專利名稱：使用撓性電路技術(shù)形成參考電極通道的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0002本發(fā)明總體上涉及撓性電路技術(shù)(flex circuit technology)。更 加具體地，本發(fā)明涉及使用撓性電路技術(shù)形成參考電極通道(reference electrode channel )。
背景技術(shù)：
0003撓性電路技術(shù)被應(yīng)用在微電子工業(yè)很多年。在近幾年，撓性電 路被用于設(shè)計(jì)在體內(nèi)應(yīng)用的微電極。 一個(gè)撓性電路設(shè)計(jì)包括在柔軟電介 質(zhì)襯底(dielectric substrate)(例如聚酰亞胺)上的疊片——傳導(dǎo)箔片
(例如，銅)。使用掩模(masking)和光刻(photolithography )技術(shù)， 在傳導(dǎo)箔片上形成撓性電路。由于撓性電路的低生產(chǎn)成本，易于設(shè)計(jì)集 成以及在移動(dòng)應(yīng)用上的靈活性，因此其為期望的。
發(fā)明概述
0004本發(fā)明涉及形成傳感器的方法，其可以包括在襯底(substrate) 的第一部分(first portion)上應(yīng)用第一傳導(dǎo)材料(first conductive material) 以形成參考電極(reference electrode)并且在襯底之上放置第一掩模(first mask),第一掩模具有暴露參考電極和襯底的第二部分的開(kāi)口 (叩ening)。 方法還可以包括將第二傳導(dǎo)材料(second conductive material)放置進(jìn)第 一掩模中的開(kāi)口里，第二傳導(dǎo)材料直接與參考電極相接觸并且將第二掩模(second mask)放置在第二傳導(dǎo)材料之上，第二掩模在襯底的第二部 分(second portion)之上具有開(kāi)口，開(kāi)口暴露一部分的第二傳導(dǎo)材料， 其形成工作表面(working surface),以接受目標(biāo)流體(a fluid of interest)0005本發(fā)明涉及形成傳感器(sensor)的方法，其可以包括在襯底的 第一部分上應(yīng)用第一傳導(dǎo)材料以形成參考電極和在襯底的第二部分上應(yīng) 用第一傳導(dǎo)材料以形成工作電極，以及在襯底之上放置第一掩模(mask), 第一掩模具有暴露參考電極、工作電極和在參考電極和工作電極之間的 區(qū)域的開(kāi)口。方法可以還包括將第二傳導(dǎo)材料放置在參考電極之上以及 在參考電極和工作電極之間的區(qū)域之中，并且在第二傳導(dǎo)材料之上放置 第二掩模。
附圖簡(jiǎn)述
0006當(dāng)將下面進(jìn)行的詳細(xì)描述與附圖協(xié)同使用時(shí)，本發(fā)明的特征、 目標(biāo)、和優(yōu)點(diǎn)將變得越發(fā)清晰，其中
0007圖l為參考電極通道的剖面圖，參考電極通道是根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施方式使用撓性電路而形成的。
0008圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的撓性電路的俯視圖。0009圖3為掩模的俯視圖；根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，該掩模被用于覆 蓋在圖2中顯示的撓性電路。
0010周4為俯視圖，其顯示被放置在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的掩模開(kāi) 口之中的傳導(dǎo)材料。
0011圖5為掩模的俯視圖，該掩模被用于覆蓋一部分傳導(dǎo)材料和根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施方式在圖4中顯示的掩模。
0012圖6為流程圖，其顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式形成圖l的參考 電極通道的方法。
0013圖7為參考電極通道的剖面圖，該參考電極通道是根據(jù)本發(fā)明的 實(shí)施方式使用撓性電路而形成的。
0014圖8為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的撓性電路的俯視圖。
0015圖9為掩模的俯視圖，該掩模被用于覆蓋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式
在圖8中顯示的撓性電路。
0016

圖10為俯視圖，其顯示被放置在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的掩模 開(kāi)口之中的傳導(dǎo)材料。
0017圖ll為掩模的俯視圖，該掩模被用于覆蓋傳導(dǎo)材料的掩模和根 據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式在圖10中顯示的掩模。
0018圖12為流程圖，其顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式形成圖7的參考 電極通道的方法。
發(fā)明詳述
0019'本發(fā)明關(guān)于使用撓性電路形成參考電極通道。撓性電路具有被 掩蓋并且被在襯底上形成圖案的參考電極。第一掩模被放置在襯底之上。 第一掩?？梢跃哂虚_(kāi)口，該開(kāi)口具有暴露一部分參考電極的第一端和暴 露一部分襯底的第二端。開(kāi)口形成參考電極通道。傳導(dǎo)材料可被放置在 第一掩模的開(kāi)口之中。第二掩模被放置在第一掩模和傳導(dǎo)材料之上。第 二掩?？梢跃哂虚_(kāi)口 ，該開(kāi)口暴露一部分在襯底之上的傳導(dǎo)材料。
0020圖l為參考電極通道的剖面圖，參考電極通道是根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施方式使用撓性電路而形成的。撓性電路100可包括襯底110，跡線
(trace)120，和參考電極125。跡線120和參考電極125可被掩蓋并且在襯 底105之上形成圖案。例如，使用絲網(wǎng)印刷(screen printing )或油墨沉 淀(ink deposition)技術(shù)，跡線120和參考電極125可在襯底105之上形成。 跡線120和參考電極125可以由碳、銅、金、石墨、鉑、銀-氯化銀、銠或 鈀材料制成。
0021第一掩模130可以被施加或放置在一部分襯底110和跡線120之 上。第一掩模130可以具有開(kāi)口135，其暴露一部分參考電級(jí)125和一部分 襯底IIO。開(kāi)口135形成參考電極通道。傳導(dǎo)材料140被放置在開(kāi)口135之 中，以覆蓋參考電級(jí)125的暴露部分和襯底110的暴露部分。第二掩模150 可以被施加或放置在第一掩模130和傳導(dǎo)材料140之上。第二掩模150可以 具有位于傳導(dǎo)材料140之上的開(kāi)口160，傳導(dǎo)材料140位于襯底110之上。 開(kāi)口135沿第一軸或平面被放置；以及，開(kāi)口160沿第二軸或平面被放置。
第一軸或平面與第二軸或平面并不一致。因此，第一軸或平面垂直地和/ 或水平地偏離第二軸或平面。
0022開(kāi)口160是測(cè)量點(diǎn)并且允許目標(biāo)流體(例如，血，尿，等)與傳 導(dǎo)材料140接觸，從而和與同一目標(biāo)流體接觸的另一測(cè)量電極(未顯示) 形成測(cè)量回路。傳導(dǎo)材料140以幾種方式穩(wěn)定參考電位。傳導(dǎo)材料140可 以提供熟知的銀和氯離子活性——例如，(在銀-氯化銀參考設(shè)計(jì)的情況 中)——以保持穩(wěn)定的電位。傳導(dǎo)材料140應(yīng)提供足夠的擴(kuò)散阻力以抑 制期望的離子流失到目標(biāo)流體中，而同時(shí)抑制不想要的離子遷移到參考 電極125的活性表面。開(kāi)口160距參考電極125具有足夠的距離——如圖l 中顯示~~"增強(qiáng)了這種擴(kuò)散阻力。最后，傳導(dǎo)材料140可以與目標(biāo)流體在 界面處提供可以預(yù)料的接點(diǎn)電位(junction potential)，這有利于使用參 考電極125的精確電化學(xué)測(cè)量。
0023圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的撓性電路100的俯視圖。跡線120 和參考電極125可以由傳導(dǎo)材料組成，例如銀-氯化銀(Ag/AgCl)材料； 和使用光刻(photol池ography)或印刷技術(shù)(610)在襯底110之上形成。 例如，跡線120和參考電極125可以使用絲網(wǎng)印刷或油墨沉淀技術(shù)在襯底 110之上形成。襯底110可以是柔軟電介質(zhì)襯底，例如聚酰亞胺。跡線120 可以被用于連接測(cè)量設(shè)備(未顯示)，例如穩(wěn)壓器。使用測(cè)量設(shè)備，跡 線120被用于測(cè)量距參考電極125的電位。盡管圖1顯示撓性電路100具有 一個(gè)跡線120和一個(gè)參考電極125，但是撓性電路可具有多于一個(gè)的跡線 和多于一個(gè)的電極。
0024圖3為掩模130的俯視圖，掩模130被用于覆蓋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 方式在圖2中顯示的撓性電路100。掩模130可以由電介質(zhì)材料例如感光環(huán) 氧材料或紫外線可固化環(huán)氧材料組成。掩模130被放置在襯底110之上并 且具有矩形的開(kāi)口135，開(kāi)口135具有暴露一部分參考電極125的第一端 135a和暴露一部分襯底110 (620)的第二端135b。矩形開(kāi)口135可具有在 大約0.10-0.20英寸之間的長(zhǎng)度和在大約0.010-0.020英寸之間的寬度。矩形 開(kāi)口135的長(zhǎng)/寬比率可以在大約4: 1到12: l之間。在一個(gè)實(shí)施方式中， 掩模130覆蓋了除去矩形開(kāi)口135之外的全部撓性電路100的上表面。掩模 130可具有在大約0.005英寸到大約0.02英寸之間的厚度。開(kāi)口135的第一
端135a正好位于電極125之上，因此電極125可以通過(guò)掩模130的開(kāi)口135 被暴露或可看見(jiàn)。平版印刷術(shù)可以被用于在撓性電路100上沉積或放置掩 模130。
0025圖4為俯視圖，其顯示被放置在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的掩模130 開(kāi)口135之中的傳導(dǎo)材料140。傳導(dǎo)材料140被放置在開(kāi)口135中，以覆蓋 和與參考電極125的暴露部分和襯底110 (630)的暴露部分直接接觸。傳 導(dǎo)材料140可以是傳導(dǎo)流體、傳導(dǎo)溶液、傳導(dǎo)膠體、含鹽的膠體、含少量 銀離子(Ag+)的氯化鉀(KC1)的傳導(dǎo)聚合物，或具有傳導(dǎo)性質(zhì)的材料。 對(duì)于銀-氯化銀參考電極125而言，加入微量的硝酸銀溶液到含有氯化鉀的 基質(zhì)(matrix)中，在傳導(dǎo)基質(zhì)中沉淀一些量的氯化銀，但是根據(jù)氯化銀 產(chǎn)物的溶解度，保持銀離子濃度為恒定量，其為1.56xl0,
0026圖5為掩模150的俯視圖，掩模150被用于覆蓋一部分傳導(dǎo)材料140 和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式在圖4中顯示的掩模130。掩模150可以由介電材 料例如感光環(huán)氧或紫外線固化環(huán)氧材料制成。掩模150具有暴露一部分傳 導(dǎo)材料140的開(kāi)口160，其中傳導(dǎo)材料140形成工作表面以接受目標(biāo)流體
(640)。平板印刷術(shù)可以被用于在掩模130和傳導(dǎo)材料140之上沉淀或放 置掩模150。
0027圖7為參考電極通道的剖面圖，參考電極通道是根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施方式使用撓性電路而形成的。撓性電路200可以包括襯底210、跡線220 和230，參考電極225，和工作電極235。跡線220和230，參考電極225， 和工作電極235可以被遮蓋并在襯底上形成圖案。例如，跡線220和230， 參考電極225，和工作電極235可以使用絲網(wǎng)印刷或者油墨沉淀技術(shù)在襯 底210上形成。跡線220和230，參考電極225，和工作電極235可以由碳、 銅、金、石墨、鉑、銀-氯化銀、銠或鈀材料制成。
0028第一掩模240可以在一部分襯底210之上和跡線220和230之上被 應(yīng)用或放置。第一掩模240可以具有開(kāi)口250，其暴露一部分參考電極225， 一部分工作電極235，和一部分襯底210。術(shù)語(yǔ)"通道(channel)"(如 通道255顯示)可以被用于指代在參考電極225與工作電極235之間的部 分。因此，開(kāi)口250可以形成參考電極通道。傳導(dǎo)材料260被放置在開(kāi)口 250中，以覆蓋和與參考電極225的暴露部分直接接觸，并且直到襯底210
的暴露部分的邊緣。第二掩模265可以在第一掩模240和傳導(dǎo)材料260之上 被應(yīng)用或放置。第二掩模265可以在一部分的工作電極235之上具有開(kāi)口 270。參考電極225沿第一軸或平面被放置，以及工作電極235沿第二軸或 平面被放置。第一軸或平面與第二軸或平面并不一致。因此，第一軸或 平面垂直和/或水平地偏離第二軸或平面。
0029開(kāi)口 270是測(cè)量點(diǎn)并且允許目標(biāo)流體(例如，血，尿，等)與 工作電極235和傳導(dǎo)材料260接觸，以得到更準(zhǔn)確的測(cè)量。傳導(dǎo)材料260 以幾種方式穩(wěn)定參考電位。傳導(dǎo)材料260可以提供熟知的銀和氯離子活 性一一例如(在銀-氯化銀參考設(shè)計(jì)情況中)——以保持穩(wěn)定的電位。傳 導(dǎo)材料260應(yīng)該提供足夠的擴(kuò)散阻力，以抑制期望的離子流失到溶液中， 而同時(shí)抑制不需要的離子向參考電極225的活性表面的遷移。開(kāi)口 270 距參考電極225具有足夠的距離——如圖7中顯示——增強(qiáng)了這種擴(kuò)散 阻力。此外，開(kāi)口 270與傳導(dǎo)材料260的底端——在更小的開(kāi)口 275中 ——直接聯(lián)系。更小開(kāi)口 275與工作電極235的臨近性，使這種實(shí)施方 式在位置上更為理想，其中在參考電極和工作電極之間的溶液阻力需要 保持在最低，例如在3-電極安培計(jì)的電池的情況下。
0030圖8為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的撓性電路100的俯視圖。跡線 220和230,參考電極225和工作電極235可以由傳導(dǎo)材料組成——例如 銅材料，鉑材料，銀-氯化銀(Ag-AgCl)材料；并且使用掩蓋和光刻技術(shù)
(1210)在襯底210之上形成。例如，跡線220和230、參考電極225和 工作電極235，可以使用絲網(wǎng)印刷或油墨沉淀技術(shù)在襯底210之上形成。 襯底210可以是柔軟的電介質(zhì)襯底，例如聚酰亞胺。跡線220和230可 以被用于連接測(cè)量設(shè)備(未顯示)，例如穩(wěn)壓器。跡線220和230可以 被用于從參考電極225和工作電極235輸送電壓或電流到測(cè)量裝置。
0031圖9為掩模240的俯視圖，掩模240被用于覆蓋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 方式顯示在圖8中的撓性電路200。掩模240可以由電介質(zhì)材料制成，例如 感光環(huán)氧材料或紫外線固化環(huán)氧材料。掩模240被放置在襯底210之上并 且具有矩形的開(kāi)口250，開(kāi)口250具有暴露一部分參考電極225的第一端 250a，暴露一部分工作電極235的第二端250b，和在參考電極225和工作 電極235之間的通道或區(qū)域255，通道或區(qū)域255暴露一部分襯底210
(1220)。矩形開(kāi)口250可具有在大約0.10-0.20英寸之間的長(zhǎng)度和在大約 0.010-0.020英寸之間的寬度。矩形開(kāi)口250的長(zhǎng)/寬比率可以在大約4:l到 12:1之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，掩模240覆蓋了撓性電路210的除去矩形開(kāi) 口250之外的全部上表面。掩模240可具有在大約0.005英寸到大約0.02英 寸之間的厚度。在一個(gè)實(shí)施方式中，開(kāi)口250的第一端250a位于參考電極 225的正上方，因此參考電極225可以通過(guò)掩模240的開(kāi)口250被暴露或是 可以看見(jiàn)的。在一個(gè)實(shí)施方式中，開(kāi)口250的第二端250b位于工作電極235 的正上方，因此工作電極235可以通過(guò)掩模240的開(kāi)口250被暴露或可見(jiàn)。 平版印刷術(shù)可以被用于沉淀或放置掩模240至撓性電路200上。
0032圖10為俯視圖，其顯示被放置在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的掩模 240開(kāi)口 250之中的傳導(dǎo)材料260。傳導(dǎo)材料260被放置在開(kāi)口 250中， 以覆蓋和與參考電極225的暴露部分直接接觸，并且也位于在參考電極 225和工作電極235 (即，襯底210的暴露部分之上)(1230)之間的區(qū) 域中。在一個(gè)實(shí)施方式中，屏蔽膠體(screenablegel)或傳導(dǎo)聚合物在開(kāi) 口 250中被應(yīng)用，以及與參考電極225的暴露部分直接接觸；并且位于 參考電極225和工作電極235之間的區(qū)域255中。傳導(dǎo)材料260可以是 傳導(dǎo)流體、傳導(dǎo)溶液、傳導(dǎo)膠體、含鹽膠體、帶有少量銀離子(Ag+)的 含有氯化鉀(KC1)的傳導(dǎo)聚合物，或具有傳導(dǎo)性質(zhì)的材料。傳導(dǎo)材料 260可以形成鹽通道或參考電極通道。
0033圖11為掩模265的俯視圖，掩模265被用于覆蓋傳導(dǎo)材料260和根 據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式在圖10中所顯示的掩模240。掩模265可以由電介質(zhì) 材料例如感光環(huán)氧或紫外線固化環(huán)氧材料制成。掩模265具有暴露一部分 工作電極235和傳導(dǎo)材料260邊緣的開(kāi)口270，其形成一個(gè)空間以接受目標(biāo) 流體。平板印刷術(shù)可以被用于在掩模240和傳導(dǎo)材料260 (1240)之上沉 淀或放置掩模265。
0034雖然一些代表性的實(shí)施方式被描述并且在所附的附圖中被顯示， 但是將要理解到的是這樣的實(shí)施方式僅僅是本廣度發(fā)明的示例并不限 定本廣度發(fā)明，以及本發(fā)明并不限于所描述和顯示的具體的構(gòu)造和排列， 因?yàn)槌松鲜龆温渲兴U明的內(nèi)容之外的多種其它變化、組合、省略、 修正和置換是可能的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解對(duì)于現(xiàn)描述的實(shí)施方式，多種改動(dòng)和修正可以形成，而沒(méi)有脫離本發(fā)明的范圍和精神。因此， 可以理解為，在所附權(quán)利要求的限定范圍內(nèi)，本發(fā)明可以被實(shí)踐，不僅 僅是如本文所具體描述的。
權(quán)利要求
1.形成傳感器的方法，包括在襯底之第一部分上應(yīng)用第一傳導(dǎo)材料，以形成參考電極；在襯底之上放置第一掩模，第一掩模具有開(kāi)口，該開(kāi)口暴露出參考電極和襯底之第二部分；將第二傳導(dǎo)材料放置到第一掩模中的開(kāi)口里，第二傳導(dǎo)材料直接與參考電極相接觸；和在第二傳導(dǎo)材料之上放置第二掩模，第二掩模在第二部分襯底之上具有開(kāi)口，該開(kāi)口暴露第二傳導(dǎo)材料之一部分，其形成工作表面以接受目標(biāo)流體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一掩模中的開(kāi)口沿第一軸 被放置以及第二掩模中的開(kāi)口沿第二軸被放置，第二軸與第一軸不一致。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一軸水平地偏離第二軸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一軸垂直地偏離第二軸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)材料選自碳、銅、 金、石墨、鉬、銀-氯化銀、銠或鈀材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二傳導(dǎo)材料選自傳導(dǎo)流 體、傳導(dǎo)溶液、傳導(dǎo)膠體、含鹽膠體、具有少量銀離子(Ag+)的含有氯化 鉀(KC1)的傳導(dǎo)聚合物。
7.傳感器，包括 襯底；在襯底的第一部分上形成的參考電極，參考電極由第一傳導(dǎo)材料制成; 位于襯底之上的第一掩模，第一掩模具有暴露參考電極和襯底的第二部分的開(kāi)口；位于第一掩模中的開(kāi)口里的第二傳導(dǎo)材料，第二傳導(dǎo)材料直接與參考 電極接觸；禾口位于第二傳導(dǎo)材料之上的第二掩模，第二掩模具有位于襯底的第二部 分之上的開(kāi)口，該開(kāi)口暴露第二傳導(dǎo)材料的一部分，其形成工作表面以接 受目標(biāo)流體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的傳感器，其中所述第一掩模中的開(kāi)口沿第一 軸被放置和第二掩模中的開(kāi)口沿第二軸被放置，第二軸與第一軸不一致。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的傳感器，其中所述第一軸水平地偏離第二軸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的傳感器，其中所述第一軸垂直地偏離第二軸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)材料選自碳、銅、 金、石墨、銷(xiāo)、銀-氯化銀、銠或鈀材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二傳導(dǎo)材料選自傳導(dǎo)流 體、傳導(dǎo)溶液、傳導(dǎo)膠體、含鹽膠體、含少量銀離子(Ag+)的氯化鉀(KC1) 的傳導(dǎo)聚合物。
13..形成傳感器的方法，包括在襯底的第一部分上應(yīng)用第一傳導(dǎo)材料以形成參考電極，以及在襯底 的第二部分上應(yīng)用第一傳導(dǎo)材料以形成工作電極；在襯底之上放置第一掩模，第一掩模具有暴露參考電極、工作電極以 及在參考電極和工作電極之間的區(qū)域的開(kāi)口 ；將第二傳導(dǎo)材料放置到參考電極之上，以及在參考電極和工作電極之 間的區(qū)域里；禾口 在第二傳導(dǎo)材料之上放置第二掩模。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述參考電極由銀-氯化銀材 料制成和工作電極由鉑材料制成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述參考電極沿第一軸被放置 和工作電極沿第二軸被放置，第二軸與第一軸不一致。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一軸水平地偏離第二軸。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一軸垂直地偏離第二軸。
18..根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)材料選自碳、銅、 金、石墨、鉑、銀-氯化銀、銠或鈀材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二傳導(dǎo)材料選自傳導(dǎo)流 體、傳導(dǎo)溶液、傳導(dǎo)膠體、含鹽膠體、含少量銀離子(Ag+)的氯化鉀(KC1) 的傳導(dǎo)聚合物。
20. 傳感器，包括 襯底；在襯底之第一部分上形成的參考電極和在襯底之第二部分上形成的工 作電極；位于襯底之上的第一掩模，第一掩模具有暴露參考電極、工作電極以 及在參考電極和工作電極之間的區(qū)域的開(kāi)口 ；第二傳導(dǎo)材料，位于參考電極之上，以及在參考電極和工作電極之間 的區(qū)域中；和位于第二傳導(dǎo)材料之上的第二掩模。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的傳感器，其中所述參考電極由銀-氯化銀 材料制成和工作電極由鉑材料制成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的傳感器，其中所述參考電極沿第一軸被放 置和工作電極沿第二軸被放置，第二軸與第一軸不一致。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的傳感器，其中所述第一軸水平地偏離第二軸。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的傳感器，其中所述第一軸垂直地偏離第二軸。
25. 根據(jù)權(quán)利要20所述的傳感器其中所述參考電極選自碳、銅、金、 石墨、鉬、銀-氯化銀、銠和鈀材料。
26. 根據(jù)權(quán)利要20所述的傳感器，其中所述工作電極選自碳、銅、金、 石墨、鈾、銀-氯化銀、銠和鈀材料。
27. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的傳感器，其中所述第二傳導(dǎo)材料選自傳導(dǎo) 流體、傳導(dǎo)溶液、傳導(dǎo)膠體、含鹽膠體、含少量銀離子(Ag+)的氯化鉀(KC1) 的傳導(dǎo)聚合物。
全文摘要
形成傳感器的方法，其可以包括在襯底的第一部分之上應(yīng)用第一傳導(dǎo)材料以形成參考電極和在襯底上放置第一掩模，第一掩模具有暴露參考電極和襯底之第二部分的開(kāi)口。該方法還包括將第二傳導(dǎo)材料放置第一掩模中的開(kāi)口里，第二傳導(dǎo)材料直接與參考電極接觸，以及將第二掩模放置在第二傳導(dǎo)材料之上，第二掩模在襯底的第二部分之上具有開(kāi)口，開(kāi)口暴露第二傳導(dǎo)材料之一部分，其形成工作表面以接受目標(biāo)流體。
文檔編號(hào)G01N27/30GK101360992SQ200780001492
公開(kāi)日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2007年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月27日
發(fā)明者K·M·柯里 申請(qǐng)人:愛(ài)德華茲生命科學(xué)公司