專利名稱：一種取向硅鋼電磁性能的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測方法，特別涉及一種取向硅鋼電磁性能的檢測方法。
背景技術(shù)：
愛潑斯坦方圈法是國標(biāo)(GB/T 3655-2000)規(guī)定的電工鋼磁性檢測方法，對試樣的重量和表面質(zhì)量等要求較為嚴(yán)格；當(dāng)試樣重量過小或表面質(zhì)量不良等情況，則不能采用愛潑斯坦方圈進行磁性能檢測(國標(biāo)GB/T3655-2000要求試樣的有效質(zhì)量至少應(yīng)為 240g，推薦的試樣長度為300mm，質(zhì)量約為Ikg ；試樣的剪切要求剪切整齊、平坦，直角性良好，邊沿?zé)o明顯毛刺)。蝕坑是由試樣表面的晶面進行擇優(yōu)溶蝕形成，利用該特性可以使用金相蝕坑法直接計算出試樣中每個晶粒的晶體學(xué)位向(“蝕坑的形成條件及其幾何多樣性”，羅陽，金屬學(xué)報，1982,18 ) 472 ；“高磁感取向硅鋼軋制和再結(jié)晶織構(gòu)的研究”，呂其春、帥仁杰、 周秀媛等，金屬學(xué)報，1981，，7(1) 58 ；"The application of the etch-pit method to quantitative texture analysis'^. T. LEE，G. deWIT、A. MORAffIEC,J. A. SZPUNAR,J0URNAL0F MATERIAL SCIENCE，1995，30，1327-1332)；然后計算該晶粒的取向偏差角9i( “蝕坑法求算取向硅鋼再結(jié)晶織構(gòu)的0DF”劉剛，王福等，《東北大學(xué)學(xué)報》，1997，18(6) :614; “The application of the etch-pit method to quantitative texture analysis，，， K. T. LEE、G. deWIT、A. M0RAWIEC、J. A. SZPUNAR，《JOURNAL OF MATERIAL SCIENCE》，1995，30， 1327-1332)。磁晶各向異性是由于電子軌道和磁矩與晶體點陣的耦合作用，使磁矩沿一定晶軸擇優(yōu)排列的現(xiàn)象，這導(dǎo)致各晶軸方向的磁化特性不同。<100>晶軸為易磁化方向，<111>晶軸為難磁化方向，<110>晶軸介于兩者之間。對于取向硅鋼而言，電磁性能與試樣的晶粒取向<100>密切相關(guān)(電工鋼，何忠治，北京冶金工業(yè)出版社，1996 ； "Mechanism of Orientation Selectivityof Secondary Recrystallization in Fe~3% Si Alloy", Yoshiyuki USHIGAMI, Takeshi KUBOTA and Nobuyuki TAKAHASHI, ISIJ International,1998,38(6),553 ；"The Relationship between Primary and Secondary Recrystallization Texture of Grain Oriented Silicon Steel"Tomoji KUMAN0>Tsutomu HARATANI and Yoshiyuki USHIGAMI, ISIJ hternational，2002，42 (4)，440。因此可以利用金相蝕坑法加上計算公式替代磁測設(shè)備進行取向硅鋼電磁性能檢測的創(chuàng)新性做法，同時又具有以下優(yōu)點，解決試樣重量過小或表面質(zhì)量不良等無法采用愛潑斯坦方圈進行磁性能檢測情況。中國專利公開號CN 101216440A，該發(fā)明采用固定2 θ角，進行ω掃描的非對稱X 射線衍射方法來測定取向硅鋼易磁化方向W01]晶向取向的分布。但該專利不足之處在于只是測量取向硅鋼成品W01]晶向偏離角，而并沒有結(jié)合取向硅鋼成品W01]晶向偏離角與磁性的相關(guān)性進行進一步的研究。中國專利公開號CN 101210947Α，該發(fā)明利用EBSD系統(tǒng)中測得樣品每點取向的三個歐拉角，及每一相同或近似取向所占比例X，結(jié)合推算出的厚度系數(shù)fH、成分f。及取向差對性能影響系數(shù)e，利用這些系數(shù)在純鐵性能B0的基礎(chǔ)上進行修正，得到該樣板的磁性能 B。但該專利存在如下不足首先，由于EBSD設(shè)備昂貴以及操作方面的繁瑣，使得很多企業(yè)， 特別是中小企業(yè)無法使用該技術(shù)；其次，對于成品磁性能計算模型而言，從實驗數(shù)據(jù)(厚度 0. 2 0. 3_的取向硅鋼)發(fā)現(xiàn)厚度對于成品磁性能基本沒有影響，而對化學(xué)成分方面的研究發(fā)現(xiàn)，主要影響因子為Si，其他化學(xué)成分影響較小或基本沒有影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種取向硅鋼電磁性能的檢測方法，解決了沒有磁測設(shè)備的情況下，或者由于試樣重量和尺寸過小或表面質(zhì)量不良等原因而無法采用磁測設(shè)備的情況下，完成試樣的磁性檢測的難題。為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是，本發(fā)明通過利用金相蝕坑法測得成品試樣中每個晶粒的歐拉角(α，β，Y)(歐拉角(α，β，Υ)是用來確定定點轉(zhuǎn)動剛體位置的3個一組獨立角參量，由章動角β、旋進角(即進動角)α和自轉(zhuǎn)角Y組成；并換算出該晶粒的取向偏差角θ i，并利用其它相關(guān)參數(shù)推算出該樣板的電磁性能。具體地，本發(fā)明的一種取向硅鋼電磁性能的檢測方法，通過金相蝕坑法測得試樣中每個晶粒的歐拉角，并計算出該晶粒的取向偏差角θ i (度)，結(jié)合該晶粒的面積Si (mm2) 及Si元素的修正系數(shù)X，X = 0. 1 IOT/度)，利用這些參數(shù)(θ ρ Sp X)在單晶材料磁性能Btl (飽和磁感應(yīng)強度，T)的基礎(chǔ)上進行修正，修正的公式(見式1)為
權(quán)利要求
1. 一種取向硅鋼電磁性能的檢測方法，該取向硅鋼Si百分含量為2. 8% 4.0%，通過金相蝕坑法測得試樣中每個晶粒的歐拉角，并計算出該晶粒的取向偏差角θ i(度)，結(jié)合該晶粒的面積SiOnm2)及Si元素的修正系數(shù)X，X = 0. 1 IOT/度，利用這些參數(shù)(θ ^Si, X)在單晶材料磁性能Btl (飽和磁感應(yīng)強度，Τ)的基礎(chǔ)上進行修正，修正的公式為
全文摘要
一種取向硅鋼電磁性能的檢測方法，通過金相蝕坑法測得試樣中每個晶粒的歐拉角，并計算出該晶粒的取向偏差角θi(度)，結(jié)合該晶粒的面積Si(mm2)及Si元素的修正系數(shù)X，X＝0.1～10T/度)，利用這些參數(shù)(θi、Si、X)在單晶材料磁性能B0(飽和磁感應(yīng)強度，T)的基礎(chǔ)上進行修正，修正的公式為通過上述推算，得到該取向硅鋼的電磁性能B8。本發(fā)明解決了沒有磁測設(shè)備的情況下，或者由于試樣重量和尺寸過小或表面質(zhì)量不良等原因而無法采用磁測設(shè)備的情況下，完成試樣的磁性檢測的難題。
文檔編號G01R33/12GK102298127SQ201010207498
公開日2011年12月28日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者吳美洪, 孫煥德, 李國保, 楊國華, 沈侃毅, 靳偉忠, 黃杰 申請人:寶山鋼鐵股份有限公司