專利名稱：：電流限制檢測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般地涉及移動設(shè)備中的功率管理，更具體而言涉及具有在諸如負(fù)載開關(guān)(loadswitch)之類的設(shè)備中的應(yīng)用的電流限制(currentlimit)檢測器。
背景技術(shù)：
：電流限制是對可傳遞到負(fù)載的電流施加上限的措施。電流限制的一般目的是保護(hù)上游或下游的電路免受例如由于短路而產(chǎn)生的有害效果的影響。在電源和適配器中使用的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，電流可以被限制到低于負(fù)載開關(guān)設(shè)置。負(fù)載開關(guān)應(yīng)用包括驅(qū)動通用串行總線(USB)連接器到各種外圍設(shè)備的電力線。負(fù)載開關(guān)設(shè)備的示例包括由AdvancedAnalogicTechnogies,Inc.(Sunnyvale,CA)生產(chǎn)為集成電路(IC)的電流受限負(fù)載開關(guān)設(shè)備，它被設(shè)計為保護(hù)外部功率端口并且延長便攜式電子產(chǎn)品中電池的壽命。這種負(fù)載開關(guān)設(shè)備利用集成電流限制電路進(jìn)行操作，該電路例如保護(hù)輸入源免受負(fù)載電流的大的改變的影響，這種負(fù)載電流的大的改變本來會使得源脫離規(guī)范。作為電流受限設(shè)備，負(fù)載開關(guān)能夠抽取電流直至負(fù)載開關(guān)設(shè)置。如果電流超過了負(fù)載開關(guān)設(shè)置，則負(fù)載開關(guān)中的電流限制電路限制流經(jīng)負(fù)載開關(guān)的電流。一般來說，電阻器(在IC外部或內(nèi)部)被用于設(shè)置負(fù)載開關(guān)電流限制。一般來說，在負(fù)載開關(guān)的工作電壓范圍內(nèi)，單個電流限制是基于設(shè)計者所選的電阻值來設(shè)置的。使用單個電阻器來實現(xiàn)寬工作電壓范圍(因而寬范圍的負(fù)載電流)的一個缺點在于精度的丟失。這種丟失之所以可能發(fā)生是因為電阻值和容差(tolerance)—般地確定了可檢測的電流增量的粒度水平。例如，如圖1所示，作為系統(tǒng)設(shè)計的一部分，用戶選擇具有電阻值RSET的電阻器。用戶還定義與電阻值相關(guān)聯(lián)的電流限制，從而建立這兩個參數(shù)之間的一對一對應(yīng)關(guān)系。電流限制可由設(shè)計者任意選擇。在該示例中，設(shè)計者定義了100mA的電流限制以對應(yīng)于100Q的電阻值，并且定義了1A的電流限制以對應(yīng)于1kQ。在0至1V的工作電壓范圍內(nèi)，電流限制不能利用1kQ電阻器設(shè)置在低于1A的分辨率。對于低于1A的電流限制的分辨率，在系統(tǒng)設(shè)計期間需要選擇低于lkQ的電阻值。然而，工作電壓范圍必須也被相應(yīng)限制。例如，為了獲得140mA的電流限制，電阻值需要減小到140Q。一種改變電阻值的方法是替換電阻器。即使利用不同的電阻值，分辨率也可能很低，例如由于電阻器容差(例如，5%、10%或者更大)。當(dāng)電阻器被替換時，工作電壓也發(fā)生改變。在該示例中，工作電壓減小到0至0.14V。為了改善電流限制控制，需要具有更好的分辨率和精度的更好電流限制檢測。因此，需要改善對電流限制檢測器的設(shè)計。這種設(shè)計的一個期望方面能夠基本上增大利用特定電阻值可獲得的精度和分辨率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明部分基于前面的陳述，并且根據(jù)其目的，本發(fā)明的各種實施例包括用于檢測電流限制的設(shè)備和方法。通常，一種用于檢測電流限制的設(shè)備的各種實現(xiàn)方式可以使用單個電阻器件，但是可以按其他方式補償其固有問題(例如，受限工作電壓范圍)。其他方法可以在適于維持一個或多個步驟序列的配置中使用延遲元件，以或多或少地限制電流并防止競態(tài)條件。作為一種對前述設(shè)計的可能替換方案(前述設(shè)計可能是不靈活的、使用受限的、或者兩者兼有之)，所提出的新的實現(xiàn)方式使用集成電路(IC)或若干分立組件，這些組件一般更加靈活并且可高效檢測電流限制。為了例示，在下面更詳細(xì)地說明若干實施例。根據(jù)一個實施例，一種用于檢測電流限制的設(shè)備包括多條電流路徑、電阻器件、高參考電壓端子和具有多個輸入和一個輸出的高電平比較器。每條電流路徑適于傳導(dǎo)電流，并且至少一條電流路徑包括操作來中斷其電流傳導(dǎo)的電流開關(guān)。流經(jīng)多條電流路徑的電流總地組合以產(chǎn)生一電流總和。電阻器件具有預(yù)定電阻值并且耦合到多條電流路徑。該電阻器件適于傳導(dǎo)電流總和，該電流總和產(chǎn)生了跨電阻器件的電壓降。預(yù)定電阻值被設(shè)置以建立電流總和與由用戶定義電流限制之間的關(guān)系。高參考電壓端子操作來提供高閾值電壓。高電平比較器的一個輸入操作來接收高閾值電壓，并且另一個輸入操作耦合到電阻器件。高電平比較器在輸出處產(chǎn)生響應(yīng)于電壓降和高閾值電壓之間的比較結(jié)果的信號。在該實施例中，這種輸出可以適于操作電流開關(guān)以逐步檢測與電流總和相關(guān)聯(lián)的用戶定義電流限制。逐步可包括以階梯方式逐步增大或減小。這種設(shè)備還可包括操作來提供低閾值電壓的低參考電壓端子和低電平比較器。低電平比較器的一個輸入可以接收低閾值電壓，并且另一個輸入可以操作耦合到電阻器件。低電平比較器具有一輸出，該輸出產(chǎn)生響應(yīng)于電壓降和低閾值電壓之間的比較結(jié)果的信號。這種輸出信號可以適于逐步中斷多條電流路徑中的一條或多條上的電流傳導(dǎo)。該設(shè)備還可包括電流OFF邏輯，該邏輯操作來檢測設(shè)備處于休眠狀態(tài)并且關(guān)斷基本上所有的偏置電流。而且，該設(shè)備可包括操作串聯(lián)耦合的多個延遲元件，這些延遲元件操作來串行地維持一狀態(tài)序列。該序列的長度可以等于延遲元件的數(shù)目。延遲元件中的至少一個可以適于產(chǎn)生用于使得改變到序列中延遲元件的后續(xù)一個的狀態(tài)的輸出。每種狀態(tài)定義了一個或多個晶體管中的哪些要中斷通過它們各自的電流路徑的電流傳導(dǎo)。延遲元件可包括觸發(fā)寄存器。根據(jù)另一個實施例，一種用于檢測電流限制的方法包括比較電壓降和高閾值電壓。在該方法中，電壓降是流經(jīng)多條電流路徑的多個電流被組合成的流經(jīng)一電阻器件的電流總和與電阻器件的電阻值的乘積。該電阻器件具有被設(shè)置以建立電流總和與由用戶定義電流限制之間的關(guān)系的預(yù)定電阻值。每條電流路徑適于傳導(dǎo)電流，并且至少一條電流路徑包括操作來中斷其電流傳導(dǎo)的電流開關(guān)?；谠摫容^，該方法還可包括通過逐歩操作電流開關(guān)中的一個或多個來建立電流總和與用戶定義電流限制之間的關(guān)系。該方法還可包括比較電壓降和低閾值電壓。逐步中斷電流開關(guān)中的一個或多個的電流傳導(dǎo)的操作可以響應(yīng)于對電壓降與高和低閾值電壓或者這兩者的比較。該方法還可包括關(guān)斷基本上所有的偏置電流。這種關(guān)斷操作可包括檢測設(shè)備處于休眠狀態(tài)并且激活電流OFF邏輯。而且，該方法可包括在操作串聯(lián)耦合的多個延遲元件中維持一狀態(tài)序列，并且逐歩控制電流限制檢測。特定延遲元件可以具有特定狀態(tài)，并且可以響應(yīng)于序列中在前延遲元件的輸出。對電流限制檢測的逐步控制可包括響應(yīng)于序列中在前延遲元件的輸出而改變特定延遲元件的特定狀態(tài)。改變特定延遲元件的特定狀態(tài)可包括串行地時鐘驅(qū)動該序列向前一步。根據(jù)另一個實施例，一種用于檢測電流限制的裝置包括電流限制檢測器和電流限制控制器。電流限制檢測器操作來檢測電流，并且包括多條電流路徑、電阻器件、高參考電壓端子和高電平比較器，這基本上與上面參考一種用于檢測電流限制的設(shè)備的一個實施例所描述的相同。電流限制控制器操作耦合到電流限制檢測器，并且可以逐步限制輸出電流以便不超過所檢測出的用戶定義電流限制。在該裝置中，逐步限制輸出電流的操作可包括在電流控制器處輸出一控制信號序列。每個控制信號可以與輸出電流的逐步限制中的一步相關(guān)聯(lián)。這種裝置還可包括操作耦合到電流限制檢測器和電流限制控制器的電流限制部分。它操作來響應(yīng)于從電流限制控制器接收的控制信號序列來調(diào)節(jié)輸出電流。該裝置還可包括電荷存儲器件，該電荷存儲器件適于與電流限制控制器協(xié)同操作并且提供能量庫。該庫能夠提供突發(fā)功率。在這些實施例中，可以存在各種可能的屬性。電流開關(guān)可包括晶體管。電壓降和高閾值電壓之間的比較可包括確定電壓降是否高于高閾值電壓。電壓降和低閾值電壓之間的比較可包括確定電壓降是否低于低閾值電壓。每條電流路徑可以傳導(dǎo)對其而言特定量的電流，并且該量可以基于各自電流開關(guān)的縮放比。電阻器件可包括電阻器。延遲元件可包括觸發(fā)寄存器。用于檢測電流限制的設(shè)備可以實現(xiàn)在ic中或者實現(xiàn)為IC中的功能塊。該IC也可以適合用在移動設(shè)備中。本發(fā)明的這些和其他的實施例、特征、方面和優(yōu)點將從這里的描述、權(quán)利要求和下面將描述的附圖中得到更好地理解。結(jié)合在該說明書中并且構(gòu)成該說明書的一部分的附示了本發(fā)明的各個方面，并且與具體實施方式一同用來說明其原理。在方便的情況下，相同的標(biāo)號將在整個附圖中用來指代相同或相似的元件。圖1是圖示可在傳統(tǒng)的電流限制檢測器中實現(xiàn)的電流限制的分辨率的視圖。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明一個實施例可通過分段實現(xiàn)的電流限制的分辨率的視圖。圖3A是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用的框圖。圖3B是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的另一個負(fù)載開關(guān)應(yīng)用的框圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電流限制檢測器的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例在電流開關(guān)被相繼激活時、在RsET為1MD的情況下電流輸出隨時間的示例性圖表。圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電流限制檢測器的電路細(xì)節(jié)。圖7圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的負(fù)載開關(guān)設(shè)備的電路細(xì)節(jié)。具體實施例方式諸如移動設(shè)備之類的設(shè)備可能受到短路和輸出過載事件的影響。因此，利用能夠檢測電流限制的電路來保護(hù)這些設(shè)備并響應(yīng)于這種檢測而限制它們的供應(yīng)電流是有利的。因此，本發(fā)明的各種實施例包括用于檢測電流限制的設(shè)備和方法。這些設(shè)備和方法優(yōu)選地使用單個電阻器件來檢測電流限制。一種在使用單個電阻器件的特定工作電壓范圍中改善電流限制檢測器的精度和分辨率的方法是放大整個工作電壓范圍。在一個實施例中，如圖2所示，工作電壓范圍是0.75V至1.5V。該范圍被劃分為多個分段。在每個分段中，用戶定義的電阻值RSET與用戶定義電流限制相關(guān)聯(lián)。盡管存在多個分段，其中每個分段具有相同的工作電壓范圍，但是在所選的電阻值和定義的電流限制之間維持一對一的對應(yīng)關(guān)系。在第一分段中，系統(tǒng)設(shè)計者選擇了93.75kQ的電阻值來與75mA和150mA之間的電流限制相關(guān)聯(lián)。在第二分段中，187.5kQ的電阻值被選為與150mA和300mA之間的電流限制相關(guān)聯(lián)。電阻值和關(guān)聯(lián)的電流限制是用戶定義的，并且可以根據(jù)任何方案來選擇，只要在分段之間沒有重疊即可，S口，只要在RSET和電流限制之間維持一對一對應(yīng)關(guān)系即可。這使得能夠在分段之間進(jìn)行適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)變。在圖2中，對于每個分段，電阻值以及電流限制被加倍。在其他實施例中，在分段之間，電阻值、電流限制或這兩者可以被對數(shù)或指數(shù)關(guān)聯(lián)。例如，第一和第二分段可分別包括ln(93750)和ln(187500)的RSET。關(guān)聯(lián)的電流限制可以根據(jù)對數(shù)樣式、任何其他樣式或者甚至隨機地選擇。通過放大工作電壓范圍(因而也放大操作電流范圍)，可以提高分辨率和精度。在操作中，一般在加電時，包括根據(jù)圖2的電流限制檢測器方案的負(fù)載開關(guān)設(shè)備將檢測電流限制。例如，假定電阻值是1.5MQ。在啟動時，流經(jīng)電流限制檢測器的電流IsET可以使得電壓VSET=RsetXIset大于上工作電壓，即，大于1.5V。如果成立，則電流限制檢測器可以通過減小電流IsET來作出響應(yīng)。該減小后的流經(jīng)電流限制檢測器的電流仍然可能產(chǎn)生跨電阻器件的大于1.5V的電壓VSET。如果成立，則電流IsET可以進(jìn)一步減小。一旦所產(chǎn)生的電壓低于1.5V，則電流不被進(jìn)一步減小，因為電流限制檢測器這時操作在工作電壓范圍內(nèi)。此時，電流ISET指示相應(yīng)的電流限制是多少，即，基于ISET和電流限制之間的關(guān)系，對ISET的確定也建立了電流限制。電流限制例如可能已被編程到負(fù)載開關(guān)設(shè)備內(nèi)的存儲器中。這樣檢測的電流限制隨后可以被傳輸?shù)脚c電流限制檢測器耦合的電流限制控制器。電流限制控制器之后可以限制電流以低于電流限制并將其維持在該電平或者低于該電平。電流限制一般是在系統(tǒng)或設(shè)備的安裝或設(shè)立之后立即檢測的，其中負(fù)載開關(guān)設(shè)備被結(jié)合在這種系統(tǒng)或設(shè)備中或者以其他方式耦合到這種系統(tǒng)或設(shè)備。之后，電流限制一般不被再次檢測，直到功率被重新循環(huán)為止，例如當(dāng)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用重新啟動時(例如在加電時、醒來時，等等)。之后，電流限制檢測器一般保持休眠，即，不執(zhí)行其電流檢測功能。表1圖示了電阻器件的電阻值RsET和相應(yīng)的用戶定義電流限制之間的關(guān)系。表1中的編號與圖2中圖示的那些匹配。通過按四階(24=16)增大電阻值，從93.75kQ到1.5MD，電流限制同樣地增大四階，從75mA到1.2A。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表1電阻值和相應(yīng)的用戶定義電流限制之間的關(guān)系流經(jīng)負(fù)載開關(guān)設(shè)備的總檢測電流IsET可以按一個或多個步進(jìn)改變。表1中所示的實施例允許通過逐步減小總電流流動來逐步檢測電流限制。這種逐步檢測可以通過在負(fù)載開關(guān)設(shè)備中包括多條電流路徑來獲得，其中ISET包括在每條電流路徑上流動的電流的總和。另外，每條電流路徑可包括電流開關(guān)(例如，晶體管Tl、T2、T3、T4)，這些電流開關(guān)可以在各個晶體管被導(dǎo)通或截止時使得該路徑上的電流開始或停止流動。表1中所示的實施例包括四條電流路徑。導(dǎo)通晶體管(T1、T2、T3和T4)的信號分別被標(biāo)示為Sl、S2、S3和S4。負(fù)載開關(guān)設(shè)備的狀態(tài)是控制晶體管的信號的狀態(tài)，B卩，集合(Sl,S2,S3,S4〉的狀態(tài)。使能信號(EN)定義該狀態(tài)，即，各個信號中的哪些被激活。在其晶體管Tl被信號Sl控制的電流路徑上流動的電流II是1nA。在分別具有晶體管T2、T3和T4的電流路徑上流動的電流I2、13和I4分別是1pA、2pA禾n4(aA。例如，第一使能信號(EN1)可以被定義為Sl+S2+S3+S4。當(dāng)導(dǎo)通時，晶體管T1-T4允許關(guān)聯(lián)的電流11-14流動，而當(dāng)截止時，晶體管T1-T4中斷在關(guān)聯(lián)的電流路徑上流動的電流。因而，EN1可以使得所有四個晶體管都導(dǎo)通。在這種情況下，8pA的總電流是由流經(jīng)晶體管Tl-T4(當(dāng)被信號S1-S4導(dǎo)通時)的電流Il、12、13和I4的總和組成的。如上所述，電流限制是用戶定義的。如果設(shè)計者將電阻值RsET選為93.75k。，則按照表1電流限制被設(shè)置在75mA。如果設(shè)計者將電阻值選為187.5ka則電流限制被設(shè)置在150mA。如上所述，電流限制是用戶定義的。設(shè)計者可以例如基于要結(jié)合電流限制檢測器的負(fù)載開關(guān)設(shè)備的一個或多個應(yīng)用來設(shè)置電流限制。逐步電流限制檢測可以通過以下方式獲得在第一步中，激活所有的Sl-S4，使得總檢測電流IsET最初為8^A。之后，在第二步中，S4可以被解除激活，使得總電流被限制到4(即，限制到11+12+13=lpA+ljiA+2^iA)。在第三歩中，S3也可以被解除激活，使得總電流被限制到11+12，g卩，2^A。進(jìn)一步的逐歩減小可以通過解除激活S2之后解除激活Sl來獲得，使得電流被減小到II(即，1^A)，并且之后減小到0pA，基本為0)LiA(例如，僅有偏置電流)，或者減小到?jīng)]有偏置電流的O(iA。其他的逐步減小也是可以的。各種其他的逐步減小序列(因而對電流限制的逐步檢測)也是可以的。這種逐步檢測還可包括各種水平的步進(jìn)粒度或電流增量。另一使能信號(EN8)可以被定義為S1。利用EN8，只有一條電流路徑(即，II)可以被導(dǎo)通或斷開。因而，逐步電流限制檢測可以限制為兩步。其他的使能信號可包括被定義為Sl+S2+S3的EN2和被定義為Sl+S2的EN4。逐步減小電流的可能性的數(shù)目隨著使能信號中包括的信號數(shù)目(Sj，j=1、2、3和4)的減小而減小。然而，即使使用EN8(僅包括Sl)，電流也可以通過以下方式逐步限制首先激活S1，使得電流被限制到1^A，之后解除激活Sl，使得電流被限制到0fiA(不包括偏置電流，這將在下面進(jìn)一步描述)。一般來說，一個實施例包括單電阻值的單電阻器件。因此，對于任意一實施例僅表1中的一行中的參數(shù)適用。其他實施例也是可以的。例如，一個實施例可包括并行操作的兩個或更多個電阻器件。這些實施例可以允許用戶應(yīng)用例如經(jīng)由從用戶應(yīng)用輸出的選擇信號來在電阻器件之間進(jìn)行選擇。圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例具有負(fù)載開關(guān)設(shè)備306的應(yīng)用300的實現(xiàn)方式的框圖。如圖所示，應(yīng)用300包括操作經(jīng)由通用串行總線(USB)304耦合到負(fù)載開關(guān)設(shè)備306的電源302。負(fù)載開關(guān)設(shè)備306又操作耦合到系統(tǒng)負(fù)載312。電源302是適于向USB端口304提供電能的設(shè)備或系統(tǒng)。電源302的示例包括電池、直流(DC)電源、化學(xué)燃料電池、太陽能和其他類型的能量存儲系統(tǒng)。負(fù)載開關(guān)設(shè)備306包括電流限制檢測器308和電流限制控制器310。電流限制檢測器308操作來利用電阻器件檢測電流限制。電阻器件可以是電阻器或者能夠提供電阻(即，能夠阻擋電流)的任何器件。電流限制檢測器308可包括一個或多個比較器、電阻器和電流開關(guān)(例如晶體管)，這些元件操作連接并且用來檢測電流的限制。電流限制檢測器308將參考圖4-7詳細(xì)描述。電流限制控制器310操作來接收來自電流限制檢測器308的所檢測出的電流限制并且限制流經(jīng)負(fù)載開關(guān)設(shè)備306的電流。電流限制控制器310可包括操作互連的電流限制轉(zhuǎn)換器、運算放大器、電阻器(例如電流感測電阻器)和晶體管。系統(tǒng)負(fù)載312可以是連接到負(fù)載開關(guān)設(shè)備306的輸出的任何設(shè)備。系統(tǒng)負(fù)載312的示例包括PCMCIA卡、致密閃存卡和相機閃光LED。圖3B是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的另一負(fù)載開關(guān)應(yīng)用316的框圖。應(yīng)用316包括電源302、負(fù)載開關(guān)設(shè)備306、系統(tǒng)負(fù)載312和電荷存儲器件314。電源302操作耦合到負(fù)載開關(guān)設(shè)備306，負(fù)載開關(guān)設(shè)備306操作耦合到系統(tǒng)負(fù)載312和電荷存儲器件314兩者。與應(yīng)用300中一樣，負(fù)載開關(guān)設(shè)備306包括電流限制檢測器308和電流限制控制器310。電荷存儲器件314作為適于提供突發(fā)功率的能量庫工作。電荷存儲器件314的示例包括升壓轉(zhuǎn)換器(boostconverter)和諸如超級電容器之類的能量存儲器件。通常，升壓轉(zhuǎn)換器是電壓步進(jìn)上升轉(zhuǎn)換器，它經(jīng)常被當(dāng)作開關(guān)模式電源。與升壓轉(zhuǎn)換器不同，能量存儲器件是基于電荷存儲的，并且可以用作功率源。超級電容器是一類高能存儲設(shè)備，其被設(shè)計來反復(fù)充電和再充電并且提供瞬時高放電電流，而且在放電操作之間可以進(jìn)行快速再充電。電荷存儲器件314還可包括升壓轉(zhuǎn)換器、超級電容器和任何其他類型的能量存儲器件的組合。在某些實施例中，電荷存儲器件314可以布置在負(fù)載開關(guān)設(shè)備306外部。例如，它可以可分離地耦合到負(fù)載開關(guān)設(shè)備306。在這種實施例中，電荷存儲器件314適于與負(fù)載開關(guān)設(shè)備306協(xié)同操作并向負(fù)載開關(guān)設(shè)備306提供突發(fā)功率。負(fù)載開關(guān)設(shè)備306的操作(包括通過順序激活電流開關(guān)以使得電流逐步減小來檢測電流限制)將參考圖5來描述。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電流限制檢測器400的示意圖。電流限制檢測器400包括高電平比較器COMP1、低電平比較器COMP2、電阻器件Rset、三個電阻器R1、R2和R3、高參考電壓端子H、低參考電壓端子L、電源端子S、導(dǎo)向連接點A的端子A、四個電流開關(guān)(例如晶體管)Tl-T4、以及適于分別傳導(dǎo)電流11-14的四條電流路徑。電源端子S提供2.0V。電阻器Rl-R3的值是相對于電源端子S處的電壓、基于兩個參考電壓端子H和L處的期望閾值電壓而設(shè)置的。用于設(shè)置電阻器的值的方法可以是若干種合適方法中的任何一種，包括預(yù)先選擇固定R值、預(yù)先設(shè)置可變電阻器，等等。在圖示實施例中，高和低閾值電壓分別是1.5V和0.12V。高參考電壓端子H(1.5V)操作耦合到高電平比較器COMP1的一個輸入。低參考電壓端子L(0.12V)操作耦合到低電平比較器COMP2的一個輸入。COMP1和COMP2中的每一個的另一輸入操作經(jīng)由端子A耦合到連接點A(或者簡稱為"點A")。比較器的輸出指示點A處的電壓是在工作電壓范圍0.12V-1.5V的范圍內(nèi)還是在該范圍外。點A表示電流限制檢測器電路中的一個結(jié)，在該結(jié)處所有的電流路徑相會并且來自所有電流路徑的電流11-14組合以形成總和ISET(ISET=I1+I2+I3+I4)。電阻器件Rset逢接在端子A(或點A)和地之間。端子A處的電壓是跨電阻器件的電壓降，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>高電平比較器COMP1操作來將端子A(點A)處的電壓VsET與高閾值電壓1.5V相比較并輸出對VsET是否超過1.5V作出響應(yīng)的信號。低電平比較器COMP2操作來將VsET與低閾值電壓0.12V相比較并輸出對VSET是否低于0.12V作出響應(yīng)的信號。來自COMP1和COMP2之一或這兩者的輸出信號被用于確定Sl-S4中的哪些被激活。如參考表l所描述的，Sl-S4確定晶體管Tl-T4中哪些導(dǎo)通，以及因而電流11-14中的哪些可以經(jīng)由各個電流路徑流動。比較器可以例如是正反饋運算放大器。圖4并沒有示出適于接受來自C0MP1和COMP2之一或這兩者的輸出作為輸入并生成Sl-S4的邏輯的細(xì)節(jié)。然而，這種邏輯的各種實現(xiàn)方式都是可能的，并且這些實現(xiàn)方式的具體部分可以變化。這些變化例如可以取決于使能信號如何被定義。在某些實施例中，使能信號可以參考截止(而不是導(dǎo)通)晶體管的信號來定義。例如，Sl-S4可以表示導(dǎo)通晶體管的信號，而S1B-S4B可以分別表示截止晶體管Tl-T4的信號。在該實施例中，S1耦合到晶體管T1并操作來導(dǎo)通晶體管T1，從而使得1pA的電流Il流動。同樣，S2、S3和S4分別耦合到晶體管T2、T3和T4并且操作來導(dǎo)通晶體管T2、T3和T4，從而相應(yīng)地使得1^A、2和4(liA的電流12、13和14流動。Tl-T4可包括晶體管或者任何其他類型的電流開關(guān)。晶體管的示例包括場效應(yīng)晶體管(FET)、雙極結(jié)晶體管(BJT)和其任意組合，場效應(yīng)晶體管例如是結(jié)FET(JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體FET(MOSFET)。在操作中，電流限制檢測開始于接通所有的四條電流路徑，以使得電流IsET為8fiA。如果例如11匿為1.5M。，則端子A處的電壓VsET為12V(1.5MQX8|^A=12V)，這高于閾值電壓1.5V。C0MP1的輸出將為真(TRUE)，因為滿足條件VSET〉1.5V。COMP2的輸出將為假(FALSE)，因為不滿足條件VsET〈0.12V。C0MP1的輸出可以使得Tl-T4中的一個或多個被導(dǎo)通或截止，這取決于使能信號和Sl-S4如何被定義。如果應(yīng)用表1，則EN1被定義為Sl+S2+S3+S4，并且EN2被定義為Sl+S2+S3。這意味著電流限制檢測器通過解除激活S4來作出響應(yīng)，以截止T4并將電流IsET減小到4!iA(11+12+13=l(iA+l|iA+2(iA=4fiA)。在減小了IsET之后，端子A處的電壓V肌為6V(1.5MnX4)iiA=6V)，這仍然高于閾值電壓1.5V。C0MP1的輸出仍然為真，并且電流限制檢測器通過使能EN4=Sl+S2(即，通過解除激活S3)來作出響應(yīng)，以截止T3并將IsET減小到2iliA(11+12=lpA+l^A=2|uA)。在該減小之后，VSET為3V(1.5MDX2(aA=3V)。電流檢測器再次作出響應(yīng)，通過截止T2以使能EN8=Sl來減小電流。所得到的電流IsET為1|iA(僅II)，這使得V肌為1.5V。此時，VsET落在操作范圍內(nèi)，并且C0MP1的條件為假。同樣，COMP2的條件也為假，因為VSET(1.5V)不小于0.12V。根據(jù)表1，這樣檢測的電流限制為1.2A。電流限制檢測器將1.2A的電流限制傳輸?shù)诫娏飨拗瓶刂破?。假定IsET最初為8pA，如果RsET被改為200kD，則跨電阻器件的電壓降V匿為1.6V。因為該電壓降超過了高閾值，艮卩，VSET(1.6V)>1.5V，所以COMPl輸出切換到真，并且電流被限制到4pA。利用該降低后的電流，跨RsET的電壓降減小到0.8V(點A處，200kQX4pA=0.8V)。作為響應(yīng)，C0MP1輸出可以改變到假(即，返回到其前一輸出)，因為條件VSET〉1.5V再次變?yōu)榧?。為了避免或減輕振蕩，一個或這兩個比較器可以使用滯后。滯后也可以用于避免或減輕由于噪聲或其他形式的干擾而引起的振蕩。對應(yīng)于假的比較器(例如，C0MP1、COMP2)的輸出取決于對比較器的輸入分別被設(shè)置為+/-或-/+可以為高或低。例如，+/-可以關(guān)聯(lián)到N溝道晶體管(例如，PNP型BJT)，并且-/+可以關(guān)聯(lián)到P溝道晶體管(例如，NPN型BJT)。比較器輸出和其輸入之間的其他關(guān)系也是可以的。在某些實施例中，一條或更多條電流路徑可以不包括電流開關(guān)。例如，S1和T1可以被省略，并且電流I1可以一直流動。然而，操作耦合到電流開關(guān)的至少一條電流路徑是必需的，以獲得逐步電流限制檢測。某些實施例可以利用相比于圖4所示更多或更少的Sj信號和/或更多或更少的電流開關(guān)來實現(xiàn)。某些實施例可以僅包括高電平比較器，即，C0MP1。在這樣的實施例中，低電平比較器COMP2、電阻器R2和低參考電壓端子L可以被省略。在這些配置中，在短路事件的情況下沒有電流限制，在短路事件期間，實際上Rset等于0Q到地。對COMP2的低閾值電壓的選擇可以基于包括噪聲抗力的標(biāo)準(zhǔn)。在圖4所示的實施例中，針對低電平比較器COMP2選擇的低閾值電壓為0.12V。在替換實施例中，可以選擇另一非零值，例如80mV。由于熱噪聲，在所有電路和設(shè)備中都存在某一水平的電子噪聲。在運送電流的電子由于熱能撞擊時，電子的隨機運動可能引起電流或電壓的隨機變化。該現(xiàn)象可以將最小信號電平限制到電路可響應(yīng)的電平，因為某一量的熱噪聲可能出現(xiàn)在輸入電路中。噪聲抗力標(biāo)準(zhǔn)可以考慮到這種現(xiàn)象。在某些實施例中，電阻值可以基本為零，即，rset實質(zhì)上短路。在這樣的實施例中，因為短路對應(yīng)于虛擬的無窮大電流，所以沒有電流限制?？梢栽O(shè)計沒有電阻器件的其他實施例。在這樣的實施例中，代替rset存在開路。在檢測到開路后，電流限制檢測器可以確定應(yīng)用了固定電流限制。該固定電流限制可以是最高或最低電流限制，或者是在電流限制檢測器的設(shè)計階段確定的任何其他固定電流限制。因為rset在開路中是虛擬無窮大的，所以在操作中，電流限制檢測器可以在COMP1的條件總是為真時檢測出開路。電流限制檢測器隨后可以例如對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用將電阻器標(biāo)識為缺失。負(fù)載開關(guān)應(yīng)用可以從而設(shè)置電流限制。在其他實施例中，電流檢測器可以識別開路，并將與其關(guān)聯(lián)的編程電流限制傳輸?shù)诫娏飨拗瓶刂破?。圖4中示為0.12V的低閾值電壓可以用于噪聲抗力目的。因而，如果COMP2的條件被檢測為真，則電壓Vset低于0.12V，并且電流限制檢測器可以向電流限制控制器告知沒有電流限制。各種實施例可以利用不同電阻值的電阻器件實現(xiàn)。對圖4中所示的替換實施例例如可包括并聯(lián)的多個電阻器件，而不是單個電阻器件rset。在這種實施例中，負(fù)載開關(guān)應(yīng)用能夠選擇這多個電阻器件中的哪些被使用。該選擇可以取決于應(yīng)用的本質(zhì)。例如，相機閃光應(yīng)用可以選擇與PCMCIA卡應(yīng)用不同的電阻值。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例在電流開關(guān)被相繼激活時、在RsET為1MQ的情況下電流輸出隨時間的示例性圖表。圖表(a)圖示了IsCT電流如何從8pA的初始值逐步減小。由于各個電流開關(guān)被一次一個地截止，因此它們使得電流路徑上的電流停止流動。如參考圖3所描述的，S4B與S4極性相反，并且在圖表(c)中S4B被激活。當(dāng)S4B被激活時，T4因此被截止，使得I4停止流動。電流Il、12和I3繼續(xù)流動，使得總電流IsET被限制到4iuA(1]LiA+l^iA+2nA)。圖表(a)示出Iset下降到4^A。根據(jù)圖表(d)，S3B隨后被激活，使得T3被截止并且I3停止流動。圖表(a)示出作為響應(yīng)、Iset下降到2fiA(11+12=lpA+lnA)。圖表(e)示出S2B隨后被激活，使得I2停止流動并且IsET(在圖表(a)中)下降到lpA(即，II)。注意，其操作在圖5中示出的實施例省略了用于接通和關(guān)斷電流II的電流開關(guān)。因此，沒有S1B信號，并且IsET電流(11，即1iaA)持續(xù)地為ON，直到電流OFF(COFF)邏輯被激活(例如，被應(yīng)用、被插入)為止。COFF邏輯的實施例在圖6的下半部分中示出。某些實施例可包括操作來指示已到達(dá)檢測序列的結(jié)束(即，檢測序列已完成)并且電流限制檢測器休眠的COFF邏輯。在圖示實施例中，當(dāng)S2B-S4B都是活動的時，即，當(dāng)ISET為1^A時，到達(dá)檢測序列的結(jié)束。因而，圖表(b)(圖5)圖示了檢測到電流范圍的下端1pA，這使得COFF邏輯活動(例如，高)。COFF邏輯操作來當(dāng)電流限制檢測器休眠時關(guān)斷電流限制檢測器中的基本上所有的偏置電流。在圖示實施例中，COFF邏輯耦合到II電流路徑并且操作來關(guān)斷1pA的II。作為響應(yīng)，圖表(a)中的IsET被減小到基本上等于零的電流。在其他實施例中，所有的電流路徑都可包括操作來關(guān)斷電流流動的電流開關(guān)。在這樣的實施例中，COFF邏輯操作來關(guān)斷基本上所有的偏置電流，但是不關(guān)斷并不包括晶體管的任何電流路徑。在這種實施例(未示出)中，在激活COFF邏輯后，所得到的總電流將同樣基本上為零。圖5還圖示了為了在多步中檢測電流限制(而不是簡單地關(guān)斷所有電流的單個步驟，例如經(jīng)由COFF邏輯)，有必要使負(fù)載開關(guān)設(shè)備包括至少一條電流路徑，該路徑具有晶體管和控制該晶體管是被導(dǎo)通還是關(guān)斷的相應(yīng)信號SjB(或Sj)。電流限制檢測器(例如，圖4中的電流限制檢測器400)可以按若干種方式實現(xiàn)。一種實現(xiàn)方式在圖6中示出，圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電流限制檢測電路。如圖所示，高電平比較器C0MP1操作連接到內(nèi)部延遲元件(被示為FF1-FF3)。延遲元件操作彼此串聯(lián)耦合并且操作來串行地維持一個狀態(tài)序列。特定延遲元件(例如，F(xiàn)F1)的輸出適于改變在序列中其后的延遲元件(例如，F(xiàn)F2)的狀態(tài)。每種狀態(tài)定義了一個或多個晶體管中的哪些要被導(dǎo)通，哪些要被截止。延遲元件可以是觸發(fā)寄存器(FF)。FF的示例包括D-FF和JKFF。在電流限制檢測器中包括內(nèi)部延遲元件允許比較器(例如，C0MP1、COMP2、或這兩者)記住一序列，該序列的長度基于所包括的FF的數(shù)目。在圖示實施例中，電流限制檢測器包括操作耦合到C0MP1的三個FF(即，F(xiàn)F1、FF2和FF3)，并且因而電流限制檢測器適于記住長度為三的一序列(相對于C0MP1的操作)。在替換實施例中，可包括更多或更少的延遲元件。隨著延遲元件的數(shù)目增大，可以記住的序列的長度也增大，繼而可獲得的電流分辨率也增大。例如，在如表1所定義的實施例中，狀態(tài)序列允許對IsET進(jìn)行逐步減小，從其中8(所有的11-14)流動的第一狀態(tài)到其中4pA(11-13，但是無I4)流動的第二狀態(tài)，并從第二狀態(tài)到其中2pA(II和12，但是無13和14)流動的第三狀態(tài)。在優(yōu)選實施例中，延遲元件防止了競態(tài)條件(raceconditions)。例如，如果序列中一個延遲元件的輸出變得嚴(yán)重依賴于其他事件的定序和/或定時，例如當(dāng)對邏輯門(例如FF)的輸入變化時，競態(tài)條件可能發(fā)生。例如，圖6中FF2的輸出取決于其輸入的狀態(tài)。在輸入改變狀態(tài)時，在輸出改變之前可能發(fā)生有限延遲。在一簡短時段內(nèi)，輸出可能改變到有害狀態(tài)，然后再返回到設(shè)計狀態(tài)。通常，某些電子系統(tǒng)能夠容忍這種毛刺。然而，如果例如輸出信號用作包含存儲器(例如FF3)的其他元件的時鐘，則電流限制檢測器可能快速脫離其設(shè)計行為。實際上，該臨時毛刺可能變?yōu)橛谰玫?。延遲元件有利地允許時鐘驅(qū)動狀態(tài)序列轉(zhuǎn)變。例如，通過按操作順序激活(例如使能)延遲元件(即，F(xiàn)F1、然后是FF2、之后是FF3)，F(xiàn)F1不被激活，直到其輸入穩(wěn)定為止。FF2可以在一短時段后激活，該時段足以允許FF1的輸出變穩(wěn)定。因為FF1的輸出也影響對FF2的輸入，所以當(dāng)FF2被激活時對FF2的輸入是穩(wěn)定的。同樣，F(xiàn)F3可以不被激活，直到其輸入(受FF2的輸出的影響)穩(wěn)定為止。這導(dǎo)致以類似于波紋時鐘的時鐘驅(qū)動該序列。因而，電流限制檢測器不需要包括時鐘振蕩器。在三個這樣的時鐘循環(huán)之后，延遲元件穩(wěn)定，并且延遲使能輸入(在圖6中標(biāo)為DEX)處于OFF狀態(tài)，這禁用了延遲元件。其他實施例可包括狀態(tài)機來代替延遲元件。然而，圖6中所示的電路由于其零動態(tài)電流消耗而可能是優(yōu)選的。在替換實施例中，標(biāo)為602的電路可以利用狀態(tài)機實現(xiàn)。圖6還圖示了適于產(chǎn)生COFF輸出信號的COFF邏輯的實現(xiàn)方式。這種COFF輸出信號可以用于關(guān)斷基本上所有的偏置電流，如參考圖5所描述的。諸如1.5V參考電壓之類的電阻值，即，與COMP1相關(guān)聯(lián)的高閾值電壓(或狀態(tài)跳脫點)可能因電阻器容差(例如，電阻器R1-R3中的一個或多個的容差)而變化。電阻器容差的示例包括5%、10%以及更大。閾值電壓值還可能由于圍欄電壓(即，由諸如電源單元之類的電源提供的電壓)的變化而進(jìn)一步變化。同樣，0.12V參考電壓，即，低閾值電壓可能因電阻器容差、圍欄電壓的變化或這兩者而變化。在圖4和6的實施例中，圍欄電壓為2.0V。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例用于控制電流限制的裝置700，該裝置700包括電流限制檢測器702。裝置700包括電流限制檢測器702、電流限制部分704、電流限制控制器706、系統(tǒng)負(fù)載312和電荷存儲器件314。電流限制檢測器702基本上類似于圖4或6的電流限制檢測器，但是與圖4的實施例相比，不同之處在于電流限制檢測器702不包括晶體管Tl。在缺少T1的情況下，電流I1一直流動。在某些實施例中，端子A并不直接連接到電阻器件，而是連接到電流限制部分704中包括的電流限制轉(zhuǎn)換器710。電流限制轉(zhuǎn)換器710操作來將電壓轉(zhuǎn)換為電流。電流限制轉(zhuǎn)換器710可以用于對如圖7所示的電路或任何負(fù)載開關(guān)設(shè)備充電。電流限制檢測和控制組件712包括圖6的前述延遲元件FF1-FF3。電流限制控制器706操作耦合到電流限制檢測和控制組件712、電流限制部分704以及系統(tǒng)負(fù)載312和電荷存儲器件314。延遲元件的輸出被饋送到電流限制控制器706。在某些實施例中，電荷存儲器件314可以在裝置700的外部并且適于與裝置700協(xié)同操作。電流限制控制器706操作來在接收到來自電流限制檢測器702的所檢測出的電流限制后，控制向系統(tǒng)負(fù)載312和電荷存儲器件314輸出的電流I(XJT以便不超過所檢測出的電流限制。這種限制可以以受控方式例如在遞增步驟中執(zhí)行。這種方式可以是漸進(jìn)的或快速的，這例如取決于電流限制檢測和控制組件712中包括的延遲元件的數(shù)目。電流限制控制器706可包括經(jīng)縮放的晶體管T12、T13和T14。在該實施例中，T12被縮放4X，T13被縮放2X，并且T14被縮放IX。縮放晶體管之間的尺寸比可以對應(yīng)于電流開關(guān)Tl-T4的各自比率。例如，T12可以縮放4X，這對應(yīng)于T4相對于Tl(4pAvs.1fiA)的縮放比。對于晶體管縮放(即，縮小器件尺度)等來說，大小匹配對于滿足晶體管標(biāo)準(zhǔn)是很重要的。特定縮放(即，大小)的晶體管一般被排列到集成電路(IC)管芯上的同一區(qū)域。電流限制部分704包括電流限制轉(zhuǎn)換器710、運算放大器714、晶體管TlO和Tll、以及電流感測電阻器Rs。晶體管T10和T11被縮放。在該實施例中，T10被縮放1X，并且T11被縮放0.002X。電流I和IouT具有基本上固定的比率，該比率是由T10和Tll的尺寸比確定的。在圖示實施例中，該尺寸比為500(1/0.002=500)。因而，T11是對T10的電流鏡像。如果流經(jīng)Tll的電流I大于電流限制轉(zhuǎn)換器710的電流限制IUM，則運算放大器714嘗試減小電流，直到I基本上等于IuM為止。如果I低于IUM，則運算放大器714基本上將I維持在Ilim或者低于Ilim。Ilim的值可以例如是500X1。裝置700或其諸如電流限制檢測器(例如，電流限制檢測器702或者圖4或6中所示的)之類的部分可以按多種方式實現(xiàn)。它可以利用分立組件實現(xiàn)，或者優(yōu)選地，它可以實現(xiàn)在IC中或者實現(xiàn)為IC中的功能塊。這種IC還可以適合用在移動設(shè)備中。移動設(shè)備的示例包括膝上型計算機、蜂窩電話、個人數(shù)字助理(PDA)、游戲機、其他電池操作的玩具，等等?？偟貋碚f，盡管已參考本發(fā)明的某些優(yōu)選版本相當(dāng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但是其他版本也是可以的。因此，權(quán)利要求的精神和范圍不應(yīng)當(dāng)被限制為這里包含的對優(yōu)選版本的描述。2權(quán)利要求1.一種用于檢測電流限制的設(shè)備，包括多條電流路徑，每條電流路徑適于傳導(dǎo)電流，并且至少一條電流路徑包括能操作來中斷其電流傳導(dǎo)的電流開關(guān)，其中流經(jīng)所述多條電流路徑的電流總地組合以產(chǎn)生一電流總和；耦合到所述多條電流路徑的預(yù)定電阻值的電阻器件，該電阻器件適于傳導(dǎo)所述電流總和，該電流總和產(chǎn)生跨所述電阻器件的電壓降，所述預(yù)定電阻值被設(shè)置以建立所述電流總和與用戶定義電流限制之間的關(guān)系；操作來提供高閾值電壓的高參考電壓端子；以及包括多個輸入和一個輸出的高電平比較器，其中所述輸入之一操作來接收所述高閾值電壓，并且所述輸入中的另一個操作耦合到所述電阻器件，所述高電平比較器在所述輸出處產(chǎn)生響應(yīng)于所述電壓降和所述高閾值電壓之間的比較的信號，所述輸出適于操作所述電流開關(guān)以逐步檢測與所述電流總和相關(guān)聯(lián)的用戶定義電流限制。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電流開關(guān)包括晶體管。3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電阻器件包括電阻器。4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在每條電流路徑上傳導(dǎo)的電流的量基于其相應(yīng)電流開關(guān)的縮放比。5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電壓降和所述高閾值電壓之間的比較包括確定所述電壓降是否超過所述高閾值電壓。6.如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，還包括電流OFF邏輯，該邏輯操作來檢測所述器件處于休眠狀態(tài)，并且關(guān)斷基本上所有偏置電流。7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括操作串聯(lián)耦合的多個延遲元件，所述多個延遲元件操作來串行地維持一狀態(tài)序列，每種狀態(tài)定義所述一個或多個電流開關(guān)中的哪些要中斷通過它們各自的電流路徑的電流傳導(dǎo)。8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述狀態(tài)序列的長度等于所述延遲元件的數(shù)目，所述延遲元件中的至少一個適于產(chǎn)生用于使順序改變到所述延遲元件的后續(xù)一個的狀態(tài)的輸出。9.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述延遲元件包括觸發(fā)寄存器。10.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中每條電流路徑還適于傳導(dǎo)對其而言特定的電流量。11.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，該設(shè)備實現(xiàn)在集成電路(IC)中或者實現(xiàn)為IC中的功能塊。12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述IC適合用在移動設(shè)備中。13.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括操作來提供低閾值電壓的低參考電壓端子；以及包括多個輸入和一個輸出的低電平比較器，其中所述輸入中的一個操作來接收所述低閾值電壓，并且所述輸入中的另一個操作耦合到所述電阻器件，所述低電平比較器在所述輸出處產(chǎn)生響應(yīng)于所述電壓降和所述低閾值電壓之間的比較的信號，所述輸出信號適于逐步中斷所述多條電流路徑中的一條或多條上的電流傳導(dǎo)。14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述電壓降和所述低閾值電壓之間的比較包括確定所述電壓降是否低于所述低閾值電壓。15.—種用于檢測電流限制的方法，包括比較電壓降和高閾值電壓，所述電壓降是流經(jīng)多條電流路徑的多個電流被組合成的流經(jīng)一電阻器件的電流總和與所述電阻器件的電阻值的乘積，所述電阻器件具有被設(shè)置以建立所述電流總和與用戶定義電流限制之間的關(guān)系的預(yù)定電阻值，每條電流路徑適于傳導(dǎo)電流并且至少一條電流路徑包括能操作來中斷其電流傳導(dǎo)的電流開關(guān)；通過響應(yīng)于所述比較逐步操作所述電流開關(guān)中的一個或多個來建立所述電流總和與用戶定義電流限制之間的關(guān)系；以及檢測與所述電流總和相關(guān)聯(lián)的用戶定義電流限制。16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括關(guān)斷基本上所有偏置電流，其中關(guān)斷包括檢測所述設(shè)備處于休眠狀態(tài)，并且激活電流OFF邏輯。17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括比較所述電壓降和低閾值電壓，其中逐步中斷所述電流開關(guān)中的一個或多個的電流傳導(dǎo)是響應(yīng)于對所述電壓降和所述高閾值電壓與所述低閾值電壓之一或這兩者的比較的。18.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在操作串聯(lián)耦合的多個延遲元件中維持一狀態(tài)序列，其中特定延遲元件具有特定狀態(tài)并且響應(yīng)于序列中在前延遲元件的輸出；以及逐步控制電流限制檢測包括響應(yīng)于序列中在前延遲元件的輸出的改變而改變所述特定延遲元件的特定狀態(tài)。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中改變所述特定延遲元件的特定狀態(tài)包括串行地時鐘驅(qū)動所述序列向前一步。20.—種用于檢測電流限制的裝置，包括操作來檢測電流的電流限制檢測器，包括多條電流路徑，每條電流路徑適于傳導(dǎo)電流，并且至少一條電流路徑包括能操作來中斷其電流傳導(dǎo)的電流開關(guān)，其中流經(jīng)所述多條電流路徑的電流總地組合以產(chǎn)生一電流總和；耦合到所述多條電流路徑的預(yù)定電阻值的電阻器件，該電阻器件適于傳導(dǎo)所述電流總和，該電流總和產(chǎn)生跨所述電阻器件的電壓降，所述預(yù)定電阻值被設(shè)置以建立所述電流總和與用戶定義電流限制之間的關(guān)系；操作來提供高閾值電壓的高參考電壓端子；以及包括多個輸入和一個輸出的高電平比較器，其中所述輸入中的一個操作來接收所述高閾值電壓，并且所述輸入中的另一個操作耦合到所述電阻器件，所述高電平比較器在所述輸出處產(chǎn)生響應(yīng)于所述電壓降和所述高閾值電壓之間的比較的信號，所述輸出適于操作所述電流開關(guān)以逐步檢測與所述電流總和相關(guān)聯(lián)的用戶定義電流限制；以及操作耦合到所述電流限制檢測器的電流限制控制器，該電流限制控制器操作來逐步限制輸出電流以便不超過所檢測出的用戶定義電流限制。21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其中逐步限制所述輸出電流包括在所述電流限制控制器處輸出一控制信號序列，每個控制信號與所述輸出電流的逐步限制中的一步相關(guān)聯(lián)，并且該裝置還包括操作耦合到所述電流限制檢測器和所述電流限制控制器的電流限制部分，所述電流限制部分操作來響應(yīng)于從所述電流限制控制器接收的控制信號序列來調(diào)節(jié)所述輸出電流。22.如權(quán)利要求20所述的裝置，還包括電荷存儲器件，所述電荷存儲器件適于與所述電流限制控制器協(xié)同操作并且提供能夠供應(yīng)突發(fā)功率的能量庫。全文摘要諸如移動設(shè)備之類的設(shè)備可能受到短路和輸出過載事件的影響。為了應(yīng)對這種事件，移動設(shè)備一般包括電流限制電路。某些電流限制電路可包括用戶可編程的功能。用戶可編程的功能可能需要精確的電流限制檢測器。一種提高使用單個電阻器件的電流限制檢測器的分辨率和精度的方法是放大操作電流范圍。本發(fā)明的各種實施例包括用于檢測預(yù)先編程的電流限制的設(shè)備和方法。文檔編號G01R27/08GK101578525SQ200780046305公開日2009年11月11日申請日期2007年10月12日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者約翰·蓀浩·蘇申請人:先進(jìn)模擬科技公司