專利名稱：Tft陣列基板檢查裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種對(duì)形成于TFT陣列基板等基板上的陣列進(jìn)行檢 查的TFT陣列基板檢查裝置。
背景技術(shù)：
10 TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板檢查裝置，
是利用缺陷檢測(cè)用信號(hào)圖案驅(qū)動(dòng)TFT陣列基板，并借由對(duì)此時(shí)的驅(qū)動(dòng) 狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)而檢查缺陷位置或缺陷種類等，由此判斷整個(gè)陣列的優(yōu) 劣程度?？墒褂酶鞣N方法對(duì)該TFT陣列驅(qū)動(dòng)狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)，例如，借 由照射電子束或者光而進(jìn)行的方法、對(duì)流經(jīng)TFT的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)的方
15 法等。
于借由照射電子束對(duì)TFT陣列進(jìn)行檢查的裝置中，例如，對(duì)借由 向TFT陣列照射電子束而產(chǎn)生的二次電子強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)(例如是請(qǐng)參 照專利文獻(xiàn)l)。又，使用有光照射的檢查裝置中，眾所周知的裝置例 如，與TFT陣列基板之間隔開間隙而配置光電元件，以檢測(cè)照射光的 20反射狀態(tài)的裝置(例如是請(qǐng)參照專利文獻(xiàn)2)。
檢測(cè)二次電子強(qiáng)度的TFT陣列基板裝置，是基于由TFT陣列基板 所產(chǎn)生的二次電子的強(qiáng)度，對(duì)借由驅(qū)動(dòng)TFT陣列基板而產(chǎn)生的ITO電 壓狀態(tài)進(jìn)行判斷，而檢測(cè)照射光的反射狀態(tài)的TFT陣列基板裝置，是 借由對(duì)照射光的反射角等進(jìn)行檢測(cè)，而對(duì)TFT陣列基板所產(chǎn)生的電場(chǎng) 25的光電元件折射率的變化進(jìn)行判斷。
專利文獻(xiàn)l:特開2005-24378號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:特開平ll-271800號(hào)公報(bào)
TFT的缺陷存在各種類型。例如，應(yīng)為連接的配線處于開放狀態(tài) 的開路缺陷、或必須絕緣的配線之間為短路狀態(tài)的短路缺陷等。 30 當(dāng)處于配線完全開放的狀態(tài)、或者處于配線之間完全短路的狀態(tài)
的情形時(shí)，可由上述二次電子的強(qiáng)度、或照射光的反射角度而容易地 判斷。
然而，開路缺陷中除配線為完全開放狀態(tài)的外亦包括斷開狀態(tài)， 又，短路缺陷中除配線為完全短路狀態(tài)的外亦包括連接狀態(tài)，此種不 35完全缺陷稱作弱泄漏，其存在使缺陷判斷變得困難的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述目的，本發(fā)明的特征在于提供一種TFT陣列基板檢 查裝置，其具備驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)TFT陣列基板的晶體 管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；晶體管特性變化裝置，用以改變構(gòu)成上述TFT基板的 5晶體管的特性；檢查裝置，用以從上述驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置的輸出，檢 查上述晶體管的特性產(chǎn)生變化狀態(tài)的上述TFT陣列基板的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列基板檢查裝置，可使稱作弱泄漏的缺陷的 判斷變得容易。


圖l是用以說明本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例的圖示。 圖2是用以說明本發(fā)明的二次電子檢測(cè)器的 一個(gè)構(gòu)成例的圖示。 圖3是表示電子所具有的能量、與該電子于鋁中移動(dòng)的移動(dòng)距離的關(guān) 系圖。
圖4表示可視光對(duì)于鋁膜厚的透過率。
圖5 (A) ~圖5 (C)是用以說明鋁膜厚與電子及可視光的透過波長范 圍的圖示。
圖6是用以說明本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例的圖示。 圖7是用以說明本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例的圖示。 圖8是用以說明本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例的圖示。
1:TFT陣列基板檢查裝置2:電子束源
3:電子束4:可視光照射裝置
5:二次電子檢測(cè)器5a:光電倍增管
5b:玻璃基板5c:閃爍體材料5d:鋁薄膜6:檢查裝置
7:可視光8:二次電子
10:TFT陣列M11:TFT陣列g(shù)檢查
12:電子束源13電子束
14:加熱器15二次電子檢測(cè)器
16:檢查裝置18二次電子
21:TFT陣列基板檢查裝置22光源
23:光24電磁波照射裝置
25:光檢測(cè)器26檢查裝置
28:光29光電元件
31:TFT陣列基板檢查裝置32光源
33:光34'加熱器
35:光檢測(cè)器 36:檢查裝置
38:光 39:光電元件
具體實(shí)施例方式
5 以下，參照?qǐng)D示就本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)加以詳細(xì)說明。
本發(fā)明的TFT陣列基板檢查裝置的第1、 2實(shí)施形態(tài)，是對(duì)照射電 子束后所獲得的二次電子進(jìn)行檢測(cè)的形態(tài)，第3、 4實(shí)施形態(tài)是對(duì)光電 元件的光的光學(xué)變化進(jìn)行檢測(cè)的形態(tài)。
此等實(shí)施形態(tài)中，第1、 3實(shí)施形態(tài)構(gòu)成為，借由將可視光等的電 io 磁波照射至TFT陣列基板上，而使硅的晶體管特性產(chǎn)生變化，而第2、 4實(shí)施形態(tài)構(gòu)成為，借由利用加熱單元加熱TFT陣列基板，而使硅的 晶體管特性產(chǎn)生變化。
首先，使用圖1就本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例加以說明。圖1 中，TFT陣列基板檢查裝置1包括電子束源2,其向TFT陣列基板 is 10照射電子束3， 二次電子檢測(cè)器5,其對(duì)借由照射電子束3而自TFT 陣列基板IO放出的二次電子8進(jìn)行檢測(cè)，檢查裝置6，其基于由二次 電子檢測(cè)器5所檢測(cè)出的二次電子的強(qiáng)度信號(hào)，進(jìn)行TFT陣列缺陷等 的檢查。
TFT陣列基板檢查裝置1更包括作為晶體管特性變化單元的晶體 20 管特性變化裝置，用以改變TFT陣列基板10的晶體管特性。于實(shí)施型 態(tài)中，具備有作為晶體管特性變化單元的可視光照射裝置(可視光照射 單元)4?？梢暪庹丈溲b置4，向電子束3照射于TFT陣列基板10上的 電子束照射區(qū)域，照射可視光7。檢查裝置6借由作為晶體管特性變 化裝置的可視光照射裝置4,檢查晶體管特性產(chǎn)生變化狀態(tài)時(shí)的TFT 25 陣列基板10的缺陷。
TFT陣列基板IO所具備的硅的晶體管特性，借由所照射的可視光 7而產(chǎn)生變化。
可視光照射裝置4,除LED以外，亦可使用白色燈。再者，由于 白色燈具有較寬的波長范圍，故而考慮到因缺陷種類不同而有所不同 30的波長依存性，可倂用波長濾波器而構(gòu)成。又，使用有LED的構(gòu)成的 情形時(shí)，可根據(jù)缺陷的波長依存性而選擇波長。
例.如，a-Si (非晶系硅)型TFT的汲極電流對(duì)閘極電壓特性(轉(zhuǎn) 移特性)為，接通電流與斷開電流的比率大于等于7位數(shù)，又，由于 a-Si的光導(dǎo)電度較大，故而當(dāng)受到光照射時(shí)會(huì)表現(xiàn)出較強(qiáng)的光電場(chǎng)效 35應(yīng)。借由該光電效應(yīng)，例如，^使用2000 lx的白色光照射TFT的情形 時(shí)，斷開電流的電流比大于等于2位數(shù)。
本發(fā)明的TFT陣列基板檢查裝置1，借由該光照射所產(chǎn)生的光電 效應(yīng)，使因缺陷所產(chǎn)生的較弱的斷開電流泄漏增大，藉此增強(qiáng)泄漏， 由此使缺陷檢查變得容易。
雖然無缺陷部分的斷開電流亦將增大，而缺陷部分與正常部分的 5斷開電流相比，缺陷部分的斷開電流更加受到增強(qiáng)而增大。
由于TFT陣列基板10的電壓對(duì)應(yīng)于該斷開電流的變化而產(chǎn)生變 化，故而本發(fā)明的TFT陣列基板裝置，可利用二次電子檢測(cè)器5檢測(cè) 相應(yīng)于該電壓而放出的二次電子。經(jīng)檢測(cè)的二次電子的強(qiáng)度，于缺陷 部分與正常部分受到增強(qiáng)而被檢測(cè)出，因此即使對(duì)于稱作弱泄漏的不 io完全缺陷，亦可良好地進(jìn)行識(shí)別且進(jìn)行缺陷檢查。
再者，此處雖以a-Si (非晶系硅)型TFT為例，但p-Si (多晶硅) 型TFT或c-Si (單結(jié)晶硅)型TFT的情形時(shí)，亦與a-Si型TFT相同。 再者，關(guān)于所照射的電磁波的波長，選擇對(duì)應(yīng)于相關(guān)硅的特性的波長。 圖1所示的構(gòu)成例中，二次電子檢測(cè)器5中，有時(shí)與二次電子8 is—同，由可視光照射裝置4直接射入可視光7,或者由TFT陣列基板 IO或檢查裝置內(nèi)的壁面反射而射入可視光7。
通常，具備SEM等功能的二次電子檢測(cè)裝置，構(gòu)成為使用將電子 轉(zhuǎn)換成光的閃爍器及將光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光電子倍増管等光電變換裝 置(光電轉(zhuǎn)換單元)，故而除作為檢測(cè)對(duì)象的二次電子以外，光亦產(chǎn)生 20 反應(yīng)。因此，本發(fā)明的TFT陣列基板檢查裝置中，若對(duì)作為檢查對(duì)象 的TFT陣列基板照射光，則于二次電子檢測(cè)時(shí)，該光作為噪聲成分混 入，而對(duì)正常的二次電子檢測(cè)產(chǎn)生不良影響。
為了防止該情形，于二次電子檢測(cè)器5的閃爍體表面實(shí)施鋁涂層， 利用該鋁遮蔽光，而僅使必須檢測(cè)的二次電子通過(透過)。 25 圖2是用以說明二次電子檢測(cè)器5的一個(gè)構(gòu)成例的圖示。圖2中，
二次電子檢測(cè)器5，是于光電倍增管5a的光入射側(cè)具有玻璃基板5b。 而且，于此玻璃基板5b的外表面設(shè)置Csl等閃爍器材料5c。此具有 光電倍增管5a、玻璃基板5b以及閃爍器材料5c的構(gòu)成與普通二次電 子檢測(cè)器相同。于此二次電子檢測(cè)器5進(jìn)一步借由賊鍍等方法使鋁薄 30 膜5d蒸鍍于閃爍器材料5c的表面?zhèn)取?br> 再者，關(guān)于將光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的裝置，除光電倍增管5a以外，亦 可使用CCD影像傳感器或MOS型影像傳感器等半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換元件。
當(dāng)射入可視光7與二次電子8至二次電子檢測(cè)器5的鋁薄膜5d時(shí)， 可視光7受到鋁薄膜5d的遮蔽，僅二次電子8通過鋁薄膜5d而到達(dá) 35閃爍器材料5c。然后，此二次電子8借由閃爍器材料5c而轉(zhuǎn)換成光。 經(jīng)轉(zhuǎn)換的光借由光電倍增管5a而轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，繼而送至檢查裝置
中。
以下，使用圖3、圖4,對(duì)鋁膜厚與電子能量的關(guān)系加以說明。圖 3表示電子所具有的能量與該電子于鋁中移動(dòng)的移動(dòng)距離的關(guān)系。再 者，由于二次電子的能量為數(shù)eV，而向閃爍器施加數(shù)kV~ 10 kV的正 5電壓，故而二次電子得到加速，以高電壓能量入射至閃爍體。
由圖3可知，具有10 eV的能量的電子于鋁中的移動(dòng)距離為0. 16 mg/cm2。另一方面，因鋁的比重為27000 mg/cm3，故其膜厚為6000 A (=0.16 mg/cm 2/27000 mg/cm3 )。
因此，二次電子于10 kV下加速時(shí)可使用6000 A的鋁膜厚進(jìn)行遮
io 蔽。
圖4表示入=6500 A以及A = 2200 A的光對(duì)于鋁膜厚的透過率。 入=6500 A相當(dāng)于可視光的紅光的長波長，入=2200 A則相當(dāng)于可視 光的藍(lán)光的短波長。由圖4可知，可視光區(qū)域中，可使用400 A的鋁 膜厚進(jìn)行遮蔽。
is 圖5表示上述鋁膜厚的關(guān)系，圖5 (a)表示透過與不透過可視光
的鋁膜厚的邊界，圖5 (b)表示透過與不透過二次電子的鋁膜厚的邊 界，圖5(c)是將圖5 (a)與圖5 (b)組合后表示禁止可視光通過 而使二次電子通過的鋁膜厚范圍。因此，可借由將鋁膜厚設(shè)于400 A~ 6000 A的范圍內(nèi)，而遮蔽可視光，且使二次電子通過閃爍器。
20 使用圖6,就本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例加以說明。圖6中，
TFT陣列基板檢查裝置11包括電子束源12，其向TFT陣列基板10 照射電子束13， 二次電子檢測(cè)器15,其對(duì)借由照射電子束13而自TFT 陣列基板IO放出的二次電子18進(jìn)行檢測(cè)，檢查裝置16，其基于由二 次電子檢測(cè)器15所檢測(cè)出的二次電子的強(qiáng)度信號(hào)而進(jìn)行TFT陣列缺陷
25 等的檢查，加熱器(作為加熱單元的加熱裝置)14,用以作為晶體管特 性變化裝置。此加熱器14,將TFT陣列基板10加熱至特定溫度。加 熱器14，可使用護(hù)套發(fā)熱器或燈管.
此加熱器14使用燈管，并使用此燈管加熱TFT陣列基板10的情 形時(shí)，TFT陣列基板10的溫度可能存在不均。但是，在借由此燈管將
30 TFT陣列基板加熱至特定溫度的構(gòu)成，可倂用上述光照射的構(gòu)成。又， 可依據(jù)缺陷的波長依存性而設(shè)定加熱溫度。
使用圖7，就本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例加以說明。圖7中， TFT陣列基板檢查裝置21包括光源22，其向TFT陣列基板10照射 光23，光電元件29，其與TFT陣列基板IO之間隔有微小間隙而配置，
35光檢測(cè)器25,其對(duì)由光電元件29的反射面所反射的光28進(jìn)行檢測(cè)。 進(jìn)而，TFT陣列基板檢查裝置21更包括檢查裝置26,其基于光檢測(cè)
器25所檢測(cè)出的光強(qiáng)度信號(hào)而進(jìn)行TFT陣列缺陷等的檢查，電磁波照 射裝置(電磁波照射單元)24,用以作為晶體管特性變化裝置。此電磁 波照射裝置24可作為上述第1實(shí)施形態(tài)中所示的白色燈或LED等可視 光照射裝置(可視光照射單元)。 5 電磁波照射裝置24向光23照射于TFT陣列基板10上的照射區(qū)域，
照射可視光等的電f茲波27。
TFT陣列基板10所具備的硅的晶體管特性，借由所照射的電磁波 '27而產(chǎn)生變化。
借由該晶體管特性的變化，TFT陣列基板IO上的電壓分布產(chǎn)生變 io 化，使得施加于光電元件29上的電場(chǎng)亦產(chǎn)生變化。若施加于光電元件 29上的電場(chǎng)產(chǎn)生變化，則光電元件29的折射率會(huì)改變，故而由光電 元件29的反射面所反射的光23的出射方向改變。該光2 3的出射方向 的變化是作為光檢測(cè)器25的檢測(cè)強(qiáng)度變化而受到檢測(cè)，藉此可進(jìn)行缺 陷檢查。
is 而且，借由向TFT陣列基板10照射電磁波27，而增強(qiáng)缺陷所引
起的電壓分布偏移，因此缺陷的識(shí)別變得容易。
使用圖8，就本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成例加以說明。圖8中， TFT陣列基板檢查裝置31包括光源32，其向TFT陣列基板10照射 光33,光電元件39,其與TFT陣列基板IO之間隔開細(xì)小間隙而配置，
20 光檢測(cè)器35,其對(duì)光電元件39的反射面所反射的光38進(jìn)行檢測(cè)。進(jìn) 而，TFT陣列基板檢查裝置31更包括檢查裝置36，其基于由光檢測(cè) 器35所檢測(cè)的光強(qiáng)度信號(hào)進(jìn)行TFT陣列缺陷等的檢查，加熱器(作為 加熱單元的加熱裝置)34，用以作為晶體管特性變化裝置。加熱器34 將TFT陣列基板10加熱至特定溫度。而且，此加熱器34可使用護(hù)套
25 發(fā)熱器或燈管。
而且，TFT陣列基板IO所具備的硅的晶體管特性，借由加熱溫度 而產(chǎn)生變化。
借由因該加熱所引起的晶體管特性變化，TFT陣列基板IO上的電 壓分布產(chǎn)生變化，施加于光電元件39上的電場(chǎng)亦產(chǎn)生變化，且光電元 30 件39的折射率借由電場(chǎng)而改變，故而由光電元件39的反射面所反射 的光38的出射方向改變。該光33的出射方向的變化是作為光檢測(cè)器 35的檢測(cè)強(qiáng)度變化而受到檢測(cè)，藉此進(jìn)行缺陷檢查。
而且，借由使用加熱器34將TFT陣列基板10加熱至高溫，而增 強(qiáng)因缺陷所引起的電壓分布偏移，因此缺陷的識(shí)別變得容易。 35 如上述的說明，本發(fā)明的實(shí)施型態(tài)的TFT基板檢查裝置包括驅(qū)
動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置(例如是，具備電子束源2與二次電子檢測(cè)器5的單元，
或是具備電子束源12與二次電子檢測(cè)器15的單元，或是具備光源22 與光檢測(cè)器25的單元，亦或是具備光源32與光檢測(cè)器35的單元)， 用以檢測(cè)TFT陣列基板10的晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。而且，TFT基板檢查 裝置包括晶體管特性變化裝置(可視光照射裝置4、加熱器14、電磁 5 波加熱裝置24、加熱器34)，用以改變構(gòu)成TFT陣列基板10的晶體管 的特性。尚且，TFT基板檢查裝置更包括檢查裝置(6、 16、 26、 36)， 由上述驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置的輸出，檢查上述晶體管的特性產(chǎn)生變化狀 態(tài)的上述TFT陣列基板10的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
依此構(gòu)成的TFT陣列基板檢查裝置，可使稱作弱泄漏的缺陷的判
io 斷變得容易。
而且，本發(fā)明的實(shí)施型態(tài)的TFT基板檢查裝置的上述驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢 測(cè)裝置包括光束照射裝置(電子束源2、 12)，用以照射電子束至上 述TFT陣列基板10， 二次電子檢測(cè)器(5、 15),用以檢測(cè)借由該電子 束照射所產(chǎn)生的二次電子的強(qiáng)度并輸入上述檢查裝置。
is 依此構(gòu)成的TFT陣列檢查基板，借由檢測(cè)以電子束照射而由TFT
陣列基板IO產(chǎn)生的二次電子的強(qiáng)度，使稱作弱泄漏的缺陷的判斷變得 容易。
而且，本發(fā)明的實(shí)施型態(tài)的TFT基板檢查裝置的上述驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢 測(cè)裝置包括光電元件(29、 39)，于TFT陣列基板的上部隔開間隔配 20 置，光照射裝置(光源2、 32)，自上述光電元件(29、 39)的上部照射 光，光檢測(cè)器(25、 35),檢測(cè)由上述光電元件(29、 39)的反射膜所反 射的上述光借由TFT陣列基板10與光電元件(29、 39)之間的電場(chǎng)而產(chǎn) 生的光學(xué)變化，并輸入檢測(cè)輸出至檢查裝置(26、 36)。
依此構(gòu)成的TFT陣列檢查基板，借由檢測(cè)光電元件(29、 39)的反 25射膜所反射的光的光學(xué)變化，使稱作弱泄漏的缺陷的判斷變得容易。 而且，本發(fā)明的實(shí)施型態(tài)的TFT陣列基板檢查裝置，是使構(gòu)成TFT 陣列基板10的硅的晶體管特性，由通常驅(qū)動(dòng)TFT陣列基板10時(shí)的狀 態(tài)產(chǎn)生變化，于此晶體管特性產(chǎn)生變化的狀態(tài)檢查TFT陣列基板10， 藉此使稱作弱泄漏的缺陷的判斷變得容易。 30 例如是，對(duì)硅照射電磁波并加熱，硅的晶體管特性由通常狀態(tài)產(chǎn)
生變化。而且，硅具有光電界效果大的特性，當(dāng)照射可見光區(qū)域的光 時(shí)，斷開電流增大。本發(fā)明的一實(shí)施例利用此特性，相對(duì)于未照射可 視光區(qū)域的光的狀態(tài)因弱斷開電流泄漏所產(chǎn)生的缺陷，借由照射可視 光區(qū)域的光以增大斷開電流，依此強(qiáng)調(diào)泄漏。依此，能夠使稱作弱泄 35 漏的缺陷的判斷變得容易。
而且，上述TFT陣列基板檢查裝置包括晶體管特性變化裝置，
用以改變構(gòu)成TFT陣列基板10的硅的晶體管特性。借由此晶體管特性 變化裝置，使構(gòu)成TFT陣列基板10的硅的晶體管特性產(chǎn)生變化，并檢 查此晶體管特性產(chǎn)生變化狀態(tài)的TFT陣列基板10。
而且，上述TFT陣列基板檢查裝置的第1態(tài)樣中，將電子束照射 5 于TFT陣列基板10上，使用二次電子檢測(cè)器檢測(cè)出由該電子束照射所 產(chǎn)生的二次電子的強(qiáng)度，并利用該二次電子強(qiáng)度對(duì)TFT陣列基板進(jìn)行 檢查的TFT陣列基板檢查裝置中，包括使構(gòu)成TFT陣列基板的硅的晶 體管特性產(chǎn)生變化的晶體管特性變化裝置，且對(duì)二次電子的強(qiáng)度進(jìn)行 檢測(cè)，上述二次電子是借由將電子束照射至晶體管特性產(chǎn)生變化后的
io 狀態(tài)的TFT陣列基板上而獲得。
作為晶體管特性變化裝置的第1形態(tài)，可設(shè)置將電磁波照射至TFT 陣列基板IO上的電磁波照射裝置。電磁波照射裝置借由照射電磁波至 TFT陣列基板10,而使構(gòu)成TFT陣列基板10的硅產(chǎn)生晶體管特性變化， 并檢測(cè)此時(shí)TFT陣列基板10所產(chǎn)生的二次電子的強(qiáng)度。
15 電磁波照射裝置可為照射可視光區(qū)域的光的可視光照射裝置。借
由自可視光照射裝置將可視光照射至TFT陣列基板10上，而使構(gòu)成 TFT陣列基板10的硅的斷開電流增大，并對(duì)由TFT陣列基板10所產(chǎn) 生的二次電子強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)。照射的電磁波，除可視光區(qū)域的光以外， 可使用紅外光、紫外光、放射線等。
20 作為晶體管特性變化單元的第2形態(tài)，可設(shè)置使TFT陣列基板10
溫度上升的加熱器。加熱器借由對(duì)TFT陣列基板10進(jìn)行加熱，而使構(gòu) 成TFT陣列基板10的硅產(chǎn)生晶體管特性變化，并檢測(cè)此時(shí)TFT陣列基 板所產(chǎn)生的二次電子的強(qiáng)度。
本發(fā)明的TFT陣列基板檢查裝置的第2態(tài)樣是，對(duì)所照射光束的
25 反射進(jìn)行檢測(cè)的檢查裝置，其是于TFT陣列基板10的上部隔開間隔配 置光電元件，且自光電元件的上部照射光，檢測(cè)由光電元件的反射膜 所反射的光借由TFT陣列基板IO與光電元件之間的電場(chǎng)而產(chǎn)生的光學(xué) 變化，由此對(duì)TFT陣列基板10進(jìn)行檢查的TFT陣列基板檢查裝置，其 包括使構(gòu)成TFT陣列基板的硅的晶體管特性產(chǎn)生變化的晶體管特性變
30 化裝置，且對(duì)借由電場(chǎng)而產(chǎn)生的光的光學(xué)變化進(jìn)行檢測(cè)，上述電場(chǎng)為 處于晶體管特性產(chǎn)生變化后的狀態(tài)下的TFT陣列基板與光電元件之間 的電場(chǎng)。
作為晶體管特性變化單元的第1形態(tài)，可設(shè)置照射電磁波至TFT 陣列基板IO上的電磁波照射裝置。借由利用電磁波照射裝置將電磁波 35照射至TFT陣列基板10上，而使構(gòu)成TFT陣列基板的硅產(chǎn)生晶體管特 性變化，且檢測(cè)借由該狀態(tài)的TFT陣列基板IO與光電元件之間的電場(chǎng)
所產(chǎn)生的光的光學(xué)變化。
電磁波照射裝置可以是照射可視光區(qū)域的光的可視光照射裝置。 并且，對(duì)借由電場(chǎng)而產(chǎn)生的光的光學(xué)變化進(jìn)行檢測(cè)，上述電場(chǎng)為照射
可視光后的TFT陣列基板10與光電元件之間的電場(chǎng)。用于照射的電磁 5波，除可視光區(qū)域的光以外，亦可使用紅外光、紫外光、放射線等。 又，作為晶體管特性變化裝置的第2形態(tài)，可設(shè)置使TFT陣列基 板10溫度上升的加熱器。借由利用加熱器加熱TFT陣列基板10，而 使構(gòu)成TFT陣列基板10的硅的晶體管特性產(chǎn)生變化，并檢測(cè)借由此狀 態(tài)下的TFT陣列基板10與光電元件之間的電場(chǎng)所產(chǎn)生的光的光學(xué)變 io 化。
以上為借由實(shí)施例來舉例說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于此 些實(shí)施例。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以容易的理解在不脫離本發(fā)明的范 圍或精神的情況下對(duì)比發(fā)明的構(gòu)成進(jìn)行種種的改良或變更。由上述記 載的觀點(diǎn)，本發(fā)明包括改良或變更此發(fā)明的意圖，此種的改良或變更 15包含在權(quán)利要求及其均等物的范圍內(nèi)。
本發(fā)明基于2005年5月2日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2005-134592 號(hào)而主張優(yōu)先權(quán)，包含同申請(qǐng)的說明書、附圖以及權(quán)利要求的申請(qǐng)內(nèi) 容，全部參照并包含于此。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
20 本發(fā)明的陣列檢查，可應(yīng)用于液晶陣列基板或有機(jī)EL陣列基板的
檢查等中。
權(quán)利要求
1.一種TFT陣列基板檢查裝置，其包括驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置，檢測(cè)上述TFT陣列基板的晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；晶體管特性變化裝置，其使構(gòu)成上述TFT陣列基板的硅的晶體管特性產(chǎn)生變化；以及檢查裝置，借由上述檢測(cè)器的輸出，對(duì)上述晶體管特性變化后狀態(tài)的上述TFT陣列基板的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)進(jìn)行檢查。
2. 如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中上述驅(qū)動(dòng)狀 態(tài)檢測(cè)裝置包括光束照射裝置，用以照射電子束至上述TFT陣列基板；以及 二次電子檢測(cè)器，用以檢測(cè)借由上述電子束照射所產(chǎn)生的二次電 子的強(qiáng)度并輸入上述檢查裝置。
3. 如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中上述晶體管 特性變化裝置為向上述TFT陣列基板照射電磁波的電磁波照射裝置。
4. 如權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中上述電磁波 照射裝置為照射可視光區(qū)域的光的可視光照射裝置。
5. 如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中上述晶體管 特性變化單元為使上述TFT陣列基板溫度上升的加熱器。
6. 如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢 測(cè)裝置包括光電元件，于上述TFT陣列基板的上部隔開間隔配置；光照射裝置，自上述光電元件的上部照射光；以及光檢測(cè)器，檢測(cè)由上述光電元件的反射膜所反射的上述光借由上述TFT陣列基板與上述光電元件之間的電場(chǎng)而產(chǎn)生的光學(xué)變化，并輸入檢測(cè)輸出至上述檢查裝置。
7. 如權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板檢查裝置；其中上述晶體管 特性變化裝置為將電磁波照射至上述TFT陣列基板的電磁波照射裝 置。
8. 如權(quán)利要求7所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中上述電磁波 照射裝置為照射可視光區(qū)域的光的可視光照射裝置。
9. 如權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板檢查裝置，其中上述晶體管 特性變化裝置為使TFT陣列基板溫度上升的加熱器。
全文摘要
本發(fā)明的TFT陣列基板檢查裝置(1)包括驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置(例如是，具備電子束源(2)與二次電子檢測(cè)器(5)的單元，或是具備電子束源(12)與二次電子檢測(cè)器(15)的單元，或是具備光源(22)與光檢測(cè)器(25)的單元，亦或是具備光源(32)與光檢測(cè)器(35)的單元)，用以檢測(cè)TFT陣列基板(10)的晶體管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。并包括晶體管特性變化裝置(可視光照射裝置(4)、加熱器(14)、電磁波加熱裝置(24)、加熱器(34))，用以改變構(gòu)成TFT陣列基板(10)的晶體管的特性。更包括檢查裝置(6、16、26、36)，由上述驅(qū)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)裝置的輸出，檢查上述晶體管的特性產(chǎn)生變化狀態(tài)的上述TFT陣列基板(10)的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
文檔編號(hào)G01R31/02GK101107534SQ20068000247
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2006年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月2日
發(fā)明者篠原真 申請(qǐng)人:株式會(huì)社島津制作所