專利名稱：晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種用于半導(dǎo)體晶片的采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢 測(cè)方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片的封裝工藝中，為了保證晶片上芯片的良率，出廠前需要對(duì)晶片進(jìn) 行基本的物理采樣檢測(cè)，可以采用人工目檢或者使用自動(dòng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)(AVI tool)，但無(wú)論人 工目檢或是送入自動(dòng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)，都需要先在晶片上進(jìn)行采樣，輸入相應(yīng)檢測(cè)點(diǎn)的坐標(biāo)，才能 對(duì)晶片上的芯片進(jìn)行檢測(cè)。如圖1所示，為現(xiàn)有的晶片采樣檢測(cè)方法流程圖，基本步驟如下Si、提供待檢測(cè)晶片，獲取所述晶片上的芯片位置信息。其中，所述的待檢測(cè)晶片可能直接來(lái)自于量產(chǎn)線，也可能來(lái)自于測(cè)試廠，因此晶片 上的形成芯片的位置可能各不相同。需要先確定晶片上形成芯片的區(qū)域，以上述區(qū)域?yàn)榛?礎(chǔ)進(jìn)行采樣檢測(cè)。S2、在晶片上形成芯片的區(qū)域內(nèi)，選取檢測(cè)點(diǎn)并記錄所述檢測(cè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的位置坐標(biāo)。按照一定的采樣規(guī)則，在晶片上形成有芯片的區(qū)域，選擇若干檢測(cè)點(diǎn)，并記錄相應(yīng) 的坐標(biāo)位置。其中每個(gè)檢測(cè)點(diǎn)即一塊芯片，采用的采樣規(guī)則可以是隨機(jī)選取，也可以是按區(qū) 域選取，例如根據(jù)晶片的面積規(guī)定固定的檢測(cè)面積和區(qū)域，然后選取這區(qū)域內(nèi)的芯片做為 檢測(cè)點(diǎn)。具體的選取方式以及檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置。S3、將所述檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)輸入檢測(cè)機(jī)臺(tái)進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)?，F(xiàn)有的晶片采樣檢測(cè)方法，存在如下問題由于芯片的設(shè)計(jì)來(lái)源不同，以及產(chǎn)品的 差異，晶片上形成芯片的位置也各不相同，檢測(cè)人員在進(jìn)行采樣時(shí)，需要在不同產(chǎn)品的晶片 上獲取芯片的位置信息并選取檢測(cè)點(diǎn)，因而容易混淆出錯(cuò)，可能將檢測(cè)點(diǎn)選取在不必要進(jìn) 行檢測(cè)的位置，或遺漏應(yīng)該被采樣檢測(cè)的位置。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，晶片的尺寸越 來(lái)越大，而芯片的尺寸越來(lái)越小，單個(gè)晶片上形成的芯片數(shù)量也大幅增長(zhǎng)，勢(shì)必造成晶片上 形成有芯片的區(qū)域圖形越來(lái)越復(fù)雜，現(xiàn)有的采樣檢測(cè)的方式效率低下，失誤率高，已經(jīng)不能 兩足需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法，具有采樣準(zhǔn)確， 高效快速的特點(diǎn)。本發(fā)明提供的一種晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，包括芯片分布圖讀取單元，讀取晶片的芯片分布圖，獲取晶片上所形成的芯片的位置 fn息；檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元，依據(jù)芯片分布圖，按照預(yù)定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢測(cè) 點(diǎn)，形成檢測(cè)圖形；
檢測(cè)裝置，接收檢測(cè)圖形，并將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為各檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，依照所述位 置坐標(biāo)，在晶片上選取相應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。作為可選方案，所述晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)還包括檢測(cè)輸出單元，依據(jù)檢測(cè)裝置的檢 測(cè)結(jié)果，形成并輸出檢測(cè)圖形或表格。作為可選方案，所述芯片分布圖包括失效芯片在晶片上的位置信息。作為可選方案，所述檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元在采樣時(shí)，每個(gè)選取的檢測(cè)點(diǎn)為晶片上的 一塊芯片。作為可選方案，所述采樣規(guī)則為隨機(jī)法，隨機(jī)自由選取晶片上的檢測(cè)點(diǎn)；所述采樣 規(guī)則也可以為放射取點(diǎn)法，具體包括以晶片的中心為原點(diǎn)形成平面直角坐標(biāo)系，在坐標(biāo)系 中選取關(guān)于原點(diǎn)或坐標(biāo)軸對(duì)稱的檢測(cè)點(diǎn)；所述采樣規(guī)則還可以為分區(qū)取點(diǎn)法，具體包括 在晶片上劃分檢測(cè)區(qū)域，在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取等數(shù)量的檢測(cè)點(diǎn)?；谏鲜龅木蓸訖z測(cè)系統(tǒng)，本發(fā)明所提供的采樣檢測(cè)方法包括提供半導(dǎo)體晶片，所述晶片上形成有芯片；讀取晶片上的芯片分布圖，獲取晶片上所形成的芯片的位置信息；依據(jù)芯片分布圖，按照預(yù)定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢測(cè)點(diǎn)，形成檢測(cè)圖形；接收檢測(cè)圖形，并將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為各檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，依照所述位置坐標(biāo)，在 晶片上選取相應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)；作為可選方案，在檢測(cè)后還包括將檢測(cè)結(jié)果形成表格或圖形輸出的步驟。作為可選方案，所述芯片分布圖包括失效芯片在晶片上的位置信息。作為可選方案，所述采樣時(shí)每個(gè)選取的檢測(cè)點(diǎn)為晶片上的一塊芯片。作為可選方案，所述采樣規(guī)則為隨機(jī)法，隨機(jī)自由選取晶片上的檢測(cè)點(diǎn)；所述采樣 規(guī)則也可以為放射取點(diǎn)法，具體包括以晶片的中心為原點(diǎn)形成平面直角坐標(biāo)系，在坐標(biāo)系 中選取關(guān)于原點(diǎn)或坐標(biāo)軸對(duì)稱的檢測(cè)點(diǎn)；所述采樣規(guī)則還可以為分區(qū)取點(diǎn)法，具體包括 在晶片上劃分檢測(cè)區(qū)域，在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取等數(shù)量的檢測(cè)點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法，依據(jù)待測(cè)晶片 的芯片分布圖，按照預(yù)定采樣規(guī)則，選取檢測(cè)點(diǎn)形成標(biāo)準(zhǔn)化的檢測(cè)圖形，將所述標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)圖 形作為接口數(shù)據(jù)輸入自動(dòng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)，因此具有采樣準(zhǔn)確、高效快速的特點(diǎn)。


圖1是現(xiàn)有的晶片采樣檢測(cè)方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明所述晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)的單元結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明所述晶片采樣檢測(cè)方法的流程示意圖；圖4a是本發(fā)明所述隨機(jī)采樣法的流程示意圖；圖4b是本發(fā)明所述隨機(jī)采樣法在晶片上的采樣示意圖；圖5a是本發(fā)明所述放射取點(diǎn)法的流程示意圖；圖5b是本發(fā)明所述放射取點(diǎn)法在晶片上的采樣示意圖；圖6a是本發(fā)明所述分區(qū)取點(diǎn)法的流程示意圖；圖6b是本發(fā)明所述分區(qū)取點(diǎn)法在晶片上的采樣示意圖。
具體實(shí)施例方式隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展以及提高生產(chǎn)效率的需求日益增長(zhǎng)，半導(dǎo)體制造中， 晶片的封裝測(cè)試越來(lái)越依賴于自動(dòng)化設(shè)備，并要求具有批量處理的能力，本發(fā)明在現(xiàn)有的 晶片采樣檢測(cè)方法基礎(chǔ)上，將晶片上的芯片位置信息以及采樣檢測(cè)點(diǎn)選取數(shù)據(jù)圖形化、標(biāo) 準(zhǔn)化，然后輸入自動(dòng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)中，實(shí)現(xiàn)晶片的自動(dòng)檢測(cè)。能夠應(yīng)對(duì)各種晶片的檢測(cè)需求，降 低操作成本以及誤差率?；谏鲜鏊枷?，本發(fā)明提供了一種晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其單元結(jié)構(gòu)示意圖如圖2 所示，具體包括芯片分布圖讀取單元100，讀取晶片的芯片分布圖，獲取晶片上所形成的芯片的位
直fe息；檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元101，依據(jù)芯片分布圖，按照預(yù)定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢 測(cè)點(diǎn)，形成檢測(cè)圖形；檢測(cè)裝置102，接收檢測(cè)圖形，并將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為各檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，依照所 述位置坐標(biāo)，在晶片上選取相應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。此外所述晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)還包括檢測(cè)輸出單元104，依據(jù)檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果， 形成并輸出檢測(cè)圖形或表格，便于人機(jī)展示，提供數(shù)據(jù)依據(jù)。基于上述晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，本發(fā)明還提供了相應(yīng)的采樣檢測(cè)方法，其流程示意 圖如圖3所示，結(jié)合圖2以及圖3，所述采樣檢測(cè)方法具體步驟包括S10、提供待檢測(cè)的半導(dǎo)體晶片，所述晶片上已形成有若干芯片。所述晶片的來(lái)源通常為量產(chǎn)流水線或者封裝測(cè)試廠，對(duì)于不同來(lái)源的晶片，其晶 片上的芯片分布圖也是不相同，采樣檢測(cè)的需求也各異。其中，從量產(chǎn)流水線上提供的晶 片，所有的芯片都是采樣的對(duì)象，都有可能被選中成為檢測(cè)點(diǎn)；而來(lái)自于封裝測(cè)試廠的晶 片，由于完成了電性測(cè)試，因此晶片上混雜著失效或者未失效的芯片，顯然的失效芯片并不 需要進(jìn)一步采樣檢測(cè)，且失效芯片的位置是已知的。S11、芯片分布圖讀取單元100讀取晶片上的芯片分布圖，獲得晶片上所形成的芯 片的位置信息。其中，對(duì)于來(lái)源于封裝測(cè)試廠的晶片，失效芯片的位置已知，因此在其芯片分布圖 上，已失效的芯片將被區(qū)分出，并進(jìn)一步修正芯片分布圖，所述芯片分布圖讀取單元100，依 據(jù)讀取結(jié)果，獲得芯片的位置信息，也即晶片上各芯片的位置坐標(biāo)。S12、檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102，根據(jù)上述芯片分布圖所得到的芯片位置信息，按照預(yù) 定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢測(cè)點(diǎn)，形成檢測(cè)圖形。其中，所述預(yù)定的采樣規(guī)則可以是隨機(jī)采樣，也可以是按晶片上的芯片分布情況， 盡可能的均勻采樣，以提高檢測(cè)的精確度。其中所選取的檢測(cè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)一塊芯片，記錄將上述 檢測(cè)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的芯片的位置坐標(biāo)，形成標(biāo)準(zhǔn)化的檢測(cè)圖形。所述檢測(cè)圖形由于經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)化， 數(shù)據(jù)化處理能夠作為進(jìn)一步檢測(cè)S13、檢測(cè)裝置103接收來(lái)自于圖形采樣產(chǎn)生單元102的采樣圖性，并將其轉(zhuǎn)化為 各檢測(cè)點(diǎn)的值坐標(biāo)，依照所述位置坐標(biāo)，在晶片選取相應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行自動(dòng)化檢測(cè)。其中，所述檢測(cè)裝置103可以為AVI tool機(jī)臺(tái)，而所述檢測(cè)圖形為標(biāo)準(zhǔn)的接口數(shù) 據(jù)輸入檢測(cè)裝置103中，也即各種芯片分布圖類型的晶片，都能夠直接作為檢測(cè)對(duì)象，而無(wú)
5需一一輸入檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)。S14、檢測(cè)輸出單元104，接收檢測(cè)裝置103的檢測(cè)結(jié)果，形成并輸出檢測(cè)圖形或表 格，進(jìn)行人機(jī)展示?？梢哉故驹陲@示器上，也可以形成書面的檢測(cè)報(bào)告等。下面結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法做進(jìn)一步 介紹。第一實(shí)施例首先提供一半導(dǎo)體晶片，所述晶片上形成芯片的區(qū)域整體呈圓形，且與晶片為同 心圓，該晶片來(lái)自于量產(chǎn)流水線，其芯片分布圖可以從生產(chǎn)線上的機(jī)臺(tái)獲得。結(jié)合圖2的單元示意圖進(jìn)行說(shuō)明，將上述晶片的芯片分布圖輸入芯片分布圖讀取 單元100中，所述芯片分布圖讀取單元100獲得芯片的位置信息，記錄晶片上每塊芯片對(duì)應(yīng) 的位置坐標(biāo)。并將所述位置信息數(shù)據(jù)輸入檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102中。檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102，以上述芯片的位置信息為基礎(chǔ)，按照預(yù)定采樣規(guī)則選取檢 測(cè)點(diǎn)。本實(shí)施例中，檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102所采用的采樣規(guī)則為隨機(jī)法，流程如圖4a所示， 具體步驟包括S100、根據(jù)需要確定晶片上的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量。假設(shè)單片晶片上共有750塊芯片，檢 測(cè)覆蓋率為10%，則檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量為75個(gè)。S101、將所有已知坐標(biāo)的芯片作為采樣對(duì)象，隨機(jī)選取75塊芯片，作為檢測(cè)點(diǎn)。S102、將上述隨機(jī)選取的75塊芯片的位置坐標(biāo)進(jìn)行整合，形成檢測(cè)圖形。如圖4b所示，為晶片表面通過隨機(jī)選取的方式形成檢測(cè)圖形后的示意圖，其中黑 色方格即代表采樣時(shí)選取的芯片，也即檢測(cè)點(diǎn)。所述檢測(cè)圖形包含了檢測(cè)點(diǎn)的坐標(biāo)等位置信息，并經(jīng)過了標(biāo)準(zhǔn)化，作為接口數(shù)據(jù) 輸入檢測(cè)裝置103中，檢測(cè)裝置103將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為檢測(cè)點(diǎn)坐標(biāo)，對(duì)晶片上采樣選取的芯 片進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)輸出單元104，接收檢測(cè)裝置103的檢測(cè)結(jié)果并輸出。第二實(shí)施例本實(shí)施例中，所提供的待測(cè)晶片與第一實(shí)施例相同，且檢測(cè)步驟類似，區(qū)別僅在 于，檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102所采用的采樣規(guī)則為放射取點(diǎn)法，流程如圖5a所示，具體步驟包 括S200、根據(jù)需要確定晶片上的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量。假設(shè)所述放射取點(diǎn)法為九點(diǎn)法，需要 取九個(gè)基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)。S201、將晶片上中心位置處的芯片作為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，以原點(diǎn)為放射中心，選取 關(guān)于原點(diǎn)或者坐標(biāo)軸對(duì)稱的芯片為檢測(cè)點(diǎn)。例如在九點(diǎn)法中，除原點(diǎn)處的基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)之外 另選取八塊芯片作為基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)，上述八個(gè)基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)可以均勻分布于以原點(diǎn)為圓心的同 一個(gè)圓周上，也可以均勻分布于正四邊形的四個(gè)邊上構(gòu)成米字型。進(jìn)一步的，還可以圍繞已 確定的九個(gè)基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)，選取其相鄰的芯片作為檢測(cè)點(diǎn)。S202、將上述隨機(jī)選取的芯片位置坐標(biāo)進(jìn)行整合，形成檢測(cè)圖形。如圖5b所示，為晶片表面通過隨機(jī)選取的方式形成檢測(cè)圖形后的示意圖，其中九 個(gè)黑色方格代表采樣時(shí)所選取的九個(gè)基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)。其余步驟與第一實(shí)施例相似，不再贅述。第三實(shí)施例
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提供半導(dǎo)體晶片，所述晶片上形成芯片的區(qū)域整體呈圓形，且與晶片為同心圓，該 晶片來(lái)自于封裝測(cè)試廠，其芯片分布圖可以從封裝測(cè)試機(jī)臺(tái)獲得。在所述芯片分布圖中還 包括了已失效芯片在晶片上的位置信息。同樣結(jié)合圖2的單元示意圖進(jìn)行說(shuō)明，將上述晶片的芯片分布圖輸入芯片分布圖 讀取單元100中，所述芯片分布圖讀取單元100獲得芯片的位置信息，記錄晶片上每塊芯片 對(duì)應(yīng)的位置坐標(biāo)。并將所述位置信息數(shù)據(jù)輸入檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102中。作為可選方案， 本實(shí)施例中，所述輸入檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102的位置信息，排除了失效芯片的位置信息，也 即將失效芯片排除在采樣范圍之外。檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102，以上述芯片的位置信息為基礎(chǔ)，按照預(yù)定采樣規(guī)則選取檢 測(cè)點(diǎn)。本實(shí)施例中，檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元102所采用的采樣規(guī)則為分區(qū)取點(diǎn)法，流程如圖6a 所示，具體步驟包括S300、根據(jù)需要確定晶片上的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量。假設(shè)需要選取的檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量為17 個(gè)。S301、將晶片上形成有芯片的區(qū)域劃分成若干檢測(cè)區(qū)，在每塊區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取等 數(shù)量的芯片作為檢測(cè)點(diǎn)。本實(shí)施例中，選取晶片的中心圓作為第一區(qū)、圍繞所述第一區(qū)向外 進(jìn)行環(huán)形擴(kuò)展，形成第二區(qū)、第三區(qū).· ·第十七區(qū)，所述第二區(qū)至第十七區(qū)圍繞中心圓形成 三層環(huán)形的結(jié)構(gòu)；在上述每個(gè)檢測(cè)區(qū)內(nèi)隨機(jī)選取一塊芯片作為檢測(cè)點(diǎn)。S302、將上述隨機(jī)選取的芯片位置坐標(biāo)進(jìn)行整合，形成檢測(cè)圖形。如圖6b所示，為晶片表面通過隨機(jī)選取的方式形成檢測(cè)圖形后的示意圖，其中黑 色方格代表采樣時(shí)所選取的檢測(cè)點(diǎn)，而斜線填充方格代表失效芯片，采樣過程中被排除在 采樣范圍外。后續(xù)步驟與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。以上提及的各種采樣規(guī)則，還可以靈活搭配混合使用，例如分區(qū)取點(diǎn)法中，在劃分 檢測(cè)區(qū)域后，在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)設(shè)置基準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)，按照每個(gè)區(qū)域平均分得的檢測(cè)數(shù)量在基 準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)周圍選取其余檢測(cè)點(diǎn)。而針對(duì)已進(jìn)行電性測(cè)試的晶片進(jìn)行采樣檢測(cè)時(shí)，還可以先 不在芯片分布圖中排除失效芯片，而將失效芯片的相關(guān)位置信息一同輸入檢測(cè)圖形產(chǎn)生單 元，在采樣選點(diǎn)時(shí)跳過失效芯片形成檢測(cè)圖形。上述實(shí)施例以具有不同芯片分布圖的晶片為例，采用預(yù)定的采樣規(guī)則，形成相應(yīng) 檢測(cè)圖形進(jìn)行采樣檢測(cè)，揭示了本發(fā)明所述晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法所具有的效率 高、檢測(cè)快速的特點(diǎn)，其中，所述采用標(biāo)準(zhǔn)化的檢測(cè)圖形作為自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)的接口數(shù)據(jù)，具 有良好的適應(yīng)性以及拓展性，能夠廣泛應(yīng)用于各類晶片的自動(dòng)化檢測(cè)中。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括芯片分布圖讀取單元，讀取晶片的芯片分布圖，獲取晶片上所形成的芯片的位置信息；檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元，依據(jù)芯片分布圖，按照預(yù)定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢測(cè)點(diǎn)，形 成檢測(cè)圖形；檢測(cè)裝置，接收檢測(cè)圖形，并將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為各檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，依照所述位置坐 標(biāo)，在晶片上選取相應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)還包 括檢測(cè)輸出單元，依據(jù)檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果，形成并輸出檢測(cè)圖形或表格。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片分布圖包括失效芯 片在晶片上的位置信息。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元在采 樣時(shí)，每個(gè)選取的檢測(cè)點(diǎn)為晶片上的一塊芯片。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述采樣規(guī)則為隨機(jī)法，隨機(jī) 自由選取晶片上的檢測(cè)點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求4所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述采樣規(guī)則為放射取點(diǎn)法， 具體包括以晶片的中心為原點(diǎn)形成平面直角坐標(biāo)系，在坐標(biāo)系中選取關(guān)于原點(diǎn)或坐標(biāo)軸 對(duì)稱的檢測(cè)點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求4所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述采樣規(guī)則為分區(qū)取點(diǎn)法， 具體包括在晶片上劃分檢測(cè)區(qū)域，在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取等數(shù)量的檢測(cè)點(diǎn)。
8.一種基于權(quán)利要求1所述的晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體晶片，所述晶片上形成有芯片；讀取晶片上的芯片分布圖，獲取晶片上所形成的芯片的位置信息；依據(jù)芯片分布圖，按照預(yù)定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢測(cè)點(diǎn)，形成檢測(cè)圖形；將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為各檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，依照所述位置坐標(biāo)，在晶片上選取相應(yīng)的檢 測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
9.如權(quán)利要求8所述的采樣檢測(cè)方法，其特征在于，在檢測(cè)后還包括將檢測(cè)結(jié)果形成 表格或圖形輸出的步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的采樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述芯片分布圖包括失效芯片在 晶片上的位置信息。
11.如權(quán)利要求8所述的采樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述采樣時(shí)每個(gè)選取的檢測(cè)點(diǎn)為 晶片上的一塊芯片。
12.如權(quán)利要求11所述的采樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述采樣規(guī)則為隨機(jī)法，隨機(jī)自 由選取晶片上的檢測(cè)點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求11所述的采樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述采樣規(guī)則為放射取點(diǎn)法，具 體包括以晶片的中心為原點(diǎn)形成平面直角坐標(biāo)系，在坐標(biāo)系中選取關(guān)于原點(diǎn)或坐標(biāo)軸對(duì) 稱的檢測(cè)點(diǎn)。
14.如權(quán)利要求11所述的采樣檢測(cè)方法，其特征在于，所述采樣規(guī)則為分區(qū)取點(diǎn)法，具 體包括在晶片上劃分檢測(cè)區(qū)域，在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取等數(shù)量的檢測(cè)點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種晶片采樣檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法，其中所述檢測(cè)系統(tǒng)包括芯片分布圖讀取單元，讀取晶片的芯片分布圖，獲取晶片上所形成的芯片的位置信息；檢測(cè)圖形產(chǎn)生單元，依據(jù)芯片分布圖，按照預(yù)定的采樣規(guī)則，在晶片上選取檢測(cè)點(diǎn)，形成檢測(cè)圖形；檢測(cè)裝置，接收檢測(cè)圖形，并將檢測(cè)圖形轉(zhuǎn)化為各檢測(cè)點(diǎn)的位置坐標(biāo)，依照所述位置坐標(biāo)，在晶片上選取相應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明依據(jù)待測(cè)晶片的芯片分布圖，按照預(yù)定采樣規(guī)則，選取檢測(cè)點(diǎn)形成標(biāo)準(zhǔn)化的檢測(cè)圖形，將所述標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)圖形作為接口數(shù)據(jù)輸入自動(dòng)檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)，因此具有采樣準(zhǔn)確、高效快速的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01N21/84GK102004104SQ20091019478
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者康盛, 趙慶國(guó), 黃臣 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司