專利名稱：主動式非接觸的探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種探針卡，且特別是有關(guān)于一種主動式非接觸的探針卡。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，使得集成電路(Integrated Circuit，IC)體積微型
化、功能多元化以及處理速度、頻率增加的要求得以實現(xiàn)。為達此要求，必須增加IC的 輸入/輸出(I/O)接點以滿足多功信號處理的需求。如此，使得I/O接點的配置朝向成 高密度矩陣分布與非接觸的電容耦合方式的信號傳輸，以降低芯片面積并得以提升處理 速度。在進行晶圓級測試時，可使用非接觸式的探針卡來進行測試。然而，在利用非 接觸式的探針卡對晶圓進行測試時，必需妥善地控制探針卡與晶圓之間的距離，使探針 卡的電極與晶圓的對應(yīng)的電極之間能以電容耦合的方式形成信號傳輸路徑。于一傳統(tǒng)作 法中，使用馬達來控制探針卡與晶圓之間的距離。然而，由于探針卡與晶圓之間的距離 相當(dāng)小，使用馬達的作法無法精準(zhǔn)地控制探針卡與晶圓之間的距離，無法達成非接觸式 所需的精準(zhǔn)的相對電容大小的控制。甚且，這種作法很可能會使得探針卡碰撞(或過壓) 到晶圓而造成晶圓損壞。因此，為了維持非接觸式信號準(zhǔn)確的傳輸，同時避免破壞晶圓上集成電路，實 為現(xiàn)今探針卡制造者所面臨的一大考驗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種主動式非接觸的探針卡，經(jīng)由控制壓電材料層的厚度來調(diào) 節(jié)探針卡的主動感應(yīng)數(shù)組芯片的位置，以精準(zhǔn)地控制主動感應(yīng)數(shù)組芯片與一待測組件之 間的距離。此外，更能在探針卡與待測組件對位時，避免探針卡碰撞(或過壓)到待測 組件而造成損壞。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種主動式非接觸的探針卡，包括一載體、一固定 座、一壓電材料層、一主動感應(yīng)數(shù)組芯片、及一控制電路。固定座配置于載體上。壓電 材料層與固定座相連接。主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置由固定座的厚度與壓電材 料層的厚度所決定?？刂齐娐酚靡蕴峁┮豢刂齐妷褐翂弘姴牧蠈?，來控制壓電材料層的 厚度，以調(diào)節(jié)主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種主動式非接觸的探針卡的測試方法，包括下 列步驟。首先，提供一主動式非接觸的探針卡。此主動式非接觸的探針卡具有一載體、 一固定座、一壓電材料層、及一主動感應(yīng)數(shù)組芯片。固定座配置于載體上，壓電材料層 與固定座相連接，而主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置由固定座的厚度與壓電材料層 的厚度所決定。接著，使一待測組件與主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對。并且，進行量測待測組 件與主動感應(yīng)數(shù)組芯片之間的一距離。以及，根據(jù)距離提供一控制電壓至壓電材料層， 來控制壓電材料層的相對厚度，以調(diào)節(jié)主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置，以改變待測組件與主動感應(yīng)數(shù)組芯片之間的相對距離。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作 詳細說明如下。


圖1繪示依照本發(fā)明的第一實施例的主動式非接觸的探針卡的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2繪示依照本發(fā)明一實施例的主動式非接觸的探針卡的測試方法的流程圖。圖3繪示乃圖1的主動式非接觸的探針卡對位于待測組件的一例的示意圖。圖4繪示乃主動感應(yīng)數(shù)組芯片的內(nèi)部電路及其與待測組件的信號傳輸路徑的一 例的示意圖。圖5繪示控制電路的內(nèi)部電路的一例的方塊圖。圖6繪示乃圖1的主動式非接觸的探針卡對位于待測組件的另一例的示意圖。圖7繪示依照本發(fā)明的第二實施例的主動式非接觸的探針卡的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8及9分別繪示乃圖7的主動式非接觸的探針卡對位于待測組件的一例的示意 圖。圖IOA繪示乃依據(jù)本發(fā)明第三實施例的探針卡的一例的俯視圖。圖IOB為繪示乃圖IOA中沿著A-A，線段的剖面圖。圖11繪示依照本發(fā)明的第四實施例的主動式非接觸的探針卡的結(jié)構(gòu)示意圖。圖12繪示乃依據(jù)本發(fā)明第五實施例的圖1的主動式非接觸的探針卡對位于待測 組件的另一例的示意圖。主要組件符號說明100、300、500、1100 主動式非接觸的探針卡110、510 載體120、120a、120b、520a 520d 固定座130、530a 530d:壓電材料層140、540a 540d:主動感應(yīng)數(shù)組芯片141、142 緩沖器143 放大器150、550a 550d:控制電路151 放大器單元152:控制法則單元153 電壓轉(zhuǎn)換單元154 驅(qū)動單元160、560a 560e:接觸式探針171、571a 571d:晶圓條172 薄膜172a 基底172b 金屬層Cl 電容
Sl 信號S210 S240 流程步驟T、Ta Td:厚度TEsl TEs3、TEdl 目標(biāo)電極PEsl PEs3、PEdl PEd2 探針電極Va電壓調(diào)整值Vc:控制電壓Vd:轉(zhuǎn)換電壓
具體實施例方式一種主動式非接觸的探針卡，包括一載體、一固定座、一壓電材料層、一主動 感應(yīng)數(shù)組芯片、及一控制電路。固定座配置于載體上。壓電材料層與固定座相連接。主 動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置由固定座的厚度與壓電材料層的厚度所決定。控制電 路用以提供一控制電壓至壓電材料層，來控制壓電材料層的厚度，以調(diào)節(jié)主動感應(yīng)數(shù)組 芯片相對于載體的位置。茲提供多個實施例說明如下。第一實施例請參照圖1，其繪示依照本發(fā)明的第一實施例的主動式非接觸的探針卡的結(jié)構(gòu)示 意圖。探針卡100包括一載體110、一固定座120、一壓電材料層130、一主動感應(yīng)數(shù)組 芯片140、及一控制電路150。固定座120配置于載體110上。壓電材料層130配置于 固定座120與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140之間。主動感應(yīng)數(shù)組芯片140配置于壓電材料層130 上?？刂齐娐?50用以提供一控制電壓Vc至壓電材料層130，來控制壓電材料層130的 厚度T，以調(diào)節(jié)主動感應(yīng)數(shù)組芯片140相對于載體110的位置。壓電材料層130例如是由具壓電性質(zhì)的材料所制造而成，此具壓電性質(zhì)的材料 例如但不受限地可選自單晶、高分子、薄膜、陶瓷、及復(fù)合材料的至少其中之一所組成 的群組。當(dāng)控制電路150改變控制電壓Vc時，壓電材料層130的厚度T可被精準(zhǔn)地調(diào) 整，例如可達到微米(micro meter)與次微米(sub-micro meter)級的精致度的調(diào)整，故能 精準(zhǔn)地控制主動感應(yīng)數(shù)組芯片140相對于載體110的位置。亦即主動感應(yīng)數(shù)組芯片140 于Z軸上的高度可被精準(zhǔn)地調(diào)整，從而能使主動感應(yīng)數(shù)組芯片140與一相對的待測組件 DUT(device under test)(未繪示于圖1)之間維持適當(dāng)?shù)木嚯x。故知，本實施例可提高主 動感應(yīng)數(shù)組芯片140與待測組件DUT之間的距離控制的準(zhǔn)確性。此外，請參照圖2，其繪示依照本發(fā)明一實施例的主動式非接觸的探針卡的測試方法的流程圖。此測試方法例如但不受限地可適用于圖1所繪示的探針卡100。此方法 包括下列步驟。首先，于步驟S210中，提供一主動式非接觸的探針卡，如探針卡100。 接著，于步驟S220中，使一待測組件DUT與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140相對。然后，于步 驟S230中，量測待測組件DUT與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140之間的一距離d。接著，于步 驟S240中，根據(jù)距離d提供一控制電壓Vc至壓電材料層130，來控制壓電材料層130的 厚度T?？刂齐妷篤c例如是由控制電路150所提供。如此，測試方法可調(diào)節(jié)主動感應(yīng) 數(shù)組芯片140相對于載體110的位置，以改變待測組件DUT與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140之 間的距離d。
于測試過程中，探針卡100的主動感應(yīng)數(shù)組芯片140及待測組件DUT相對時， 兩者之間因電容耦合而形成一信號傳輸路徑。探針卡100可經(jīng)由此信號傳輸路徑輸出或 接收至少一信號來測試待測組件DUT。由于探針卡與待測組件之間的距離可被精確地調(diào) 整，然后穩(wěn)定進行信號的發(fā)送，更可提高探針卡的測試準(zhǔn)確性并避免探針卡撞擊待測組 件而使待測組件損壞。請參照圖3，其繪示乃圖 1的主動式非接觸的探針卡對位于待測組件DUT的一 例的示意圖。待測組件DUT例如是一芯片(die)或一晶圓(wafer)。于此例中，待測組 件DUT具有至少一目標(biāo)電極，如目標(biāo)電極TEsl TEs3。主動感應(yīng)數(shù)組芯片140具有多 個用以傳輸信號的至少一探針電極，如探針電極PEsl PEs3。當(dāng)至少一探針電極與對 應(yīng)的待測組件DUT的至少一目標(biāo)電極相對時，主動感應(yīng)數(shù)組芯片140可經(jīng)由對應(yīng)的至少 一目標(biāo)電極與至少一探針電極輸出或接收待測組件DUT的至少一信號。經(jīng)由探針電極 PEsl PEs3與目標(biāo)電極TEsl TEs3所輸出或接收的信號，例如是測試用的數(shù)字信號。茲以探針電極PEsl與目標(biāo)電極TEsl為例說明信號的傳輸方式。請同時請參照 第3及4圖，圖4繪示乃主動感應(yīng)數(shù)組芯片140的內(nèi)部電路及其與待測組件DUT的信號 傳輸路徑的一例的示意圖。將主動式非接觸的探針卡100對位于待測組件DUT后，可使 探針電極PEsl與對應(yīng)的目標(biāo)電極TEsl相對，此時，探針電極PEsl與目標(biāo)電極TEsl可 等效為如圖4所示的一電容Cl。主動感應(yīng)數(shù)組芯片140可經(jīng)由此電容Cl傳送或接收待 測組件DUT的一信號Si。例如，信號Sl可從輸入端In輸入至緩沖器141，而主動感應(yīng) 數(shù)組芯片140可經(jīng)由電容Cl傳送信號Sl至待測組件DUT?；蛘?，信號Sl可從待測組 件DUT輸出，而主動感應(yīng)數(shù)組芯片140可經(jīng)由電容Cl接收信號Si，并經(jīng)過放大器143 及緩沖器142而從其的輸出端Out輸出。故知，電極PEsl與TEsl所形成的電容Cl可作為主動感應(yīng)數(shù)組芯片140與待測 組件DUT之間的信號傳輸路徑，例如是高頻信號的傳輸路徑。由于電容Cl的阻抗值相 關(guān)于探針卡100與待測組件DUT之間的距離d，故為了使探針卡100能經(jīng)由電容Cl來有 效地傳輸信號，本實施例將距離d維持在適當(dāng)且準(zhǔn)確的大小范圍之內(nèi)，才能足以穩(wěn)定發(fā) 送信號的傳輸路徑，其作法如下。請繼續(xù)參照圖3，主動感應(yīng)數(shù)組芯片140另具有用以感測距離的兩個相鄰的探針 電極PEdl PEd2。由于兩探針電極PEdl PEd2所對應(yīng)的電容值會與此距離d相關(guān)， 所以，本實施例便可依據(jù)兩探針電極PEdl PEd2所對應(yīng)的電容值，來得知距離d的大 小。之后，本實施例可由控制電路150控制壓電材料層130的厚度，來調(diào)整主動感應(yīng)數(shù) 組芯片140與待測組件DUT的距離d。于一實施例中，控制電路150可根據(jù)此兩探針電極PEdl PEd2所對應(yīng)的電容 值，以產(chǎn)生控制電壓Vc至壓電材料層130，來控制壓電材料層130的厚度T。如此，當(dāng) 探針電極PEdl PEd2所對應(yīng)的電容值太小時，表示距離d太遠，則控制電路150會產(chǎn)生 能使壓電材料層130的厚度T增加的控制電壓Vc，來縮短距離d。相仿地，當(dāng)探針電極 PEdl PEd2所對應(yīng)的電容值太大時，表示距離d太近，則控制電路150會產(chǎn)生能使壓電 材料層130的厚度T減少的控制電壓Vc，來拉長距離d。如此，將可使探測卡100與待 測組件DUT維持適當(dāng)?shù)木嚯xd，故能避免使主動感應(yīng)數(shù)組芯片140碰撞(或過壓)到待 測組件DUT而造成損壞。而且，亦可使探針電極與對應(yīng)的目標(biāo)電極之間的等效電容值夠大，以使所對應(yīng)的阻抗值夠小以利信號的傳輸?？刂齐娐?50產(chǎn)生控制電壓Vc的方式例如可實施如下。請參照圖5，其繪示控制電路150的內(nèi)部電路的一例的方塊圖?？刂齐娐?50接收兩探針電極PEdl PEd2的 電容值所轉(zhuǎn)換的一信號Sd。此信號Sd是相關(guān)于上述的距離d。此信號Sd經(jīng)過一放大 器單元151放大，再由一控制法則單元152來轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的電壓調(diào)整值Va?？刂品▌t單 元152例如是基于壓電材料層130的壓電磁滯現(xiàn)象，即壓電材料層130的形變與電壓的關(guān) 系，來產(chǎn)生電壓調(diào)整值Va。之后，一電壓轉(zhuǎn)換單元153依據(jù)電壓調(diào)整值Va產(chǎn)生一轉(zhuǎn)換 電壓Vd，其例如為直流電壓。之后，再由驅(qū)動電路154依據(jù)轉(zhuǎn)換電壓Vd來產(chǎn)生控制電 壓Vc至壓電材料層130。此外，于圖3所示的例中，主動感應(yīng)數(shù)組芯片140是經(jīng)由一晶圓條171與載體 110電性連接。而載體110則例如是一電路板。晶圓條171與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140例 如是一體的。晶圓條171與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140兩者例如是設(shè)置于同一片晶圓上。晶 圓條171例如是經(jīng)由將晶圓磨薄后得到，磨薄的晶圓是略具有可撓性。此種作法可以讓 主動感應(yīng)數(shù)組芯片140實質(zhì)上維持水平，且晶圓條171的位置不會高于主動感應(yīng)數(shù)組芯片 140的探針電極的頂面。如此，可避免使晶圓條171碰撞(或過壓)到待測組件而造成損 壞。請參照圖6，其繪示乃圖1的主動式非接觸的探針卡對位于待測組件DUT的另 一例的示意圖。與圖3所示的例不同的是，此例的主動感應(yīng)數(shù)組芯片140經(jīng)由一薄膜172 與載體110電性連接。薄膜172例如包括一基底172a及一金屬層172b。主動感應(yīng)數(shù)組 芯片140配置于基底172a上，并經(jīng)由金屬層172b與載體110電性連接。于實作中，薄 膜172的金屬層172b的厚度f可設(shè)計成夠薄而不會影響到主動感應(yīng)數(shù)組芯片140的操作。 薄膜172的金屬層172b例如配置于主動感應(yīng)數(shù)組芯片140的上面，但本實施例并不限于 此。舉例來說，若距離d為微米的等級，則薄膜172的金屬層172b的厚度f亦可設(shè)計成 次微米等級的厚度，并且小于距離d，以避免使薄膜172碰撞(或過壓)到待測組件而造 成損壞。另外，本例以薄膜172代替晶圓條171的作法還能更進一步地降低成本。于一范例性的實作例子中，待測組件DUT與主動感應(yīng)數(shù)組芯片140之間的距離 d例如約小于15微米。壓電材料層的厚度例如約為10000微米。若探針卡使用晶圓條 171,則晶圓條171的厚度例如約小于50微米?；蛘?，若探針卡使用薄膜172，則基底 172a的厚度例如約為100微米，而金屬層172b的厚度f例如約為0.5微米。此處所詳列 的實際數(shù)值僅用以說明本發(fā)明之用，本發(fā)明應(yīng)不限于此。于第一實施例中，是經(jīng)由控制壓電材料層的厚度來調(diào)節(jié)探針卡的主動感應(yīng)數(shù)組 芯片的位置，故能精準(zhǔn)地控制主動感應(yīng)數(shù)組芯片與待測組件之間的距離。如此，便能在 探針卡與待測組件對位時，避免使探針卡碰撞(或過壓)到待測組件而造成損壞。第二實施例請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明的第二實施例的主動式非接觸的探針卡的結(jié)構(gòu) 示意圖。與第一實施例不同之處在于，固定座120可分為兩個部分，即固定座120a及 120b。而本實施例的探針卡300更包括配置于固定座120b上的至少一接觸式探針160，而 探針卡300經(jīng)由此接觸式探針160提供電源至待測組件DUT。相仿于第一實施例的是， 當(dāng)探針卡300與待測組件DUT對位時，便能于主動感應(yīng)數(shù)組芯片140及待測組件DUT之間形成一信號傳輸路徑，以使探針卡300能以電容耦合的方式傳送或接收至少一信號來 測試待測組件DUT的功能。請參照圖8及9，其分別繪示乃圖7的主動式非接觸的探針卡對位于待測組件 DUT的一例的示意圖。于圖8及9所示之例中，主動感應(yīng)數(shù)組芯片140分別經(jīng)由晶圓條 171及薄膜172而與載體110電性連接。于實作中，接觸式探針160通常會隨著使用次數(shù)增多而逐漸磨損，導(dǎo)致其長度 減短。于此情況下，本實施例在可經(jīng)由控制壓電材料層130的厚度T，來補償主動感應(yīng) 數(shù)組芯片140及待測組件DUT之間的距離。換言之，當(dāng)變短的接觸式探針160接觸待測 組件DUT，而使得主動感應(yīng)數(shù)組芯片140及待測組件DUT的距離d變近時，本實施例可 經(jīng)由控制壓電材料層130的厚度T來使主動感應(yīng)數(shù)組芯片140及待測組件DUT之間維持 適當(dāng)?shù)木嚯xd。如此，便能在探針卡與待測組件對位時，避免使探針卡碰撞(或過壓)到 待測組件而造成損壞。第三實施例 請同時參照圖IOA及10B。圖IOA繪示乃依據(jù)本發(fā)明第三實施例的探針卡的一 例的俯視圖。圖IOB為繪示乃圖IOA中沿著A-A’線段的剖面圖。于此實施例中，探 針卡500例如具有五組接觸式探針560a 560e，及四個用以與待測組件進行信號傳輸?shù)?主動感應(yīng)數(shù)組芯片540a 540d。再者，本實施例以晶圓條571a 571d為例所繪示，然 以薄膜或其它方式作為主動感應(yīng)數(shù)組芯片540a 540d與載體510之間的連接手段亦可實 施于本實施例中。第四實施例請參照圖11，其繪示依照本發(fā)明的第四實施例的主動式非接觸的探針卡的結(jié)構(gòu) 示意圖。與第一實施例不同的是，探針卡1100的壓電材料層130配置于固定座120與載 體110之間，而主動感應(yīng)數(shù)組芯片140則是配置于固定座120上。與第一實施例相仿的是，控制電路150用以提供一控制電壓Vc至壓電材料層 130，來控制壓電材料層130的厚度T，以調(diào)節(jié)主動感應(yīng)數(shù)組芯片140相對于載體110的 位置。其作法應(yīng)可從前述實施例所推知，故不于此重述。第五實施例請參照圖12，其繪示乃依據(jù)本發(fā)明第五實施例的圖1的主動式非接觸的探針卡 對位于待測組件DUT的另一例的示意圖。與第一實施例不同的是，于此例中，待測組 件DUT具有用于感測距離的至少另一目標(biāo)電極，如目標(biāo)電極TEdl。由于探針電極PEdl 及目標(biāo)電極TEdl所對應(yīng)的電容值會與此距離d相關(guān)，所以，本實施例便可依據(jù)探針電極 PEdl及目標(biāo)電極TEdl所對應(yīng)的電容值，來得知距離d的大小。之后，本實施例可于探針電極PEdl及目標(biāo)電極TEdl相對時，由控制電路150 根據(jù)探針電極PEdl及目標(biāo)電極TEdl所對應(yīng)的電容值，以產(chǎn)生控制電壓Vc至壓電材料層 130，來控制壓電材料層130的厚度T。此作法應(yīng)可從上述實施例推知，故不于此重述。上述所揭露的實施例提供多種探針卡的范例性的實施態(tài)樣，然本發(fā)明亦不限于 此。主動感應(yīng)數(shù)組芯片與接觸式探針的架構(gòu)方式應(yīng)可視不同的需求而設(shè)計。再者，圖2 所示的此測試方法除了適用于圖1所繪示的探針卡100外，亦可適用于上述實施例所揭露 的各種探針卡。
本發(fā)明上述實施例所揭露的主動式非接觸的探針卡，是經(jīng)由控制壓電材料層的 厚度來控制探針卡的主動感應(yīng)數(shù)組芯片的位置，故能精準(zhǔn)地控制主動感應(yīng)數(shù)組芯片與待 測組件之間的距離。如此，便能在探針卡與待測組件對位時，避免使探針卡碰撞(或過 壓)到待測組件而造成損壞。如此，本實施例的探針卡將可提高產(chǎn)品的良率，并增加生 產(chǎn)的可靠度。 綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種 的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種主動式非接觸的探針卡，包括一載體；一固定座，配置于該載體上；一壓電材料層，與該固定座相連接；一主動感應(yīng)數(shù)組芯片，其相對于該載體的位置由該固定座的厚度與該壓電材料層的 厚度所決定；以及一控制電路，用以提供一控制電壓至該壓電材料層，來控制該壓電材料層的厚度， 以調(diào)節(jié)該主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于該載體的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該壓電材料層配置于該固定座與該主動感應(yīng)數(shù) 組芯片之間。
3.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該壓電材料層配置于該固定座與該載體之間。
4.如權(quán)利要求1所述的探針卡，更包括至少一接觸式探針，配置于該固定座上。
5.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該主動感應(yīng)數(shù)組芯片經(jīng)由一晶圓條與該載體電 性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的探針卡，其中，該晶圓條的厚度實質(zhì)上小于50微米。
7.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該主動感應(yīng)數(shù)組芯片經(jīng)由一薄膜與該載體電性 連接。
8.如權(quán)利要求7所述的探針卡，其中，該薄膜包括一基底及一金屬層，該主動感應(yīng)數(shù) 組芯片配置于該基底上，并經(jīng)由該金屬層與該載體電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的探針卡，其中，該基底的厚度實質(zhì)上約為100微米，而該金屬 層的厚度實質(zhì)上約為0.5微米。
10.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該主動感應(yīng)數(shù)組芯片具有至少一探針電極， 當(dāng)該至少一探針電極與對應(yīng)的一待測組件的至少一目標(biāo)電極相對時，該主動感應(yīng)數(shù)組芯 片經(jīng)由對應(yīng)的該至少一目標(biāo)電極與該至少一探針電極傳送或接收該待測組件的至少一信 號。
11.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該壓電材料層的厚度實質(zhì)上為10000微米。
12.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，該壓電材料層由具壓電性質(zhì)的材料所制造而 成，該具壓電性質(zhì)的材料選自單晶、高分子、薄膜、陶瓷、及復(fù)合材料的至少其中之一 所組成的群組。
13.—種主動式非接觸的探針卡的測試方法，包括提供一主動式非接觸的探針卡，具有一載體、一固定座、一壓電材料層、及一主動 感應(yīng)數(shù)組芯片，該固定座配置于該載體上，該壓電材料層與該固定座相連接，該主動感 應(yīng)數(shù)組芯片相對于該載體的位置由該固定座的厚度與該壓電材料層的厚度所決定；使一待測組件與該主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對；量測該待測組件與該主動感應(yīng)數(shù)組芯片之間的一距離；以及根據(jù)該距離提供一控制電壓至該壓電材料層，來控制該壓電材料層的厚度，以調(diào)節(jié) 該主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于該載體的位置，以改變該距離。
14.如權(quán)利要求15所述的探針卡的測試方法，其中，該主動感應(yīng)數(shù)組芯片具有至少一探針電極，該待測組件具有至少一目標(biāo)電極，該使該待測組件與該主動感應(yīng)數(shù)組芯片相 對的步驟包括使該至少一目標(biāo)電極與該至少一探針電極相對。
15.如權(quán)利要求13所述的探針卡的測試方法，其中，該主動感應(yīng)數(shù)組芯片具有數(shù)個探 針電極，而于該量測的步驟中，該距離根據(jù)相鄰兩個探針電極所對應(yīng)的電容值以測得。
16.如權(quán)利要求13所述的探針卡的測試方法，其中，該主動感應(yīng)數(shù)組芯片具有至少一 探針電極，而于該量測的步驟中，該距離根據(jù)該至少一探針電極及該待測組件的至少一 目標(biāo)電極所對應(yīng)的電容值以測得。
17.如權(quán)利要求13所述的探針卡的測試方法，其中，該距離實質(zhì)上小于15微米。
全文摘要
一種主動式非接觸的探針卡，包括一載體、一固定座、一壓電材料層、一主動感應(yīng)數(shù)組芯片、及一控制電路。固定座配置于載體上。壓電材料層與固定座相連接。主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置由固定座的厚度與壓電材料層的厚度所決定?？刂齐娐酚靡蕴峁┮豢刂齐妷褐翂弘姴牧蠈樱瑏砜刂茐弘姴牧蠈拥暮穸?，以調(diào)節(jié)主動感應(yīng)數(shù)組芯片相對于載體的位置。
文檔編號G01R31/312GK102023240SQ20091017478
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月14日
發(fā)明者林義隆, 陳明坤 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司