專利名稱：放射線檢測裝置和放射線檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種放射線檢測裝置以及一種放射線檢測系統(tǒng)，具體地說，涉及一種用于放射線照相術(shù)等的放射線檢測裝置和放射線檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，在放射線照相中通常使用包括放射線膜的放射線檢測裝
置，該放射線膜具有帶有用于將x射線轉(zhuǎn)換為光的閃爍層的光敏層和放射線增強屏。
然而，近來已經(jīng)開發(fā)出一種數(shù)字放射線檢測裝置，其具有帶有閃爍層的閃爍器以及具有光電轉(zhuǎn)換元件的二維光電檢測器。在數(shù)字放射線檢測裝置中，由于所獲得的數(shù)據(jù)是數(shù)字數(shù)據(jù)，因此容易執(zhí)行圖像處理。相應(yīng)地，通過將這種數(shù)字放射線檢測裝置合并到連網(wǎng)的計算機系
統(tǒng)中，數(shù)據(jù)可以共享。此外，存在以下另一優(yōu)點將圖像數(shù)字數(shù)據(jù)存儲到磁光盤等中可以比膠片存儲更顯著地減少存儲空間，因此有助于檢索過去的圖像。此外，隨著數(shù)字放射線檢測裝置的開發(fā)不斷發(fā)展，已經(jīng)提出了具有高靈敏度和高銳度特性的這種數(shù)字放射線檢測裝置，其已經(jīng)使得能夠減少患者的放射線曝光劑量。
作為數(shù)字放射線檢測裝置的傳統(tǒng)示例，在美國專利No. 5856699中描述了一種配置示例。美國專利No, 5856699描述了用于將X射線轉(zhuǎn)換為可見光的閃爍層(波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件)被布置在具有以二維方式布置的多個光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體元件襯底的X射線入射側(cè)，并且在半導(dǎo)體元件襯底的X射線入射側(cè)的相對側(cè)的表面通過粘接劑而固定在基底上。
此外，日本專利申請?zhí)亻_No. 2005-214808描述了這樣的示例由具有高發(fā)光效率的摻雜Tl的Csl制成的多個柱狀晶體制成的閃爍層被布置在光電轉(zhuǎn)換元件襯底的X射線入射側(cè)的表面，并且以粘接劑將光電轉(zhuǎn)換元件襯底的背面固定在安裝襯底上。此外，閃爍層受防潮保護膜所覆蓋。

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述傳統(tǒng)技術(shù)產(chǎn)生以下問題保護膜、閃爍層、光電轉(zhuǎn)換
而在每一部分因周圍環(huán)境溫度和裝置內(nèi)側(cè)的熱量產(chǎn)生而生成應(yīng)力。此外，應(yīng)力之間的差異生成導(dǎo)致凸出方向或凹入方向上的變形的力。具體地說，在裝置的使用環(huán)境下，用于形成各個構(gòu)件的制造工藝之間的大溫度差已經(jīng)生成應(yīng)力。在傳統(tǒng)示例中，存在的應(yīng)力由另一構(gòu)件強制地矯正，并且總是施加試圖返回沒有矯正的形變狀況的力。
相應(yīng)地，易于出現(xiàn)具有低粘接力的光電轉(zhuǎn)換元件襯底與閃爍層的連接表面之間的剝離以及閃爍層內(nèi)的斷裂。具體地說，很有可能在施加了大應(yīng)力的角部分處發(fā)生剝離或斷裂。
如果出現(xiàn)閃爍層的剝離或斷裂，則在閃爍層的內(nèi)所生成的光并不準確地傳送，并且出現(xiàn)光強度改變或光散射，因此降低了光強度和分辨率。
鑒于上述問題，本發(fā)明的一個目的在于提供一種放射線檢測裝置，其能夠減少因構(gòu)件之間的熱膨脹系數(shù)的差異而導(dǎo)致的陣列襯底與閃爍層之間的剝離。
根據(jù)本發(fā)明第一方面， 一種放射線檢測裝置包括層壓疊層結(jié)構(gòu)，其中，支撐物質(zhì)、第一粘接層、具有光電轉(zhuǎn)換元件的陣列襯底、用于將放射線轉(zhuǎn)換為光的閃爍層、第一樹脂層以此順序而堆疊，其中，在每一層的平面方向上的布置區(qū)域中，
所述閃爍層的布置區(qū)域比所述光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域?qū)挘?br> 所述第一粘接層的布置區(qū)域與所述光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域相同或比它寬，并且具有比所述閃爍層的布置區(qū)域窄的部分，以及所述陣列襯底的布置區(qū)域比所述閃爍層的布置區(qū)域?qū)挕?br> 此外，本發(fā)明提供一種放射線檢測系統(tǒng)，其特征在于，至少包括 上述放射線檢測裝置；以及信號處理單元，用于處理來自所述放射線 檢測裝置的信號。
本發(fā)明可以減少放射線檢測裝置的閃爍層的剝離，并且可以防止 光強度降級以及分辨率降級。
從結(jié)合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將是清楚 的，在附圖中，相似的標號在整個附圖中表示相同或相似的部分。


被合并到說明書中并且構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā) 明的實施例，并且連同描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。 圖l是根據(jù)本發(fā)明的放射線檢測裝置的簡化截面圖。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的片狀緩沖物質(zhì)的簡化截面圖。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的用于描述各個構(gòu)件之間的位置關(guān)系的放射線 檢測裝置的簡化截面圖。
圖4是當(dāng)施加應(yīng)力時根據(jù)本發(fā)明的放射線檢測裝置的簡化截面圖。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的形狀的視圖。 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的另一形狀的視圖。 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的另一形狀的視圖。 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的另一形狀的視圖。 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的另一形狀的視圖。 圖IO是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的另一形狀的視圖。 圖ll是示出根據(jù)本發(fā)明的第一粘接層的另一形狀的視圖。 圖12是根據(jù)本發(fā)明的放射線照相檢查系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)參照附圖，將對根據(jù)本發(fā)明的放射線檢測裝置和放射線檢測系
8統(tǒng)進行描述，具體地說，對在待檢測的放射線是x射線的情況下的一
個實施例進行描述。X射線、ot射線、(3射線和y射線在此被包括在放射 線中。
圖l是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的放射線檢測裝置的截面圖。在陣 列襯底10上，以二維方式布置用于將光轉(zhuǎn)換為電信號的光電轉(zhuǎn)換元件 11。在光電轉(zhuǎn)換元件ll上，布置絕緣層12。在絕緣層12上，布置用 于將X射線轉(zhuǎn)換為光的閃爍層13。此外，隨后各個層彼此鄰近地層疊， 從而覆蓋閃爍層13 。也就是說，樹脂層(作為熱塑性樹脂(thermoplastic resin) 的聚烯烴基熱溶樹月旨層 (polyolefine-group hot-melt resin layer) ) 14、作為電磁屏蔽物質(zhì)的金屬層15以及金屬層15的基底16 以此順序而層疊。陣列襯底10和支撐物質(zhì)20通過第一粘接層17而層 疊。
在圖1中，閃爍層13是通過在絕緣層12上對具有被添加到主要 成分的活化劑(activator)的物質(zhì)進行氣相淀積而形成的柱狀晶體層。 也就是說，閃爍層13具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)。作為主要成分，可以使用碘 化銫(Csl)。作為活化劑，可以使用鉈(Tl)。此外，活化劑也可以 使用鈉(Na)。例如，可以通過對作為蒸發(fā)源的主要成分的Csl以及 摻雜材料的碘化鉈(Til)同時進行氣相淀積來執(zhí)行閃爍層13的形成。 通常在100至300。C范圍內(nèi)的高溫執(zhí)行氣相淀積。
作為第一樹脂層14，所需的全部是熱塑性樹脂。有利地使用熱熔 樹脂，并且使用聚烯烴基。第一樹脂層14不限于聚烯烴基樹脂，使用 Y列ft口聚酉旨基(polyester-group)、聚氛酉旨基(polyurethane國group )和 環(huán)氧基(epoxy-group)的熱熔樹脂也提供相同的優(yōu)點。熱熔樹脂的熱 膨脹系數(shù)隨材料類型而變化，例如為160至230 x 1(T6/°C。
此外，第一粘接層17可以使用屬于丙烯系(acryl-series)、環(huán) 氧系(epoxy-series)和珪系(silicon-series)的組的粘接劑。粘沖妻劑 的熱膨脹系數(shù)隨材料類型而變化，例如為110 x 10_6/°C或更小。
優(yōu)選地，圖1中基底16的材料是聚乙烯基樹脂 (polyethylene-group resin )(侈寸^(口聚對笨二甲酸乙二西旨(polyethyleneterephthalate， PET))。然而，所述材料不限于聚乙烯基樹脂，而 可以使用其它樹脂(例如丙烯酸樹脂(acrylic resin )、苯酚樹脂(phenol resin )、聚氯乙烯(polyvinyl chloride )、聚丙烯樹月旨(polypropylene resin )、聚碳酸酉旨樹月旨(polycarbonate resin )和纖維素樹月旨(cellulose resin ))。
此外，對于金屬層15，有利地使用鋁。金屬層15是電磁屏蔽， 并且如果存在電磁屏蔽效果，則其材料不限于鋁，而可以使用例如銀、 銀合金、銅以及金的金屬。金屬層15還充當(dāng)來自閃爍層13的光的反 射層。
本發(fā)明的特征在于，閃爍層13與第一粘接層17的布置區(qū)域之間 存在差異。具體地說，閃爍層的布置區(qū)域比光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域 寬。第一粘接層的布置區(qū)域與光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域相同或比它寬， 并且第一粘接層的布置區(qū)域的至少一部分比閃爍層的布置區(qū)域窄?，F(xiàn) 在，將對其特征部分進行詳細描述。在此使用的布置區(qū)域是這樣的區(qū) 域，在該區(qū)域中，第一粘接層17、閃爍層13和光電轉(zhuǎn)換元件13中的 每一層在支撐物質(zhì)20上突出。
參照圖2,圖2是限于描述本發(fā)明的特征所需的其構(gòu)件和配置的 截面圖，以下將對這些特征進行詳細描述。圖2基于作為圖1中放射 線檢測裝置的垂直中心線的虛線H示出各個構(gòu)件之間的布置關(guān)系。具 體地說，圖2示出平面方向上每一層的布置區(qū)域。符號A表示相對于 虛線H的光電轉(zhuǎn)換元件11的布置區(qū)域。符號B表示相對于虛線H的 第一粘接層17的布置區(qū)域。相似地，符號C表示相對于虛線H的閃 爍層13的布置。符號D表示相對于虛線H的陣列村底10的布置區(qū)域。
在本發(fā)明中，陣列襯底10的支撐物質(zhì)20側(cè)所布置的第一粘接層 區(qū)域(B)的至少一部分被布置在與光電轉(zhuǎn)換元件11的布置區(qū)域(A) 的外圍部分相同的位置，或比布置區(qū)域(A)的外圍部分更向外。此 外，第一粘接層17的布置區(qū)域(B)的外圍部分的至少一部分被布置 得比閃爍層13的布置區(qū)域(C)的外圍部分更向內(nèi)。第一粘接層17 的布置區(qū)域(B)的外圍部分被布置得比陣列襯底10的布置區(qū)域(D)的外圍部分更向內(nèi)。此外，閃爍層13的布置區(qū)域(C)的外圍部分被 布置得比光電轉(zhuǎn)換元件11的布置區(qū)域(A)的外圍更向外，并且比陣 列襯底10的布置區(qū)域(D)的外圍部分更向內(nèi)。具體地說，它們中的 每一個具有以下關(guān)系
A《B<C<D............公式(1)
從以上公式(1)可見，從中心線H到各個層的布置區(qū)域的外圍 部分的距離可以具有這樣的關(guān)系(B)等于或長于(A) ， (C)長 于(B),并且(D)長于(C)。換句話來說，存在這樣的關(guān)系(A) 等于或短于(B) ， (B)短于(C)，并且(C)短于(B)。
優(yōu)選地，滿足公式(1)的陣列襯底10的支撐物質(zhì)側(cè)所布置的第 一粘接層17的至少一部分的區(qū)域是放射線檢測單元的至少四個角部 分。
即使因使用環(huán)境溫度改變而產(chǎn)生應(yīng)力，并且每一構(gòu)件改變?yōu)橥钩?形狀或凹入形狀，滿足公式(1)的條件的各個構(gòu)件的布置也提供以下 效果。具體地說，在比在閃爍層處可能開始產(chǎn)生剝離或斷裂的粘接層 17的布置區(qū)域(B)更向外的區(qū)域中，陣列襯底10未與支撐物質(zhì)20 連接。相應(yīng)地，在陣列襯底IO之上布置的構(gòu)件未受剛性主體的支撐物 質(zhì)20所矯正。即使陣列襯底10的熱膨脹系數(shù)與第一樹脂層14、金屬 層15以及基底16的熱膨脹系數(shù)之間存在差異，對支撐物質(zhì)20也沒有 影響，這樣減輕了施加到閃爍層的應(yīng)力的影響。相應(yīng)地，閃爍層13 與絕緣層12之間不產(chǎn)生剝離，或者閃爍層13內(nèi)不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)斷裂。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另 一實施例的X射線檢測裝置的截面圖。陣列 襯底10被二維地布置有用于將光轉(zhuǎn)換為電信號的光電轉(zhuǎn)換元件11。 此外，鄰近于光電轉(zhuǎn)換元件ll，布置絕緣層12。此外，鄰近于絕緣層 12，布置用于將X射線轉(zhuǎn)換為可見光的閃爍層13。此外，隨后各層彼 此鄰近地依次層疊，從而覆蓋閃爍層13。具體地說，第一樹脂層(熱 塑性樹脂的聚烯烴基熱熔樹脂層)14、電磁屏蔽物質(zhì)的金屬層15以及 金屬層15的基底16依次疊層。具有遮光和緩沖性的第二樹脂層18 和陣列襯底10被設(shè)置成通過第二粘接層19而彼此鄰近。樹脂層18
ii和支撐物質(zhì)20被設(shè)置成通過第一粘接層17而彼此鄰近。其中，第二 樹脂層18和第二粘接層19的布置區(qū)域比閃爍層13的布置區(qū)域?qū)挕２?且，第二樹脂層18以及第二粘接層19的形狀和尺寸與陣列襯底10 的形狀和尺寸相似。
在圖3中，閃爍層13是通過在絕緣層12上對具有被添加到主要 成分的活化劑的物質(zhì)進行氣相淀積而形成的柱狀晶體層。也就是說， 閃爍層13具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)。作為主要成分，可以使用碘化銫(CsI)。 作為活化劑，可以使用鉈(T1)。此外，活化劑同樣可以使用鈉(Na)。 例如，可以通過對作為蒸發(fā)源的主要成分的Csl以及作為摻雜材料的 碘化鉈(T1I)同時進行氣相淀積來執(zhí)行閃爍層13的形成。通常在100 至300°C范圍內(nèi)的高溫執(zhí)行氣相淀積。
作為第一樹脂層14，所需的全部是熱塑性樹脂。有利地使用熱熔 樹脂，并且使用聚烯烴基樹脂。在熱熔樹脂的情況下，第一樹脂層14 不限于聚烯烴基樹脂，使用例如聚酯基、聚氨酯基和環(huán)氧基的熱熔樹 脂也提供相同的優(yōu)點。熱熔樹脂的熱膨脹系數(shù)隨材料類型而變化，例 如為160至230 x 10-6/。C。
第 一 粘接層和第二粘接層可以使用屬于丙烯酸基 (acrylic-group )、 環(huán)氧基(epoxy-group )以及娃基(silicon-group ) 中的任何一個的粘接劑。粘接劑的熱膨脹系數(shù)隨材料類型而變化，例
如為iio x ltrV。c或更小。
優(yōu)選地，圖1中基底16的材料是聚乙烯基樹脂(例如聚對苯二 甲酸乙二酯(PET))。然而，所述材料不限于聚乙烯基樹脂，而可 以使用其它樹脂(例如丙烯酸樹脂、苯酚樹脂、聚氯乙烯、聚丙烯樹 脂、聚碳酸酯樹脂和纖維素樹脂)。
此外，對于金屬層15，有利地使用鋁。金屬層15是電磁屏蔽， 并且如果存在電磁屏蔽效果，則其材料不限于鋁，而可以使用例如銀、 銀合金、銅以及金的金屬。金屬層15還充當(dāng)來自閃爍層13的光的反 射層。
圖4示出片狀的緩沖物質(zhì)，其具有第二樹脂層18、第二粘接層
1219和第一粘接層17，其中，分離物通常安裝在每一粘接層表面上，用 于以容易處理的形狀進行操作。第二樹脂層具有帶有發(fā)泡結(jié)構(gòu)的緩沖 性和遮光性，遮光性用于吸收閃爍層13所發(fā)射的光中穿透光電轉(zhuǎn)換元 件陣列襯底10的多余光。因此，反射光從光電轉(zhuǎn)換元件陣列襯底10 后面進入光電轉(zhuǎn)換元件11的入射得以抑制。
本實施例的特征在于，圖4中第二粘接層19與第一粘接層17之 間存在形狀和尺寸的差異，因此詳細描述其特征部分。
參照圖5，圖5是限于描述本發(fā)明的特征所需的其構(gòu)件和配置的 截面圖，以下將對這些特征進行詳細描述。圖5基于作為圖3中放射 線檢測裝置的垂直中心線的虛線H示出各個構(gòu)件之間的布置關(guān)系。具 體地說，圖5示出平面方向上每一層的布置區(qū)域。更具體地說，最優(yōu) 選的是，將虛線H取作閃爍層的中心部分。這是容易理解在閃爍層的 角部分處的剝離或斷裂的原因。符號A表示相對于虛線H的光電轉(zhuǎn)換 元件11的布置區(qū)域。符號B表示相對于虛線H的第一粘接層17的布 置區(qū)域。相似地，符號C表示相對于虛線H的閃爍層13的布置。符 號D表示相對于虛線H的第二粘接層19的布置區(qū)域。
在本發(fā)明中，第二樹脂層18的支撐物質(zhì)側(cè)所布置的第一粘接層 17的布置區(qū)域(B)的外圍部分的至少一部分被布置在等于光電轉(zhuǎn)換 元件11的布置區(qū)域(A)的外圍部分的位置處或比它更向外的位置處。 此外，第一粘接層17的布置區(qū)域(B)的外圍部分的至少一部分被布 置得比閃爍層13的布置區(qū)域(C)的外圍部分更向內(nèi)。此外，第一粘 接層17的布置區(qū)域(B)的外圍部分被布置得比第二樹脂層18的光 電轉(zhuǎn)換元件陣列襯底10側(cè)所布置的第二粘接層19的布置區(qū)域(E) 的外圍部分更向內(nèi)。此外，閃爍層13的布置區(qū)域(C)的外圍部分被 布置得比光電轉(zhuǎn)換元件11的布置區(qū)域(A)更向外，并且比第二粘接 層19的布置區(qū)域(E)的外圍部分更向內(nèi)。具體地說，它們中的每一 個具有以下公式(2)的關(guān)系
A-B<C<E...................公式(2)
然而，滿足公式(2)的第二樹脂層18的支撐物質(zhì)側(cè)所布置的第一粘接層17的至少一部分的區(qū)域是X射線檢測單元的至少四個角部 分。
圖6示出圖3中的裝置具有彎曲的狀態(tài)。即使因使用環(huán)境溫度改 變而產(chǎn)生應(yīng)力，并且每一構(gòu)件改變?yōu)橥钩鲂螤罨虬既胄螤?，滿足公式 (2)的條件的各個構(gòu)件的布置也提供以下效果。具體地說，在比在閃 爍層處可能開始產(chǎn)生剝離或斷裂的粘接層17的布置區(qū)域(B)更向外 的區(qū)域中，第二樹脂層18未與支撐物質(zhì)20連接。相應(yīng)地，在第二樹 脂層18之上布置的構(gòu)件未受作為剛性主體的支撐物質(zhì)20所矯正。即 使光電轉(zhuǎn)換元件陣列襯底10的熱膨脹系數(shù)與第一樹脂層14、金屬層 15以及基底16的熱膨脹系數(shù)之間存在差異，對支撐物質(zhì)20也沒有影 響，這樣減輕了施加到閃爍層的應(yīng)力的影響。相應(yīng)地，閃爍層13與絕 緣層12之間不產(chǎn)生剝離，或者閃爍層13內(nèi)不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)斷裂。
倘若滿足公式(2)，則第一粘接層17可以具有各種類型的形狀。 參照圖7至圖11，將對其實施例進行描述。
圖7示出當(dāng)從支撐物質(zhì)20側(cè)觀看時第一粘接層171、陣列襯底 10、陣列襯底IO上布置的光電轉(zhuǎn)換元件11以及閃爍層13。在矩形陣 列襯底10的區(qū)域內(nèi)，以與陣列村底IO相同的矩形形狀來布置第一粘 接層171。在此使用的第一粘接層171的布置區(qū)域是滿足公式(1)的 區(qū)域。可以考慮以第二樹脂層來替代陣列襯底10。同樣在此情況下， 第一粘接層171的布置區(qū)域是滿足公式(2)的區(qū)域。
圖8示出本發(fā)明另一實施例。在該示例中，第一粘接層172具有 通過直線地切除來自與圖7相同矩形形狀的四個角部分中的每一個而 獲得的形狀。因此，對于應(yīng)力的靈活性增加了 與在四個角部分處的沒 有粘接層布置對應(yīng)的量，因此進一步抑制了對閃爍層的不利影響。
圖9示出又一實施例。在該示例中，粘接層173具有這樣的形狀 從矩形區(qū)域中樹脂層18的整個表面分別直線地切下僅四個角部分。在 此情況下，在切下的區(qū)域中的僅四個角部分滿足公式(1)。應(yīng)力在對 角線方向上變得最大。相應(yīng)地，為了以很小的應(yīng)力切除端部分，使用 粘接劑來連接樹脂層18，這使得能夠抵擋來自X射線檢測裝置頂部的外力以及能夠?qū)崿F(xiàn)在角部分處的高質(zhì)量。
圖10和圖11示出其它實施例。圖10中的粘接層174僅在陣列 襯底10的四個角部分處具有滿足公式(1)的圓形形狀。具體地說， 粘接層具有內(nèi)接矩形形狀的樹脂層18的圓形形狀。另一方面，圖11 中的粘接層175具有比矩形陣列襯底10的區(qū)域更向內(nèi)的圓形形狀。相 應(yīng)地，粘接層175在陣列襯底10的四個角部分以及其它區(qū)域滿足公式 (1)。這兩個實施例皆提供與上述實施例相同的效果。
在圖8至圖11中，在圖3中的裝置配置的情況下，樹脂層18被 布置在等同于陣列襯底10的區(qū)域中。
在本發(fā)明中，閃爍層13并非總是僅應(yīng)用于具有通過在絕緣層12 上對添加有Tl的Csl進行氣相淀積而形成的柱狀晶體結(jié)構(gòu)的閃爍器。 此外，可以使用粘接劑等將通過用粘合劑(binder)壓縮顆粒(例如 GOS)而形成的閃爍器與絕緣層12粘附到一起。在此情況下，閃爍 層13與絕緣層12的連接部分之間的粘接性或閃爍層中微粒之間的粘 接性易于在放射線檢測裝置中產(chǎn)生例如應(yīng)力的不利影響、剝離以及凝 聚破壞(cohesive failure)的問題。然而，采用本發(fā)明可以抑制應(yīng)力 的不利影響，因此解決了例如閃爍層的剝離和凝聚破壞的問題。
[應(yīng)用示例l
接下來參照圖12，將對應(yīng)用示例進行描述，其中，根據(jù)本發(fā)明實 施例的放射線檢測裝置應(yīng)用于作為圖像診斷系統(tǒng)的放射線檢測系統(tǒng)。
在放射線管(放射線源)1001處生成的放射線1002穿過身體部 分1004 (例如，待檢查的人1003 (比如患者)的胸部)，并且進入在 其頂部安裝有的閃爍器的放射線成像裝置1100。入射放射線1002包 括待檢查的人1003的內(nèi)部身體的信息。在放射線成像裝置1100中， 閃爍器響應(yīng)于放射線1002的入射而照亮，其經(jīng)過光電轉(zhuǎn)換以獲得電信 息。此外，放射線成像裝置1100可以將放射線1002直接轉(zhuǎn)換為電荷， 以獲得電信息。電信息被轉(zhuǎn)換為數(shù)字(信號)，經(jīng)過作為信號處理單 元的圖像處理器1005進行的圖像處理，并且顯示在控制室中作為顯示 單元的顯示器1006上。此外，電信息可以通過傳輸單元1007(例如無線電傳輸或比如電 話線的有線傳輸)而傳遞到遠程位置。相應(yīng)地，信息可以顯示于在分 離的地方中所提供的安裝在醫(yī)生室等處的作為顯示單元的顯示器 1008上，或者可以由作為記錄單元的底片處理器1009存儲在記錄介 質(zhì)(例如光盤)中。這允許在遠程地方的醫(yī)生對患者進行診斷。底片 處理器1009與作為打印單元的激光打印機連接，可以將由傳輸單元 1007發(fā)送的信息記錄在記錄介質(zhì)(例如底片)上。
由于在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以實現(xiàn)本發(fā)明的許 多明顯廣泛不同的實施例，因此應(yīng)理解，除了如權(quán)利要求中所限定的 那樣之外，本發(fā)明不限于其特定實施例。
本申請要求于2007年4月18日提交的日本專利申請 No.2007-109469以及于2008年3月27日提交的日本專利申請 No.2008-083387的權(quán)益，它們在此全部引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種放射線檢測裝置，包括層壓疊層結(jié)構(gòu)，其中，支撐物質(zhì)、第一粘接層、具有光電轉(zhuǎn)換元件的陣列襯底、用于將放射線轉(zhuǎn)換為光的閃爍層、第一樹脂層以此順序而堆疊，其中，在每一層的平面方向上的布置區(qū)域中，所述閃爍層的布置區(qū)域比所述光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域?qū)?，所述第一粘接層的布置區(qū)域與所述光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域相同或比它寬，并且具有比所述閃爍層的布置區(qū)域窄的部分，以及所述陣列襯底的布置區(qū)域比所述閃爍層的布置區(qū)域?qū)挕?br> 2. 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線檢測裝置，其中， 所述閃爍層的布置區(qū)域具有矩形形狀，比所述閃爍層的布置區(qū)域窄的所述第一粘接層的布置區(qū)域的部分是所述閃爍層的角部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線檢測裝置，其中， 所述陣列襯底和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層按像所述閃爍層的矩形形狀的布置配置而被布置在所述閃爍層內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線檢測裝置，其中， 所述陣列襯底和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層被布置在所述閃爍層內(nèi)，從而具有矩形形狀，其中，所述矩形形狀的四個 角區(qū)域分別被直線地切除。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2的放射線檢測裝置，其中， 所述陣列襯底具有矩形形狀，所述第一粘接層被布置為具有這樣的形狀，所述形狀的與由所述陣列襯底形成的整個矩形對應(yīng)的四個角 區(qū)域分別被直線地切除。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2的放射線檢測裝置，其中，所述陣列襯底具有矩形形狀，所述第 一粘接層被布置為具有內(nèi)接 于所述矩形形狀的陣列襯底的圓形形狀。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3的放射線檢測裝置，其中， 所述陣列襯底和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層被布置為具有在所述矩形形狀的閃爍層的邊緣內(nèi)的圓形形狀。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線檢測裝置，還包括 第二樹脂層，被布置在所述第一粘接層與所述陣列襯底之間；以及第二粘接層，被布置在所述第二粘接層與所述陣列襯底之間，所述第二樹脂層和所述第二粘接層的布置區(qū)域比所述閃爍層的 布置區(qū)域?qū)挕?br> 9. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中， 所述閃爍層的布置區(qū)域具有矩形形狀，比所述閃爍層的布置區(qū)域窄的所述第一粘接層的布置區(qū)域的部分是所述閃爍層的角部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中， 所述第二樹脂層和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層按像所述第二樹脂層的矩形形狀的布置配置而被布置在所述第二樹脂層 內(nèi)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中， 所述第二樹脂層和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層被布置在所述第二樹脂層內(nèi)，從而具有矩形形狀，其中，所述矩形形狀 的四個角區(qū)域分別被直線地切除。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9的放射線檢測裝置，其中，所述第二樹脂層和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層被 布置為具有這樣的形狀，所述形狀的與由所述第二樹脂層形成的整個 矩形對應(yīng)的四個角區(qū)域分別被直線地切除。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9的放射線檢測裝置，其中， 所述第二樹脂層和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層被布置為具有內(nèi)接于所述矩形形狀的第二樹脂層的圓形形狀。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中， 所述第二樹脂層和所述閃爍層具有矩形形狀，所述第一粘接層被布置為具有在所述矩形形狀的第二樹脂層內(nèi)的圓形形狀。
15. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中，所述第 一粘接層和第二粘接層是以從丙烯系、環(huán)氧系或硅酮系組 所選擇的材料而形成的。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線檢測裝置，其中，所述閃爍層具有其中活化劑被添加到主要成分的結(jié)構(gòu)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求5的放射線檢測裝置，其中， 所述閃爍層具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16的放射線檢測裝置，其中， 所述主要成分是碘化銫。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16的放射線檢測裝置，其中， 所述活化劑是鉈。
20. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中，所述第二樹脂層具有遮光性。
21. 根據(jù)權(quán)利要求8的放射線檢測裝置，其中， 所述第二樹脂層具有緩沖性。
22. —種放射線檢測系統(tǒng)，包括 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線檢測裝置，以及 信號處理單元，用于處理來自所述放射線檢測裝置的信號。
全文摘要
為了減少構(gòu)成放射線檢測裝置的構(gòu)件之間的剝離，本發(fā)明的放射線檢測裝置包括層壓疊層結(jié)構(gòu)，其中，支撐物質(zhì)(20)、粘接層(17)、具有光電轉(zhuǎn)換元件(11)的陣列襯底(10)、用于將放射線轉(zhuǎn)換為光的閃爍層(13)以及樹脂層(14)以此順序而堆疊。在平面方向上每一層的布置區(qū)域中，閃爍層的布置區(qū)域比與光電轉(zhuǎn)換元件相對的區(qū)域?qū)?，粘接層的布置區(qū)域與光電轉(zhuǎn)換元件的布置區(qū)域相同或比其寬，并且粘接層的布置區(qū)域的至少一部分比閃爍層的布置區(qū)域窄。
文檔編號G01T1/20GK101657737SQ20088001191
公開日2010年2月24日 申請日期2008年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月18日
發(fā)明者井上正人, 岡田聰, 澤田覺, 竹田慎市, 野村慶一, 長野和美 申請人:佳能株式會社