專利名稱：To型封裝集成電路元器件老化試驗(yàn)插座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微電子元器件老化試驗(yàn)插座，尤其能對(duì)TO型封裝集成電路元器件可 靠性進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)和測(cè)試的插座。
背景技術(shù)：
目前，在我國(guó)可靠性技術(shù)領(lǐng)域，公知的老化試驗(yàn)插座本體材料采用的是非耐高溫普通工 程塑料，而在對(duì)TO型封裝集成電路元器件進(jìn)行試驗(yàn)和測(cè)試時(shí)，老化工作溫度僅為-25°C +85 °C，且老化工作時(shí)間短暫，插座接觸件表面鍍銀，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，存在著與被測(cè)器件之間接觸電 阻大、耐環(huán)境弱、 一致性不高和機(jī)械壽命不長(zhǎng)的重大缺陷。在我國(guó)微電子元器件可靠性領(lǐng)域， 這種TO型封裝集成電路元器件高端技術(shù)產(chǎn)品，因無高溫老化可靠性試驗(yàn)的專用裝置，不能滿 足對(duì)器件性能指標(biāo)的測(cè)試要求，容易引發(fā)工程質(zhì)量事故。
發(fā)明內(nèi)容
為克服T0型封裝集成電路元器件現(xiàn)有老化試驗(yàn)插座在接觸電阻、耐高溫和一致性以及使 用壽命方面的不足，本實(shí)用新型提供一種高溫老化試驗(yàn)測(cè)試插座。該插座不僅能將老化工作 溫度范圍從-25'C +85'C提高到-65'C +15(TC、 一次老化連續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng)達(dá)1000h (150°C) 以上、插拔壽命5000次以上，而且在對(duì)被測(cè)試器件進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試過程中，具 有接觸電阻小、 一致性好、可靠性高、零插拔力、表面耐磨和使用方便的優(yōu)點(diǎn)，大大提高了 插座的可靠性和使用壽命。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是按照8線T0型封裝微電子元器件結(jié)構(gòu)設(shè) 計(jì)和尺寸要求，將插座設(shè)計(jì)成三大組成部分，即插座體、接觸件和鎖緊裝置。插座體由座、 蓋組成，選用進(jìn)口 PPS耐高溫型工程塑料，經(jīng)高溫注塑成型工藝技術(shù)制造成插座本體，用于 被試器件的定位安裝。接觸件選用QBe2鈹青銅材料經(jīng)線切割機(jī)切割下料及打彎成型簧片和錫 磷青銅材料經(jīng)車銑成型簧片，經(jīng)30(TC高溫淬火處理及電鍍硬金層技術(shù)表面鍍金，以靜止簧 片和可位移簧片的8組雙簧片結(jié)構(gòu)按半徑為6. 35mm的圓形軌跡排列，與被試器件引出線相對(duì) 應(yīng)、自動(dòng)鎖緊和零插拔力結(jié)構(gòu)安裝于插座體上。鎖緊裝置由滑塊和手柄組成，手柄處于初始 位置時(shí)，接觸件張開，插入被試器件，當(dāng)手柄受力向下翻轉(zhuǎn)9(T時(shí)，由于手柄的徑向尺寸差， 從而使滑塊產(chǎn)生位移，促使接觸件的可位移簧片向靜止簧片橫向運(yùn)動(dòng)，達(dá)到鎖緊被試器件引 出線的效果。當(dāng)被試器件鎖緊后，即可對(duì)被試器件通電進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試。當(dāng)手 柄受力向上翻轉(zhuǎn)90。時(shí)，接觸件復(fù)位初始。這種以與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)的、圓形排列、 橫向自鎖式和零插拔力為設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的試驗(yàn)插座，徹底解決了在高溫老化試驗(yàn)和性能測(cè)試過程 中的接觸電阻大、耐環(huán)境弱、 一致性差和機(jī)械壽命不長(zhǎng)的技術(shù)難點(diǎn)。
本實(shí)用新型的有益效果是可以滿足8線和其它同類TO型封裝集成電路元器件高溫老化 試驗(yàn)和性能測(cè)試，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白、替代了進(jìn)口，為國(guó)家節(jié)約了外匯，為用戶節(jié)約了成本， 可以獲得較大的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

圖1是本實(shí)用新型的外形結(jié)構(gòu)縱剖面構(gòu)造圖。 圖2是本實(shí)用新型外型結(jié)構(gòu)俯視圖。
圖l l壓簧2接觸件 3接觸件 4蓋5滑塊6座7擋板8手柄9
手柄球
圖2 IO不銹鋼開槽沉頭自攻螺釘具體實(shí)施方式
在圖1中，將接觸件即簧片裝入座6內(nèi)，然后按孔的位置將滑塊5裝在座6上；再
將接觸件即簧片按與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)的方式裝進(jìn)座6上；裝入壓簧1和擋板7，將手柄 8放在座6與滑塊5之間；然后將蓋4按孔放在座6之上，最后用圖2中的不銹鋼開槽沉頭 自攻螺釘10將圖1中的蓋4與認(rèn)6固定住。
該方案中，插座體用于被試器件的安裝定位，接觸件由鍍金簧片按半徑為6.35ram的圓形 軌跡排列的結(jié)構(gòu)安裝于插座體的座中，與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)，鎖緊裝置由滑塊和手柄組 成，安裝于插座體一側(cè)。當(dāng)手柄處于初始位置時(shí)，接觸件張開，放入被試器件后，手柄受力 向下翻轉(zhuǎn)90°時(shí)，接觸件自動(dòng)鎖緊被試器件，該鎖緊裝置使插座具有橫向鎖緊和零插拔力的 結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求1.一種適用于TO型封裝集成電路元器件老化試驗(yàn)的插座，其特征是它是由插座體、接觸件和鎖緊裝置三個(gè)部分統(tǒng)一組成，插座體由座(6)和蓋(4)組成，插座體選用進(jìn)口的耐高溫型特種工程塑料，經(jīng)高溫注塑成型工藝技術(shù)制造而成，接觸件(2)(3)安裝于插座體的座(6)中，鎖緊裝置安裝于插座體的座(6)中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0型封裝集成電路元器件老化試驗(yàn)的插座，其特征是插座體、 接觸件和鎖緊裝置是一個(gè)統(tǒng)一整體，接觸件由中心對(duì)稱的8線鍍金簧片呈半徑為6. 35mm的圓 形軌跡排列組成，安裝于座(6)內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0型封裝集成電路元器件老化試驗(yàn)的插座，其特征是插座的 鎖緊裝置由滑塊(5)和手柄(8)組成，以推拉式結(jié)構(gòu)把接觸件設(shè)計(jì)成橫向自鎖式、零插拔力結(jié) 構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種微電子元器件老化試驗(yàn)插座，尤其能對(duì)TO型封裝集成電路元器件可靠性進(jìn)行高溫老化試驗(yàn)和測(cè)試的插座。該插座按照8線TO型封裝微電子元器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和尺寸要求，將插座設(shè)計(jì)成插座體、接觸件和鎖緊裝置三大部分，插座體由座、蓋組成，接觸件由靜止簧片和可位移簧片的8組雙簧片結(jié)構(gòu)按半徑為6.35mm的圓形軌跡排列，與被試器件引出線相對(duì)應(yīng)、自動(dòng)鎖緊和零插拔力結(jié)構(gòu)安裝于插座體上。鎖緊裝置由滑塊和手柄組成，手柄處于初始位置時(shí)，接觸件張開，當(dāng)手柄受力向下翻轉(zhuǎn)90°時(shí)，由于手柄的徑向尺寸差，從而使滑塊產(chǎn)生位移，促使接觸件的可位移簧片向靜止簧片橫向運(yùn)動(dòng)，達(dá)到鎖緊被試器件引出線的效果。當(dāng)手柄受力向上翻轉(zhuǎn)90°時(shí)，接觸件復(fù)位初始。
文檔編號(hào)G01R1/02GK201141875SQ20072010931
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月10日
發(fā)明者曹宏國(guó) 申請(qǐng)人:曹宏國(guó)