專利名稱：用于陣列測試裝置的光卡盤以及具有該光卡盤的陣列測試裝置的制作方法
技術領域：
下面的描述涉及一種用于陣列測試裝置(array tester)的光卡盤(optic chuck),該陣列測試裝置用于4企測形成在平4反顯示器(FPD)基^反上的電才及的電缺陷，還涉及一種具有該光卡盤的陣列
測試裝置。
背景技術：
通常，陣列測試裝置是在制造顯示面板時用于檢測形成在基板上的電極缺陷的裝置。顯示面板包括諸如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)、有機發(fā)光二極管(OLED)等的平板顯示器。例如，陣列測試裝置檢測形成在LCD面板的薄膜晶體管(TFT )基板上的電極的任何缺陷。通常的TFT LCD基板包括TFT基板、上面形成有濾色片和共用電極并且與TFT基板相對的彩色基板(colorsubstrate )、注入到TFT基一反和彩色基一反之間的液晶、以及背光。
傳統(tǒng)的陣列測試裝置包括光卡盤、光源、調制器、傳感器等。上面i殳置4寺測試基4反的光卡盤可以具有多個氣孔，以將基4反吸附于
4光卡盤上或者使基板分離。光源是用于照射光的裝置。從光源照出 的光用于檢測基板電極的任何缺陷。相對于光卡盤，調制器與光源 布置在同一側，或者與光源相對。從光源照出的光通過調制器的出
射面(exit surface )。傳感器根據從調制器出射面射出的光的量檢測 基板電極的任何缺陷。
具體地，光卡盤可以由透射率高于75%的玻璃材料制成。在這 種情況下，光卡盤的表面是磨光的以增加透射率。如果光卡盤由諸 如光學玻璃的透明材料制成，光源和調制器相對于光卡盤是相對 的。因此，當/人布置在光卡盤一側的光源照出的光通過光卡盤傳專# 到調制器的出射面時，可以檢測基板電極的任何缺陷。
然而，傳統(tǒng)的陣列測試裝置具有的一個問題是當將基板設置 在光卡盤上時，在光卡盤和基板之間殘留有空氣。即，由于光卡盤 和基板的接觸表面是平滑的，殘留在平滑表面之間的空氣阻止了光 卡盤和基板之間的完全吸附。換言之，為了在光卡盤和基板之間完 全吸附，必須將殘留在光卡盤和基板之間的空氣全部排出到外部。 結果，完全排出光卡盤和基板之間的空氣需要很長的時間，這延遲 了陣列測試。
而且，在傳統(tǒng)的陣列測試裝置中，由于光卡盤的平滑表面而產 生光學相干圖才羊(optical coherence pattern )。因此，從布置在光卡盤 一側的光源照出的光的 一部分折射或散射，從而降低了測試的可靠性。

發(fā)明內容
下面的描述涉及一種用于陣列測試裝置的光卡盤，該光卡盤用 于加快吸附基板的速度來加快測試速度，并且用于抑制光學相千圖樣的形成以提高測試的可靠性，還涉及一種具有該光卡盤的陣列測
試裝置。
根據一個示例性方面，提供了 一種用于陣列測試裝置的光卡 盤，該陣列測試裝置用于檢測基板電極的任何缺陷，待測試基板設
置在該光卡盤上，其中在光卡盤的一側上形成有多個細槽(fine groove )。
根據另一示例性方面，提供了一種陣列測試裝置，包括光卡 盤，該光卡盤的一側上i殳置4寺測試基沖反并形成有多個細槽；照射光 的光源；以及調制器，根據從光源照出并傳輸通過調制器的光的量 來檢測基板電極是否存在缺陷。
光卡盤由透明材料制成，并且光源和調制器相對于光卡盤是相 對的。
多個細槽是多個凹槽。
多個細槽的最大的峰到谷粗糙高度(Rmax)值的范圍從2(im 到12,。
多個細槽通過研磨形成。
本發(fā)明的其他方面將在下面的描述中闡述，并且部分從描述中 顯而易見，或者可以由本發(fā)明的實踐-彈知。
可以理解，上面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說 明性的，并且是為了提供所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。


附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步解釋，并且被結合到 說明書中并構成說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的示例性實施
例，并與"i兌明書一起用于解釋本發(fā)明的各方面。
圖1是根據實施例的陣列測試裝置的透視圖2是圖1中所示的陣列測試裝置的正視圖3是用于說明圖1中所示的根據實施例的光卡盤吸附基板的 才喿作的浮見圖4A是根據第二實施例從上面拍攝的基板的照片；以及 圖4B是根據第二對比實例從上面拍攝的基板的照片。
具體實施例方式
這里將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的 示例4生實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實玉見并且不應 該被視為限制于這里所描述的示例性實施例。相反，提供這些示例 性實施例是為了使本公開更透徹，并向本領域技術人員全面表達本 發(fā)明的范圍。圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可 能被放大了。圖中相同的參考標號表示相同的元件。
圖1是根據一個實施例的陣列測試裝置100的透視圖，圖2是 圖1中所示的陣列測試裝置100的正視圖，以及圖3是用于說明圖 1中所示的根據實施例的光卡盤10吸附基板90的操作的視圖。
參照圖1、圖2和圖3，光卡盤IO在其一側上具有多個細槽11。
7這里，陣列測試裝置100執(zhí)行檢查形成在基板90上的電極陣 列并才企測電極的任何缺陷的 一 系列測試過程。
陣列測試裝置100包括光卡盤10,并且在光卡盤10的一側上 設置待測試的基板90。在光卡盤的該側上，即在設置基板的一側上， 形成有多個細槽11。
細槽11可以是多個凹槽，或者是多個凸狀突起。優(yōu)選地，細 槽ll設置為凹槽的形狀。
細槽11用于加快光卡盤10的吸附速度。即，如圖3的(a) 和(b)中所示，當光卡盤IO吸附基板卯時，空氣殘留在光卡盤 IO和基才反卯之間。由于殘留空氣是光卡盤10和基才反90之間吸附 的障礙，所以必須將空氣全部排出到外部以便光卡盤IO和基板卯 之間完全吸附。
細槽ll是殘留空氣所在的空間，所以，在光卡盤10和基4反卯 之間的接觸部分沒有空氣殘留。因此，細槽ll減少了將基板卯吸 附在光卡盤IO上的時間。
而且，細槽11防止了在光卡盤10和基板卯上產生光學相干圖樣。
同時，細槽11 4吏光卡盤10和基^反90處于部分4妄觸狀態(tài)，因 此降低了在基板卯的接觸表面上產生刮擦的可能性。
而且，細槽11的最大的峰到谷粗糙高度(Rmax)值的范圍從 2nm到12(am。而且，Rmax值(基于韓國標準(KS )的表面粗壽造 度的最大高度)是從截面曲線截取的參考長度中的最高峰的頂部與 最低谷的底部之間的距離。如果Rmax值小于2pm，則光卡盤10的表面接近平滑，使得 細槽11不能用來移除留在光卡盤10和基板90之間的接觸部分處 的空氣。而且，如果Rmax值大于12jmi，則細槽ll的表面太粗糙， 導致降低了光卡盤10對基板90的吸附能力，或者光卡盤10不能 傳輸通過用于陣列測試的光。由于上述原因，細槽ll的Rmax值的 范圍可以,人2.8nm到10.5jam。
而且，可以考慮密度、形狀、規(guī)格等來設計細槽ll，以減少消 庫毛在將基^反卯吸附到光卡盤10上的時間并防止在光卡盤10和基 板卯上產生光學相干圖才羊。即，細槽11可以具有范圍乂人400目 (mesh)到1200目的密度。術語"目"是表示濾網開口或顆粒尺 寸的單位，其定義為泰勒標準篩中的每平方英寸的開口數量。
而且，代替Rmax值，可以使用十點高度Rz作為細槽11的表 面粗糙度值。細槽11的Rz值范圍從2.3(am到9.4pm。 Rz值是從與 截面曲線截取的參考長度的參考線平行的任意線到五個最高峰的 平均值的距離和從該任意線到五個最低谷的平均值的距離之間的差。
在這種情況下，可以通過研磨形成細槽11。
研磨是將研磨粉放于目標表面和研磨工具之間并相對移動它 們的過程。通過這樣的研磨過程，可以在光卡盤10的表面上形成 細槽ll。例如，如果在諸如玻璃的透明材料上執(zhí)行研磨過程，則研 磨處理過的表面將不再透明。
光卡盤10可以由透明材料制成。即，光卡盤10由諸如Alpha2、 BK7等的透明光學玻璃制成。因此，用于根據從光源照出的光的傳 輸量來確定基4反電才及缺陷的調制器相對于光卡盤10與光源相對。因此，乂人光源照出的光通過光卡盤10傳輸到調制器，并且此時細
槽11阻止光的干涉，因此能夠4青確測試。
同時，陣列測試裝置100包括光卡盤10、光源20和調制器30。
在光卡盤10的一側上，即在"i殳置;f寺測試基4反的一側上，形成 有多個細槽11。細槽11用于減少消耗在光卡盤10和基板90之間 的完全吸附上的時間。即，當光卡盤10吸附基才反90時，在光卡盤 10和基^反90之間殘留有空氣，并且，由于空氣是光卡盤IO和基才反 90之間吸附的障礙，因此必須將殘留空氣全部排出到外部。
細槽11用作殘留空氣停留的空間，因此，沒有空氣殘留在光 卡盤10和基板90之間的接觸部分處。即，細槽11防止了空氣殘 留在光卡盤10和基板卯的接觸部分處。結果，細槽11減少了消 侔毛在光卡盤10和基才反90之間完全p及附上的時間。
而且，細槽11防止了在光卡盤10和基板90上產生光學相干圖樣。
同時，細槽11使得光卡盤10和基板90處于部分接觸狀態(tài)， 因此減少了基板90的4妾觸表面發(fā)生刮纟察的可能性。
光源20照射光。從光源20照出的光可以是氙、鈉、石英鹵素、
激光等。
調制器30根據從光源20照出并傳輸通過調制器的光的量來檢 測基板90的電極是否存在缺陷。相鄰于待測試基板90布置調制器 30,并且當向調制器施加與基板電才及是否存在缺陷對應的電信號 時，調制器30的具體物理性質改變。例如，當待測試基板的電極 陣列沒有缺陷時，在調制器30中形成電場，并且該電場使得分子排列朝向相同的方向從而光傳輸通過調制器30。然而，如果基板的 電極陣列有缺陷，則在調制器30中不形成電場并且因此分子排列 不會改變，因此沒有光可以傳輸通過調制器30。
在調制器30上布置有傳感器40。調制器30根據由傳感器40 測得的具體物理性質來檢測基板卯的電極缺陷。
同時，可以將光源20布置在相對于光卡盤10與調制器30相 同的方向上。在這種情況下，調制器30包括反射層，佳:得^人光源 20照出的光通過鏡子等入射到調制器30。之后，由反射層反射沿 與入射方向相反的方向/人調制器射出。
光源20可以相對于由透明材并+制成的光卡盤IO布置在與調制 器30相對的方向上。在這種情況下，不需要反射層，因此可以減 少光損失。
同時，細槽11可以是多個凹槽或多個凸狀突起。優(yōu)選地，細 槽lli殳置為凹槽的形狀。
而且，細槽11的最大的峰到谷粗糙高度(Rmax)值的范圍從 2pm到12pm。而且，Rmax值(基于韓國標準(KS )的表面粗糙 度的最大高度)是從截面曲線截取的參考長度中的最高峰的頂部與 最低谷的底部之間的距離。
如果Rmax值小于2(im,則光卡盤10的表面接近平滑，使得 細槽11不能用來移除殘留在光卡盤10和基板卯之間的空氣。而 且，如果Rmax值大于12pm，則細槽ll的表面太粗糙，導致降低 了光卡盤10對基板卯的吸附能力，或者光卡盤10不能傳輸通過 用于陣列測試的光。由于上述原因，細槽11的Rmax值的范圍可以 從2.8拜到10.5|_im。而且，可以考慮密度、形狀、^見格等來i殳計細槽11，以減少光
卡盤10與基才反90之間的吸附所消肆毛的時間并防止在光卡盤10和 基板90上產生光學相干圖樣。即，細槽11可以具有范圍從400目 到1200目的密度。術語"目"是表示濾網開口或顆粒尺寸的單位， 其定義為泰勒標準篩中的每平方英寸的開口數量。
而且，代替Rmax值，可以使用十點高度Rz作為細槽11的表 面粗糙度。這里，Rz值范圍從2.3iam到9.4|am。 Rz值是從與截面 曲線截取的參考長度的參考線平行的任意線到五個最高峰的平均 值的距離和從該任意線到五個最低谷的平均值的距離之間的差。
在這種情況下，可以通過研磨形成細槽11。
而且，光卡盤10包括用于將基板90吸附于其上的多個氣孔16， 以及用于將基板90浮起的多個氣孔15。
同時，陣列測試裝置100包括未在附圖中示出的裝載單元和卸 載單元。
沿傳送基板90的方向，裝載單元布置在光卡盤10的一側上， 并將基板卯傳送到光卡盤10。當浮起或吸附基^反卯時，裝載單元 將待測試的基板90傳送到光卡盤10。沿傳送基板的方向，卸載單 元布置在光卡盤10的另一側上，并卸載已經完成測試的基板90。 當浮起或吸附基4反時，^象裝載單元一才羊，卸載單元傳送已經完全測 試的基板。
下面將詳細描述實施例，但本發(fā)明并不限于這里的實施例。 第一實施例
準備具有20mm厚度、實施了 1200目研磨處理的光卡盤，并 且在距離光卡盤的下部50mm的間隔處提供背光單元(BLU)。在
12光卡盤上方安裝調制器。在光卡盤和調制器之間傳送由薄膜晶體管
(TFT)玻璃制成的0.7mm厚度的基板，并執(zhí)行吸附過程。這里， 吸附壓力設置為60kPa。在基板和光卡盤之間完成吸附所消耗的時 間經測量約為4秒、。
第一^于比實例
準備具有20mm厚度、沒有實施研磨處理的光卡盤，并且在距 離光卡盤的下部50mm的間隔處提供BLU。而且，在光卡盤上方安 裝調制器。在光卡盤和調制器之間傳送由TFT玻璃材料制成的 0.7mm厚度的基板，并執(zhí)行吸附過程。這里，吸附壓力設置為60kPa。 在光卡盤和基板之間完成吸附所消耗的時間經測量約為20秒。
第 一實施例和對比實例之間的比4交示出了光卡盤上的研磨處 理提高了吸附速度。
第二實施例
準備具有20mm厚度、實施了 1200目研磨處理的光卡盤，并 且在距離光卡盤的下部50mm的間隔處才是供BLU。在光卡盤上方安 裝調制器。在光卡盤和調制器之間傳送由TFT玻璃材料制成的 0.7mm厚度的基板，并且執(zhí)行吸附過程。之后從BLU照射光。在 這種情況下，用相機從上面拍攝基板和光卡盤。
圖4A中示出了所得到的基板和光卡盤的照片。如圖4A中所 見的，在光卡盤和基板上沒有出現(xiàn)光學相干圖樣。
第二對比實例
準備具有20mm厚度、沒有實施研磨處理的光卡盤，并且在距 離光卡盤的下部50mm的間隔處^是供BLU。在光卡盤的上方安裝調制器。在光卡盤和調制器之間傳送由TFT iE皮璃材^牛制成的0.7mm 厚度的基板，并執(zhí)行吸附過程。之后從BLU照射光。在這種情況 下，用相初」乂人上面拍4聶光卡盤和基4反。
圖4B示出了所得到的基板和光卡盤的照片。如圖4B中所見的， 在光卡盤和基板上出現(xiàn)了光學相干圖樣。
第二實施例和對比實例之間的對比示出了在光卡盤的表面上 執(zhí)行研磨處理時，在光卡盤和基板的表面上沒有形成光學相干圖樣。
對本領域技術人員來說很顯然，在不背離本發(fā)明的精神或范圍 的情況下可以對本發(fā)明進行多種修改和變化。因此，本發(fā)明覆蓋了 在所附權利要求及其等同物范圍內提供的對本發(fā)明的修改和改變。
權利要求
1.一種用于陣列測試裝置的光卡盤，所述陣列測試裝置用于檢測基板的電極的任何缺陷，待測試的基板設置在所述光卡盤上，其中，在所述光卡盤的一側上形成有多個細槽。
2. 根據權利要求1所述的光卡盤，其中，所述多個細槽是多個凹槽。
3. 根據權利要求1所述的光卡盤，其中，所述細槽的最大的峰到谷并且壽造高度(Rmax ) ^直的范圍乂人2fxm到12^m。
4. 才艮據權利要求1所述的光卡盤，其中，通過研磨形成所述多個纟田槽。
5. 根據權利要求1所述的光卡盤，其中，所述光卡盤由透明材料制成。
6. —種陣列測試裝置，包^l舌光卡盤，在所述光卡盤的一側上設置待測試基板并形成有多個細槽；光源，照射光；以及調制器，根據從所述光源照出并傳輸通過所述調制器的光的量來檢測基板的電極是否存在缺陷。
7. 根據權利要求6所述的陣列測試裝置，其中，所述光卡盤由透明材料制成，并且所述光源和所述調制器相對于所述光卡盤是相對的。
8. 根據權利要求6所述的陣列測試裝置，其中，所述多個細槽是多個凹槽。
9. 根據權利要求6所述的陣列測試裝置，其中，所述多個細槽的最大的峰到谷粗糙高度(Rmax)值的范圍從2pm到12j^im。
10. 根據權利要求6所述的陣列測試裝置，其中，通過研磨形成所述多個細槽。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于陣列測試裝置的光卡盤以及具有該光卡盤的陣列測試裝置，該光卡盤減少了光卡盤和基板之間吸附所消耗的時間以加快測試速度，并通過防止在光卡盤上產生光學相干圖樣來提高測試的可靠性。待測試基板設置在光卡盤上，并且在光卡盤的一側上形成有多個細槽。
文檔編號G01R31/00GK101644731SQ20081018176
公開日2010年2月10日 申請日期2008年12月8日 優(yōu)先權日2008年8月6日
發(fā)明者全成綠, 崔淵圭 申請人:塔工程有限公司