專利名稱：被檢查體的檢查方法和被檢查體的檢查用程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及同時(shí)進(jìn)行多個(gè)器件的電特性檢査的被檢査體的檢查方
法，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及即使由于特定的通路(channel)的不良而發(fā)生 檢查不良，也能夠恢復(fù)該檢查不良的被檢査體的檢査方法和被檢查體 的檢査用程序。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的檢查裝置的探測(cè)裝置，例如圖3所示，具備相鄰的裝
載室1和探測(cè)室2。裝載室1具備以盒單位收納多個(gè)晶片W的收納 部；從盒內(nèi)逐個(gè)搬出搬入晶片W的晶片搬送機(jī)構(gòu)；和在利用晶片搬送
機(jī)構(gòu)搬送晶片W的期間對(duì)晶片W進(jìn)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)的預(yù)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)。探測(cè)室2
具備保持晶片W并能夠在X、 Y、 Z、 e方向移動(dòng)的載置臺(tái)3;具有
多個(gè)探針4A的探測(cè)卡4，該多個(gè)探針4a與在該載置臺(tái)3上載置的晶
片W的所有器件之中的多個(gè)器件的電極墊接觸；利用卡保持具(未圖
示)固定該探測(cè)卡4的固定機(jī)構(gòu)5;和電連接探測(cè)卡4和測(cè)試頭T的連 接環(huán)6，在控制裝置的控制下通過(guò)測(cè)試頭T、連接環(huán)6和探測(cè)卡4使未 圖示的測(cè)試器與多個(gè)器件電連接，進(jìn)行電特性檢查。另外，在圖3中， 7是與載置臺(tái)3協(xié)同作用進(jìn)行晶片W和探測(cè)卡4的對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)， 7A是上攝像機(jī)，7B是下攝像機(jī)，8是安裝有探測(cè)卡3的固定機(jī)構(gòu)5的 頂板。
而且，例如圖4所示，在使用通過(guò)一次接觸同時(shí)檢査X方向的兩 個(gè)器件的探測(cè)卡4的情況下，如圖4的箭頭所示，在使載置臺(tái)3向X 方向右方移動(dòng)，探測(cè)卡在最初的接觸位置Pl與兩個(gè)器件D電接觸而進(jìn) 行檢査之后，如圖4的箭頭所示，向X方向每次分度發(fā)送兩個(gè)器件D， 如果在接觸位置P2結(jié)束第一行的最后兩個(gè)器件D的檢査，則僅向Y 方下方分度發(fā)送一個(gè)器件的量，在第二行中向與第一行反向的X方向 左方每次進(jìn)行兩個(gè)器件D的檢査。對(duì)于各行的器件D按照同一方法反復(fù)進(jìn)行檢查，對(duì)晶片W的所有器件進(jìn)行電特性檢查，如果存在不良品
(不合格品)器件D則檢查出該器件D。然后，如果一個(gè)晶片W的檢 査結(jié)束，則與下一個(gè)晶片W進(jìn)行交換，按照同樣的順序?qū)粨Q后的晶 片W進(jìn)行電特性檢查。其中，圖4表示到晶片W的中途為止的檢査 結(jié)果，圖4中的4A表示檢查途中的探測(cè)卡的探針。此外，晶片W內(nèi) 的粗線表示成為檢査對(duì)象的器件D。
然而，關(guān)于初次檢査的結(jié)果，如果器件D的不良品(不合格品) 率超過(guò)容許范圍，則接著對(duì)該晶片W再一次重復(fù)進(jìn)行相同的檢査，確 認(rèn)不良品率。如果在第二次的檢査中不良品率在容許范圍內(nèi)，則與下 一個(gè)晶片W交換并進(jìn)行檢查。
但是，如圖4中陰影所示那樣，在初次的檢査中存在總在特定的 器件D有規(guī)律地發(fā)生檢査不良的情況。在這種情況下，即使按照與初 次相同的順序進(jìn)行第二次檢査也只是得到相同的結(jié)果，不會(huì)降低存在 檢査不良的器件D (在圖4中用陰影表示的器件)的發(fā)生個(gè)數(shù)，如果 在這種狀態(tài)下判斷為不良品就會(huì)降低成品率。此外，再檢查花費(fèi)額外 的時(shí)間，降低測(cè)試器的運(yùn)轉(zhuǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種被檢 查體的檢査方法和被檢査體的檢查用程序，在初次檢查中總在特定的 器件D中有規(guī)律地發(fā)生檢查不良的情況下，在第二次檢査中能夠確認(rèn) 該檢查不良是否是器件不良引起的，進(jìn)而能夠提高成品率并且不會(huì)浪 費(fèi)第二次檢查而使測(cè)試器的運(yùn)轉(zhuǎn)效率提高。
本發(fā)明人對(duì)圖4所示的檢查不良的發(fā)生原因進(jìn)行了各種研討，結(jié) 果發(fā)現(xiàn)，在初次的檢查中之所以在特定的器件中有規(guī)律地發(fā)生檢查不 良，是由于在探測(cè)卡或測(cè)試器側(cè)的通路中存在問(wèn)題。
本發(fā)明是基于上述見(jiàn)解而完成的，第一方面的被檢査體的檢査方 法是在控制裝置的控制下，使載置被檢査體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡 的多個(gè)探針與上述被檢查體的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)上 述的所有器件每次多個(gè)地進(jìn)行電特性檢査的被檢查體的檢査方法，其
特征在于在結(jié)束上述的所有器件的電特性檢査后，在上述多個(gè)探針接觸的器件之中，在總在特定的器件中發(fā)生檢査不良的情況下，對(duì)上 述的所有器件進(jìn)行再檢查，在進(jìn)行再檢查時(shí)，將上述探測(cè)卡和上述被 檢査體接觸的位置從上次的檢査中的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的 量，每次多個(gè)地進(jìn)行上述器件的電特性檢查。
此外，本發(fā)明的第二方面的被檢査體的檢查方法是在控制裝置的 控制下，使載置被檢査體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針與上述 被檢查體的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)上述的所有器件每次 多個(gè)地進(jìn)行電特性檢査的被檢查體的檢查方法，其特征在于，包括 通過(guò)上述載置臺(tái)使上述被檢查體每次移動(dòng)多個(gè)器件的量，使上述被檢 査體與上述探測(cè)卡電接觸，每次多個(gè)地進(jìn)行上述器件的電特性檢查的 第一工序；在結(jié)束上述所有器件的檢査之后，檢測(cè)在上述多個(gè)探針接 觸的器件之中，是否總在特定的器件中發(fā)生了檢査不良的第二工序； 和在總在上述的特定的器件中發(fā)生檢査不良的情況下實(shí)施再檢查的第 三工序，其中，第三工序包括將上述被檢查體和上述探測(cè)卡最初接 觸的位置從上次的檢査中的最初的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量的 工序；和從此次的最初的接觸位置起每次多個(gè)地進(jìn)行上述器件的電特 性檢查的工序。
此外，本發(fā)明的第三方面的被檢查體的檢査用程序，是通過(guò)驅(qū)動(dòng) 計(jì)算機(jī)，使載置被檢查體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針與上述 被檢査體的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)上述所有器件每次多 個(gè)地進(jìn)行電特性檢查的被檢査體的檢查用程序，其特征在于在結(jié)束 上述的所有器件的電特性檢查后，在上述多個(gè)探針接觸的器件之中， 總在特定的器件中發(fā)生檢査不良的情況下，對(duì)上述的所有器件進(jìn)行再 檢查，在進(jìn)行再檢查時(shí)，將上述探測(cè)卡和上述被檢查體接觸的位置從 上次的檢査中的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量，每次多個(gè)地進(jìn)行上 述器件的電特性檢查。
此外，本發(fā)明的第四方面的被檢查體的檢查用程序，是通過(guò)驅(qū)動(dòng) 計(jì)算機(jī)，使載置被檢査體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針每次分 別與上述被檢查體的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)上述所有器 件每次多個(gè)地進(jìn)行電特性檢査的被檢査體的檢查用程序，其特征在于 驅(qū)動(dòng)上述計(jì)算機(jī)，使得執(zhí)行如下工序通過(guò)上述載置臺(tái)使上述被檢查體每次移動(dòng)多個(gè)器件的量，使上述被檢査體與上述探測(cè)卡電接觸，每 次多個(gè)地進(jìn)行上述器件的電特性檢査的第一工序；在結(jié)束上述所有器 件的檢査之后，檢測(cè)在上述多個(gè)探針接觸的器件之中，是否總在特定 的器件中發(fā)生了檢査不良的第二工序；和在總在上述的特定的器件中 發(fā)生了檢査不良的情況下實(shí)施再檢査的第三工序，其中，在第三工序 中，使得執(zhí)行如下工序?qū)⑸鲜霰粰z査體和上述探測(cè)卡最初接觸的位 置從上次的檢査中的最初的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量的工序； 和從此次的最初的接觸位置起每次多個(gè)地進(jìn)行上述器件的電特性檢查 的工序。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種被檢査體的檢查方法和被檢查體的檢 查用程序，在初次檢査中在總在特定的器件D中有規(guī)律地發(fā)生檢查不 良的情況下，在第二次檢查中能夠確認(rèn)該檢查不良是否是器件不良引 起的，進(jìn)而能夠提高成品率并且不會(huì)浪費(fèi)第二次檢査而使測(cè)試器的運(yùn) 轉(zhuǎn)效率提高。


圖1是表示為了實(shí)施本發(fā)明的被檢查體的檢査方法而使用的檢查 裝置的一例的結(jié)構(gòu)圖。
圖2 (a)、 (b)是分別表示基于使用圖1所示的檢查裝置的檢查方 法的存在檢查不良的器件的分布狀態(tài)的平面圖，(a)是表示初次檢査 的圖，(b)是表示第二次檢查的圖。
圖3是截?cái)啾硎粳F(xiàn)有的探測(cè)裝置的一例的一部分的正面圖。
圖4是表示使用圖3所示的檢査裝置的現(xiàn)有的檢查方法的晶片和 探測(cè)卡的探針的關(guān)系的平面圖。
符號(hào)說(shuō)明
10探測(cè)裝置(檢査裝置) 11載置臺(tái) 12探測(cè)卡 12A探針
W晶片(被檢査體) D器件
具體實(shí)施例方式
以下，基于圖l、圖2所示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。其中， 在各圖中，圖1是表示為了實(shí)施本發(fā)明的被檢查體的檢查方法而被使 用的檢查裝置的一例的結(jié)構(gòu)圖，圖2 (a)、 (b)是分別表示基于使用圖 1所示的檢查裝置的檢查方法的存在檢査不良的器件的分布狀態(tài)的平 面圖，(a)是表示初次檢查的圖，(b)是表示第二次檢查的圖。
首先，對(duì)實(shí)施本實(shí)施方式的被檢查體的檢査方法的檢査裝置(探 測(cè)裝置)進(jìn)行說(shuō)明。例如如圖l所示，該探測(cè)裝置10具備在探測(cè)室 內(nèi)能夠向X、 Y、 Z、 e方向移動(dòng)的載置臺(tái)11;配置在載置臺(tái)11的上 方的探測(cè)卡12;和進(jìn)行載置臺(tái)11上的晶片W與探測(cè)卡12的對(duì)位的對(duì) 準(zhǔn)機(jī)構(gòu)13，在控制裝置14的控制下，載置臺(tái)11和對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)13協(xié)作， 在進(jìn)行晶片W的器件的多個(gè)電極墊與探測(cè)卡12的多個(gè)探針12A的對(duì) 位后，載置臺(tái)11分度發(fā)送晶片W，進(jìn)行晶片W的各器件的電特性檢 査。
如圖l所示，載置臺(tái)11具有由X方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、Y方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 和Z方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)IIA。因而，載置臺(tái)ll構(gòu)成為，在 控制裝置14的控制下通過(guò)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11A向X、 Y、 Z、 e方向移動(dòng)。
如圖1所示，探測(cè)卡12具有多個(gè)探針12A，通過(guò)卡保持具15被 固定在頂板16上。多個(gè)探針12A構(gòu)成為，與形成在晶片W上的多個(gè) 器件D (參照?qǐng)D2)之中的至少與兩個(gè)器件D接觸。多個(gè)探針12A同 時(shí)接觸的器件D，根據(jù)器件D的種類而不同，存在在縱橫方向上分別 矩陣狀排列有多個(gè)的情況，以及在橫方向或縱方向上至少排列有兩個(gè) 的情況。在本實(shí)施方式中，如圖2 (a)、 (b)所示，多個(gè)探針12A與 在橫方向上排列的兩個(gè)器件D接觸。
如圖1所示，對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)13具備在載置臺(tái)11和探測(cè)卡12之間移 動(dòng)的第一攝像機(jī)13A;設(shè)置在載置臺(tái)11的側(cè)面的第二攝像機(jī)13B;和 固定有第一攝像機(jī)13A的對(duì)準(zhǔn)橋13C。第一攝像機(jī)13A通過(guò)對(duì)準(zhǔn)橋13C 在從探測(cè)室的內(nèi)部至探測(cè)中心(位于探測(cè)卡的中心的延長(zhǎng)線上)之間 移動(dòng)，在探測(cè)中心對(duì)向X、 Y方向移動(dòng)的載置臺(tái)ll上的晶片W進(jìn)行攝 像。第二攝像機(jī)13B通過(guò)載置臺(tái)11向探測(cè)卡12的探針12A的正下方 移動(dòng)，在該位置對(duì)探針12A進(jìn)行攝像?？刂蒲b置14以計(jì)算機(jī)為主體而構(gòu)成，該計(jì)算機(jī)包括存儲(chǔ)本發(fā)明 的檢查用程序、其它程序，進(jìn)而存儲(chǔ)各種檢査用的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)部14A;
根據(jù)來(lái)自第一、第二攝像機(jī)13A、 13B的攝像信號(hào)進(jìn)行圖像處理的圖 像處理部14B;和在存儲(chǔ)部14A與圖像處理部14B之間接收發(fā)送各種 數(shù)據(jù)并進(jìn)行運(yùn)算處理的中央運(yùn)算處理部14C。中央運(yùn)算處理部14C從 存儲(chǔ)部14A讀出檢查用程序等，對(duì)載置臺(tái)11、對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)13等構(gòu)成設(shè) 備進(jìn)行控制，或根據(jù)目的對(duì)表示檢査結(jié)果的數(shù)值數(shù)據(jù)、圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行 各種數(shù)據(jù)加工。
接著，對(duì)使用本發(fā)明的被檢查體的檢查用程序的一個(gè)實(shí)施方式的 檢查方法進(jìn)行說(shuō)明。
當(dāng)通過(guò)本實(shí)施方式的檢查用程序驅(qū)動(dòng)控制裝置14的計(jì)算機(jī)時(shí)，中 央運(yùn)算處理部14C從存儲(chǔ)部14A讀出檢査用程序并執(zhí)行本實(shí)施方式的 檢査方法。當(dāng)執(zhí)行本實(shí)施方式的檢查方法時(shí)，從裝載室接到晶片W的 載置臺(tái)11通過(guò)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11A向X、 Y方向移動(dòng)，并在規(guī)定的角度范圍 內(nèi)向e方向旋轉(zhuǎn)，使晶片W的劃線(scribeline)在X、 Y方向一致。
與此同時(shí)，使用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)13的第二攝像機(jī)13B測(cè)定探針12A的 針尖位置，使用第一攝像機(jī)13A測(cè)定與探針12A對(duì)應(yīng)的晶片W的電 極墊，由此進(jìn)行晶片W和探測(cè)卡12的對(duì)準(zhǔn)之后，進(jìn)行晶片W的檢查。
在對(duì)準(zhǔn)后，載置臺(tái)11使最初將要檢查的器件D向探測(cè)卡12的正 下方移動(dòng)，使晶片W從該位置上升，使最初的兩個(gè)器件D的多個(gè)電極 墊和與它們對(duì)應(yīng)的多個(gè)探針12A接觸，進(jìn)一步進(jìn)行過(guò)驅(qū)動(dòng)使多個(gè)電極 墊和多個(gè)探針12A電接觸而進(jìn)行兩個(gè)器件D的電特性檢查。接著，與 現(xiàn)有技術(shù)同樣，載置臺(tái)11將晶片W向X方向右方每次分度發(fā)送兩個(gè) 器件D的量，并且在器件的行的轉(zhuǎn)折點(diǎn)向Y方向下方分度發(fā)送一個(gè)器 件的量，如圖2 (a)所示，切換分度發(fā)送的方向，直到最后的器件D 為止，每次兩個(gè)地進(jìn)行電特性檢査。
在結(jié)束對(duì)晶片W的所有器件的檢査后，如果器件的檢査不良率在 容許范圍內(nèi)，則與下一個(gè)晶片W交換，以同一方式對(duì)交換后的晶片W 進(jìn)行檢查。
然而，假定針對(duì)晶片W的所有器件D的檢査的結(jié)果是，在中央運(yùn) 算處理部14C中檢測(cè)出不良品率超過(guò)容許范圍，存在檢查不良的器件D的分布例如如圖2 (a)所示，在多個(gè)探針12A接觸的兩個(gè)器件之中， 總在特定的器件D (在圖2 (a)中是在探針12A的兩個(gè)器件之中的用 陰影表示的第二個(gè)器件)上有規(guī)律地發(fā)生檢査不良。在此情況下，再 次進(jìn)行該晶片W的檢查，不知道檢査不良是由于器件D的不良引起的， 還是由于探測(cè)卡12或測(cè)試器側(cè)的通路的不良引起的。于是，在本實(shí)施 方式的檢查用程序中按照以下的方式實(shí)施再檢査。另外，在圖2 (a) 中，將探測(cè)卡12的多個(gè)探針12A最初接觸的兩個(gè)器件D所在的區(qū)域 表示為以虛線包圍的接觸區(qū)域P1。
在進(jìn)行再檢查的情況下，如圖2 (b)所示，將探測(cè)卡12和晶片W 最初接觸的位置從上次的檢查中的最初的接觸區(qū)域P1 (參照?qǐng)D2 (a)) 向X方向右方僅錯(cuò)開(kāi)(移動(dòng))l個(gè)器件的量，在接觸區(qū)域P1'對(duì)兩個(gè) 器件D進(jìn)行電特性檢査。由此，使用在上次的檢査中無(wú)檢查不良的探 針12A (以下稱為"第一探針12")檢查上次的檢査不良的器件D。因 而，在此次的檢查中第一探針12A檢查上次的檢査不良的器件D，使 用第二探針12A檢查上次的正常的器件D。如果在此次的檢査中使用 第一探針12A檢査的器件D未成為檢查不良，則該器件D作為正常且 沒(méi)有缺陷的器件D被檢查出。此外，在此次的檢查中，使用第二探針 12A檢查過(guò)的器件D即使是正常的器件D也成為檢查不良。在此次的 檢査中，如果使用第一探針12A檢查的器件成為檢查不良，則作為在 該器件D中存在缺陷的不良品被檢查出。
這樣，在此次檢査中，使用沒(méi)有缺陷的正常的第一探針12A檢查 上次的成為檢査不良的器件D，能夠知道是否是器件本身存在缺陷。 然后，使用正常的第一探針12A檢查的結(jié)果是，如果未成為檢查不良 則將該器件D劃分為良品，如果為檢査不良則將該器件D劃分為存在 缺陷的不良品。由此，在上次的檢査中判斷為不良品的器件D中的很 多作為良品而被補(bǔ)救，能夠使產(chǎn)品的成品率提高。此外，不會(huì)浪費(fèi)第 二次檢査而是有效地利用第二次檢査，能夠提高測(cè)試器的運(yùn)轉(zhuǎn)效率。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，在控制裝置14的控制下，使載置晶 片W的載置臺(tái)11移動(dòng)，使探測(cè)卡12的多個(gè)探針12A與晶片W的所 有器件D之中的兩個(gè)器件D電接觸，針對(duì)所有的器件D每次兩個(gè)地進(jìn) 行電特性檢查時(shí)，包括通過(guò)載置臺(tái)11使晶片W每次移動(dòng)兩個(gè)器件的量，使晶片W與探測(cè)卡12電接觸，每次對(duì)兩個(gè)器件D進(jìn)行電特性 檢査的第一工序；在結(jié)束所有器件D的檢査之后，在中央運(yùn)算處理部 14C中對(duì)在多個(gè)探針12A接觸的器件D之中，是否總在特定的器件中 發(fā)生了檢查不良進(jìn)行檢測(cè)的第二工序；和在總在特定的器件中發(fā)生了 檢査不良的情況下實(shí)施再檢查的第三工序，其中，第三工序包括將晶 片W和探測(cè)卡12最初接觸的接觸區(qū)域P1'從上次的檢査中的最初的 接觸區(qū)域Pl錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量的工序，和從此次的最初的接觸區(qū)域 Pl'起每次兩個(gè)地進(jìn)行器件D的電特性檢查的工序，因此，在初次的 檢查中在特定的器件D上有規(guī)律地發(fā)生了檢査不良的情況下，進(jìn)行第 二次檢查，在第二次檢查中使用在第一次檢查中未發(fā)生檢查不良的第 一探針12A檢査在第一次檢査中成為不良品的器件D，能夠檢査出第 一次的檢查不良是否是器件D的原因，進(jìn)而能夠降低器件D的不良品 率，提高成品率，并且能夠不浪費(fèi)第二次的檢查而提高測(cè)試器的運(yùn)轉(zhuǎn) 效率。
另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)每次同時(shí)檢査2個(gè)器件D的情況進(jìn) 行了說(shuō)明，但本發(fā)明也能夠適用于同時(shí)檢查三個(gè)以上的器件的情況。 此外，在上述實(shí)施方式中，在第二次檢查中與第一次檢査的情況相比 使晶片W向檢査方向的下游側(cè)錯(cuò)開(kāi)(移動(dòng)) 一個(gè)器件的量，但也可以 使晶片W向上游側(cè)移動(dòng)一個(gè)器件的量。此外，在同時(shí)檢查三個(gè)以上的 器件時(shí)在相鄰的兩個(gè)器件上連續(xù)發(fā)生了檢查不良的情況下，能夠使晶 片W移動(dòng)兩個(gè)的量而進(jìn)行檢査。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明能夠在進(jìn)行晶片等被檢查體的電特性檢查時(shí)適當(dāng)利用。
權(quán)利要求
1.一種被檢查體的檢查方法，其是在控制裝置的控制下，使載置被檢查體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針與所述被檢查體的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)所述所有器件每次多個(gè)地進(jìn)行電特性檢查的被檢查體的檢查方法，其特征在于在結(jié)束所述的所有器件的電特性檢查后，在所述多個(gè)探針接觸的器件之中，總在特定的器件中發(fā)生檢查不良的情況下，對(duì)所述的所有器件進(jìn)行再檢查，在進(jìn)行再檢查時(shí)，將所述探測(cè)卡和所述被檢查體接觸的位置從上次的檢查中的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量，每次多個(gè)地進(jìn)行所述器件的電特性檢查。
2. —種被檢査體的檢查方法，其是在控制裝置的控制下，使載置 被檢查體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針與所述被檢查體的所有 器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)所述所有器件每次多個(gè)地進(jìn)行電特性 檢査的被檢査體的檢査方法，其特征在于，包括-通過(guò)所述載置臺(tái)使所述被檢査體每次移動(dòng)多個(gè)器件的量，使所述 被檢查體與所述探測(cè)卡電接觸，每次多個(gè)地進(jìn)行所述器件的電特性檢 査的第一工序；在結(jié)束所述所有器件的檢査之后，檢測(cè)在所述多個(gè)探針接觸的器 件之中，是否總在特定的器件中發(fā)生了檢查不良的第二工序；和在總在所述的特定的器件中發(fā)生了檢査不良的情況下實(shí)施再檢查 的第三工序，其中，第三工序包括將所述被檢查體和所述探測(cè)卡最初接觸的位置從上次的檢査中的 最初的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量的工序；和從此次的最初的接觸位置起每次多個(gè)地進(jìn)行所述器件的電特性檢 査的工序。
3. —種被檢査體的檢查用程序，其是通過(guò)驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)，使載置被 檢查體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針與所述被檢查體的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)所述所有器件每次多個(gè)地進(jìn)行電特性檢 查的被檢査體的檢查用程序，其特征在于在結(jié)束所述的所有器件的電特性檢查后，在所述多個(gè)探針接觸的 器件之中，總在特定的器件中發(fā)生檢査不良的情況下，對(duì)所述的所有 器件進(jìn)行再檢査，在進(jìn)行再檢查時(shí)，將所述探測(cè)卡和所述被檢査體接 觸的位置從上次的檢査中的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量，每次多 個(gè)地進(jìn)行所述器件的電特性檢查。
4. 一種被檢査體的檢査用程序，其是通過(guò)驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)，使載置被 檢查體的載置臺(tái)移動(dòng)，使探測(cè)卡的多個(gè)探針每次分別與所述被檢查體 的所有器件之中的多個(gè)器件電接觸，對(duì)所述所有器件每次多個(gè)地進(jìn)行 電特性檢査的被檢查體的檢査用程序，其特征在于驅(qū)動(dòng)所述計(jì)算機(jī)，使得執(zhí)行如下工序通過(guò)所述載置臺(tái)使所述被檢査體每次移動(dòng)多個(gè)器件的量，使所述 被檢査體與所述探測(cè)卡電接觸，每次多個(gè)地進(jìn)行所述器件的電特性檢 查的第一工序；在結(jié)束所述所有器件的檢查之后，檢測(cè)在所述多個(gè)探針接觸的器 件之中，是否總在特定的器件中發(fā)生了檢査不良的第二工序；和在總在所述的特定的器件中發(fā)生了檢査不良的情況下實(shí)施再檢查 的第三工序，其中，在第三工序中，執(zhí)行如下工序?qū)⑺霰粰z查體和所述探測(cè)卡最初接觸的位置從上次的檢査中的最初的接觸位置至少錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量的工序；和從此次的最初的接觸位置起每次多個(gè)地進(jìn)行所述器件的電特性檢 查的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種被檢查體的檢查方法和被檢查體的檢查用程序。本發(fā)明的檢查方法的特征在于在控制裝置(14)的控制下，使載置晶片(W)的載置臺(tái)(11)移動(dòng)，使探測(cè)卡(12)的多個(gè)探針(12A)與晶片(W)的兩個(gè)器件(D)電接觸，在對(duì)所有器件(D)進(jìn)行電特性檢查時(shí)，在結(jié)束所有的器件(D)的電特性檢查后，在多個(gè)探針(12A)接觸的兩個(gè)器件之中，在第二個(gè)器件(D)中發(fā)生了檢查不良的情況下，對(duì)所有器件(D)進(jìn)行再檢查，在進(jìn)行再檢查時(shí)，將探測(cè)卡(12)和晶片(W)接觸的此次的接觸位置從上次的檢查中的接觸位置錯(cuò)開(kāi)一個(gè)器件的量，每次進(jìn)行2個(gè)器件(D)的電特性檢查。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101639509SQ20091016096
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2009年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日
發(fā)明者田中秀明 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社