專利名稱：用變頻交流電源測定有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及注入型有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間，它是發(fā)光在激發(fā)停止后發(fā)光持續(xù)的 時(shí)間，是發(fā)光的真實(shí)壽命。它用于測定有機(jī)場致發(fā)光的顯示屏的反應(yīng)時(shí)間，以確定在無源矩 陣屏中尋址的臨界速度。也用于交流有機(jī)場致發(fā)光屏用作光源時(shí)的閃爍特性，并判斷提高 有機(jī)場致發(fā)光屏的發(fā)光強(qiáng)度及效率的潛在能力。
背景技術(shù)：
有機(jī)場致發(fā)光可以產(chǎn)生于固態(tài)陰極射線的碰撞激發(fā)，也可以產(chǎn)生于雙極注入的復(fù) 合激發(fā)。衰減是發(fā)光的原則性最強(qiáng)的參數(shù)，是理論及應(yīng)用的必須掌握的參數(shù)。過去七，八十 年雖然積累了在5，6種不同時(shí)間區(qū)段中測量發(fā)光衰減的方法，但它們遵循的都是運(yùn)動學(xué)原 理，只能提供發(fā)光衰減的速度信息，而且只限于單分子單指數(shù)衰減，不能確定發(fā)光期間。照 這一方法預(yù)言的發(fā)光期間對各種中心都是無窮大，它顯然與事實(shí)不符。我們提出的發(fā)光期 間則既是符合實(shí)際，又應(yīng)用廣泛的重要概念。在認(rèn)識上既可擴(kuò)展，又可深入；技術(shù)上既有堅(jiān) 實(shí)依據(jù)，又有簡便方法。和發(fā)光衰減速度相比，它提供了發(fā)光衰減的另一更普遍，更實(shí)質(zhì)，更 有應(yīng)用空間的屬性。發(fā)光期間的概念，早在上世紀(jì)三十年代就由瓦維洛夫提出，并作為判別發(fā)光與其 它非平衡輻射的標(biāo)準(zhǔn)，在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)了 Cherenkov (契連科夫)效應(yīng)，獲得了 1958年的諾貝 爾獎。但它只是證明了發(fā)光期間的存在，并不知道這個期間有多長，并且因?yàn)闇y光強(qiáng)的靈敏 度有限，用傳統(tǒng)的測量發(fā)光強(qiáng)度隨時(shí)間變化的方法也無法測出發(fā)光消失的時(shí)間。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種測量有機(jī)發(fā)光材料的注入型場致發(fā)光的 期間的方法。本發(fā)明的技術(shù)方案用變頻交流電源測定有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間的方法，該方法包括第一，選用交流電源選定1 IOV的電壓，IOOns 100 μ s及頻率可調(diào)的有正、 負(fù)脈沖的交流電源。第二，要求
，其中P是所選的恒定脈寬，口6及口！^是電子及空穴的 遷移率，E是電場強(qiáng)度，d是注入型有機(jī)場致發(fā)光薄膜的厚度。第三，找發(fā)光強(qiáng)度隨頻率變化曲線的回折點(diǎn)用上述電源激發(fā)注入型有機(jī)場致發(fā) 光薄膜，從低頻起逐步增加頻率，則發(fā)光強(qiáng)度線性上長，到一定頻率時(shí)，發(fā)光開始下降，找出 激發(fā)光從低頻到高頻變化時(shí)，發(fā)光光強(qiáng)與頻率的關(guān)系從線性上升到回折的轉(zhuǎn)變點(diǎn)所對應(yīng)的 頻率fo，這時(shí)發(fā)光期間
所述的有機(jī)場致發(fā)光材料是喹啉鋁(Alq3)或聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧
基)-1，4-苯撐乙烯撐](MEH-PPV)。 本發(fā)明的有益效果對發(fā)光的性質(zhì)有更全面地了解，它在應(yīng)用上可以更正確地選 址、正確地用來提高發(fā)光亮度及效率。
圖1發(fā)光強(qiáng)度隨激發(fā)頻率的變化。
具體實(shí)施例方式用變頻交流電源測定有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間的方法，該方法包括一、準(zhǔn)備所用設(shè)備1)有正、負(fù)脈沖的交流變頻脈沖電源，以保證在每次激發(fā)時(shí)正、負(fù)載流子都是從電 極開始對向遷移。選用交流電源選定1 IOV的電壓，IOOns 100 μ S。2)測量發(fā)光強(qiáng)度的探測器可選用光度計(jì)、功率計(jì)、光電倍加管、光電二極管。二、測量條件及方法用所準(zhǔn)備的交流電源激發(fā)發(fā)光體喹啉鋁(Alq3)或聚[2-甲氧基_5_(2_乙基己氧 基)-1，4_苯撐乙烯撐](MEH-TTV)的注入型有機(jī)場致發(fā)光薄膜；從低頻起逐步增加頻率，則發(fā)光強(qiáng)度線性上長，到一定頻率時(shí)，發(fā)光開始下降，找 出激發(fā)光從低頻到高頻變化時(shí)，發(fā)光光強(qiáng)與頻率的關(guān)系從線性上升到回折的轉(zhuǎn)變點(diǎn)所對應(yīng) 的頻率&，這時(shí)發(fā)光期間 本發(fā)明的理論依據(jù)這個問題的關(guān)鍵是回折點(diǎn)從何而來？就回折點(diǎn)前后的一個周期來看，全周期內(nèi)發(fā) 生了三個過程(1)兩種載流子迎面輸運(yùn)相逢，在相逢前占用了、時(shí)間。(2)恒定脈寬的激發(fā)，占用了 ρ時(shí)間，在脈沖終了時(shí)開始計(jì)算發(fā)光衰減。(3)除激發(fā)及載流子輸運(yùn)時(shí)間外剩余的時(shí)間是
但、時(shí)段內(nèi)發(fā)光 也可用來供發(fā)光衰減，所以可用于發(fā)光衰減的時(shí)間則有
權(quán)利要求
用變頻交流電源測定有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間的方法，其特征在于，該方法包括第一，選用交流電源頻率可調(diào)的有正、負(fù)脈沖的交流電源。第二，找發(fā)光強(qiáng)度隨頻率變化曲線的回折點(diǎn)用上述電源激發(fā)注入型有機(jī)場致發(fā)光薄膜，從低頻起逐步增加頻率，則發(fā)光強(qiáng)度線性上長，到一定頻率時(shí)，發(fā)光開始下降，找出激發(fā)光從低頻到高頻變化時(shí)，發(fā)光光強(qiáng)與頻率的關(guān)系從線性上升到回折的轉(zhuǎn)變點(diǎn)所對應(yīng)的頻率f0，這時(shí)發(fā)光期間 <mrow><mi>T</mi><mo>=</mo><mfrac> <mn>1</mn> <msub><mi>f</mi><mn>0</mn> </msub></mfrac><mo>-</mo><mo>[</mo><mi>p</mi><mo>-</mo><mfrac> <mi>d</mi> <mrow><mrow> <mo>(</mo> <msub><mi>μ</mi><mi>e</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub><mi>μ</mi><mi>h</mi> </msub> <mo>)</mo></mrow><mi>E</mi> </mrow></mfrac><mo>]</mo> </mrow>其中要求 <mrow><mi>p</mi><mo>-</mo><mfrac> <mi>d</mi> <mrow><mrow> <mo>(</mo> <msub><mi>μ</mi><mi>e</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub><mi>μ</mi><mi>h</mi> </msub> <mo>)</mo></mrow><mi>E</mi> </mrow></mfrac><mo>></mo><mn>0</mn> </mrow>其中p是所選的恒定脈寬，μe及μh是電子及空穴的遷移率，E是電場強(qiáng)度，d是注入型有機(jī)場致發(fā)光薄膜的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求ι所述的用變頻交流電源測定有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間的方法，其特 征在于，有機(jī)場致發(fā)光材料Alq3或MEH-PPV。
全文摘要
用變頻交流電源測定有機(jī)場致發(fā)光的發(fā)光期間的方法，涉及信息顯示技術(shù)。該方法包括第一，選用交流電源頻率可調(diào)的有正、負(fù)脈沖的交流電源。第二，要求其中p是所選的恒定脈寬，μe及μh是電子及空穴的遷移率，E是電場強(qiáng)度，d是注入型有機(jī)場致發(fā)光薄膜的厚度。第三，找發(fā)光強(qiáng)度隨頻率變化曲線的回折點(diǎn)用上述電源激發(fā)注入型有機(jī)場致發(fā)光薄膜，從低頻起逐步增加頻率，則發(fā)光強(qiáng)度線性上長，到一定頻率時(shí)，發(fā)光開始下降，找出激發(fā)光從低頻到高頻變化時(shí)，發(fā)光光強(qiáng)與頻率的關(guān)系從線性上升到回折的轉(zhuǎn)變點(diǎn)所對應(yīng)的頻率f0，這時(shí)發(fā)光期間知道期間后，才可正確使用這種發(fā)光材料正確估計(jì)發(fā)光效率。也才能正確估計(jì)它在平板顯示中的像元數(shù)目及選址。
文檔編號G01M11/02GK101893508SQ20101022507
公開日2010年11月24日 申請日期2010年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月2日
發(fā)明者冀國蕊, 張?？? 徐敘瑢, 徐征, 趙謖玲 申請人:北京交通大學(xué)