專利名稱：陣列基板檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢查陣列基板的陣列基板檢查方法，陣列基板是液晶顯示板的結(jié)構(gòu)部件。
背景技術(shù)：
液晶顯示板被用于設(shè)備的不同部分，諸如筆記本個(gè)人電腦(筆記本PC)的顯示單元，移動(dòng)電話的顯示單元和電視機(jī)的顯示單元。液晶顯示板包括具有多個(gè)以矩陣排列的像素電極的陣列基板，包括分別面向多個(gè)像素電極的對(duì)置電極的對(duì)置基板，和在陣列基板和對(duì)置基板之間保持的液晶。
陣列基板包括多個(gè)以矩陣排列的像素電極、多條各自沿著像素電極的行排列的掃描線、多條各自沿著像素電極的列排列的信號(hào)線和多個(gè)各自排列在每條掃描線和每條信號(hào)線交叉的交叉位置附近的開關(guān)元件。
有兩種類型的陣列基板，也就是說，其中開關(guān)元件是每個(gè)都使用非晶硅半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管的陣列基板和其中開關(guān)元件是每個(gè)都使用多晶硅半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管的另一種陣列基板。多晶硅的載流子遷移率比非晶硅高。在這里應(yīng)當(dāng)注意的是多晶硅類型陣列基板不但能包含像素電極的開關(guān)元件，而且能包含置于其中的掃描線和信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)電路。
為了檢查缺陷，上述的陣列基板在其生產(chǎn)過程中經(jīng)受檢驗(yàn)步驟。在第11-271177號(hào)日本專利申請(qǐng)公開說明書、第2000-3142號(hào)日本專利申請(qǐng)公開說明書和5,268,638號(hào)美國專利說明書中論述了檢查方法和檢查設(shè)備的例子。
第11-271177號(hào)日本專利申請(qǐng)公開說明書揭示了一種檢查非晶類型LCD基板的技術(shù)，該技術(shù)包括特性點(diǎn)缺陷檢查過程。這一技術(shù)基于以下機(jī)理。就是說，DC部件的直射光被加到LCD基板的整個(gè)表面，并且當(dāng)非晶硅膜感測(cè)到光時(shí)，它變成導(dǎo)電。這里，通過檢測(cè)輔助電容中累積的充電的漏泄量能夠判斷缺陷的狀態(tài)。在第2000-3142號(hào)日本專利申請(qǐng)公開說明書公開的技術(shù)利用了這樣的機(jī)理當(dāng)電子束照射在像素電極上時(shí)，發(fā)射的二次電子的數(shù)量與施加到薄膜晶體管的電壓成正比。第5,268,638號(hào)美國專利技術(shù)也利用了當(dāng)電子束照射在像素電極上時(shí)發(fā)射的二次電子。

發(fā)明內(nèi)容
為了提高液晶顯示板的可靠性，必須用嚴(yán)格的方式通過檢測(cè)是否有來自元件(像素部分)的漏泄以高精度選擇好的產(chǎn)品。這里，為了嚴(yán)格地判斷產(chǎn)品是好或不好，在陣列基板制造過程中進(jìn)行的檢查陣列基板質(zhì)量的檢查方法的可靠性必須高是自然的。
本發(fā)明根據(jù)上述觀點(diǎn)提出了本發(fā)明，因此本發(fā)明的目的是提供一種檢查陣列基板的方法，該方法能提高檢查陣列基板的可靠性。
為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種檢查陣列基板的方法，該陣列基板包括基板；多條形成在基板上的掃描線，并且每條掃描線在行方向上延伸；多條信號(hào)線，每條在列方向上延伸以交叉掃描線；每個(gè)都形成在相應(yīng)掃描線和相應(yīng)信號(hào)線的交叉點(diǎn)附近的多個(gè)開關(guān)元件；以及各自連接到多個(gè)開關(guān)元件且以矩陣排列的多個(gè)像素電極，該方法包括用電荷給任意的像素電極充電；在維持連接到已充電像素電極的開關(guān)元件的關(guān)狀態(tài)的同時(shí)，保持電荷達(dá)大于至少一幀周期的時(shí)間周期；以及向像素電極發(fā)送電子束和基于從像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查像素電極。


圖1是為示出用依照本發(fā)明實(shí)施例的檢查陣列基板方法得出的測(cè)量結(jié)果而繪制的時(shí)間圖；圖2是示意性地示出包括陣列基板的液晶顯示板的橫截面的示意圖；圖3是圖2中示出的液晶顯示板的部分的透視圖；圖4是示出使用母基板構(gòu)成的陣列基板的排列的例子的平面圖；圖5是示意性地示出圖4中示出的陣列基板的主區(qū)域的平面圖；圖6是示意性地示出圖5中示出的陣列基板的像素區(qū)域的部分的放大平面圖；
圖7是示意性地示出包含圖6中示出的陣列基板的液晶顯示板的橫截面的示意圖；圖8是示意性地示出圖7中示出的陣列基板的部分的放大橫截面圖；圖9是示意性地示出包括電子檢測(cè)儀和電子束檢測(cè)儀的陣列基板檢查裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖10是為示出檢查陣列基板的方法而繪制的流程圖；圖11是示出要檢查的陣列基板的末端部分的例子的平面圖；圖12是示意性地示出陣列基板的主要區(qū)域的改造例子的平面圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖描述依照本發(fā)明實(shí)施例的檢查陣列基板的方法。首先，將描述包括多晶硅類型陣列基板的液晶顯示板。在此實(shí)施例中，多晶硅類型陣列基板將被描述為陣列基板101。
如圖2和3所示，液晶顯示板包括陣列基板101，以基板之間保持的預(yù)定間隙與陣列基板相對(duì)排列的對(duì)置基板102，置于這些基板之間的液晶層103。借助于用作襯墊的圓柱襯墊127，陣列基板101和對(duì)置基板102具有保持在基板之間的預(yù)定間隙。陣列基板101和對(duì)置基板102的邊緣部分用密封材料160聯(lián)接在一起。在密封材料的一部分形成的液晶入口161用密封劑162密封。
接下來，參照?qǐng)D4，將說明陣列基板101。圖4示出了比那些基板具有更大尺寸的用作基板的母基板100，并且該圖示出了通過使用母基板構(gòu)成4塊陣列基板101的例子。如此，陣列基板101通常使用母基板100來形成。
接下來，現(xiàn)在將通過聚焦作為典型例子的圖4中示出的一個(gè)陣列基板101描述陣列基板101的結(jié)構(gòu)。陣列基板101包括陣列基板主區(qū)域101a和陣列基板子區(qū)域101b。這里，將詳細(xì)描述陣列基板主區(qū)域101a。陣列基板子區(qū)域101b的詳細(xì)說明將在后面提供。
如圖5中示出，多個(gè)像素電極P在陣列基板101上的像素區(qū)域30中以矩陣排列。除像素電極P外，陣列基板101包括多條沿這些像素電極P的行排列的掃描線Y和多條沿這些像素電極P的列排列的信號(hào)線X。換言之，多條掃描線Y在行方向延伸及多條信號(hào)線在列方向延伸。陣列基板101還包括每個(gè)用作排列在掃描線Y和信號(hào)線X的交叉點(diǎn)附近的開關(guān)元件的薄膜晶體管(在下文中簡(jiǎn)寫為TFT)SW。陣列基板101包括作為驅(qū)動(dòng)電路單元的用來驅(qū)動(dòng)多條掃描線Y的驅(qū)動(dòng)電路40。
每一TFT SW，當(dāng)它被各自的掃描線Y驅(qū)動(dòng)時(shí)，施加各自的信號(hào)線X的信號(hào)電壓到各自的像素電極P。掃描線驅(qū)動(dòng)電路40建立在陣列基板101上并位于像素區(qū)域30的外部區(qū)域。掃描線驅(qū)動(dòng)電路40由每個(gè)都包含多晶硅半導(dǎo)體薄膜的多個(gè)TFT制成，如同TFT SW的情況。
此外，陣列基板包括焊盤組PDp，焊盤組進(jìn)一步包括沿著陣列基板主區(qū)域101a的邊緣線一側(cè)排列以及與掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線X連接的多個(gè)接線端。除了接受各種信號(hào)之外，焊盤組PDp還被用來輸入和輸出檢查信號(hào)。例如，通過沿著各自陣列基板的邊沿e(見圖4)切除母基板以將該基板與其它基板分開獲得每一陣列基板101。
接下來，參照?qǐng)D6和7，針對(duì)液晶顯示板的像素區(qū)域30的一部分做進(jìn)一步描述。圖6是示意性地示出陣列基板的像素區(qū)域30的放大平面圖，圖7是液晶顯示板的像素區(qū)域的放大的橫截面圖。如所示，陣列基板101包括為諸如玻璃板的透明絕緣基板的基板111。在基板111上，多條信號(hào)線X和多條掃描線Y以矩陣排列，并且在信號(hào)線和掃描線的每一交叉點(diǎn)的附近設(shè)有TFT SW(見圖6中被圓171包圍的部分)。
每一TFT SW包括具有由多晶硅制成的源/漏區(qū)域112a和112b的半導(dǎo)體膜112和柵電極115b，柵電極是各自的掃描線Y的部分的延伸。
在基板111上，多條輔助電容線116被以條形式排列以形成輔助電容元件131，并且它們以與掃描線Y相平行方向延伸。像素電極P形成在這個(gè)部分中。(見圖6由圓172包圍的部分和圖7。)更具體地說，在基板111上，形成了半導(dǎo)體膜112和輔助電容低電極113，并且還在包括這些半導(dǎo)體膜和輔助電容低電極的基板上形成了柵絕緣膜114。如同半導(dǎo)體膜112的情況，輔助電容低電極113由多晶硅形成。在柵絕緣膜114上，排列了掃描線Y、柵電極115b和輔助電容線116。輔助電容線116和輔助電容低電極113經(jīng)由柵絕緣膜114被排列成互相面對(duì)。層間絕緣膜117形成在包括了掃描線Y、柵電極115b和輔助電容線116的柵絕緣膜114上。
接觸電極121和信號(hào)線X形成在層間絕緣膜117上。每一接觸電極121經(jīng)由各自的接觸孔連接到各自的半導(dǎo)體膜112的源/漏區(qū)域112a和像素電極P。接觸電極121連接到輔助電容低電極113。每一信號(hào)線經(jīng)由各自的接觸孔連接到各自的半導(dǎo)體膜112的源/漏區(qū)域112b。
保護(hù)絕緣膜122形成為以覆蓋接觸電極121、信號(hào)線X和層間絕緣膜117中的每一個(gè)。在保護(hù)絕緣膜112上，以條形式形成的綠色層124G、紅色層124R和藍(lán)色層124B被交替排列以互相鄰接。色彩層124G、124R和124B形成濾色器。
通過諸如ITO(氧化銦錫)的透明導(dǎo)電膜在它們各自的色彩層124G、124R和124B上形成像素電極P。每一像素電極P經(jīng)由在色彩層和保護(hù)絕緣膜122中形成的接觸孔125被連接到各自的接觸電極121。像素電極P的外圍部分形成為以覆蓋在輔助電容116線和信號(hào)線X上。連接到像素電極P的輔助電容元件131起輔助電容存儲(chǔ)電荷的作用。
圓柱襯墊127(見圖6)形成在色彩層124R和124G上。雖然該圖未示出所有的圓柱襯墊，多個(gè)圓柱襯墊127以預(yù)定的密度形成在每一色彩層上。校準(zhǔn)膜128形成在色彩層124G、124R和124B以及像素電極P上。
對(duì)置基板102包括為透明絕緣基板的基板151。由諸如ITO的透明材料制成的對(duì)置電極152和校準(zhǔn)膜153以這個(gè)順序形成在基板151上。
對(duì)于陣列基板101的檢查方法以及使用電子束檢測(cè)儀(下文中被稱作“EB檢測(cè)儀”)和電子檢測(cè)儀的陣列基板檢查設(shè)備，現(xiàn)在將參照?qǐng)D9加以描述。應(yīng)當(dāng)注意的是在基板上形成像素電極P后執(zhí)行檢查。
首先，現(xiàn)在將描述用于檢查陣列基板101的檢查設(shè)備的結(jié)構(gòu)。用作檢查室的真空室310配備電子束掃描器300。電子束掃描器300起到用于發(fā)射電子束到陣列基板上的電子束發(fā)射裝置的作用。真空室310具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中要被檢查的陣列基板能夠被裝卸。此外，在真空室310中設(shè)有電子檢測(cè)器350。電子檢測(cè)器350起到用于檢測(cè)從陣列基板發(fā)射的二次電子的電子檢測(cè)裝置的作用。探針單元340排列在真空室310中，并且能夠使探針單元340的探針與陣列基板101的對(duì)應(yīng)焊盤相接觸。這種操作由機(jī)器人以高精度控制，未在該圖中示出。
在真空室310的側(cè)壁設(shè)有密封連接器311。密封連接器311被設(shè)計(jì)成在維持真空室310內(nèi)部的密封狀態(tài)的同時(shí)，把諸如探針單元340和電子檢測(cè)器350的內(nèi)部構(gòu)件分別連接到外部對(duì)應(yīng)的單元。在真空室310的外部設(shè)有控制設(shè)備320?？刂圃O(shè)備320包括信號(hào)源單元321、驅(qū)動(dòng)電路控制單元322、信號(hào)分析單元323、控制上述單元的控制單元324和輸入/輸出單元325。信號(hào)源單元321起到用于把電信號(hào)供給陣列基板的電信號(hào)供給裝置的作用。信號(hào)分析單元323起到用于檢測(cè)流過陣列基板的電信號(hào)的電信號(hào)檢測(cè)裝置的作用。
控制單元324控制驅(qū)動(dòng)電路控制單元322并經(jīng)由探針單元340進(jìn)行陣列基板101上掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的檢查。用于檢測(cè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的檢測(cè)數(shù)據(jù)從驅(qū)動(dòng)控制單元322中取出被送到控制單元324，并且然后經(jīng)輸入/輸出單元325被輸出到外部設(shè)備，例如，顯示設(shè)備。驅(qū)動(dòng)電路控制單元322經(jīng)由陣列基板101上的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40能夠驅(qū)動(dòng)陣列基板101上的元件。在此時(shí)，來自信號(hào)源單元321的信號(hào)能夠施加到陣列基板上的信號(hào)線X，來為每一像素部分200的輔助電容獲得電荷。
控制單元324控制電子束掃描器300以掃描陣列基板101的像素部分200。在掃描期間，從像素部分200發(fā)射的二次電子被電子檢測(cè)器350檢測(cè)到，且檢測(cè)數(shù)據(jù)被送到信號(hào)分析單元323。信號(hào)分析單元323分析從電子檢測(cè)單元350輸出的檢測(cè)數(shù)據(jù)，并且參考從控制單元324輸出的位置數(shù)據(jù)(被檢測(cè)的像素部分的地址)，以及判斷像素部分200的狀況。
檢查設(shè)備以下面的方式檢查陣列基板101。就是說，首先，把陣列基板101放在真空室310中。探針單元340的探針連接到連接焊盤組CPDp，這將在以后做出描述。作為從信號(hào)源單元321輸出的電信號(hào)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，經(jīng)由探針單元340被供應(yīng)到連接焊盤組CPDp。如此，驅(qū)動(dòng)信號(hào)被供應(yīng)到連接到連接焊盤組CPDp的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線X。通過檢測(cè)和分析流經(jīng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路40被電氣地檢查。此外，驅(qū)動(dòng)信號(hào)被供應(yīng)到掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線X以在像素電極P上累積電荷。然后，在像素電極P象這樣充電時(shí)，電子束從電子束掃描器300發(fā)射到像素P上。通過檢測(cè)和分析從像素電極P發(fā)射的二次電子，檢查像素電極P是否適當(dāng)?shù)爻钟须姾?。這種檢查不僅包括像素電極自身的缺陷檢查，而且包括與像素電極有關(guān)的元件的缺陷檢查，諸如連接到像素電極P的TFT SW和包含像素電極的輔助電容元件131。
圖10示意性地示出了如上所述檢查陣列基板101的過程。在真空室310中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)被輸入到掃描線驅(qū)動(dòng)電路40(步驟S1)。用電測(cè)試器檢查掃描線驅(qū)動(dòng)電路40(步驟S2)。一個(gè)檢查項(xiàng)目是供應(yīng)啟動(dòng)脈沖到掃描線驅(qū)動(dòng)電路40并基于串行輸出是否正常判斷掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的工作是否正常(步驟S3)。在這點(diǎn)如果發(fā)現(xiàn)了缺陷，修理或丟棄掃描線驅(qū)動(dòng)電路。
接下來，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的工作被判斷為正常時(shí)，開始每個(gè)像素部分的檢測(cè)。首先，每個(gè)像素部分200的輔助電容元件131被電氣地充電(步驟S4).通過用電測(cè)試器供應(yīng)來自信號(hào)源電源321的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可進(jìn)行充電。同時(shí)，驅(qū)動(dòng)電子束掃描器300。因而，來自電子檢測(cè)器350的檢測(cè)數(shù)據(jù)被送到信號(hào)分析單元323，在哪兒進(jìn)行每個(gè)像素部分200的檢測(cè)(步驟S5)。這里，發(fā)射的二次電子被測(cè)量以判斷每一像素部分200的電壓是否正常(步驟S6)。當(dāng)檢測(cè)到有缺限的陣列基板時(shí)，它被維修或丟棄。
在上面的描述中，如圖9中示出的陣列基板被假定為要被檢查的陣列基板的例子。但是，本發(fā)明并不局限于檢查上面描述的這種陣列基板。
圖11示出了依據(jù)本實(shí)施例的檢查方法中要被檢查的陣列基板101的末端部分的例子。陣列基板101包括陣列基板主區(qū)域101a和位于主區(qū)域外側(cè)101a的陣列基板子區(qū)域101b。應(yīng)當(dāng)注意在檢查之后，陣列基板子區(qū)域101b被切除，例如，通過繪制沿著切除線e2的位置線。
陣列基板主區(qū)域101a的焊盤組PDp經(jīng)由布線導(dǎo)線連接圖5中示出的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線X。形成在位于這個(gè)區(qū)域中的焊盤組PDp的接線端的類型可以分類成邏輯接線端、電源接線端、檢查接線端和信號(hào)輸入接線端。
邏輯接線端包括接線端CLK和接線端ST。輸入到接線端CLK和接線端ST的信號(hào)是時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)。時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)是要被輸入到掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的信號(hào)。
檢查接線端是串行輸出接線端s/o。從串行輸出接線端s/o輸出的信號(hào)是從掃描線驅(qū)動(dòng)電路40的移位寄存器輸出的應(yīng)答起始脈沖的串行輸出信號(hào)。
有諸如接線端VDD和接線端VSS的多種電源接線端。輸入到接線端VDD和接線端VSS的信號(hào)是高電平電源和低電平電源。信號(hào)輸入端是接線端VIDEO。要被輸入到接線端VIDEO的例子是視頻信號(hào)。這里應(yīng)當(dāng)注意的是接線端VIDEO有幾百個(gè)到幾千個(gè)接線端，并且它占據(jù)了焊盤PDp的大部分。
另一方面，在陣列基板子區(qū)域101b的一側(cè)提供了連接焊盤組CPDp。連接焊盤組CPDp經(jīng)由布線導(dǎo)線被連接到陣列基板主區(qū)域101a側(cè)的焊盤組PDp。
連接焊盤組CPDp的接線端包括時(shí)鐘使用從屬接線端dCLK，高電平從屬接線端dVDD，低電平從屬接線端DVss，圖像信號(hào)使用公共接線端cVIDEO等等。從屬接線端dCLK、從屬接線端dVDD、從屬接線端dVSS、公共接線端cVIDEO等等被排列在陣列基板子區(qū)域101b的e側(cè)，并且它們經(jīng)由布線導(dǎo)線連接到對(duì)應(yīng)的陣列基板主區(qū)域101a的焊盤組PDp。
上述實(shí)施例具有其中多個(gè)接線端VIDEO被連接到一個(gè)公共接線端cVIDEO的結(jié)構(gòu)；但是本發(fā)明并不局限于此，它可以是只要接線端VIDEO被連接到少數(shù)公共接線端的任何結(jié)構(gòu)。照這樣，陣列基板子區(qū)域101b中設(shè)置的連接焊盤組CPDp的數(shù)量與陣列基板主區(qū)域101a中設(shè)置的焊盤組PDp的數(shù)量相比顯著降低。
具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板101的像素部分，以下面的方式用EB檢測(cè)器檢查。就是說，探針連接到陣列基板101的連接焊盤組CPDp的每一對(duì)應(yīng)的焊盤，并因此經(jīng)由探針在每一像素部分200的輔助電容元件121中累積電荷。在累積電荷時(shí)，電子束被發(fā)射到每一像素部分200。因此，從每一像素部分200發(fā)射的二次電子被檢測(cè)到以檢查在每一像素部分200中是否有缺陷。
如上所述，為提高產(chǎn)品的可靠性，必須檢測(cè)到每一像素部分200的漏泄量和選擇好的產(chǎn)品。這里，在陣列基板101的像素部分200產(chǎn)生漏電流的可能原因被認(rèn)為是由于下述方面。
就是說，圖8是圖7中示出的陣列基板101的部分的放大圖，并且示出了漏電流發(fā)生的情形。如上所述，輔助電容低電極由多晶硅(P-Si)制成。輔助電容低電極113以下面的方式形成。就是說，例如，非晶硅(a-Si)膜淀積在基板111上，并且，準(zhǔn)分子激光束照射在a-Si膜上。形成輔助電容低電極113以使得表面部分被凸出。同時(shí)，輔助電容線116由例如鉬化鎢(MoW)形成。采用這種結(jié)構(gòu)，如果不適當(dāng)?shù)乇３州o助電容低電極113和輔助電容線116之間的距離，會(huì)發(fā)生漏電流。這是因?yàn)樵谕ㄟ^準(zhǔn)分子激光束的照射形成P-Si膜時(shí)，輔助電容電容低電極113的表面在它形成時(shí)被凸出。
在輔助電容低電極113的表面被凸出時(shí)，由于漏電流本身非常低，必須以更嚴(yán)格的方式執(zhí)行漏電流的測(cè)量。以下是用于測(cè)量非常小的漏電流的檢查方法的說明。
參照?qǐng)D1，將描述在這一實(shí)施例中測(cè)量像素部分200的電壓的時(shí)間安排。首先，柵信號(hào)Gate1在t0時(shí)刻從像素部分200的外部被輸入到第一行掃描線Y。隨后，柵信號(hào)被依次地輸入到第二行、第三行，等掃描線Y。那么，最后，柵信號(hào)Gate final被輸入到最后一行掃描線Y。在柵信號(hào)被輸入到每一掃描線Y的同時(shí)，連接到各自掃描線的TFT SW設(shè)在開狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)在這個(gè)時(shí)刻被輸入到相應(yīng)的信號(hào)線X時(shí)，每一行的像素電極P被電氣地充電。然后，當(dāng)完成柵信號(hào)的輸入時(shí)，連接到各自掃描線Y的TFT SW設(shè)置為關(guān)狀態(tài)。隨后，另一柵信號(hào)被輸入到下一行的掃描線。
一幀被定義為從輸入柵信號(hào)Gate1的點(diǎn)t0到最終完成柵信號(hào)Gate final的輸入的點(diǎn)t1的時(shí)間周期T1。一幀通常約為16ms。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)(數(shù)據(jù))以將柵信號(hào)輸入到每一條掃描線Y這樣的時(shí)間安排輸入到相應(yīng)的信號(hào)線X，每一行的像素電極P被電氣地充電。換言之，不同行的像素電極P被電氣地充電。在像素電極P從第一行到最后一行按順序被電氣地充電之后，就是說，當(dāng)所有行的TFT SW設(shè)置在關(guān)狀態(tài)時(shí)，在這個(gè)實(shí)施例中每一像素電極P的電荷被保持實(shí)際上相等于四幀的時(shí)間周期。換言之，電荷被保持在包含相應(yīng)像素電極的輔助電容中。在包含被輸入柵信號(hào)Gate1的第一行的像素電極的輔助電容中持有的電荷量用數(shù)據(jù)Data來表示。
在相等于四幀的周期之后，將電子束從第一行按順序照射在像素電極P上，從而執(zhí)行EB檢測(cè)。這里，例如，第一行的像素電極P的持有時(shí)間是相等于從像素電極被電氣地充電的時(shí)間直到最后一行掃描線Y被掃描(1幀)的全部時(shí)間周期和4幀，即，5幀。
通過提供如上所述設(shè)定的一定的保持時(shí)間周期，在檢查的時(shí)候，當(dāng)輔助電容的漏泄量Vo已經(jīng)變大時(shí)，可以檢查到具有非常弱的漏泄的像素部分200，并從而用這樣小的漏泄識(shí)別有缺陷的像素。通過比較像素的數(shù)據(jù)Data和有關(guān)由正常像素電極P持有的電荷的理想數(shù)據(jù)，能夠做出對(duì)有缺陷的像素的判斷。
在上述實(shí)施例中，從完成所有像素電極P的充電后關(guān)閉所有TFT SW時(shí)的點(diǎn)的持有時(shí)間被設(shè)為四幀；然而本發(fā)明并不必要局限于四幀，持有時(shí)間能夠根據(jù)需要設(shè)置成一幀以上?？紤]到檢查效率，持有時(shí)間的上限是10秒。在本實(shí)施例中，一幀可被設(shè)置成與在將被檢測(cè)的部件制成實(shí)際產(chǎn)品時(shí)顯示的時(shí)間周期相同的時(shí)間周期。或者，為使用EB檢測(cè)器對(duì)進(jìn)行檢查的像素電極P充電的寫入時(shí)間有可能設(shè)置為與持有時(shí)間不同。應(yīng)當(dāng)注意的是本發(fā)明的持有時(shí)間設(shè)置參照了實(shí)際產(chǎn)品顯示操作的一幀周期。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板檢查方法，可以以更嚴(yán)格的方式測(cè)量輔助電容中產(chǎn)生的漏泄量，并因此提高陣列基板檢查的可靠性。從而，有可能禁止具有缺陷的液晶顯示板的產(chǎn)品的銷售。
本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以做出各種修改。例如，在檢查任一像素電極時(shí)，首先，像素電極被電氣地充電。然后，在以關(guān)狀態(tài)設(shè)置連接到以充電的像素電極P的TFT SW的同時(shí)，電荷被持有達(dá)大于至少一幀的周期。在持有電荷后，電子束照射在像素電極P上，并因此從像素電極P發(fā)射二次電子?；诙坞娮拥臄?shù)據(jù)，能夠檢查像素電極。
或者，把掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和驅(qū)動(dòng)多條信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)電路50作為驅(qū)動(dòng)電路單元建在如圖12所示的陣列基板101的像素區(qū)域30的外部區(qū)域是可能的。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50使用如TFT SW的具有多晶硅半導(dǎo)體膜的TFT制成。
信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50經(jīng)由焊盤組PDp與連接焊盤組CPDp連接。連接焊盤組CPDp包括連接到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的邏輯接線端、檢查接線端等等。當(dāng)視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和起始脈沖信號(hào)輸入到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50時(shí)，構(gòu)成信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的移位寄存器被驅(qū)動(dòng)，從而來自移位寄存器的輸出信號(hào)被輸出。通過分析輸出，判斷信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50是否正常。
在上述方式中，控制單元324控制驅(qū)動(dòng)電路控制單元322以經(jīng)由探針單元340檢查陣列基板101上的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50。通過檢查和分析流經(jīng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，能夠電氣地檢查掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50。
因?yàn)轵?qū)動(dòng)信號(hào)被供給掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50，像素電極P能夠被電氣地充電。因此，可能用上述的電子束檢查它。
作為要被檢查的陣列基板，如果基板包括建在基板上的且包括將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)到掃描線Y的掃描線驅(qū)動(dòng)電路40及將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)到信號(hào)線X的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50中至少一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路就行了。構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路40和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路50的TFT可以不是使用多晶硅的類型。
工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明，提供了一種檢查陣列基板的方法，該方法能提高陣列基板檢查方法的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種檢查陣列基板的方法，所述陣列基板包括基板；多條形成在所述基板上的掃描線，并且每條掃描線在行方向上延伸；多條各自在列方向上延伸的信號(hào)線以交叉掃描線；每個(gè)形成在相應(yīng)掃描線和相應(yīng)信號(hào)線的交叉點(diǎn)附近的多個(gè)開關(guān)元件；以及每個(gè)連接到多個(gè)開關(guān)元件和以矩陣排列的多個(gè)像素電極，所述方法包括用電荷給多個(gè)像素電極充電；在維持連接到已充電像素電極的開關(guān)元件的關(guān)狀態(tài)的同時(shí)，維持電荷達(dá)一預(yù)定時(shí)間周期；以及維持電荷達(dá)預(yù)定時(shí)間周期之后，照射電子束到多個(gè)像素電極和基于從像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于所述陣列基板還包括驅(qū)動(dòng)電路單元，所述驅(qū)動(dòng)電路單元建在基板上且包括配置成將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)到多條掃描線中的每一條的掃描線驅(qū)動(dòng)電路及配置成將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)到多條信號(hào)線中的每一條的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
3.如權(quán)利要求2所述的檢查方法，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路單元和所述開關(guān)元件各自包括使用多晶硅的薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于所述多個(gè)像素電極被排列在不同的行。
5.一種檢查陣列基板的方法，所述陣列基板包括基板；多條形成在所述基板上的掃描線，并且每條掃描線在行方向上延伸；多條各自在列方向上延伸的信號(hào)線以交叉掃描線；每個(gè)形成在相應(yīng)掃描線和相應(yīng)信號(hào)線的交叉點(diǎn)附近的多個(gè)開關(guān)元件；以及每個(gè)連接到多個(gè)開關(guān)元件和以矩陣排列的多個(gè)像素電極，所述方法包括用電荷給任意的像素電極充電；在維持連接到已充電像素電極的開關(guān)元件的關(guān)狀態(tài)的同時(shí)，維持電荷達(dá)大于至少一幀周期的時(shí)間周期；以及發(fā)射電子束到像素電極和基于從像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查像素電極。
6.如權(quán)利要求5所述的檢查方法，其特征在于維持電荷達(dá)四幀的周期或更長(zhǎng)。
7.如權(quán)利要求5所述的檢查方法，其特征在于所述陣列基板還包括驅(qū)動(dòng)電路單元，所述驅(qū)動(dòng)電路單元建在基板上且包括至少一個(gè)配置成將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)到多條掃描線中的每一條的掃描線驅(qū)動(dòng)電路及配置成將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供應(yīng)到多條信號(hào)線中的每一條的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
8.如權(quán)利要求7所述的檢查方法，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路單元和開關(guān)元件各自包括使用多晶硅的薄膜晶體管。
全文摘要
用電荷給任意的像素電極充電。然后，在維持連接到已充電像素電極的開關(guān)元件的關(guān)狀態(tài)的同時(shí)，維持電荷達(dá)大于至少一幀周期的時(shí)間周期。在維持電荷后，發(fā)射電子束到像素電極上，基于從像素電極發(fā)射的二次電子的數(shù)據(jù)檢查像素電極。
文檔編號(hào)G09G3/00GK1802592SQ20048001559
公開日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2004年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月4日
發(fā)明者富田暁 申請(qǐng)人:東芝松下顯示技術(shù)有限公司