專利名稱：用于平行高場MRI的屏蔽Multix線圈陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
以下內(nèi)容涉及磁共振領(lǐng)域。尤其適用于核磁共振成像線圈和掃描器， 并具體參考它們來進(jìn)行說明。更具體的，適用于用于成像、波譜檢査等的 核磁共振成像系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
核磁共振成像(MRI)掃描器通常用于患者的檢查。在MRI中，RF線 圈用于在成像對象內(nèi)產(chǎn)生B,磁場，來激發(fā)核自旋并檢測來自核自旋的信號。 設(shè)計(jì)了工作在3.0T及以上的高頻體線圈(128MHz)，用于均勻的運(yùn)行，并 滿足比吸收率(SAR)規(guī)則。SAR規(guī)則表示在暴露于RF場的生物對象內(nèi)所 吸收的電磁能量的量值和分布的RF放射劑量定量測定。
在一些多通道發(fā)射/接收MRI系統(tǒng)，將多個(gè)發(fā)射單元的每一個(gè)都指定給 每一個(gè)RF線圈或線圈段，并能夠用于獨(dú)立地調(diào)整要發(fā)射的RF波形的振幅 和/或相位和/或形狀；同時(shí)將多個(gè)接收單元的每一個(gè)都指定給每一個(gè)RF線 圈或線圈段，用于被獨(dú)立地激活或去激活。更具體的，將要發(fā)射的RF波形 的獨(dú)立的振幅和/或相位和/或形狀用于補(bǔ)償在檢査對象中的介質(zhì)共振，或用 于激活并優(yōu)化預(yù)期的激活模式。
以最接近的排列形式放置幾個(gè)RF發(fā)射器導(dǎo)致了在天線或線圈元件之 間的互耦。在耦合的天線元件中的電流的相位和振幅變得相互關(guān)聯(lián)。在各 個(gè)RF發(fā)射通道中進(jìn)行能量交換。在FOV外部的組織的能量吸收產(chǎn)生了 RF 加熱，以及很高的極有可能是無法接受的SAR。
用于補(bǔ)償互耦的一種方法是使用無源去耦網(wǎng)絡(luò)。無源去耦方法是可應(yīng) 用于有限數(shù)量的線圈的有效方式，因?yàn)閷τ诖罅客ǖ纴碚f，電容性和/或電 感性元件的確定變得相當(dāng)困難。另外，確定去耦及匹配網(wǎng)絡(luò)，并為預(yù)期的 標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載來裝配該去耦及匹配網(wǎng)絡(luò)，其中，所述預(yù)期的標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載不一定是 實(shí)際負(fù)載。在較高的場，負(fù)載中很小的變化都會(huì)對天線元件的去耦造成相當(dāng)大的影響。在無源去耦網(wǎng)絡(luò)中的另一個(gè)問題包括連接器的寄生電容和電 感的存在，它會(huì)引起不想要的共振。以下設(shè)想了改進(jìn)的設(shè)備和方法，其克服了前述的局限等。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一個(gè)方面，公開了一個(gè)線圈裝置。該線圈裝置包括相鄰于檢查場 彼此相鄰布置的多個(gè)獨(dú)立線圈段。至少一個(gè)射頻屏蔽體與所述線圈段相關(guān) 聯(lián)。所述射頻屏蔽體包含第一部分，其將相關(guān)聯(lián)的線圈段與相鄰磁場、 磁場梯度產(chǎn)生線圈相屏蔽；以及側(cè)面元件，其將線圈段或多組段彼此相屏 蔽。根據(jù)另一個(gè)方面，公開了一種核磁共振成像的方法。在檢查區(qū)中產(chǎn)生 在空間和時(shí)間上基本恒定的磁場。將選擇的磁場梯度施加在檢查區(qū)內(nèi)的主 磁場上。相鄰于檢查區(qū)彼此相鄰地布置多個(gè)獨(dú)立線圈段或多組線圈段。將 每一個(gè)獨(dú)立線圈段或線圈段組與相鄰線圈段相屏蔽。產(chǎn)生核磁共振序列， 包括將RF脈沖施加到線圈段，并用線圈段接收共振信號。根據(jù)另一個(gè)方面，公開了一種核磁共振系統(tǒng)。主磁體產(chǎn)生穿過檢查區(qū) 的主磁場。相鄰于檢查區(qū)布置多個(gè)RF線圈。至少一個(gè)RF屏蔽體將RF線 圈與主磁體相屏蔽，并將RF線圈彼此相互屏蔽。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，在閱讀了以下的詳細(xì)說明后，許多其 它優(yōu)點(diǎn)和益處會(huì)變得顯而易見。


以下會(huì)具體化為不同部件和部件的排列，以及不同過程操作和過程操 作的排列。附圖僅是為了示出優(yōu)選實(shí)施例，不是要解釋為限制本申請。 圖1以圖解方式顯示了核磁共振成像系統(tǒng)； 圖2以圖解方式顯示了相鄰的被獨(dú)立屏蔽的線圈段； 圖3以圖解方式顯示了正交線圈；圖4、 5和6是針對不同屏蔽結(jié)構(gòu)(圖4和5)以及相對于在共用屏蔽 結(jié)構(gòu)上的不同線圈/屏蔽體間隔(圖5和6)，與從線圈到物體之間的距離相 對應(yīng)的頻移的圖示；圖7以圖解方式顯示了由共用屏蔽體所屏蔽的一組線圈段； 圖8以圖解方式顯示了包括環(huán)形線圈的線圈段；以及
圖9以圖解方式顯示了包括TEM線圈的線圈段。
具體實(shí)施例方式
參考圖1和2，核磁共振成像系統(tǒng)10包括外殼12，其界定了檢查區(qū)域 14，在檢査區(qū)域14中，在患者或?qū)ο笾闻_或床18上布置患者或其他成 像對象16。布置在外殼12中的主磁體或磁場產(chǎn)生線圈20在檢查區(qū)域14中 產(chǎn)生主磁場。通常，主磁體20是被低溫環(huán)箍(cryo shrouding) 14包圍的超 導(dǎo)磁體；然而，也可以使用電阻性或永久性的主磁體。將磁場梯度線圈30 布置在外殼12中或之上，以便在檢查區(qū)域14中的主磁場上疊加所選磁場 梯度。相鄰于檢査區(qū)域14布置射頻(RF)線圈系統(tǒng)或裝置32。線圈系統(tǒng) 32包括多個(gè)模塊34，模塊34包括由一個(gè)或多個(gè)元件或段或環(huán)箍 38,，382,…，38n組成的射頻線圈或諧振器36，所述一個(gè)或多個(gè)元件或段或環(huán) 箍38,，382，…，38n每一個(gè)都可以具有不同的尺寸和位置。屏蔽體40屏蔽每一 個(gè)獨(dú)立線圈段38,，382，…,38n或一組線圈段38!，382,…,38n。線圈系統(tǒng)32可以 是TEM線圈、環(huán)路諧振器(loop resonator)排列等。在示例性實(shí)施例中，線 圈系統(tǒng)32包括位于期望檢查體積的周圍或之中的多個(gè)環(huán)路諧振器36。例如， 線圈系統(tǒng)32是在末端相連而構(gòu)成環(huán)形的多個(gè)縱向環(huán)箍的圓形圓柱陣列，但 是當(dāng)然可以具有其它幾何結(jié)構(gòu)，例如在對象上方和/或下方的環(huán)線圈的平面 形部分、圍繞該孔的環(huán)線圈的平坦或弓形部分等。
繼續(xù)參考圖1，核磁共振成像控制器50操作耦合到梯度線圈30上的磁 場梯度控制器52，以便在檢查區(qū)域14中的主磁場上疊加所選磁場梯度，還 操作射頻發(fā)射器54的陣列，每一個(gè)射頻發(fā)射器54都經(jīng)電感耦合而耦合到 獨(dú)立射頻線圈段38,，382,…，38n，以將在核磁共振頻率附近的所選射頻激發(fā) 脈沖注入到檢查區(qū)域14中，用于進(jìn)行成像。所述電感耦合消除了電纜波， 因此實(shí)質(zhì)上減小了SAR值和耦合。當(dāng)然，可以考慮使用電容耦合。射頻發(fā) 射器54被分別控制，并且可以具有不同的相位和振幅。所述射頻激發(fā)脈沖 在成像對象16中激發(fā)核磁共振信號，其由所選磁場梯度在空間上編碼。此 外，成像控制器50操作射頻接收器56，每一個(gè)射頻接收器56都被分別控制，并與線圈系統(tǒng)32的各個(gè)線圈段38h382，…,38n相連，以解調(diào)所產(chǎn)生的空 間編碼的核磁共振信號。將接收到的空間編碼的核磁共振數(shù)據(jù)存儲在核磁 共振或MR數(shù)據(jù)存儲器60中。重構(gòu)處理器62將存儲的核磁共振數(shù)據(jù)重構(gòu)為平躺在檢査區(qū)域14內(nèi)的 成像對象16或其所選部分的重構(gòu)圖像。重構(gòu)處理器62采用傅立葉變換重 構(gòu)技術(shù)或與數(shù)據(jù)采集中所使用的空間編碼相一致的其它適合的重構(gòu)技術(shù)。 將重構(gòu)的圖像存儲在圖像存儲器64中，并可以顯示在用戶界面66上、通 過局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行傳輸、由打印機(jī)打印、或以其他方式使用。在圖示 的實(shí)施例中，用戶界面66使放射室人員或其它用戶能夠與成像控制器50 交互，來選擇、修改或執(zhí)行成像序列。在其它實(shí)施例中，為操作掃描器10 以及為進(jìn)行顯示或處理重構(gòu)的圖像，提供了分開的用戶界面。所述的核磁共振成像系統(tǒng)10是說明性實(shí)例。通常，基本上任何核磁共 振成像掃描器都能夠包含所公開的射頻線圈。例如，掃描器可以是開放式 磁體掃描器、立式孔形掃描器、低場掃描器、高場掃描器等等。在圖1的 實(shí)施例中，線圈系統(tǒng)32的線圈段38,，382，…,38n用于核磁共振序列的發(fā)射和 接收階段；然而，在其它實(shí)施例中可以提供分開的發(fā)射線圈和接收線圈， 其一者或兩者都可以包含在此公開的一個(gè)或多個(gè)射頻線圈設(shè)計(jì)或設(shè)計(jì)方 案。參考圖2，每一個(gè)模塊34都包括一個(gè)或多個(gè)線圈段38,，382,…，38n，其 形成了諧振器環(huán)36和獨(dú)立屏蔽體40，每一個(gè)獨(dú)立屏蔽體40都包圍在相關(guān) 聯(lián)的模塊線圈段38,，382,…，38n周圍。例如，獨(dú)立屏蔽體彼此相連，從一個(gè) 線圈段到另一個(gè)線圈段電耦合等。為了說明的簡單性，僅顯示了兩個(gè)線圈 段38,，3S2。當(dāng)然，可以考慮使用三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)及更多的線圈段。繼續(xù)參考圖2，并還參考圖3，屏蔽體40包括RF屏障(screen) 70，其沿著線圈或段的一側(cè)延伸遠(yuǎn)離對象；以及第一和第二翼或側(cè)面屏蔽元件 72、 74，其在兩個(gè)相鄰線圈段38i,382,…,38n (圖2)或線圈36 (圖3)之間 延伸。翼72、 74屏蔽每一個(gè)相關(guān)聯(lián)的線圈36或線圈段38b382，…，38n，以 免與相鄰的線圈36或線圈段38,，382,…，38n的核磁共振信號發(fā)生干擾，從而 最小化線圈系統(tǒng)32的線圈36或線圈38,，382,…,38n彼此之間的耦合。為線 圈裝置32的每一個(gè)線圈段38h382,…,38n或一組線圈段38,，382，…，38n或線圈36選擇在基本與線圈表面正交的垂直軸76與穿過側(cè)面屏蔽體72、 74繪制 的平面之間的角度a。例如，角度a可以是30、 45、 60和90° 。例如，平 面形的心臟線圈裝置的線圈段38，，382，…,38n (例如表面線圈裝置)具有等 于90°的外翼角a和等于60°內(nèi)翼角a ，在此外翼是遠(yuǎn)離對象16的翼， 內(nèi)翼是靠近對象16的翼。通常，在翼與線圈之間更大的間隔，例如更大的 角a，導(dǎo)致雜散磁場的更進(jìn)一步的減小。翼72、 74的尺寸在實(shí)際應(yīng)用之間 可以不同。例如，對于以上實(shí)例的心臟線圈裝置，為了對象舒適性，外翼 可以具有比內(nèi)翼更長的長度。可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來選擇翼的形狀。例如， 翼可以是圓形段。在一個(gè)實(shí)施例中，對于低于3T的頻率，省略了屏障70。 繼續(xù)參考圖2，將屏蔽屏障70放置在距線圈段38。 382第一距離dl 處。將對象16放置在距線圈段38p382第二距離d2處。線圈段38,，382,…,38n 到對象16的距離d2例如可以通過用泡沫床墊來調(diào)整。將線圈段 38,，382,…，38n放置得過于靠近屏蔽屏障70會(huì)導(dǎo)致線圈很差的負(fù)載量?？梢?通過計(jì)算在加載的和未加載的線圈之間的比值x來確定在線圈與屏蔽屏障 之間的最佳距離 —Q未加載的 G加載的
對于在對象與線圈之間的距離d2約等于2cm的情況，就期望比值x約 等于4。比值x的較低值表明RF電磁B，場到對象16的較低耦合，而比值 x的較高值導(dǎo)致了在組織負(fù)載中較高的能量吸收。當(dāng)線圈的電磁RF能量損 耗與負(fù)載組織的損耗相比較小時(shí)，就獲得了最佳距離。
再次參考圖3，在正交實(shí)施例中，將電抗元件78、 80放置在橫向線圈 段383、 384上，用于控制在環(huán)路模式中的電流，其中，橫向線圈段383、 384 連接與主磁場Bo平行延伸的縱向線圈段38^ 382。在縱向段38,、 382的末 端與屏蔽體40之間放置額外的電抗元件82，用于控制在TEM模式中的電 流?？梢赃x擇電抗元件，以便平衡用于平衡的正交操作的環(huán)路模式與TEM 模式，或者按所希望的來加權(quán)環(huán)路模式和TEM模式。
再次參考圖2，并且還參考圖4，上面的曲線圖84顯示了在比值x中 的變化，下面的曲線圖86顯示了作為從線圈段38^382,…，38n到對象16的 距離d2的函數(shù)的以MHz計(jì)的頻移。從屏蔽屏障70到線圈段38口82,…，38n的距離dl等于10mm,角度a等于0。。
參考圖5，示出了類似的曲線圖84、 86。從屏蔽屏障70到線圈段 38,，382,…,38n的距離dl等于10mm，角度a等于90。。
參考圖6，示出了類似的曲線圖84、 86。從屏蔽屏障70到線圈段 38b382,…，38n的距離dl等于15mm，角度a等于90° 。如在圖4、 5禾口 6 的曲線圖所見到的，在從屏蔽屏障70到線圈段38，，382，…,38n的距離dl中 的增加導(dǎo)致了增大的比值x;同時(shí)使用90°角的屏蔽翼導(dǎo)致了更均勻的磁 場。
在一個(gè)實(shí)施例中，對于3T成像，在屏蔽屏障70與線圈段38b382，一，38n 之間的距離dl約等于2cm，在線圈段38,，382，…，38n與對象16之間的距離 d2約等于2cm。在另一個(gè)實(shí)施例中，對于7T成像，在屏蔽屏障70與線圈 段38!，382，…,38n之間的距離dl約等于50mm，在線圈段38,，382,…，38n與對 象16之間的距離d2約等于3cm。
參考圖7，線圈組90包括線圈段38，382,…，38n。由共用屏蔽體40屏蔽 線圈組90的線圈段38,，382,…，38n，屏蔽體40具有在與其它線圈相鄰的邊 緣上翹起到或超過這些段的高度的翼。當(dāng)然，可以設(shè)想，線圈組90可以包 括不同數(shù)量的線圈段，諸如例如兩個(gè)線圈段。
在一個(gè)實(shí)施例中，屏蔽體70包括包圍在全部線圈段38,，382，…，38n或該 組線圈段38,，382，…，38n周圍的大屏障。從相鄰的線圈段38,，382,…，38n之間 突出翼72、 74。在一個(gè)實(shí)施例中，將屏蔽翼連接到該大屏障。
在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)獨(dú)立線圈元件38,，382，…，38n都包括相關(guān)聯(lián)的 電子裝置或電子裝置模塊92。例如，每一個(gè)獨(dú)立線圈元件都包括集成的發(fā) 送/接收開關(guān)和/或預(yù)放大器。
參考圖8，線圈段38,，382，…,38n形成了回路線圈，其包括由屏蔽體40 包圍的環(huán)路IOO。
參考圖9，線圈段38b382,…，38n形成了TEM線圈。這些段包括兩個(gè)桿 110、 112。將屏蔽體40用作電流返回路徑，并通過電容120、 122耦合到 桿IIO、 112。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)桿都通過一對電容連接到屏蔽體40， 桿的每個(gè)末端都有一個(gè)電容。當(dāng)然，可以設(shè)想更多的桿，例如圍繞對象的 桿。這種線圈裝置產(chǎn)生了環(huán)路電流，例如，可以為正交應(yīng)用而在環(huán)形模式和TEM模式中使用該線圈裝置。參考圖3，在一個(gè)實(shí)施例中，將二極管網(wǎng)絡(luò)130、 132用于連接/切斷一 個(gè)或多個(gè)屏蔽體70或屏蔽體70的多個(gè)部分，以改變在檢查區(qū)域14內(nèi)的 B,磁場，以便例如增大磁場B,的靈敏度，從而增大信噪比。例如，通過使 用更多屏蔽，獲得了較低的磁場；通過使用較少的屏蔽，能夠獲得較高的 磁場。盡管在發(fā)射期間需要擴(kuò)展的屏蔽和高互去耦，但在接收期間的情形 是不同的，因?yàn)榫€圈被高阻抗預(yù)放大器進(jìn)一步去耦。在一個(gè)實(shí)施例中，將獨(dú)立線圈元件靠近屏蔽屏障使用，作為整體的體 線圈?？梢詫⒕€圈段用作整個(gè)Multix體線圈的各個(gè)結(jié)構(gòu)單元，在此需要大 量的z/xy分割。屏蔽翼在相鄰線圈元件之間延伸。在另一個(gè)實(shí)施例中，將 被屏蔽的線圈元件集成到患者床18中，或者是掃描器機(jī)械外殼中，用于身 體/脊柱成像。在另一個(gè)實(shí)施例中，被屏蔽的線圈元件與整體的大Multix體 線圈結(jié)合使用。在一個(gè)實(shí)施例中，用硬件組合器驅(qū)動(dòng)每一個(gè)被屏蔽的獨(dú)立線圈元件， 該硬件組合器將單獨(dú)的振幅和相位分配給一個(gè)或幾個(gè)線圈段。在另一個(gè)實(shí) 施例中，用Multix光譜儀驅(qū)動(dòng)每一個(gè)線圈段，以便為每一個(gè)線圈段提供單 獨(dú)的脈沖形狀。在另一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)線圈段都包括脈沖形成器，用 于提供單獨(dú)的脈沖形狀。以這種方式， 一種用于獨(dú)立線圈段的新的屏蔽線圈技術(shù)實(shí)現(xiàn)了在彼此 相鄰的線圈的耦合的實(shí)質(zhì)減小，以及周圍組織的線圈負(fù)載的實(shí)質(zhì)減小，從 而減小了 SAR和RF值功率要求。能夠省略去耦網(wǎng)絡(luò)，從而提高了臨床應(yīng) 用的靈活性和簡易性。設(shè)計(jì)了獨(dú)立屏蔽體，以便其部分地包圍用于提供視 場中磁B,場的聚焦的線圈的平面形導(dǎo)體。當(dāng)將該屏蔽體用作電流返回通路 時(shí)，可以將進(jìn)一步正交的模式用于正交的、多諧振的或改進(jìn)的多元件發(fā)射 線圈架構(gòu)。在數(shù)值上設(shè)計(jì)該屏蔽體以實(shí)現(xiàn)最小的耦合和最低的雜散場。以上參考優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了說明。顯而易見的，在閱讀并理解了前述 的詳細(xì)說明后，其他人會(huì)想到修改和變化。意圖是將本申請解釋為包括全 部此類修改和變化，只要它們在所附權(quán)利要求或其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種線圈裝置(32)，包括相鄰于檢查場(14)彼此相鄰布置的多個(gè)獨(dú)立線圈段(381，382，…，38n)；以及至少一個(gè)射頻屏蔽體(40)，其與所述線圈段(381，382，…，38n)相關(guān)聯(lián)，所述射頻屏蔽體(40)具有第一部分(70)，其將所述相關(guān)聯(lián)的線圈段與相鄰磁場和磁場梯度產(chǎn)生線圈(20，30)相屏蔽；以及側(cè)面元件(72，74)，其將所述線圈段或所述線圈段的組彼此相屏蔽。
2、 如權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其中，所述側(cè)面元件(72， 74)在 所述線圈段之間延伸。
3、 如權(quán)利要求2所述的線圈裝置，其中，所述側(cè)面元件(72， 74)翹 起遠(yuǎn)離每一個(gè)相關(guān)聯(lián)線圈段。
4、 如權(quán)利要求2所述的線圈裝置，其中，所述射頻屏蔽體的第一部分 (70)還包括射頻屏障，其在外圍包圍著由所述磁場線圈(20)和所述梯度線圈(30) 所形成的孔。
5、 如權(quán)利要求4所述的線圈裝置，其中，所述側(cè)面元件(72， 74)電 連接到所述射頻屏障(70)。
6、 如權(quán)利要求1所述的線圈裝置，還包括電子模塊(92)，其與一個(gè)或一組所述線圈段(38h382,…,38j電連接。
7、 如權(quán)利要求6所述的線圈裝置，其中，所述電子模塊(92)包括以 下至少一個(gè)預(yù)放大器，以及發(fā)射/接收開關(guān)。
8、 如權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其中，所述線圈段包括多個(gè)縱向線圈段(38,382,…,38》，其平行于主磁場(Bo)延伸；以及 多個(gè)段(38,，382，…，38》，在所述縱向段的末端之間以構(gòu)成回路形式延 伸，以形成多個(gè)回路線圈(36， 100， 110， 112)，所述屏蔽體的側(cè)面元件 (72， 74)延伸且將回路線圈或回路線圈組彼此屏蔽。
9、 如權(quán)利要求8所述的線圈裝置，還包括電抗元件(78， 80， 82)，其形成在所述構(gòu)成回路的線圈段中，并將所 述縱向線圈段的末端與所述屏蔽體相連接，以形成用于正交發(fā)射或接收的 回路線圈和TEM諧振器。
10、 如權(quán)利要求8所述的線圈裝置，其中，每一個(gè)屏蔽體都屏蔽一個(gè) 相關(guān)聯(lián)的回路線圈(36， 100， 110， 112)。
11、 如權(quán)利要求8所述的線圈裝置，還包括開關(guān)(130， 132)，其選擇性地執(zhí)行以下操作之一連接、斷開和開路 獨(dú)立屏蔽體部分，從而選擇性地改變磁(B,)場的靈敏度。
12、 如權(quán)利要求l所述的線圈裝置，還包括多個(gè)RF發(fā)射器(54)，每一個(gè)都與一個(gè)或一組線圈段相連接，并且選 擇性地將單獨(dú)設(shè)計(jì)的RF激活脈沖注入到所述檢查區(qū)域(14)中；以及 多個(gè)RF接收器(56)，其解調(diào)并轉(zhuǎn)換由一個(gè)或一組段接收的MR信號。
13、 一種核磁共振成像系統(tǒng)，包括主磁體(20)，其在檢査區(qū)域(14)中產(chǎn)生在時(shí)間上基本恒定的磁場； 磁場梯度線圈(30)，其將選擇的磁場梯度施加到所述檢查區(qū)域(14) 內(nèi)的所述主磁場(Bo)上；以及如權(quán)利要求1所述的線圈裝置(32)。
14、 一種核磁共振方法，包括在檢査區(qū)域(14)中產(chǎn)生在空間和時(shí)間上基本恒定的磁場； 將選擇的磁場梯度施加到所述檢査區(qū)域(14)內(nèi)的主磁場上； 相鄰于所述檢查區(qū)域(14)彼此相鄰地布置多個(gè)獨(dú)立線圈段或多組線圈段(38,，382，…，38J;將每一個(gè)獨(dú)立線圈段或線圈段組與相鄰線圈段相屏蔽；并且產(chǎn)生核磁共振序列，包括將RF脈沖施加到所述線圈段，并用所述線圈段接收共振信號。
15、 一種核磁共振系統(tǒng)(10)，包括主磁體(20)，其產(chǎn)生穿過檢查區(qū)域(14)的主磁場(Bo); 多個(gè)RF線圈(36)，相鄰于所述檢查區(qū)域(14)布置；以及 至少一個(gè)RF屏蔽體(40)，其將所述多個(gè)RF線圈(36)與所述主磁 體(20)相屏蔽，并將所述多個(gè)RF線圈(36)彼此相屏蔽。
16、 如權(quán)利要求15所述的核磁共振系統(tǒng)，其中，所述RF屏蔽體(40) 包括至少一個(gè)RP屏障部分(70)，其布置在所述RF線圈(36)與所述主 磁體(20)之間，以及側(cè)面部分(72， 74)，其在相鄰RF線圈(36)之間 延伸。
17、 如權(quán)利要求16所述的核磁共振系統(tǒng)，其中，每一個(gè)RF線圈(36) 都包括一個(gè)或多個(gè)回路線圈(100， 110， 112)。
18、 如權(quán)利要求16所述的核磁共振系統(tǒng)，其中，每一個(gè)RF線圈(36) 都包括縱向段(38p 382)，其平行于所述主磁場(Bo)延伸，并電抗性地耦 合到所述屏蔽體(40)，以形成TEM諧振器，所述屏蔽體的側(cè)面部分(72， 74)布置在相鄰縱向段之間。
19、 如權(quán)利要求16所述的核磁共振系統(tǒng)，其中，每一個(gè)RF線圈(36) 都包括一對縱向段(38,， 382)，其平行于所述主磁場(B。)延伸； 一對橫向段(383， 384)，其連接所述一對縱向段(38,， 382)的末端，以形成回路線圈(36);以及電抗元件(82)，其將所述縱向段的末端與所述屏蔽體相連接，以形成一對TEM諧振器，由此，所述回路線圈和所述TEM諧振器形成正交線圈。
20、 如權(quán)利要求16所述的核磁共振系統(tǒng)，其中，將所述多個(gè)RF線圈 (36)布置在以下之一中平面形陣列；以及 以圓周形式圍繞所述檢査區(qū)域(14)。
全文摘要
一種線圈裝置(32)包括相鄰于檢查場(14)彼此相鄰布置的多個(gè)獨(dú)立線圈段(38₁，38₂，…，38_n)。至少一個(gè)射頻屏蔽體(40)，與線圈段(38₁，38₂，…，38_n)相關(guān)聯(lián)。射頻屏蔽體(40)具有第一部分(70)，其將相關(guān)聯(lián)的線圈段與相鄰磁場和磁場梯度產(chǎn)生線圈(20，30)相屏蔽；以及側(cè)面元件(72，74)，其將線圈段或線圈段的組彼此相屏蔽。
文檔編號G01R33/3415GK101405612SQ200780010043
公開日2009年4月8日 申請日期2007年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月22日
發(fā)明者C·洛斯勒 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司