專利名稱：半導(dǎo)體元件的耐壓測定裝置及耐壓測定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定的耐壓測定裝置及耐壓測定方法，尤其涉及一種在被安裝到封裝中之前的晶片狀態(tài)下，可以對具有高耐壓的碳化硅半導(dǎo)體元件等功率器件的耐壓進(jìn)行測定的耐壓測定裝置及耐壓測定方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體元件通常在晶片上形成有多個，在分離成獨(dú)立的元件之后，被封入到樹脂制的封裝等中。使用測定裝置對各半導(dǎo)體元件是否具有規(guī)定性能進(jìn)行評價，只將滿足了評價標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元件作為制品進(jìn)行販賣。在封裝之后進(jìn)行這樣的評價的情況下，需要實(shí)施將獨(dú)立的半導(dǎo)體元件一個一個插 入到測定裝置的測試頭中(test head)的作業(yè),對元件的處理(handling)需要勞力和時間。為了高效進(jìn)行該作業(yè)，需要采用被稱為處理機(jī)(handler)的大型搬送機(jī)構(gòu)。與之相對，如果在將元件分離之前的晶片狀態(tài)下對半導(dǎo)體元件進(jìn)行評價，則由于可以有效地評價多數(shù)元件，所以是方便的作法。其原因在于，由于在晶片上元件相互接近且規(guī)則地周期性排列，所以，只要通過使檢查用的探頭與每個元件接觸來進(jìn)行特性的測定，并在測定之后，使探頭與相鄰的元件相對移動，便能夠有效地評價多數(shù)元件。圖8示意地表示了對晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的特性進(jìn)行測定的現(xiàn)有的普通測定裝置200。測定裝置200具備載置臺(stage) 201、探頭202及203、電壓施加部204和電流測量部205。圖9是表示使用了測定裝置200的半導(dǎo)體元件的特性、尤其表示耐壓的測定順序的流程圖。首先，從放入有多個晶片I的盒(cassette)中將一個晶片I裝載到載置臺201上(步驟S201)。接著，進(jìn)行晶片的校準(zhǔn)(S211)。例如，利用未圖示的CCD照相機(jī)等來檢測在晶片I上被分離設(shè)置的多個校準(zhǔn)標(biāo)記(該校準(zhǔn)標(biāo)記通常是預(yù)先設(shè)定的晶片上的特定圖案)，按照載置臺201的移動方向(例如X、Y方向)與晶片I中的多個半導(dǎo)體元件的排列方向一致的方式使載置臺201旋轉(zhuǎn)(9方向)。然后，按照預(yù)先設(shè)定的晶片圖(wafer map)使載置臺移動，以便使探頭202及203位于最初的測定對象的半導(dǎo)體元件上(S212)。接著，例如使載置臺201上升，讓探頭202及203的前端與半導(dǎo)體元件的電極焊盤接觸(S213)。隨后，利用電壓施加部204對探頭202及203或者載置臺201施加電壓。在使電壓增加的同時，利用電流測量部205測量流過的電流，將成為所希望的電流值時的電壓記錄為耐壓(S214)。在耐壓測定結(jié)束之后，使載置臺201下降(S215)，對晶片I上的下一個元件進(jìn)行測定(S216、S212 S215)。在對最后的元件進(jìn)行了測定之后(S216)，卸下晶片1(S217)，從盒中裝載下一個晶片1(S210)。通過反復(fù)進(jìn)行這些動作(S212 S216)，對盒內(nèi)的所有晶片I的半導(dǎo)體元件進(jìn)行耐壓測定。
近年來，氣候變暖成為矚目的問題，為了降低二氧化碳，需要采用節(jié)省能源的技術(shù)。因此，用于對混合動力汽車、電動車等中所使用的馬達(dá)進(jìn)行逆變控制且動作電壓及動作電流高的MOSFET、IGBT、二極管、雙極型晶體管、JFET, SIT等功率器件的開發(fā)正在盛行。對于這些功率器件而言，耐壓是重要的性能之一，是必須進(jìn)行評價的項(xiàng)目。不過，由于功率器件大多是具有幾百V以上耐壓的器件，所以，如果為了測定耐壓而在探頭間或探頭與框體間施加高電壓，則在這些部件之間將引起大氣放電，存在測定裝置的電源被破壞等問題。而且，存在著耐壓的測定被沿面距離、空間距離和濕度等左右，難以準(zhǔn)確地測定耐壓的問題。因此，即便是不能在晶片上檢查半導(dǎo)體元件的耐壓、且耐壓特性不足的元件，如果不是在進(jìn)行元件分離而將其收納到封裝之后，則不能進(jìn)行評價，也成為檢查效率降低的原因。為了解決這樣的課題，專利文獻(xiàn)I公開了一種圖10(a)及圖10(b)所示的耐壓檢查裝置。圖10(a)所示的檢查裝置具備載置臺302、探頭311P及312P，晶片301被支承在載置臺302上。晶片301的整體被絕緣溶液351覆蓋。載置臺302和探頭311P及312P分別與晶片351上的半導(dǎo)體元件的集電極313C和柵極311G及發(fā)射極312E電連接。由此，公 開了通過在它們之間施加電壓，能夠測定耐壓的技術(shù)。另外，圖10(b)所示的檢查裝置具備充滿了絕緣液322的槽321，被支承在載置臺302上的晶片301以整體浸潰在絕緣溶液322中的狀態(tài)來測定其耐壓。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，通過使用圖10(a)及圖10(b)所示的耐壓檢查裝置，可以將耐壓檢查裝置自身的測定耐壓以往為2000V左右的提升到IOkV左右。專利文獻(xiàn)I :日本特開2003-100819號公報近年來,不斷開發(fā)的碳化娃(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(wideband-gap)半導(dǎo)體材料與硅相比，具有比其大一個數(shù)量級以上的絕緣破壞電場。因此，考慮到使用了寬帶隙半導(dǎo)體材料的功率器件與使用了硅的功率器件相比，半導(dǎo)體材料自身的絕緣破壞電場高的情 況，來設(shè)計元件的耐壓構(gòu)造。本發(fā)明的發(fā)明者研究了對作為使用寬帶隙半導(dǎo)體材料的功率器件之一的、采用了碳化硅的MOSFET在晶片上進(jìn)行耐壓測定的情況，實(shí)施了各種實(shí)驗(yàn)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在采用了碳化硅的MOSFET中，MOSFET在比設(shè)計耐壓低的電壓下被破壞?？梢哉J(rèn)為這與大氣放電相關(guān)。為了防止大氣放電、準(zhǔn)確地測定耐壓，可以考慮使用專利文獻(xiàn)I中公開的裝置，來測定耐壓的方案。不過，在專利文獻(xiàn)I的圖10(a)及圖10(b)所示的裝置中，由于晶片表面整體被絕緣液覆蓋，所以，有可能難以準(zhǔn)確地檢測出設(shè)置在晶片301上的校準(zhǔn)標(biāo)記。因此，在不能準(zhǔn)確地進(jìn)行晶片301的校準(zhǔn)的情況下，無法對該晶片301進(jìn)行檢查。另外，作為這樣的絕緣液，專利文獻(xiàn)I例示了氟類惰性液。但是，在氟類惰性液中，例如氫氟醚那樣會在比較短的時間內(nèi)(幾秒)發(fā)生氣化。因此，當(dāng)如圖10(a)所示那樣由絕緣溶液351覆蓋晶片301整體時，還要考慮在對晶片301上的元件進(jìn)行測定的過程中，絕緣溶液351漸漸蒸發(fā)，在測定的中途，絕緣溶液351完全消失的情況。而且，為了對晶片301的所有元件測定耐壓，需要移動載置臺302。通常情況下，為了能夠在短時間內(nèi)進(jìn)行多個元件的測定，這樣的測定裝置能夠以高速移動載置臺。因此，當(dāng)以高速進(jìn)行載置臺的移動時，在圖10(a)所示的裝置中，絕緣溶液351有可能因載置臺302的移動而灑出。另外，在為了絕緣溶液351不灑出而降低載置臺302的移動速度的情況下，測定完晶片301整體的元件所需要的時間增長，如上所述那樣會導(dǎo)致絕緣溶液351蒸發(fā)。此外，在采用圖10(b)所示的裝置的情況下，由于需要將載置臺302整體浸潰到絕緣溶液322中，所以，導(dǎo)致測定裝置規(guī)模大，而且裝置價格也增高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，為了解決這樣的現(xiàn)有技術(shù)的至少一個課題，而提供能夠?qū)Ω吣蛪旱陌雽?dǎo)體元件進(jìn)行耐壓測定的耐壓測定裝置及耐壓測定方法。本發(fā)明的耐壓測定方法，用于對形成在晶片表面的多個半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定，其中包括將所述晶片固定到載置臺的步驟(A);利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋從所述多個半導(dǎo)體元件選擇的一個半導(dǎo)體元件上設(shè)置的測定耐壓的一個以上露出于大氣的電極，并且使探頭與所述一個以上電極接觸的步驟(B);和對從所述一個以上電極及所述載置臺表面選擇的兩個之間的耐壓進(jìn)行測定的步驟(C)。 在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述步驟(B)中，利用所述絕緣液覆蓋所述一個半導(dǎo)體元件和包圍所述一個半導(dǎo)體元件且露出于大氣的位置線。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中,所述絕緣液具有比大氣高的絕緣性。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，從所述多個半導(dǎo)體元件中反復(fù)選擇不同的一個半導(dǎo)體元件，對所選擇的半導(dǎo)體元件，進(jìn)行所述步驟(B)及(C)。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，耐壓測定方法還包括在所述步驟(A)與(B)之間，使用設(shè)置在所述晶片表面的兩個以上校準(zhǔn)標(biāo)記，按照設(shè)置于所述晶片的所述多個半導(dǎo)體元件的排列方向與所述載置臺的可移動方向一致的方式，使所述載置臺旋轉(zhuǎn)的步驟。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述步驟(B)包括使探頭與所述一個半導(dǎo)體元件的所述一個以上電極接觸的步驟(BI);和在所述步驟(BI)之后，利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋設(shè)置于所述一個半導(dǎo)體元件的對耐壓進(jìn)行測定的一個以上露出于大氣的電極的步驟(B2)。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述步驟(B)包括利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋設(shè)置于所述一個半導(dǎo)體元件的對耐壓進(jìn)行測定的一個以上露出于大氣的電極的步驟(B3);和在所述步驟(B3)之后，使探頭與所述一個半導(dǎo)體元件的所述一個以上電極接觸的步驟(B4)。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述步驟(B3)包括按照所述晶片接近所述探頭的方式，使所述載置臺移動的步驟；和將所述絕緣液噴出到晶片上的步驟。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體元件是碳化硅半導(dǎo)體功率元件。本發(fā)明的耐壓測定裝置，用于對形成在晶片表面的多個半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定，其具備控制部；至少一個探頭；晶片位置控制部，其含有固定所述晶片的載置臺，根據(jù)來自所述控制部的指令，使所述載置臺移動，以便在從固定于所述載置臺的晶片的多個半導(dǎo)體元件中選擇的一個半導(dǎo)體元件設(shè)置的測定耐壓的一個以上露出于大氣的電極，能夠與所述至少一個探頭接觸；絕緣液噴出部，其根據(jù)來自所述控制部的指令，利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋所述選擇的半導(dǎo)體元件的所述電極；和電壓施加部，其根據(jù)來自所述控制部的指令，對從所述至少一個探頭及所述載置臺表面選擇的兩個之間的耐壓進(jìn)行測定。
在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述絕緣液噴出部包括具有與至少一個探頭接近的噴出口的噴嘴。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述絕緣液噴出部按照覆蓋所述選擇的一個半導(dǎo)體元件和包圍所述一個半導(dǎo)體元件并露出于大氣的位置線的方式，噴出所述絕緣液。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中,所述絕緣液具有比大氣高的絕緣性。
根據(jù)本發(fā)明，由于在對形成于晶片的多個半導(dǎo)體元件測定耐壓時，利用絕緣液覆蓋了對成為測定對象的半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定的電極，而不覆蓋晶片整體，所以，不會使裝置大規(guī)模化，可防止大氣放電，從而能夠測定半導(dǎo)體元件準(zhǔn)確的耐壓。而且，由于不需要利用絕緣液覆蓋晶片表面整體，所以，校準(zhǔn)標(biāo)記不會被絕緣液遮擋而難以觀察。并且，由于可以在測定之前，僅對應(yīng)該測定的半導(dǎo)體元件噴出絕緣液，所以，即使在一個晶片的測定花費(fèi)很長時間的情況下，也不會使絕緣液蒸發(fā)，能夠防止大氣放電。另外，還可以防止絕緣液因伴隨著載置臺的移動引起的振動而灑出。尤其在由寬帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的功率器件的耐壓測定中是有效的。


圖I是表示本發(fā)明涉及的耐壓測定裝置的第一實(shí)施方式的圖，是表示主要部分的結(jié)構(gòu)的概念性圖。圖2是表示本發(fā)明涉及的耐壓測定裝置明第一實(shí)施方式的模塊圖。圖3是表示在圖I所示的耐壓測定裝置中測定耐壓時MOSFET的狀態(tài)的俯視圖。圖4是圖3中的B-B，剖面圖。圖5是表示本發(fā)明涉及的耐壓測定方法的第一實(shí)施方式的流程圖。圖6是通過第一實(shí)施方式的耐壓測定方法測定出的碳化硅功率MOSFET在耐壓測定時的IV特性圖。圖7是表示在第二實(shí)施方式中測定耐壓時MOSFET的狀態(tài)的俯視圖。圖8是表示以往的耐壓測定裝置的構(gòu)成的示意圖。圖9是表示以往的耐壓測定方法的流程圖。圖10(a)及(b)分別是表示以往的耐壓測定裝置的其他構(gòu)成的示意圖。圖11是表示以往的耐壓測定方法中測定狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的俯視圖。圖12是表示以往的半導(dǎo)體元件的構(gòu)造的剖面圖。圖13是以往的半導(dǎo)體元件在耐壓測定時的IV特性圖。圖中1-晶片，2-半導(dǎo)體元件，9-源電極焊盤，10-柵電極焊盤，11-位置線(scribe line), 12-層間絕緣膜，13-保護(hù)膜，13a-開口端部，14-基板,15_n型半導(dǎo)體漂移層，16-p型半導(dǎo)體區(qū)域，17-耗盡層，18-源電極，19-柵電極，21-柵極絕緣膜，50-耐壓測定裝置，51-晶片位置控制部，52-絕緣液噴出部，53-電壓施加部，54-電流測定部，55-控制部，56-噴嘴，57-載置臺，58、59-探頭，60-絕緣液。
具體實(shí)施例方式本申請的發(fā)明者對在使用了碳化硅的MOSFET中，MOSFET在比設(shè)計耐壓低的電壓下發(fā)生破壞的原因詳細(xì)地進(jìn)行了研究。
圖11是本申請的發(fā)明者試制的碳化硅M0SFET2的晶片狀態(tài)的俯視圖。在晶片上配置有多個M0SFET2。各M0SFET2具備源電極焊盤9和柵電極焊盤10，晶片的背面成為與多個M0SFET2公共連接的漏電極(未圖示)。各M0SFET2和相鄰的M0SFET2被位置線11分離。這里，位置線是為了切取(切割)元件而除去了半導(dǎo)體表面的層間絕緣膜和保護(hù)膜的區(qū)域，因此，在位置線處，半導(dǎo)體表面露出在大氣中。M0SFET2集成了多個微小的單元(unit cell)，各單元分別構(gòu)成了 MOSFET。在M0SFET2中，各單元的柵極、源極及漏極與柵電極焊盤10、源電極焊盤9、晶片背面的漏電極連接，由單元構(gòu)成的MOSFET構(gòu)成了并聯(lián)連接的功率晶體管。并且，具備在設(shè)置于晶片背面的漏電極與設(shè)置于晶片表面的源電極焊盤9之間流動電流的縱型構(gòu)造。使用圖8所示的以往耐壓測定裝置200，測定了晶片狀態(tài)的M0SFET2截止?fàn)顟B(tài)下的耐壓。在測定耐壓時，通過真空吸附等將形成有M0SFET2的晶片I固定到載置臺201上，使探頭202及203與柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸。M0SFET2為增強(qiáng)(enhancement)型，通過將柵極和源極設(shè)為接地電位，M0SFET2成為截止?fàn)顟B(tài)。因此，將探頭202及203設(shè)定為接地電位。未圖示的晶片背面的漏電極借助用于固定晶片I的載置臺201，與測定裝置200的電壓施加部204及電流測定部205電連接。在利用電流測定部205測定漏極電流的同時，通過電壓施加部204使漏極電壓逐漸緩慢增加，將漏極電流超過了規(guī)定的閾值電流時的漏極電壓規(guī)定為耐壓。或者，也可以取代電流測定部205、電壓施加部204而連接恒流源、電壓施加部,將流過規(guī)定的漏極電流時的漏極電壓定義為耐壓。圖13是表示M0SFET2截止時(柵極電壓Vg = 0)的漏極電流與漏極電壓的IV特性的圖。設(shè)計耐壓為1400V。由圖13可知，在漏極電壓達(dá)到1100V之前，幾乎不流動漏極電流。但是，當(dāng)漏極電壓達(dá)到了約1100V時，電流急劇地流動達(dá)到了 Iil A。此時，IV測定器的電力限制器工作，使得施加電壓降低至600V。電流的急劇增加是因?yàn)榘雽?dǎo)體元件因大氣放電而被破壞。當(dāng)再一次對該M0SFET2的IV特性進(jìn)行了測定時，在第二次的IV測定中，流過大了幾V的漏電流(未圖示)?？梢哉J(rèn)為其原因是，由于大氣放電引起的破壞，在碳化硅中流過大電流，與之相伴導(dǎo)致溫度上升，由此在半導(dǎo)體元件中形成了泄漏路徑。當(dāng)利用光學(xué)顯微鏡觀察被破壞的M0SFET2時，確認(rèn)了元件的周邊部處的破壞。具體而言，可以觀察到圖11所示的源電極焊盤9的保護(hù)膜開口端13a和周邊的密封圈變色，并看到AL布線發(fā)生了熔解的痕跡。研究的結(jié)果是，本申請的發(fā)明人將大氣放電的原因推論如下。圖12是沿箭頭方向觀察圖11所示的M0SFET2的A-A’剖面的圖。在低電阻的n型半導(dǎo)體基板14上形成有高電阻的n型半導(dǎo)體漂移層15，在漂移層15的內(nèi)部選擇性地形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域16。在單元內(nèi)的P型半導(dǎo)體區(qū)域16的表面形成有源電極18，各單元的源電極18通過厚膜的源電極焊盤9而相互連接。源電極焊盤9如上述那樣與探頭203接觸，所有的源電極18被固定為接地電位。N型半導(dǎo)體基板14作為漏極發(fā)揮功能，借助形成在該背面的漏電極(背面電極)20被固定為漏極電位。由于通常情況下漏極電位是正電壓，所以，p型半導(dǎo)體區(qū)域16與n型半導(dǎo)體漂移層15的界面、即pn結(jié)被施加逆偏置電壓。因此，在漂移層15中耗盡層17、蔓延擴(kuò)展。在漂移層15中耗盡層17內(nèi)部存在電場，由此產(chǎn)生電位分布，但在耗盡層17以外的區(qū)域中不產(chǎn)生電場，電位相同。即，漂移層15的耗盡層17以外的區(qū)域成為漏極電位。在漂移層15的表面隔著柵極絕緣膜21形成有柵電極19。并且，按照覆蓋柵電極19的方式設(shè)置有層間絕緣膜12。源電極焊盤9位于層間絕緣膜12上，經(jīng)由設(shè)置于層間絕緣膜12的開口，源電極焊盤9與源電極18連接。在源電極焊盤9上形成有主要由氮化硅膜或聚酰亞胺構(gòu)成的保護(hù)膜13。為了使源電極焊盤9露出，在保護(hù)膜13上設(shè)置有由開口端13a規(guī)定的開口。位置線11是用于將設(shè)置在晶片上的多個M0SFET2切斷的區(qū)域。在位置線11上沒有設(shè)置柵極絕緣膜21、層間絕緣膜12及保護(hù)膜13，半導(dǎo)體漂移層15的表面露出在大氣中。、如上所述，由于漂移層15除了耗盡層17之外，為相同的電位，所以，在耐壓測定過程中，位置線11的表面也為漏極電位。源電極焊盤9為接地電位，位置線11為漏極電位，露出在大氣中。由這些的電位差產(chǎn)生的電場除了向半導(dǎo)體內(nèi)部施加之外,還向大氣施加。因此，如果在耐壓測定中，從保護(hù)膜13的開口端13a到位置線11的端部為止的距離L中大氣的絕緣破壞電場，比漂移層15及n型半導(dǎo)體基板14的絕緣破壞電場小，則基于漏極電位的上升，從源電極焊盤9的開口端13a到位置線11的端部為止，電流借助大氣流動。當(dāng)流動該電流時，與開口端13a到位置線11的端部之間的大氣接觸的保護(hù)膜13表面的溫度急劇上升。由此，漂移層15表面附近的位于它們之間的元件構(gòu)造因熱而被破壞，形成低電阻的導(dǎo)電性路徑，導(dǎo)致不能作為M0SFET2而準(zhǔn)確發(fā)揮功能。這樣，在對源電極焊盤9和漏電極焊盤20之間施加了高電壓的情況下產(chǎn)生了借助大氣的放電，是因?yàn)樵诰瑺顟B(tài)下對M0SFET2的耐壓進(jìn)行測定。通常情況下，由于各個M0SFET2被收納于封裝中，M0SFET2的表面被封裝樹脂覆蓋，所以，電流不會這樣通過大氣而流動。表I表不了娃、碳化娃、大氣及封裝樹脂的絕緣破壞電場。[表I]
1- 碳化硅大氣封裝樹脂(甲酚酚醛清漆系材料)^
絕緣破壞電 0. 3 ~0 060.01 0. 14
場(MV/cm)如表I所示，碳化硅的絕緣破壞電場比硅大一個數(shù)量級左右。雖然在表I中沒有表示，但公知氮化鎵的絕緣破壞電場也比硅大一個數(shù)量級左右。這樣，由于寬帶隙半導(dǎo)體與娃相比，絕緣破壞電場大10倍左右,所以，理論上即使減小元件的尺寸也能夠確保元件的耐壓。但是，大氣的絕緣破壞電場比硅小一個數(shù)量級左右。因此，通過將半導(dǎo)體材料從硅變更為碳化硅，可以實(shí)現(xiàn)更小型、耐壓更高的半導(dǎo)體元件，但在元件表面與大氣接觸的狀況下，由半導(dǎo)體元件的耐壓測定引起的借助大氣的放電，成為晶片狀態(tài)下半導(dǎo)體元件的耐壓測定中的問題。尤其在晶片狀態(tài)下，存在半導(dǎo)體基板的表面露出的位置線。因此，如圖11及圖12所示那樣使用寬帶隙半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體元件，越減小元件尺寸，位置線11的端部與源電極焊盤9的開口端部13a的距離L越短，容易發(fā)生耐壓測定中的大氣放電。因此，在位置線11與大氣放電相關(guān)的情況下，通過在耐壓測定中利用絕緣液覆蓋位置線11，可認(rèn)為位置線11不會露出到大氣中，能夠防止上述的大氣放電。圖11所示的M0SFET2中，在耐壓測定過程中柵電極焊盤10和源電極焊盤9被設(shè)定為同電位。因此，在這些電極焊盤之間不產(chǎn)生高電位差，也不會發(fā)生大氣放電。但是，對于半導(dǎo)體元件(例如橫式的功率MOSFET)而言，還可以認(rèn)為在耐壓測定中，通過形成在晶片表面的2個電極測定耐壓。該情況下，有可能在兩個電極指間經(jīng)由大氣流過電流。在該情況下，如果露出于大氣的2個電極中至少一個電極被絕緣液覆蓋，則由于2個電極中的至少一個不露出到大氣中，所以，可以防止大氣放電。S卩，在晶片狀態(tài)下測定半導(dǎo)體元件的耐壓的情況下，通過利用絕緣液至少覆蓋測定耐壓的一個以上露出到大氣中的電極、或露出到大氣中的位置線11，可以抑制上述的大氣放電的發(fā)生。不需要如專利文獻(xiàn)I所公開那樣，利用絕緣液覆蓋晶片的整個表面。而且， 絕緣液因此只要在測定之前滴落到被測定的元件即可。由此，還可以解決晶片的校準(zhǔn)困難的問題、絕緣液因載置臺的移動而灑出、或絕緣液在測定中蒸發(fā)所引起的問題。根據(jù)這樣的思路，本申請的發(fā)明人發(fā)明了以下詳細(xì)說明的耐壓測定裝置及耐壓測定方法。(第一實(shí)施方式)下面，參照附圖，對本發(fā)明涉及的耐壓測定裝置及耐壓測定方法的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖I示意地表示了本發(fā)明的耐壓測定裝置的第一實(shí)施方式的主要部分。而圖2是表示第一實(shí)施方式的構(gòu)成的框圖。本實(shí)施方式的耐壓測定裝置50具備晶片位置控制部51、絕緣液噴出部52、電壓施加部53、電流測定部54、控制部55、探頭58及59。控制部54對晶片位置控制部51、絕緣液噴出部52、電壓施加部53及電流測定部54進(jìn)行控制。在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體元件，對制作在晶片I上的多個縱式功率M0SFET2測定耐壓。通常，對晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查的裝置被稱為探頭，根據(jù)進(jìn)行檢查的半導(dǎo)體元件，除了耐壓之外，還可以檢查閾值電壓、導(dǎo)通電阻、正方向及反方向I-V特性等各種元件特性。本發(fā)明的耐壓測定裝置可以恰當(dāng)?shù)亟M裝到這樣的探頭中。晶片位置控制部51包括載置臺57。晶片位置控制部51根據(jù)來自控制部55的指令，例如通過吸附將晶片I固定到載置臺57上。載置臺57能夠根據(jù)來自控制部55的指令、即控制信號，例如如圖I所示那樣向X、Y、Z的三個軸向移動。并且，載置臺57能夠在X-Y平面內(nèi)沿0方向旋轉(zhuǎn)。探頭58及59被固定在未圖示的臺架上，為了對被固定于載置臺57的晶片I上所形成的多個半導(dǎo)體元件測定耐壓，探頭58及59與設(shè)置于半導(dǎo)體元件的電極接觸，通過和電極電連接，對電極施加電壓、使其中流過電流。在本實(shí)施方式中，探頭58及59與M0SFET2的柵電極焊盤及源電極焊盤接觸，被設(shè)定為規(guī)定的電位。在本實(shí)施方式中，當(dāng)對M0SFET2測定耐壓時，由于需要將柵極及源極設(shè)定為接地電位，所以，具備2個探頭58及59。但是，探頭的個數(shù)可以根據(jù)被測定的半導(dǎo)體元件的端子數(shù)量、耐壓測定時應(yīng)設(shè)定電位的端子數(shù)等來決定，還可以是一個或三個以上。例如，在被檢查的半導(dǎo)體元件是縱式二極管的情況下，晶片I的背面成為陽極或陰極，在晶片I的表面形成陰極電極焊盤或陽極電極焊盤。該情況下，耐壓測定裝置只要具備與設(shè)置在晶片I表面的陰極電極焊盤或陽極電極焊盤接觸的一個探頭即可。圖3是形成在晶片I上的多個M0SFET2的俯視圖。如參照圖11所說明那樣，各M0SFET2具備源電極焊盤9和柵電極焊盤10，晶片的背面成為與多個M0SFET2公共連接的漏電極(未圖示)。各M0SFET2與相鄰的M0SFET2被位置線11分離。M0SFET2包含多個單元，各單元分別構(gòu)成了 MOSFET。在M0SFET2中，各單元的柵極、源極及漏極與柵電極焊盤10、源電極焊盤9、漏電極連接，由單元構(gòu)成的MOSFET構(gòu)成了并聯(lián)連接的功率晶體管。而且，M0SFET2具備在設(shè)置于晶片背面的漏電極與設(shè)置于晶片表面的源電極焊盤9之間流動電流的縱型構(gòu)造。探頭58及59被配置成各自的前端與柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸。載置臺57的表面例如被金等導(dǎo)體被覆，與設(shè)置于晶片背面的漏電極電連接。探頭58及59以及 載置臺57的表面與包含電壓施加部53及電流測定部54的耐壓測定部連接?；诳刂撇?5的指令，探頭58及59被固定為接地電位，載置臺57的表面被施加漏極電壓。絕緣液噴出部52包含具有噴嘴56的分配器。噴嘴56被固定在未圖示的臺架上，與探頭58及59接近配置。分配器還包含保持絕緣液的容器，根據(jù)來自控制部55的指令，噴出規(guī)定量的絕緣液60。圖4表示了圖3所示的M0SFET2的B-B’剖面。如果如圖3及圖4所示那樣簡要進(jìn)行說明，則對于所噴出的絕緣液60而言，按照在形成于晶片I上的多個M0SFET2中今后將被測定的M0SFET2的測定中，不發(fā)生大氣放電的方式，由絕緣液60僅覆蓋作為晶片I的表面的一部分的M0SFET2。具體而言，由絕緣液60至少覆蓋了設(shè)置于今后將要測定的M0SFET2的對耐壓進(jìn)行測定的一個以上露出于大氣的電極。在本實(shí)施方式的情況下，由絕緣液60覆蓋源電極焊盤9及柵電極焊盤10。更優(yōu)選的是，按照在源電極焊盤9及柵電極焊盤10以及測定位置，將包圍今后要測定的M0SFET2(用虛線24表示)的露出于大氣的位置線11完全由絕緣液60覆蓋的方式，來調(diào)整絕緣液60的量。例如，在位置線11的外周的大小為3mmX 3mm左右的情況下,絕緣液60的量為I 2ml左右。更優(yōu)選絕緣液60的端部超過位置線11而到達(dá)相鄰的元件。由此，作為測定對象的M0SFET2及包圍其的位置線11能夠可靠地完全被絕緣液60覆蓋。只要滿足了這樣的條件，則絕緣液60還可以覆蓋與位于測定位置的M0SFET2相鄰的M0SFET2。絕緣液60至少具有比大氣高的絕緣性。例如,所使用的絕緣液具有比大氣的絕緣破壞電場大的絕緣破壞電場。具體而言，優(yōu)選使用氟類惰性液體(氫氟醚、全氟聚醚等)或硅油等。例如，住友3M公司制造的7 口 U f—卜(注冊商標(biāo))FC40具有0. 18MV/cm的絕緣破壞電場。該值為大氣的絕緣破壞電場的6倍。還可以使用絕緣抗性作為表示絕緣液的絕緣性的指標(biāo)。絕緣抗性由能夠在設(shè)置有2. 54mm的間隙的電極間施加的電壓來定義的。上述7 口 U f—卜FC40的0. 18MV/cm的絕緣抗性為46kV/2. 54mm。而作為全氟聚醚的乂 4 ” V >7 m公司制造的力' ^ r >(注冊商標(biāo))也具有40kV/2. 54mm這一大氣的6倍左右的絕緣抗性。絕緣液60只要在耐壓測定之際覆蓋測定中的M0SFET2即可?？梢栽谟山^緣液60覆蓋了 M0SFET2之后，使探頭58及59與柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸，也可以在使探頭58及59與柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸之后，由絕緣液60覆蓋該MOSFET2。不過，如果絕緣液60的粘性高、且先使探頭58及59與柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸，則絕緣液60難以蔓延，有可能無法由絕緣液60完全覆蓋這些焊盤的情況下，優(yōu)選在探頭58及59的接觸之前，由絕緣液60覆蓋MOSFET2。由于氟類惰性液體的粘性一般較低，所以，對于探頭58及59的接觸和絕緣液60的噴出而言，可率先進(jìn)行任意一方。在使用氟類惰性液體作為絕緣液60的情況下，由于粘度低，所以一般難以采用施加壓力來調(diào)整噴出量的類型的分配器。該情況下，優(yōu)選分配器具備空氣閥，通過閥的開閉來控制噴出?？諝忾y通過空氣的壓力使針形閥開閉，來噴出定量的液體?？諝獗粡姆峙淦骺刂破鞴┙o。分配器控制器根據(jù)來自控制部55的觸發(fā)信號，以預(yù)先設(shè)定的壓力和時間向針形閥供給空氣。通過調(diào)整該壓力和時間，能夠調(diào)整噴出量。低粘度的液體難以長距離傳播，優(yōu)選使其從應(yīng)該測定的M0SFET2的正上方自然下落。因此，優(yōu)選噴嘴56位于應(yīng)該測定的M0SFET2的大致正上方。更具體而言，為了使從噴嘴56定量噴出的絕緣液60能夠自然地覆蓋應(yīng)該測定的M0SFET2及包圍其的位置線11的整體，優(yōu)選噴嘴56大致位于應(yīng)該測定的M0SFET2的中心上。 接著，參照圖I 圖4及圖5，對本實(shí)施方式涉及的耐壓測定方法進(jìn)行說明。首先，從圖I中未圖示的晶片盒中取出晶片1，將其裝載到載置臺57上(SlOl)。接著，進(jìn)行晶片I的校準(zhǔn)。使用未圖示的CXD照相機(jī)，讀取晶片I上的兩個以上遠(yuǎn)離的校準(zhǔn)標(biāo)記，來確定被裝載的晶片I在X-Y平面中的方位。根據(jù)確定的方位，按照形成于晶片I的多個M0SFET2的排列的方向、與載置臺57的移動方向一致的方式，使載置臺57向0方向旋轉(zhuǎn)(S102)。并且，根據(jù)預(yù)先存儲在控制部55的各M0SFET2在晶片I上的坐標(biāo)及測定順序，并按照來自控制部55的控制信號，由晶片位置控制部51使載置臺57移動，使由測定順序指定的M0SFET2移動到探頭58及59能夠接觸的測定位置(S103)。接著，根據(jù)控制部55的指令，絕緣液噴出部52將絕緣液60噴出到位于晶片I的測定位置的M0SFET2上。如上所述，由絕緣液60至少覆蓋了位于測定位置的M0SFET2中的測定耐壓的一個以上露出于大氣的電極。優(yōu)選由絕緣液60完全覆蓋了位于測定位置的M0SFET2以及包圍其并露出于大氣的位置線11(S104)。接著，通過使載置臺57沿Z方向上升，讓探頭58及59的前端分別與被絕緣液60覆蓋的M0SFET2的柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸(S105)。柵電極焊盤10及源電極焊盤9分別借助探頭58及59被固定為接地電位。也可以如上所述，在噴出絕緣液60 (S104)之前，使探頭58及59與柵電極焊盤10及源電極焊盤9接觸(S105)。接著，進(jìn)行耐壓測定(S106)。控制部23將控制信號發(fā)送給作為耐壓測定部的電流測定部54和電壓測定53，在由電流測定部54測定載置臺57中流過的電流(其成為M0SFET2的漏極電流)的同時，由電壓施加部53使載置臺57的漏極電位緩慢增加。將漏極電流超過閾值(例如ImA)時的漏極電壓作為耐壓，控制部23對此時的電壓施加部53所施加的電壓進(jìn)行存儲。例如漏極電壓的施加只要以50V/s左右的速率上升即可。在耐壓測定結(jié)束之后，晶片位置控制部51使載置臺57下降，由此使探頭58及59從柵電極焊盤10及源電極焊盤9離開(S107)。如果剛才測定的M0SFET2不是晶片I上的應(yīng)該測定的最后M0SFET2 (S108)，則根據(jù)控制部23的指令，由晶片位置控制部51使載置臺57移動，以便下一個由測定順序指定的M0SFET2來到測定位置(S103)。隨后，反復(fù)進(jìn)行絕緣液60的噴出(S104)、探頭58及59的接觸(S105)、耐壓測定(S106)、探頭58及59的離開(S107)。在所測定的M0SFET2是以測定順序指定的最后的M0SFET2時(S109)，結(jié)束該晶片I的測定，將晶片卸下。然后裝載接下來的其他晶片1，對該晶片I反復(fù)執(zhí)行上述的步驟(S101 S109)。當(dāng)盒中收納的最后的晶片I結(jié)束了測定，則結(jié)束整個步驟。其中，當(dāng)測定后在晶片I的表面殘留有絕緣液60時，例如可以吹拂氣氣，將絕緣液60從晶片I的表面除去。圖6表示了使用圖I及圖2所示的耐壓測定裝置，通過上述本實(shí)施方式的耐壓測定方法，對碳化硅功率MOSFET的耐壓進(jìn)行了測定的結(jié)果。圖6中表示了 12個碳化硅功率 MOSFET的IV特性(漏極電流與漏極電壓的關(guān)系)。在以往的情況下，如圖13所示，由于發(fā)生大氣放電，因放電而被破壞的元件的電阻急劇降低，所以，表現(xiàn)出電壓急劇降低的IV特性。而且，如果進(jìn)行再次測定，則不會再現(xiàn)相同的IV特性，導(dǎo)致在低的電壓下流過電流。根據(jù)本實(shí)施方式的耐壓測定方法可知，即使電流開始流動，電壓也不下降，流動著半導(dǎo)體內(nèi)部的所謂雪崩電流。而且，即使再次測定，也能夠再現(xiàn)性良好地獲得相同的IV特性。因此，能夠不發(fā)生大氣放電地測定本來的半導(dǎo)體元件的耐壓。其中，在該測定中，將漏極電流的閾值設(shè)為IU A。這樣，根據(jù)本發(fā)明，由于至少由絕緣液覆蓋了對被測定的半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定的電極，所以，在耐壓測定中不會發(fā)生大氣放電，能夠在晶片狀態(tài)下測定各半導(dǎo)體元件的耐壓。而且，由于不切割分離成芯片狀態(tài)而以規(guī)則排列在晶片上的狀態(tài)進(jìn)行測定，所以能夠?qū)崿F(xiàn)聞效的測定。并且，由于在本發(fā)明中不將晶片整體浸潰到絕緣液中，所以，不需要將載置臺整體浸潰的大型槽，只要追加分配器等小型的絕緣液噴出部即可。另外，由于未由絕緣液覆蓋晶片的整個表面，而只由絕緣液覆蓋了每次測定元件時所需要的區(qū)域，所以，不會因載置臺移動而使絕緣液灑出。而且，由于在耐壓測定之前將絕緣液供給到晶片上，所以，在耐壓測定時絕緣液不會蒸發(fā)。并且，由于晶片的校準(zhǔn)標(biāo)記未被絕緣液覆蓋，所以，能夠可靠地進(jìn)行耐壓測定裝置中晶片的對位。另外，在本實(shí)施方式中，耐壓測定部55 —邊利用電壓施加部53施加漏極電壓，一邊通過電流測定部54測定漏極電流。但是，耐壓測定部55也可以具備電流施加部(例如恒流源)及電壓測定部，通過電流施加部施加恒定電流，并測定此時的漏極電壓，將其作為耐壓。耐壓測定部55還可以具備電流施加部和電壓施加部。而且，在本實(shí)施方式中，通過晶片位置控制部51使載置臺57移動，使得形成在晶片I上的半導(dǎo)體元件的電極焊盤與探頭58及59接觸，并且接近了噴出絕緣液60的噴嘴56。但是，也可以使探頭58及59以及噴嘴56移動到應(yīng)該被測定的半導(dǎo)體元件的位置，讓探頭58及59與半導(dǎo)體元件的電極焊盤接觸。(第二實(shí)施方式)下面，參照附圖，對本發(fā)明涉及的耐壓測定裝置及耐壓測定方法的其他實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同之處在于,應(yīng)該測定耐壓的半導(dǎo)體兀件為橫式功率MOSFET。在橫式功率MOSFET中，在晶片的表面形成有柵電極焊盤、漏電極焊盤及源電極焊盤。因此，在對橫式功率MOSFET的耐壓進(jìn)行測定的情況下，耐壓測定裝置具備3個探頭。圖7是在被固定于耐壓測定裝置的載置臺的晶片I上形成的多個橫式功率M0SFET2’的俯視圖。各橫式功率M0SFET2’具備柵電極焊盤42、源電極焊盤44及漏電極焊盤46。本實(shí)施方式的耐壓測定裝置具備探頭58及59、62，探頭58及59、62分別與柵電極焊盤42、源電極焊盤44、漏電極焊盤46接觸。絕緣液60覆蓋了對應(yīng)該測定的M0SFET2’的耐壓進(jìn)行測定的一個以上露出于大氣的電極。一邊將探頭58及59固定為接地電位，對探頭59中流動的電流(源極電流)或探頭62中流動的電流(漏極電流)進(jìn)行測定，一邊對探頭62施加電壓(漏極電壓)，將漏極電流或源極電流達(dá)到了某一規(guī)定值時探頭59與探頭62之間的電壓(漏極-源極電壓)作為耐壓。其他的耐壓測定裝置的構(gòu)成及耐壓的測定步驟與第一實(shí)施方式相同。
根據(jù)本實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式同樣，能夠以晶片狀態(tài)準(zhǔn)確地測定橫式功率MOSFET的耐壓。因此，可以得到與第一實(shí)施方式同樣的效果。以上，在第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式中，以縱式MOSFET及橫式MOSFET的耐壓測定為例，對本發(fā)明進(jìn)行了說明。但本發(fā)明不限于這些半導(dǎo)體元件，還能夠以晶片狀態(tài)測定各種各樣的半導(dǎo)體元件。例如，在對形成于晶片的多個肖特基二極管的耐壓進(jìn)行測定的情況下，使用一個探頭，在探頭與載置臺之間例如施加電壓。該情況下，絕緣液噴出部通過絕緣液僅覆蓋了進(jìn)行測定的肖特基二極管、即晶片表面的一部分。因此，耐壓測定時絕緣液不會蒸發(fā)，絕緣液不會因?yàn)榘殡S著載置臺的移動引起的振動而灑出，可以防止耐壓測定時的大氣放電。從而，能夠準(zhǔn)確地測定晶片狀態(tài)的肖特基二極管的耐壓。同樣，針對IGBT、雙極型晶體管、JFET、SIT等功率器件也可以適當(dāng)采用本發(fā)明。另外，在第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式中，以碳化硅半導(dǎo)體元件為例對本發(fā)明進(jìn)行了說明。由于如上所述，在由GaN等其他的寬帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的功率半導(dǎo)體元件中，也隨著芯片尺寸的減小而產(chǎn)生同樣的問題，所以，本發(fā)明還可以優(yōu)選在由GaN等其他的寬帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的功率半導(dǎo)體元件中應(yīng)用。工業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能夠不發(fā)生大氣放電地對處于晶片狀態(tài)的各種功率器件高效進(jìn)行耐壓測定。因此，本發(fā)明優(yōu)選在具有高耐壓的功率器件的檢查工序中使用。
權(quán)利要求
1.一種耐壓測定方法，用于對形成在晶片表面的多個半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定，其中包括 將所述晶片固定到載置臺的步驟(A)； 利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋從所述多個半導(dǎo)體元件選擇的一個半導(dǎo)體元件上設(shè)置的測定耐壓的一個以上露出于大氣的電極，并且使探頭與所述一個以上電極接觸的步驟⑶；和 對從所述一個以上電極及所述載置臺表面選擇的兩個之間的耐壓進(jìn)行測定的步驟(C)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的耐壓測定方法，其特征在于， 在所述步驟(B)中，利用所述絕緣液覆蓋所述一個半導(dǎo)體元件和包圍所述一個半導(dǎo)體元件且露出于大氣的位置線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的耐壓測定方法，其特征在于， 所述絕緣液具有比大氣高的絕緣性。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任意一項(xiàng)所述的耐壓測定方法，其特征在于， 從所述多個半導(dǎo)體元件中反復(fù)選擇不同的一個半導(dǎo)體元件，對所選擇的半導(dǎo)體元件，進(jìn)行所述步驟⑶及(C)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任意一項(xiàng)所述的耐壓測定方法，其特征在于， 還包括在所述步驟(A)與(B)之間，使用設(shè)置在所述晶片表面的兩個以上校準(zhǔn)標(biāo)記，按照設(shè)置于所述晶片的所述多個半導(dǎo)體元件的排列方向與所述載置臺的可移動方向一致的方式，使所述載置臺旋轉(zhuǎn)的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的耐壓測定方法，其特征在于， 所述步驟(B)包括使探頭與所述一個半導(dǎo)體元件的所述一個以上電極接觸的步驟(BI);和 在所述步驟(BI)之后，利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋設(shè)置于所述一個半導(dǎo)體元件的對耐壓進(jìn)行測定的一個以上露出于大氣的電極的步驟(B2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的耐壓測定方法，其特征在于， 所述步驟(B)包括利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋設(shè)置于所述一個半導(dǎo)體元件的對耐壓進(jìn)行測定的一個以上露出于大氣的電極的步驟(B3);和 在所述步驟(B3)之后，使探頭與所述一個半導(dǎo)體元件的所述一個以上電極接觸的步驟(B4)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耐壓測定方法，其特征在于， 所述步驟(B3)包括按照所述晶片接近所述探頭的方式，使所述載置臺移動的步驟；和 將所述絕緣液噴出到晶片上的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 8中任意一項(xiàng)所述的耐壓測定方法，其特征在于， 所述半導(dǎo)體元件是碳化硅半導(dǎo)體功率元件。
10.一種耐壓測定裝置，用于對形成在晶片表面的多個半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定，其具備 控制部；至少一個探頭； 晶片位置控制部，其含有固定所述晶片的載置臺，根據(jù)來自所述控制部的指令，使所述載置臺移動，以便在從固定于所述載置臺的晶片的多個半導(dǎo)體元件中選擇的一個半導(dǎo)體元件設(shè)置的測定耐壓的一個以上露出于大氣的電極，能夠與所述至少一個探頭接觸； 絕緣液噴出部，其根據(jù)來自所述控制部的指令，利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋所述選擇的半導(dǎo)體元件的所述電極；和 電壓施加部，其根據(jù)來自所述控制部的指令，對從所述至少一個探頭及所述載置臺表面選擇的兩個之間的耐壓進(jìn)行測定。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的耐壓測定裝置，其特征在于， 所述絕緣液噴出部包括具有與至少一個探頭接近的噴出口的噴嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的耐壓測定裝置，其特征在于， 所述絕緣液噴出部按照覆蓋所述選擇的一個半導(dǎo)體元件、和包圍所述一個半導(dǎo)體元件并露出于大氣的位置線的方式，噴出所述絕緣液。
13.根據(jù)權(quán)利要求10 12中任意一項(xiàng)所述的耐壓測定裝置，其特征在于，所述絕緣液具有比大氣高的絕緣性。
全文摘要
本發(fā)明的耐壓測定方法，用于對形成在晶片表面的多個半導(dǎo)體元件的耐壓進(jìn)行測定，包括將所述晶片固定到載置臺的步驟(A)；利用絕緣液僅覆蓋所述晶片表面的一部分、即至少覆蓋從所述多個半導(dǎo)體元件選擇的一個半導(dǎo)體元件上設(shè)置的測定耐壓的一個以上露出于大氣的電極，并且使探頭與所述一個以上電極接觸的步驟(B)；和對從所述一個以上電極及所述載置臺表面選擇的兩個之間的耐壓進(jìn)行測定的步驟(C)。
文檔編號G01R31/26GK102741992SQ20098010075
公開日2012年10月17日 申請日期2009年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者內(nèi)田正雄, 楠本修, 池上亮 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社