專利名稱：液晶顯示裝置斷線的修復方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置斷線的修復方法。
背景技術：
傳統的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖 像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示裝置(LCD)具有(也稱彩 膜基板)和下基板(也稱陣列基板)，彼此有一定間隔和互相正對，形成在兩個 基板上的多個電極相互正對，液晶夾在上基板和下基板之間,，電壓通過基板上 的電極施加到液晶上，然后根據所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖 像、因為如上所述液晶顯示裝置不發(fā)射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液 晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源，根據液晶分子的排列控制從背光 源入射的光量從而顯示圖像。在兩塊偏光片之間夾有玻璃基板、彩色濾光片、 電極、液晶層和晶體管薄膜，液晶分子是具有折射率及介電常數各向異性的物 質。背光源發(fā)出的光線經過下偏光片，成為具有一定偏振方向的偏振光。晶體 管控制電極之間所加電壓，而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏 振光透過相應的彩膜色層后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片， 則顯示出相應的顏色；電場強度不同，液晶分子的偏轉角度也不同，透過的光 強不一樣，顯示的亮度也不同，通過紅綠藍三種顏色的不同光強的組合來顯示 五顏六色的圖像。
LCD裝置包括彩膜基板和陣列基板，以及通過滴下方法而形成于該彩膜基 板和陣列基板之間的液晶層。陣列基板板包括多條選通線，這些選通線以固 定間隔沿第一方向布置；多條數據線，這些數據線以固定間隔沿垂直于第一方 向的第二方向布置；多個像素電極以矩陣結構布置在由交叉的選通線和數據線
所限定的像素區(qū)域內以及多個薄膜晶體管，這些薄膜晶體管能夠提供給選通 線的數據而將信號從數據線傳遞給像素電極。彩膜基板包括黑色矩陣(BM: black matrix),該黑矩陣防止光從第一基板的除了像素區(qū)域外的部分發(fā)出；紅綠藍彩膜用于顯示彩色光，以及公共電極，用于形成顯示所需電場。在相互貼 合的玻璃基板之間有保持盒厚的間隔物。
在實際產品的制造過程中，斷線不良占到了總體不良比重很大。為了提高生 產的良品率通常是對導通不良的導線進行修復。在陣列工藝過程中，通過不同 的檢測設備在做完各導線層后進行開路短路方面的測量，以及時發(fā)現不良，及 時進行修復，由于在剛做完金屬層進行的測量和修復，因而可以得到比較好的
導通效率和信賴性結果。上述修復方法一般為激光的切割和激光CVD ( Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)。通過對局部的金屬或者導電圖形進行切割 可以修復部分由于殘留金屬或導電物造成的短路，通過對局部進行激光CVD可 以將斷開的導線進行連接，以修復該斷線。
上述斷線修復是在金屬導線層形成后，絕緣膜尚未形成前進行,激光CVD形 成的金屬直接覆蓋于導線表面，因而有比較好的接觸特性。但是當導線表面形 成絕緣膜之后上述修復方法無法適用，并且在工程內存在著相當大的斷線漏檢 幾率， 一旦在覆蓋絕緣膜后發(fā)現存在斷線，則只能依靠特殊設計及后續(xù)工藝來 對斷線進行修復。針對目前在陣列側對已經完成絕緣膜覆蓋的斷線進行修復的 方式簡單說明如下首先找出陣列側已經完成絕緣膜覆蓋的斷線發(fā)生的地方， 其次利用高能激光對斷線處兩側金屬上方的絕緣膜進行打擊，以去除表面的絕 緣膜，漏出導電層-,然后通過激光CVD在表面覆蓋金屬導電膜而使得原先斷開
容易與環(huán)境氣體發(fā)生反應會在高溫下容易被氣化或受熱不均飛濺而導致導電介 質缺失而影響接觸特性等缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該修復方法 通過沉積導電層和斷線金屬電氣導通的方式進行修復斷線金屬。
為達到上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶 顯示裝置中包括第 一絕緣層和第二絕緣層，位于第 一絕緣層中間的第 一導電層， 第一絕緣層與第二絕緣層之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第 三導電層，其特征在于，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b，在保護性氣體的保護下對第二導電層斷 線區(qū)域上方進行沉積導電層的淀積；步驟c，在完成陣列基板和彩膜基板制造之 后，利用激光聚焦熔接將沉積導電層和第二導電層導通。
本發(fā)明的另一技術方案是提供一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶 顯示裝置中包括第一絕緣層和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層， 第一絕緣層與第二絕緣層之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第 三導電層，其特征在于，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測 第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b,在保護性氣體的保護下對第二導電層斷 線區(qū)域上方進行沉積導電層的淀積；步驟c，在整個熔接部分周圍用保護性氣體 進行包圍，激光從淀積的導電層側入射將沉積導電層和第二導電層導通。
本發(fā)明的另一技術方案是提供一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶 顯示裝置中包括第一絕緣層和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層， 第一絕緣層與第二絕緣層之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第 三導電層，其特征在于，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用^r測設備檢測 第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b，在保護性氣體的保護下對第二導電層斷 線區(qū)域上方進行沉積導電層的淀積；步驟c，在整個熔接部分周圍用保護性氣體 進行包圍，激光從第一絕緣層側入射將沉積導電層和第二導電層導通。
本發(fā)明的另一技術方案是提供一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶 顯示裝置中包括第 一絕緣層和第二絕緣層，位于第 一絕緣層中間的第 一導電層， 第一絕緣層與第二絕緣層之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第 三導電層，其特征在于，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測 第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b,利用激光熔化第二導電層的金屬將該金 屬膨脹刺穿第二絕緣層；步驟c,在保護性氣體的保護下對第二導電層斷線區(qū)域 上方進行沉積導電層的淀積。
本發(fā)明由于采用了上述的技術方案，使之與現有技術相比，具有以下的優(yōu)點 和積極效果本發(fā)明修復方法在陣列制作過程中斷線不良發(fā)生后通過沉積導電 層和破壞絕緣膜而使斷線金屬及在上方局部制作的沉積導電層電氣導通，從而
提尚產品良品率。


圖1為液晶顯示裝置發(fā)生斷線的結構示意圖2為本發(fā)明斷線^修復方法的第一實施例沉積導電層后的示意圖3為本發(fā)明斷線修復方法的第一實施例激光熔接的示意圖4為本發(fā)明斷線修復方法的第一實施例修復后的示意圖5為本發(fā)明斷線^f奮復方法的第二實施例沉積導電層后的示意圖6為本發(fā)明斷線修復方法的第二實施例修復后的示意圖7為本發(fā)明斷線修復方法的第三實施例激光熔接的的示意圖8為本發(fā)明斷線修復方法的第四實施例激光熔接的的示意圖9為本發(fā)明斷線修復方法的第四實施例沉積導電層后的示意圖。
具體實施例方式
以下將結合附圖對本發(fā)明的液晶顯示裝置斷線的修復方法作進一步的詳細 描述。
如圖1，在液晶顯示裝置中，第一導電層1位于第一絕緣層2中間，第一 絕緣層2與第二絕緣層4之間具有第二導電層3,位于第二絕緣層4 一邊上具有 第三導電層5,但是往往第二導電層3容易發(fā)生斷線，如圖1的斷線發(fā)生處101。 通過檢測設備，如SIMADZU公司產的測試設備PS5000或0HT公司產的GX-3設 備等，檢測出如圖1的斷線發(fā)生處101。
實施例1
如圖2所示，實施例1的修復方法通過激光化學氣相沉積(Chemical Vapor
102的淀積， 一般該沉積導電層為金屬，并且以鎢金屬最為普遍。經檢測合格的 基板流往后續(xù)工程。在成盒工程主要經歷如下工藝陣列基板側和彩膜基板側 的配向膜印刷，固化，摩擦過程，液晶滴入形成一液晶層103，基板貼合，封框 膠固化工程，切割，偏光板貼附，屏檢過程。在陣列基板和彩膜基板完成上述 工藝之后，移動到激光修復設備，如圖3所示，利用激光104聚焦熔接將沉積 導電層102和第二導電層3導通，從而修復第二導電層3的斷線，最后修復結 果如圖4所示。實施例2
如圖5所示，實施例2的修復方法是通過激光CVD設備在保護性氣體的保 護下對斷線區(qū)域進行沉積導電層102的淀積。經過淀積完成的金屬圖形覆蓋斷 線部分，并且與斷線金屬有交疊部分。為防止在激光熔接過程中產生氧化等影 響，在整個熔接部分周圍用保護性氣體105進行包圍，保護性氣體一般為惰性 氣體，高能激光104從淀積的導電層102側入射，在上述淀積導電層102與斷 線金屬交疊處進行熔接，從而使得沉積導電層102與第二導電層3導通，從而 修復第二導電層3的斷線，最后修復結果如圖6所示。
實施例3
如圖7所示，實施例3的修復方法是通過激光CVD設備在保護氣體的保護 下對斷線區(qū)域進行沉積導電層102的淀積。經過淀積完成的金屬圖形覆蓋斷線 部分，并且與斷線金屬有交疊部分。為防止在激光熔接過程中產生氧化等影響， 在整個熔接部分周圍用保護性氣體105進行包圍，保護性氣體一般為惰性氣體， 高能激光104從第一絕緣層2側入射，在上述淀積導電層102與斷線金屬交疊 處進行熔接，從而使得沉積導電層102與第二導電層3導通，從而修復第二導 電層3的斷線，最后修復結果與實施例2的修復結果相同，如圖6所示。
實施例4
實施例4的修復方法是通過高能激光104熔化第二導電層3的金屬，高溫 下金屬將膨脹刺穿第二絕緣層4且露出于第二絕緣層4表面，如圖8所示。為 防止在激光熔接過程中產生氧化等影響，在整個熔接部分周圍用保護性氣體105 進行包圍，保護性氣體一般為惰性氣體。通過激光CVD設備在保護性氣體的保 護下對第二導電層3斷線區(qū)域進行沉積導電層102的淀積，如圖9所示，覆蓋 區(qū)域為第二導電層3斷線區(qū)域及上述刺穿導通區(qū)域，通過上述淀積導電層102 與第二導電層3刺穿導通部分的連接^^得淀積導電層102與第二導電層3上下 連通，起到修復斷線的作用。
上述實施例中的第二導電層3可以為數據線導線或柵極導線。 以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實施例，并不能以此來限定本發(fā)明的 范圍。任何對本發(fā)明的裝置或方法作本技術領域內熟知的步驟的替換、組合、 分立，以及對本發(fā)明實施步驟作本技術領域內熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明的揭露以及保護范圍。
權利要求
1. 一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶顯示裝置中包括第一絕緣層和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層，第一絕緣層與第二絕緣層之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第三導電層，其特征在于，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b，在保護性氣體的保護下對第二導電層斷線區(qū)域上方進行沉積導電層的淀積；步驟c，在完成陣列基板和彩膜基板制造之后，利用激光聚焦熔接將沉積導電層和第二導電層導通。
2. —種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶顯示裝置中包括第一絕緣層 和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層，第一絕緣層與第二絕緣層 之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第三導電層，其特征在于， 其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測第二導電層中斷線發(fā)生的位置； 步驟b,在保護性氣體的保護下對第二導電層斷線區(qū)域上方進行沉積導電層 的淀積；步驟c，在整個熔接部分周圍用保護性氣體進行包圍，激光從淀積的導電層 側入射將沉積導電層和第二導電層導通。
3. —種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶顯示裝置中包括第一絕緣層 和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層，第一絕緣層與第二絕緣層 之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第三導電層，其特征在于，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b，在保護性氣體的保護下對第二導電層斷線區(qū)域上方進行沉積導電層的淀積；步驟c，在整個熔接部分周圍用保護性氣體進行包圍，激光從第一絕緣層側 入射將沉積導電層和第二導電層導通。
4. 一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶顯示裝置中包括第一絕緣層 和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層，第一絕緣層與第二絕緣層 之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第三導電層，其特征在于， 其修復方法包括以下步驟步驟a,利用檢測設備檢測第二導電層中斷線發(fā)生的位置； 步驟b，利用激光熔化第二導電層的金屬將該金屬膨脹刺穿第二絕緣層； 步驟c，在保護性氣體的保護下對第二導電層斷線區(qū)域上方進行沉積導電層 的淀積。
5. 如權利要求1至4任一項權利要求所述的液晶顯示裝置斷線的修復方法，積的步驟是通過激光化學氣相沉積設備完成的。
6. 如權利要求1至4任一項權利要求所述的液晶顯示裝置斷線的修復方 法，其特征在于，所述保護性氣體為惰性氣體。
7. 如權利要求1至4任一項權利要求所述的液晶顯示裝置斷線的修復方 法，其特征在于，所述第二導電層為數據線導線。
8. 如權利要求1至4任一項權利要求所述的液晶顯示裝置斷線的修復方 法，其特征在于，所述第二導電層為柵極導線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置斷線的修復方法，該液晶顯示裝置中包括第一絕緣層和第二絕緣層，位于第一絕緣層中間的第一導電層，第一絕緣層與第二絕緣層之間具有第二導電層，位于第二絕緣層一邊上具有第三導電層，其中，其修復方法包括以下步驟步驟a，利用檢測設備檢測第二導電層中斷線發(fā)生的位置；步驟b，在保護性氣體的保護下對第二導電層斷線區(qū)域上方進行沉積導電層的淀積；步驟c，在完成陣列基板和彩膜基板制造之后，利用激光聚焦熔接將沉積導電層和第二導電層導通。本發(fā)明修復方法在陣列制作過程中斷線不良發(fā)生后通過沉積導電層和破壞絕緣膜而使斷線金屬及在上方局部制作的沉積導電層電氣導通，從而提高產品良品率。
文檔編號G01R31/00GK101441335SQ20071017063
公開日2009年5月27日 申請日期2007年11月20日 優(yōu)先權日2007年11月20日
發(fā)明者鋒 秦 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司