專利名稱：半導體檢查裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種執(zhí)行半導體器件檢査的半導體檢査裝置。
技術背景在典型的通過測量半導體器件的電特性來執(zhí)行半導體器件檢査的 半導體檢查裝置中，使探針與半導體器件上的電極焊盤接觸以測量半 導體器件的電特性。Be-Cu材料或W材料通常用作所述探針的材料。Be-Cu材料具有 小電阻值和高測量精度然而它具有低耐久性。另一方面，W材料具有 高耐久性然而由于它的大的電阻值，所以它具有低的測量精度。所以， 當由帶有W材料的探針測量所述半導體器件的電特性時，必須執(zhí)行具 有更好測量精度的開氏(Kelvin)測量。在Kelvin測量中，使力探針 和傳感探針與所述電極焊盤接觸以測量電特性。力探針向半導體器件 施加電壓而傳感探針檢測所述半導體器件的電壓。目前半導體器件已經(jīng)高度集成化并且半導體封裝已經(jīng)小型化，這 意味著電極焊盤的尺寸和電極的間距在減小。另一方面，需要足夠大的 電極焊盤的面積或電極之間的間距，以使探針高精度地接觸所述電極 焊盤。按照常規(guī)的技術很難將探針布置在所述器件附近狹窄的間距處。 所以，已經(jīng)越來越難使高度集成和小型化的半導體器件的電極焊盤與 探針高精度地接觸。例如，日本未審專利申請公開No.62-109334公開了一種技術，該技術使第一探針與電極焊盤接觸并且使第二探針與所述第一探針的上部 接觸以執(zhí)行Kelvin測量。因此，使小型化的電極焊盤與探針接觸是可能的。進一步地，日本未審專利申請公開No.5-144895公開了一種技術， 如圖3所示，使探針50與電極焊盤51接觸由此進行Kelvin測量，其 中所述的傳感探針和力探針的尖端Kelvin連接到探針50。進一步地，日本未審的專利申請公開No. 9 -203764公開了一種技 術，如圖4所示，通過力探針62和傳感探針63連接半導體器件61的 引線60以執(zhí)行Kelvin測量。然而，在所述的日本未審專利申請公開No.62-109334中,將第二探 針布置在相對于第一探針傾斜的位置處(見圖3B，日本未審專利申請 公開No.62-109334的示例)。所以,由兩個探針占用的空間變大以致于 不能將所述探針布置在相對于高度集成的半導體器件的狹窄的間距 處。同樣地,在日本未審專利申請公開No. 5 -144895中,探針50被分成 兩個部分，這使得在相對于半導體器件的狹窄的間距處不可能布置探 針50。在日本未審專利申請公開No.62-109334中,尖銳地形成所述的第 一探針和第二探針，這使兩個探針很難高精度地互相接觸。發(fā)明內容根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了半導體檢査裝置，所述半導體檢查 裝置包括當從垂直于半導體器件的電極表面的方向觀看時，基本上在 同一條線上布置的力探針和傳感探針。由于具有這樣的結構，可以減 少所述探針所占用的空間。因此，能將所述探針布置在相對于高度集 成的半導體器件的狹窄間距處。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了半導體檢査裝置，該檢查裝置具 有與電極接觸的力探針的端部并且使該端部呈平坦的形狀。然后傳感探針的端部與所述力探針的端部接觸，以便使所述傳感探針與所述力 探針接觸。通過具有這樣的結構，當傳感探針的端部與在所述力探針的 平坦表面內形成的端部的任何部分相接觸時，都能使所述傳感探針與 所述力探針接觸。所以,能使探針高精度地接觸。進一步地,根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了半導體檢査裝置，該半 導體檢查裝置具有與電極連接并且銳利地形成的力探針的端部。力探 針包括處于所述力探針的端部側中的平坦部分。傳感探針具有與所述 力探針的平坦部分相接觸的端部，以便使所述傳感探針與所述力探針 接觸。通過具有這樣的結構,在電極和力探針之間形成了點接觸。所以, 能防止在所述電極與所述力探針接觸時可能發(fā)生的位移。當傳感探針 的端部與力探針的平坦表面的任何部分接觸時，都能使所述傳感探針 與所述力探針接觸。所以,能使探針高精度地接觸。根據(jù)本發(fā)明，能將所述探針布置在相對于高度集成的半導體器件 的狹窄間距處。進一步地,能使所述力探針高精度地與所述傳感探針接 觸。


結合附圖，根據(jù)下列特定優(yōu)選實施例的描述，本發(fā)明的上述及其 它的目的、優(yōu)點和特征將更加顯而易見，其中圖1是示意地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體檢査裝置的透視圖；圖2是示意地示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體檢查裝置的透視圖；圖3是示意地示出現(xiàn)有半導體檢査裝置的透視圖；及 圖4是示意地示出另一現(xiàn)有半導體檢查裝置的透視圖。優(yōu)選實施方式現(xiàn)在將參考示例性的實施例描述本發(fā)明。本領域的技術人員應該認識到可以利用本發(fā)明的教導完成許多可替換的實施例而且本發(fā)明并 不限于出于說明目的而示出的各實施例。第一實施例現(xiàn)在將參考圖1描述根據(jù)第一實施例的半導體檢査裝置。圖l是 示意地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體檢査裝置的透視圖。半導體檢查裝置l包括例如如圖l所示的，力探針2、傳感探針 3、電源單元(未示出)等等。半導體檢查裝置1可以是例如，揀選 故障單元的半導體揀選裝置。進一步地，如圖1所示,在半導體器件4上設置有多個電極焊盤41。 電極焊盤41大體上具有矩形的形狀。電極焊盤41用作半導體器件4 上的所述電極。注意，電極焊盤41的形狀不局限于矩形的形狀而是可 以形成為優(yōu)選的形狀。力探針2與電極焊盤41接觸，以將電壓施加到半導體器件4 。更 具體地，例如,力探針2具有與電極焊盤41接觸并且形成為平板形狀的 端部21。然后力探針2的端部21的下表面與電極焊盤41接觸。更具 體地，例如,當在平面圖中觀察時，使力探針2的端部21形成為具有大 體上與電極焊盤41相同的形狀。力探針2從端部21沿著傾斜向上的 方向延伸，并且在適當?shù)膮^(qū)域處彎曲，以使力探針2大體上與半導體 器件4的主表面42平行。傳感探針3具有形成為三角型的端部31，以便使傳感探針3的端 部31是尖銳的。端部31沿著傾斜向上的方向延伸，并且與半導體器 件4的主表面42所成的角度大于力探針2的傾斜表面與半導體器件4 的主表面42所成的角度。傳感探針3從端部31彎曲，以便大體上與 半導體器件4的主表面42平行，并且傳感探針3沿著半導體器件4的 橫向方向延伸。然后，傳感探針3的端部31與力探針2的端部21的上表面的任何部分(在本示例中為中心部分)相接觸，使得傳感探針3和力探針2彼此接觸。進一步地，力探針2和傳感探針3由薄的線性元件形成。例如,力 探針2和傳感探針3由Be-Cu材料或W材料形成。通過由例如，Be-Cu 材料制成探針能形成具有高測量精度的力探針2和傳感探針3 。另一 方面，通過由例如,W材料制成探針能形成具有更高耐久性的力探針2 和傳感探針3 。然后經(jīng)由與電極焊盤41接觸的力探針2將電壓施加于半導體器 件4 。由與力探針2的端部21相接觸的傳感探針3測量半導體器件4 的電壓。因此,可以由半導體檢査裝置1測量半導體器件4的電特性。進一步地，例如,當從相對于半導體器件4的主表面42 (具有在其 上布置了電極焊盤41的電極表面)垂直的方向觀測時，力探針2和傳 感探針3大體上布置在同一條線上。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體檢査裝置1中，當從 相對于半導體器件4的電極表面垂直的方向觀測時，力探針2和傳感 探針3大體上布置在同一條線上。由于具有這樣的結構,能減少由所述 探針占用的空間。所以，能將探針布置在相對于高度集成的半導體器件 4的狹窄間距處。與電極焊盤41接觸的力探針2的端部21形成為平坦的形狀。傳 感探針3的端部31與力探針2的端部21相接觸，以便使傳感探針3 與力探針2接觸。由于具有這樣的結構,當傳感探針3的端部31與力探 針2的端部21的平坦表面的任何部分相接觸時，都能使力探針2與傳 感探針3接觸。所以,能高精度地使兩個探針相接觸。第二實施例現(xiàn)在將參考圖2描述根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體檢査裝置1A。圖2是示意地示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體檢査裝置1A的 透視圖。根據(jù)第二實施例的傳感探針3和半導體器件4的結構與圖1所示 的結構相同。所以，對于相同的部件給出了相同的參考標號并且在這里 省略了重復的描述。半導體檢查裝置1A包括例如,如圖2所示的力探針2A、傳感探針 3 、電源單元(未示出)等等。力探針2A與電極焊盤41接觸，以將電壓施加到半導體器件4 。 更具體地說，力探針2A具有形成為三角形的端部21A，以便使與電極焊 盤41接觸的力探針2A的端部21A是尖銳的。例如，力探針2A包括處于力探針2A的端部21A側中的平坦部分 22A。例如,平坦部分22A具有寬度大于端部21A的矩形形狀。所以， 平坦部分22A具有相對于力探針2A的寬度方向在兩邊突出的形狀。進 一步地，端部21A沿著相對于半導體器件4的主表面42傾斜向上的方 向延伸，并且平坦部分22A從端部21A彎曲成大體上與半導體器件4 的主表面42平行。然后傳感探針3的端部31與平坦部分22A的所述 上表面的任何部分(在本示例中為中心部分)相接觸，以便使力探針 2A和傳感探針3彼此接觸。例如，平坦部分22A優(yōu)選布置在靠近力探針2A的端部21A的位置 以防止半導體器件4的所述電壓檢測的精度降低。進一步，優(yōu)選平坦 部分22A形成為不防礙相對于高度集成的半導體器件4的所述探針布 置的尺寸。例如，傳感探針3的端部31形成為三角形，以便使端部31是尖銳的。端部31沿著傾斜向上的方向延伸，并且端部31和力探針2A的端 部21A大體上彼此平行。然后例如，傳感探針3的端部31與力探針2A 的平坦部分22A相接觸，以便使傳感探針3和力探針2A彼此接觸。進一步地，力探針2A和傳感探針3由薄的線性元件形成。例如,力 探針2A和傳感探針3由Be-Cu材料或W材料形成。通過由例如，Be-Cu 材料制成探針能形成具有高測量精度的力探針2A和傳感探針3 。另一 方面，通過由例如,W材料制成探針能形成具有更高耐久性的力探針2A 和傳感探針3 。然后經(jīng)由與電極焊盤41接觸的力探針2A將電壓施加于半導體器 件4 。由與力探針2A的平坦部分22A相接觸的傳感探針3來測量半導 體器件4的電壓。因此，可以由半導體檢査裝置1A測量半導體器件4 的電特性。進一步，例如，當從相對于半導體器件4的主表面42 (具有在其上 布置了電極焊盤41的電極表面)垂直的方向觀測時，力探針2A和傳 感探針3大體上布置在同一條線上。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體檢查裝置1A中，當從 相對于半導體器件4的所述電極表面垂直的方向觀察時，力探針2A和 傳感探針3大體上布置在同一條線上。由于具有這樣的結構，可以減 少由所述探針占據(jù)的空間。所以，能將探針布置在相對于高度集成的半 導體器件4的狹窄間距處。進一步,與電極焊盤41接觸的力探針2A的端部21A尖銳地形成。 力探針2A包括處于力探針2A的端部21A側中的平坦部分22A。然后 傳感探針3的端部31與力探針2A的平坦部分22A接觸，以便使傳感 探針3與力探針2A接觸。通過具有這樣的結構，在電極焊盤41和力探 針2A之間形成了點接觸。因此，能防止在使電極焊盤41與力探針2A接觸時可能發(fā)生的位移。進一步，當傳感探針3的端部31與力探針2A 的平坦部分22A的任何部分相接觸時，傳感探針3和力探針2A都可以 彼此接觸。所以,能使兩個探針高精度地相接觸。雖然力探針2的端部21形成為與本發(fā)明第一實施例的平面圖中 的電極焊盤41大體相同的形狀，但是端部21的形狀并不限于此。力 探針2的端部21可以是任何形狀，只要所述端部形成為具有與電極焊 盤41大體相同尺寸的平坦形狀。在本發(fā)明的該實施例中，當從相對于半導體器件4的所述電極表 面垂直的方向觀測時，力探針2、 2A和傳感探針3大體上布置在同一 條線上。然而，本布置并不限于此。可以將所述探針布置在相對于半導 體器件4的優(yōu)選位置中。很明顯本發(fā)明不局限于上述實施例，而是可以在不偏離本發(fā)明的 保護范圍和精神的情況下進行改進和變化。
權利要求
1.一種半導體檢查裝置，包括力探針，所述力探針將電壓施加到半導體器件；和傳感探針，所述傳感探針檢測所述半導體器件的電壓，其中所述力探針接觸所述半導體器件的電極，并且所述力探針和所述傳感探針彼此接觸以測量所述半導體器件的電特性，和當從相對于所述半導體器件的電極表面垂直的方向觀察時，所述力探針和所述傳感探針大體上布置在同一條線上。
2. —種半導體檢查裝置，包括力探針，所述力探針將電壓施加到半導體器件；和 傳感探針，所述傳感探針檢測所述半導體器件的電壓，其中 所述力探針接觸所述半導體器件的電極，并且所述力探針和所述傳感探針彼此接觸以測量所述半導體器件的電特性，與所述電極接觸的所述力探針的端部形成為平坦的形狀，禾口 所述傳感探針的端部與所述力探針的所述端部接觸，以便使所述傳感探針與所述力探針彼此接觸。
3. —種半導體檢査裝置，包括力探針，所述力探針將電壓施加到半導體器件；和 傳感探針，所述傳感探針檢測所述半導體器件的電壓，其中 所述力探針接觸所述半導體器件的電極，并且所述力探針和所述傳感探針彼此接觸以測量所述半導體器件的電特性，與所述電極接觸的所述力探針的端部形成為尖銳的形狀， 所述力探針包括處于所述力探針的端部側中的平坦部分,和 所述傳感探針的端部與所述力探針的所述平坦部分接觸，以便使所述傳感探針與所述力探針彼此接觸。
4. 根據(jù)權利要求2的半導體檢査裝置，其中當從相對于所述半導體器件的電極表面垂直的方向觀察時，所述力探針和所述傳感探針大 體上布置在同一條線上。
5.根據(jù)權利要求3的半導體檢查裝置，其中當從相對于所述半導 體器件的電極表面垂直的方向觀察時，所述力探針和所述傳感探針大 體上布置在同一條線上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體檢查裝置，包括將電壓施加到半導體器件的力探針、以及檢測所述半導體器件的電壓的傳感探針，其中所述力探針接觸所述半導體器件的電極焊盤并且所述力探針和所述傳感探針彼此接觸以測量所述半導體器件的電特性，并且當從相對于所述半導體器件的電極表面(主表面)垂直的方向觀察時，所述力探針和所述傳感探針大體上布置在同一條線上。
文檔編號G01R31/28GK101275984SQ200810090758
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月31日 優(yōu)先權日2007年3月29日
發(fā)明者釜堀英生 申請人:恩益禧電子股份有限公司