專利名稱：減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)與測試方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種對稱電路的測試技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種技術(shù)，可以減少 由于測試所產(chǎn)生電晶體特性變化而影響到實質(zhì)的電路特性，尤其涉及一種減少被測試所影 響的電路結(jié)構(gòu)與測試方法。
背景技術(shù)：
一般具有對稱結(jié)構(gòu)電路的運算放大器，在經(jīng)過可靠度測試后，會因元件的操作電 性或周圍布局環(huán)境不同，而導致內(nèi)部元件之間的個別衰減程度也會有所差異。這會造成運 算放大器發(fā)生錯誤結(jié)果，例如不一致(Mismatch)的問題。圖Ia至圖Ib為傳統(tǒng)運算放大器中的放大電路示意圖。圖Ia是對稱電路單元100， 圖Ib是實際運算放大器的操作。參閱圖la，對稱電路單元100包括四個MOS電晶體Ml M4，以對稱的方式配置。一電流源102的一端連接于電晶體Ml與M2之間，而另一端連接于 地電壓。電晶體Ml的閘極端連接到一輸入端點VI，電晶體M2的閘極端連接到一輸出端點 V0。電晶體Ml與電晶體M2構(gòu)成為一對電晶體。另外，電晶體M3與電晶體M4也構(gòu)成為一 對電晶體。然而，電晶體Ml與電晶體M3是串聯(lián)構(gòu)成一部分電路，而電晶體M2與電晶體M4 也是串聯(lián)構(gòu)成另一部分電路。除了閘極端的連接控制會略為不同外，電晶體Ml與電晶體M3 是實質(zhì)上對稱于電晶體M2與電晶體M4。參閱圖lb，當外接電阻Rl與R2后，就實際達到運 算放大器的應用。傳統(tǒng)運算放大器會因輸入訊號VI和輸出訊號VO在暫態(tài)的電性不同，而導致經(jīng)過 可靠性測試后，電晶體Ml與M3和電晶體M2與M4的衰減程度不同，因此電晶體Ml和M2會 產(chǎn)生衰減不一致。電晶體M3和M4也同樣會產(chǎn)生衰減不一致。所以運算放大器經(jīng)過可靠度 測試后，其特性會和測試前不同。圖2為傳統(tǒng)運算放大器輸入訊號VI與輸出訊號VO的波形圖。參閱圖2，輸入訊號 VI例如是理想的方波，其上升緣與下降源的速度快，近乎階梯的垂直變化。而輸出訊號VO 的上升緣與下降源會隨電晶體的特性，會有一些延遲，但是會有理想的一固定值。然而，如 果電晶體在長時間相同電性的可靠度測試后會產(chǎn)生衰減程度不一致，導致放大率的變化。也就是說衰減不一致的產(chǎn)生，是因為運算放大器對稱性元件在可靠度測試過程 中，電性或周圍布局環(huán)境不同而造成衰減程度不同。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)與測試方法，可以降低元件衰減不一致 的問題。本發(fā)明提供一種減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，包括一第一測試端與一第二測試 端。一對稱電路單元耦接于第一測試端與第二測試端之間。對稱電路單元包含多個電晶體， 以對稱方式配置構(gòu)成一第一部分電路與一第二部分電路。一開關(guān)控制單元依照一組控制訊 號交替互換第一部分電路與第二部分電路的該些電晶體，以連接到第一測試端與第二測試端之間。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如對稱電路
單元是一差動電路。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如差動電路 包括一電流源與四個電晶體。第一電晶體有一閘極端，一第一連接端與第二連接端，該閘 極端通過該開關(guān)控制單元與該第一測試端及該第二測試端其一耦接，該第二連接端連接到 該電流源。第二電晶體有一間極端，一第一連接端與第二連接端，該間極端通過該開關(guān)控制 單元與該第一測試端及該第二測試端另其一耦接，該第二連接端連接到該電流源。第三電 晶體有一間極端、一第一連接端與一第二連接端，該第一連接端連接到一電位，該第二連接 端連接到該第一電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元連接到該第一電晶 體與該第二電晶體其一的該第一連接端，該第三電晶體與該第一電晶體串接構(gòu)成該第一部 分電路。第四電晶體有一間極端、一第一連接端與第二連接端，該第一連接端連接到該電 位，該第二連接端連接到該第二電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元連 接到該第一電晶體與該第二電晶體的另其一的該第一連接端，該第四電晶體與該第二電晶 體串接構(gòu)成該第二部分電路。該第一電晶體與該第二電晶體的二個該第一連接端通過該開 關(guān)控制單元與該第二測試端耦接。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如該第三電 晶體與該第四電晶體的二個該閘極端互相連接。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如該開關(guān)控 制單元包括四個開關(guān)。第一開關(guān)連接于該第一電晶體的該閘極端，切換連接到該第一測試 端與該第二測試端其一。第二開關(guān)連接于該第二電晶體的該間極端，切換連接到該第一測 試端與該第二測試端另其一。第三開關(guān)連接于該第三電晶體及該第四電晶體的該閘極端與 該第三電晶體及該第四電晶體的該第一連接端。第四開關(guān)將該第一電晶體與該第二電晶體 的二個該第一連接端耦接到該第二測試端。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如是一運算 放大器電路，還包括一第一電阻器，連接于一接地電壓與一內(nèi)部輸入端。一第二電阻器連接 于該內(nèi)部入端與該第二測試端之間。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如運算放大 器電路的對稱電路單元包括一電流源與四個電晶體。第一電晶體有一閘極端，一第一連 接端與第二連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元與該第一測試端及該內(nèi)部輸入端其一耦 接，該第二連接端連接到該電流源。第二電晶體有一間極端，一第一連接端與第二連接端， 該閘極端通過該開關(guān)控制單元與該第一測試端及該內(nèi)部輸入端另其一耦接，該第二連接端 連接到該電流源。第三電晶體，有一間極端，一第一連接端與一第二連接端，該第一連接端 連接到一電位，該第二連接端連接到該第一電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān) 控制單元連接到該第一電晶體與該第二電晶體其一的該第一連接端，該第三電晶體與該第 一電晶體串接構(gòu)成該第一部分電路。第四電晶體有一間極端，一第一連接端與第二連接端， 該第一連接端連接到該電位，該第二連接端連接到該第二電晶體的該第一連接端，該閘極 端通過該開關(guān)控制單元連接到該第一電晶體與該第二電晶體的另其一的該第一連接端，該 第四電晶體與該第二電晶體串接構(gòu)成該第二部分電路。第一電晶體與該第二電晶體的二個該第一連接端通過該開關(guān)控制單元與該第二測試端耦接。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如該第三電 晶體與該第四電晶體的二個該閘極端互相連接。依據(jù)本發(fā)明一實施例，所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中例如開關(guān)控制 單元包括四個開關(guān)。第一開關(guān)連接于該第一電晶體的該閘極端，切換連接到該第一測試端 與該內(nèi)部輸入端其一。第二開關(guān)連接于該第二電晶體的該間極端，切換連接到該第一測試 端與該內(nèi)部輸入端另其一。第三開關(guān)連接于該第三電晶體及該第四電晶體的該閘極端與該 第三電晶體及該第四電晶體的該第一連接端。第四開關(guān)，將該第一電晶體與該第二電晶體 的二個該第一連接端耦接到該第二測試端。本發(fā)明提供一種對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，其中電路結(jié)構(gòu)包括實質(zhì)上對稱配 置的多對電晶體，由一第一測試端與一第二測試端對該電路結(jié)構(gòu)進行可靠度測試。測試方 法包括切換該多對電晶體在一第一型連接狀態(tài)。在第一型連接狀態(tài)下進行總共為一第一 時間區(qū)間的一第一測試操作。切換所述多對電晶體在一第二型連接狀態(tài)，其中該第一連接 狀態(tài)與該第二連接狀態(tài)之間是將每一對的二個電晶體互相切換。在第二型連接狀態(tài)下進行 總共為一第二時間區(qū)間，其中該第一時間區(qū)間實質(zhì)上相等于第二時間區(qū)間。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細說明如下。


圖Ia至圖Ib為傳統(tǒng)運算放大器中的放大電路示意圖；圖2為傳統(tǒng)運算放大器輸入訊號VI與輸出訊號VO的波形圖；圖3a至圖3b為本發(fā)明一實施例可切換于二種型態(tài)之間的對稱電路示意圖；圖4為本發(fā)明一實施例依照圖3的電路切換可靠度測試的時間分配示意圖；圖5為本發(fā)明一實施例差動電路配合開關(guān)的電路示意圖；圖6為本發(fā)明一實施例運算放大器電路配合開關(guān)的電路示意圖。主要元件符號說明Ml M4-電晶體；100-對稱電路單元；102,206-電流源；200、202、204_ 開關(guān)單元。
具體實施例方式本發(fā)明提出一概念，使對稱性元件在可考靠度測試過程中，能夠有相同的電性和 布局環(huán)境。以下舉一些實施例來描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不僅限于所舉的一些實施例，且所 舉實施例之間也可以相互結(jié)合，達到另一些變化實施例。圖3a至圖3b為本發(fā)明一實施例可切換于二種型態(tài)之間的對稱電路示意圖。參閱 圖3a，以運算放大器的對稱電路為例，其與圖1的電路相似。為了方便描述，圖3a稱為A型 電路。由于圖3a的對稱電路單元100的電晶體的配置是對稱，僅是在連接上依照實際有一 些不完對稱，但實質(zhì)上仍維持對稱。因此，對稱電路單元100的電晶體M1-M4通過連接的切 換機制，可以將對稱的電晶體互換。圖3b的電路稱為B型電路。B型電路與A型電路于實 施例而言，基于對稱的關(guān)系，電晶體Ml與電晶體M2互換，且電晶體M3與電晶體M4互換。
由于A型電路中的電晶體Ml與電晶體M2在可靠度測試時的操作電壓與B型電路 中的電晶體Ml與電晶體M2在相同可靠度測試時的操作電壓互換，因此，若是整個可靠度測 試過程中，切換在A型電路進行測試的總共時間近似于切換在B型電路進行測試的總共時 間，則電晶體Ml與電晶體M2的衰減率約為相等。同樣的情形與理由也適用于電晶體M3與 電晶體M4之間。圖4為本發(fā)明一實施例依照圖3的電路切換可靠度測試的時間分配示意圖。參 閱圖4，在時間軸上，從開始到結(jié)束的一段總測試時間中可以區(qū)分成N個區(qū)段。在N個區(qū)段 中，例如A型電路與B型電路交替切換進行測試，而每一區(qū)段的大小無須相同，但是A型電 路所測試的總共時間要實質(zhì)上相等于A型電路所測試的總共時間。如此，對于四個電晶體 M1-M4所構(gòu)成的兩對電晶體，每一對電晶體的二個電晶體的衰減特性約相同，因此仍可維持 對稱電路的特性，減少衰減不一致的問題。在本發(fā)明的電路設計中，例如可以通過一開關(guān)切換單元做A型電路與B電路的切 換，開關(guān)切換單元主要是要將電晶體互換。其基于對稱電路的關(guān)系，開關(guān)切換單元可以無需 復雜的連接關(guān)系即可達成。以下更舉一些實施例描述開關(guān)切換單元的設置。圖5為本發(fā)明一實施例差動電路配合開關(guān)的電路示意圖。參閱圖5，依照圖3的 電路為基礎，通過開關(guān)控制單元進行切換。開關(guān)控制單元例如可以包括三組開關(guān)單元200， 202，204，每一組開關(guān)單元對應控制訊號PA、PB可以有多個切換狀態(tài)。換句話說，四個電晶 體Ml M4通過開關(guān)單元做切換可以達到相互切換的相同電路，其中例如電晶體Ml與M2 分別有二個開關(guān)單元做切換，而電晶體M3與M4的連接關(guān)系是交叉連接，因此另一組開關(guān)單 元200做互換。開關(guān)控制單元例如可以是MOS元件，由兩個控制訊號PA、PB做切換。當控 制訊號PA使受控制的開關(guān)導通時，控制訊號PB使受控制的開關(guān)為不導通。反之，當控制訊 號PA使受控制的開關(guān)不導通時，控制訊號PB使受控制的開關(guān)為導通。開關(guān)單元200是對應電晶體M3與M4做切換。由于電晶體M3與M4的閘極端僅連 接到電晶體Ml與M2其一，因此開關(guān)單元200設置與對應電晶體M3與M4的開關(guān)單元202、 204略有不同，但是目的仍是切換的作用?？刂朴嵦朠A與控制訊號PB使電晶體M3與M4互 換。相似的情形，電晶體M2的閘極端也連接到開關(guān)單元202，其會改變連接到輸入端VI與 輸出端VO其一。電晶體Ml的閘極端也連接到開關(guān)單元204，其會改變連接到輸入端VI與 輸出端VO的另其一。如此通過開關(guān)控制單元就可以達到A型電路與B電路的切換?？梢粤私獾氖牵瑘D5的對稱電路是以差動電路為例，但是實際上，本發(fā)明的技術(shù)特 征也可以應用到其他的對稱電路，不僅限于4個電晶體的設計。另外，開關(guān)的設計也不限于 所舉的方式。就運算放大器的應用而言，圖6為本發(fā)明一實施例運算放大器電路配合開關(guān)的電 路示意圖。參閱圖6，圖6的電路是以運算放大器電路為例，因此需要與外部的電阻器Rl與 R2連接。運算放大器電路除了輸入端VI外，還也一個內(nèi)部輸入端VX，以連接電阻器Rl與 R2，達到放大的功效。因此，電晶體Ml與M2的閘極端是通過開關(guān)單元202、204連接到輸入 端VI與內(nèi)部輸入端VX的其一。如前述，開關(guān)單元200針對電晶體M3與M4做切換。如此， 運算放大器在控制訊號PA致能而控制訊號PB禁能時，是以A型電路進行測試。另外當控 制訊號PA禁能而控制訊號PB致能時，運算放大器是以B型電路進行測試。上述的開關(guān)控制方式僅是一個實施例，然而基于切換的電晶體的需要，開關(guān)控制方式可以有其他的控制與連接方式。至于在實際操作時，也可以依照操作的時間做切換以減少衰減不一致的現(xiàn)象。本發(fā)明提出的裝置與概念可應用于任何對稱性元件。本發(fā)明提出的開關(guān)切換元件，可選擇性決定需考量可靠度測試所造成衰減不一致 的部分。本發(fā)明所轉(zhuǎn)換的周期，只要長時間周期一和周期二的時間相同或相近，即可達到降 低可靠度測試所造成的衰減不一致的問題。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術(shù)人員應當理解其依然 可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，包括一第一測試端與一第二測試端；一對稱電路單元，耦接于該第一測試端與該第二測試端之間，該對稱電路單元包含多 個電晶體，以實質(zhì)上對稱方式配置構(gòu)成一第一部分電路與一第二部分電路；以及，一開關(guān)控制單元，依照一組控制訊號交替互換該第一部分電路與該第二部分電路的所 述電晶體，以連接到該第一測試端與該第二測試端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該對稱電路單元是一差 動電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該差動電路包括 一電流源；一第一電晶體，有一間極端，一第一連接端與第二連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單 元與該第一測試端及該第二測試端其一耦接，該第二連接端連接到該電流源；一第二電晶體，有一間極端，一第一連接端與第二連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單 元與該第一測試端及該第二測試端另其一耦接，該第二連接端連接到該電流源；一第三電晶體，有一間極端、一第一連接端與一第二連接端，該第一連接端連接到一電 位，該第二連接端連接到該第一電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元連 接到該第一電晶體與該第二電晶體其一的該第一連接端，該第三電晶體與該第一電晶體串 接構(gòu)成該第一部分電路；以及，一第四電晶體，有一間極端、一第一連接端與第二連接端，該第一連接端連接到該電 位，該第二連接端連接到該第二電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元連 接到該第一電晶體與該第二電晶體的另其一的該第一連接端，該第四電晶體與該第二電晶 體串接構(gòu)成該第二部分電路，其中該第一電晶體與該第二電晶體的二個該第一連接端通過該開關(guān)控制單元與該第 二測試端耦接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該第三電晶體與該第四 電晶體的二個該閘極端互相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該開關(guān)控制單元包括 一第一開關(guān)，連接于該第一電晶體的該間極端，切換連接到該第一測試端與該第二測試而其一；一第二開關(guān)，連接于該第二電晶體的該間極端，切換連接到該第一測試端與該第二測 試端另其一；一第三開關(guān)，連接于該第三電晶體及該第四電晶體的該閘極端與該第三電晶體及該第 四電晶體的該第一連接端；以及，一第四開關(guān)，將該第一電晶體與該第二電晶體的二個該第一連接端耦接到該第二測試端。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該第一電晶體與該第二 電晶體是相同導電型電晶體，其中該第三電晶體與該第四電晶體是相同導電型電晶體，但 是不同于該第一電晶體與該第二電晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該對稱電路單元是一運算放大器電路，該運算放大器電路還包括一第一電阻器，連接于一接地電壓與一內(nèi)部輸入端；以及， 一第二電阻器，連接于該內(nèi)部入端與該第二測試端之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該對稱電路單元包括 一電流源；一第一電晶體，有一間極端，一第一連接端與第二連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單 元與該第一測試端及該內(nèi)部輸入端其一耦接，該第二連接端連接到該電流源；一第二電晶體，有一間極端，一第一連接端與第二連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單 元與該第一測試端及該內(nèi)部輸入端另其一耦接，該第二連接端連接到該電流源；一第三電晶體，有一間極端，一第一連接端與一第二連接端，該第一連接端連接到一電 位，該第二連接端連接到該第一電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元連 接到該第一電晶體與該第二電晶體其一的該第一連接端，該第三電晶體與該第一電晶體串 接構(gòu)成該第一部分電路；以及，一第四電晶體，有一間極端，一第一連接端與第二連接端，該第一連接端連接到該電 位，該第二連接端連接到該第二電晶體的該第一連接端，該間極端通過該開關(guān)控制單元連 接到該第一電晶體與該第二電晶體的另其一的該第一連接端，該第四電晶體與該第二電晶 體串接構(gòu)成該第二部分電路，其中該第一電晶體與該第二電晶體的二個該第一連接端通過該開關(guān)控制單元與該第 二測試端耦接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該 第三電晶體與該第四電晶體的二個該閘極端互相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該開關(guān)控制單元包括 一第一開關(guān)，連接于該第一電晶體的該間極端，切換連接到該第一測試端與該內(nèi)部輸入端其一；一第二開關(guān)，連接于該第二電晶體的該間極端，切換連接到該第一測試端與該內(nèi)部輸 入端另其一；一第三開關(guān)，連接于該第三電晶體及該第四電晶體的該閘極端與該第三電晶體及該第 四電晶體的該第一連接端；以及，一第四開關(guān)，將該第一電晶體與該第二電晶體的二個該第一連接端耦接到該第二測試端。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)，其中該第一電晶體與該第 二電晶體是相同導電型電晶體，其中該第三電晶體與該第四電晶體是相同導電型電晶體， 但是不同于該第一電晶體與該第二電晶體。
12.—種對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，其中該電路結(jié)構(gòu)包括實質(zhì)上對稱配置的多 對電晶體，由一第一測試端與一第二測試端對該電路結(jié)構(gòu)進行可靠度測試，該測試方法包 括切換該多對電晶體在一第一型連接狀態(tài)；在第一型連接狀態(tài)下進行總共為一第一時間區(qū)間的一第一測試操作； 切換所述多對電晶體在一第二型連接狀態(tài)，其中該第一連接狀態(tài)與該第二連接狀態(tài)之間是將每一對的二個電晶體互相切換；以及，在第二型連接狀態(tài)下進行總共為一第二時間區(qū)間，其中該第一時間區(qū)間實質(zhì)上相等于 第二時間區(qū)間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，其中該電路結(jié)構(gòu)是一差動 電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，其中該電路結(jié)構(gòu)是一運算 放大器電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，該第一時間區(qū)間分為多個 區(qū)段。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，該第二時間區(qū)間分為多個 區(qū)段。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對稱元件電路結(jié)構(gòu)的測試方法，該第一時間區(qū)間分為多個 區(qū)段，該第二時間區(qū)間分為多個區(qū)段，而該第一時間區(qū)間與該第二時間區(qū)間混合進行測試。
全文摘要
本發(fā)明提供一種減少被測試所影響的電路結(jié)構(gòu)與測試方法，包括一第一測試端與一第二測試端。一對稱電路單元耦接于第一測試端與第二測試端之間。對稱電路單元包含多個電晶體，以對稱方式配置構(gòu)成一第一部分電路與一第二部分電路。一開關(guān)控制單元依照一組控制訊號交替互換第一部分電路與第二部分電路的該些電晶體，以連接到第一測試端與第二測試端之間。
文檔編號G01R1/30GK102004217SQ200910172028
公開日2011年4月6日 申請日期2009年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月3日
發(fā)明者黃如琳 申請人:聯(lián)詠科技股份有限公司