線是否為基板100-1、100-2上的金屬膜反射，并將所述接受器獲取的反射 數(shù)值透過DAC轉(zhuǎn)換為多個訊號而為比例獲取單元204-1所獲取。接著，終點偵測控制器202接收來自比例獲取單元204-1的多個訊號。并藉以判 斷及確定掃描儀204掃描的區(qū)域中，金屬膜的透光面積占掃描區(qū)域的比例是否達到一預(yù)定 比例。本實施例的終點偵測控制器202可即時地運算基板100-1、100-2上的金屬膜的透光 面積占掃描區(qū)域的比例是否達到預(yù)定比例。當(dāng)達到所述預(yù)定比例時，即可確定當(dāng)前對金屬 膜已蝕刻的時間，即自將具有金屬膜的基板置入金屬濕式蝕刻機起至該時間點的時間區(qū)段 為蝕刻終點時間。且經(jīng)由本發(fā)明者的實驗結(jié)果，此預(yù)定比例優(yōu)選為50% 75%。并且，如圖6所示，在本發(fā)明此實施例中，掃描儀204可為一長條形，以其長度方向 垂直于承載所述金屬膜的基板的傳送方向設(shè)置，亦即橫設(shè)垂直于基板100-1、100-2在金屬 濕式蝕刻機內(nèi)傳送方向。并且，掃描儀204的長度可大于或等于所述基板的寬度，以使掃描 儀204獲得的掃描區(qū)域橫跨基板100-1、100-2的寬度，而能全面性地掃描基板100-1、100-2 上金屬膜的厚度。因此，無論圖3當(dāng)中的有用區(qū)域IOOa和無用區(qū)域IOOb都能被掃描儀204 所掃描的區(qū)域所覆蓋。換言之，掃描儀204掃描區(qū)域可以為金屬膜的整個面積，而能實際掃 描并即時確認(rèn)整個金屬膜區(qū)域的蝕刻狀態(tài)。掃描儀204的掃描區(qū)域即涵蓋金屬膜區(qū)域中的 有用區(qū)域IOOa和無用區(qū)域100b。在進行蝕刻終點時間的判定時，既不會如現(xiàn)有技術(shù)因感測 器104的掃描區(qū)域若多落在無用區(qū)域100b，造成蝕刻終點時間的判定發(fā)生明顯、較大誤差 的缺點。在本發(fā)明的實施例中，若以7. 5代廠的面板工藝而言，所切割的基板大小為 2250mmX 1950mm，因此，掃描儀204的長度以大于1950mm為優(yōu)選；若以8. 5代廠的面板工藝 而言，所切割的基板大小為2500mmX 2200mm，因此，掃描儀204的長度以大于2200mm為優(yōu) 選。并且，若金屬濕式蝕刻機內(nèi)的空間足夠且允許的情況下，掃描儀204亦可為面積相當(dāng)于 整個基板，而直接設(shè)置在基板正上方，但并非以此些形式為限，僅能實際掃描并即時確認(rèn)整 個金屬膜區(qū)域的蝕刻狀態(tài)即可。請繼續(xù)參考圖6與圖7。本發(fā)明的金屬蝕刻方法可應(yīng)用于圖6中，具有終點偵測控 制器202及掃描儀204的終點偵測機，以能精確判定每一金屬膜的蝕刻終點時間。在本發(fā)明此實施例中，金屬蝕刻方法包含下列步驟步驟S701 對金屬膜進行掃 描，以獲取掃描區(qū)域中，金屬膜的透光面積占掃描區(qū)域的比例；步驟S702:判斷金屬膜的透 光面積占掃描區(qū)域的比例是否達到預(yù)定比例，若透光面積未達到所述預(yù)定比例，則回至前 一步驟S701，在一預(yù)設(shè)的等待時間后，重復(fù)執(zhí)行對所述金屬膜進行掃描的步驟，若判定透光 面積達到預(yù)定比例時，則進行下一步驟S703 ；以及步驟S703 確定當(dāng)前對所述金屬膜已蝕 刻的時間為蝕刻終點時間?？傃灾缜八霰景l(fā)明能減少金屬蝕刻終點偵測機的掃描儀擺設(shè)位置的影響， 并且能更地精確地確定金屬膜的蝕刻終點時間，更進一步提升液晶面板制造良率。
本發(fā)明已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開的實施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神 及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種金屬蝕刻終點偵測方法，應(yīng)用于一金屬蝕刻終點偵測機，其特征在于包含 對金屬膜進行掃描，以獲取掃描區(qū)域中，所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例；判斷所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例是否達到一預(yù)定比例； 當(dāng)達到所述預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對所述金屬膜已蝕刻的時間為所述金屬膜的蝕刻終 點時間。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬蝕刻終點偵測方法，其特征在于在判斷所述金屬膜的透 光面積占所述掃描區(qū)域的比例是否達到所述預(yù)定比例的步驟中，若判定未達到所述預(yù)定比 例，則重復(fù)執(zhí)行所述對金屬膜進行掃描的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬蝕刻終點偵測方法，其特征在于所述金屬蝕刻終點偵測 機包括一用于對金屬膜進行掃描的掃描儀，且所述掃描儀以其長度方向垂直于承載所述金 屬膜的基板的傳送方向設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的金屬蝕刻終點偵測方法，其特征在于所述金屬蝕刻終點偵測 機包括一用于對金屬膜進行掃描的掃描儀，且所述掃描儀的長度大于或等于承載所述金屬 膜的基板的寬度，以使所述掃描儀獲得的所述掃描區(qū)域橫跨所述基板的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的金屬蝕刻終點偵測方法，其特征在于所述預(yù)定比例為50% 75%。
6.一種金屬蝕刻終點偵測機，其特征在于包含獲取模塊，用于對金屬膜進行掃描，以獲取掃描區(qū)域中，所述金屬膜的透光面積占所述 掃描區(qū)域的比例；判斷模塊，用于判斷所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例是否達到一預(yù)定比例；確定模塊，用于在所述判斷模塊判定所述金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例達 到所述預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對金屬膜已蝕刻的時間為該金屬膜的蝕刻終點時間。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬蝕刻終點偵測機，其特征在于若所述判斷模塊判定所述 金屬膜的透光面積占所述掃描區(qū)域的比例未達到所述預(yù)定比例，則觸發(fā)所述獲取模塊對所 述金屬膜進行掃描。
8.如權(quán)利要求6所述的金屬蝕刻終點偵測機，其特征在于所述獲取模塊包括 掃描儀，用于對所述金屬膜進行掃描，以獲得所述金屬膜的透光面積；比例獲取單元，用于獲取所述掃描區(qū)域中，所述金屬膜的所述透光面積占所述掃描區(qū) 域的比例。
9.如權(quán)利要求8所述的金屬蝕刻終點偵測機，其特征在于所述掃描儀的長度大于或 等于承載所述金屬膜的基板的寬度，以使所述掃描儀獲得的所述掃描區(qū)域橫跨所述基板的寬度。
10.如權(quán)利要求6所述的金屬蝕刻終點偵測機，其特征在于所述預(yù)定比例為50% 75%。
全文摘要
本發(fā)明公開一種金屬蝕刻終點偵測方法及金屬蝕刻終點偵測機。金屬蝕刻終點偵測方法包含對金屬膜進行掃描，以獲取掃描區(qū)域中，透光面積占掃描區(qū)域的比例；判斷透光面積占掃描區(qū)域的比例是否達到預(yù)定比例；當(dāng)達到預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對金屬膜已蝕刻的時間為蝕刻終點時間。金屬蝕刻終點偵測機具有獲取模塊、判斷模塊及確定模塊。獲取模塊用于對金屬膜進行掃描，以獲取掃描區(qū)域中，透光面積占掃描區(qū)域的比例。判斷模塊用于判斷透光面積占掃描區(qū)域的比例是否達到預(yù)定比例。確定模塊用于在判斷模塊判定透光面積占掃描區(qū)域的比例達到預(yù)定比例時，確定當(dāng)前對金屬膜已蝕刻的時間為蝕刻終點時間。本發(fā)明能精確判定金屬膜的蝕刻終點時間。
文檔編號G01B11/28GK102142384SQ201010575610
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月2日
發(fā)明者王靜文, 賀成明 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司