專利名稱：檢查用探測器及檢查用探測器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢查用探測器(inspection probe)以及檢查用探測器的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體加工工序中，在半導(dǎo)體晶片上形成多個(gè)IC芯片的情況下，直接對(duì)半導(dǎo)體晶片(未切斷半導(dǎo)體晶片)每一個(gè)IC芯片進(jìn)行各種電特性的檢查并對(duì)劣質(zhì)產(chǎn)品進(jìn)行篩選。
如特開2001-289874號(hào)公報(bào)、或特開2004-294063號(hào)公報(bào)所公開的那樣，在該檢查中通常使用探測器裝置。
一般，探測器裝置，是使探針板(probe card)的探針接觸半導(dǎo)體晶片上的各IC芯片所具有的電極端子，通過由探針施加規(guī)定的電壓而進(jìn)行各IC芯片的導(dǎo)通試驗(yàn)等的電氣檢查的。
在此，特開2001-289874號(hào)公報(bào)所公開的探測器具備多個(gè)由鎢(W)或錸鎢(ReW)構(gòu)成的探針。
另外，特開2004-294063號(hào)公報(bào)所公開的探測器具備多個(gè)由Ni、Be、Cu、Ti組成的合金所構(gòu)成的探針。
然而，在上述的現(xiàn)有技術(shù)中存在著以下敘述的問題。
近年，伴隨著半導(dǎo)體裝置的進(jìn)一步高精細(xì)化，半導(dǎo)體裝置的輸入端子以及輸出端子間距變得較小(窄)。
由此，有必要使探針板的探針的間距也變小(窄)。
但是，在上述的現(xiàn)有技術(shù)的多個(gè)探針中，將探針的間距變窄是困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決所述問題而做出的，其目的在于，提供一種即使在半導(dǎo)體裝置的輸入端子以及輸出端子的間距變窄的情況下，仍能根據(jù)窄小的間距良好地檢查半導(dǎo)體裝置的、檢查用探測器以及該檢查用探測器的制造方法。
為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明提供以下的手段。
本發(fā)明的檢查用探測器，用于對(duì)具有多個(gè)輸入端子和多個(gè)輸出端子的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查，包括具有第1面和第2面的基板；輸入突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列對(duì)應(yīng)而形成；輸出突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列對(duì)應(yīng)而形成；多個(gè)輸入接觸部，形成在所述輸入突起部上，分別與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸出接觸部，形成在所述輸出突起部上，分別與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸入導(dǎo)電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個(gè)所述輸入接觸部的每一個(gè)電連接；和多個(gè)輸出導(dǎo)電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個(gè)所述輸出接觸部的每一個(gè)電連接。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于在突起部上形成輸入接觸部以及輸出接觸部，在基板上形成輸入導(dǎo)電部和輸出導(dǎo)電部，從而，應(yīng)用半導(dǎo)體器件制造技術(shù)而可獲得微細(xì)的接觸部和導(dǎo)電部。
由此，能夠?qū)崿F(xiàn)與半導(dǎo)體裝置特別是輸出端子的間距的窄小化對(duì)應(yīng)、具備微細(xì)的導(dǎo)電部的檢查用探測器。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，適于對(duì)一方的邊側(cè)備有輸入端子、另一方的邊側(cè)備有輸出端子的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查。
在輸入接觸部與半導(dǎo)體裝置的輸入端子接觸、輸出接觸部與半導(dǎo)體裝置的輸出端子接觸的情況下，通過輸入接觸部以及輸出接觸部之下所形成的由樹脂構(gòu)成的輸入突起部以及輸出突起部的彈性作用，能夠使輸入接觸部可靠地接觸半導(dǎo)體裝置的輸入端子；能夠使輸出接觸部可靠地接觸半導(dǎo)體裝置的輸出端子。
由此，通過具備輸入突起部以及輸出突起部的檢查用探測器，能夠較好地對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查。
再有，通過具備輸入導(dǎo)電部以及輸出導(dǎo)電部，在檢查半導(dǎo)體裝置時(shí)，易于由輸入導(dǎo)電部對(duì)半導(dǎo)體裝置的輸入端子輸入檢查信號(hào)等；易于由輸出導(dǎo)電部將檢查信號(hào)等從半導(dǎo)體裝置的輸出端子取出。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器優(yōu)選多個(gè)所述輸入接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成；多個(gè)所述輸出接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成；多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)被形成為與多個(gè)所述輸入接觸部的每一個(gè)對(duì)應(yīng)；多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)被形成為與多個(gè)所述輸出接觸部的每一個(gè)對(duì)應(yīng)。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于多個(gè)輸入接觸部被形成為與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的排列方向?qū)?yīng)；多個(gè)輸出接觸部被形成為與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸出端子的排列方向?qū)?yīng)，從而，通過使多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)接觸半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的每一個(gè)；使多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)接觸半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的每一個(gè)，能夠較好地對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查。
再有，由于輸入導(dǎo)電部與輸入接觸部對(duì)應(yīng)而形成在基板上；輸出導(dǎo)電部與輸出接觸部對(duì)應(yīng)而形成在基板上，故通過輸入導(dǎo)電部以及輸出導(dǎo)電部，使得對(duì)半導(dǎo)體裝置輸入檢查信號(hào)等、或從半導(dǎo)體裝置取出檢查信號(hào)變得容易。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，所述輸入突起部，在多個(gè)所述輸入接觸部的排列方向延伸；所述輸出突起部，在多個(gè)所述輸出接觸部的排列方向延伸。
本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于所述輸入突起部，在多個(gè)所述輸入接觸部的排列方向延伸；所述輸出突起部，在多個(gè)所述輸出接觸部的排列方向延伸，從而，能夠?qū)⒍鄠€(gè)輸入接觸部形成在相同的突起部上；能夠?qū)⒍鄠€(gè)輸出接觸部形成在相同的突起部上。
由此，能使多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)距基板的高度幾乎均等；能使多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)距基板的高度幾乎均等。
其結(jié)果，能夠使多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)可靠地接觸半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的每一個(gè)；能夠使多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)可靠地接觸半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸出端子的每一個(gè)。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，從多個(gè)所述輸入接觸部排列的方向觀察，所述輸入突起部的截面形狀是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀；從多個(gè)所述輸出接觸部排列的方向觀察，所述輸出突起部的截面形狀是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)形成在剖面視為圓弧狀的輸入突起部的表面，多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)形成在剖面視為圓弧狀的輸出突起部的表面，故能使多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)較好地接觸半導(dǎo)體裝置的輸入端子，能使多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)較好地接觸半導(dǎo)體裝置的輸出端子。
再有，由于輸入突起部以及輸出突起部的表面被形成為剖面視為圓弧狀，故在將多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)形成在輸入突起部的表面時(shí)，能夠較好地密接；在將多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)形成在輸出突起部的表面時(shí)，能夠較好地密接。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，在所述輸入突起部的表面中的與形成多個(gè)所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域、和在所述輸出突起部的表面中的與形成多個(gè)所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成凹部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于在輸入突起部的表面中的與形成有多個(gè)輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的每一個(gè)接觸的情況下，輸入接觸部的基底即輸入突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
再有，同樣地，由于在輸出突起部的表面中的與形成有多個(gè)輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸出端子的每一個(gè)接觸的情況下，輸出接觸部的基底即輸出突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
由此，通過該撓曲形變，輸入接觸部能與半導(dǎo)體裝置的輸入端子較好地接觸；輸出接觸部能與半導(dǎo)體裝置的輸出端子較好地接觸；進(jìn)而，能夠防止相互相鄰的多個(gè)輸入接觸部的短路、或相互相鄰的多個(gè)輸出接觸部的短路。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，包括多個(gè)輸入導(dǎo)通部，分別與多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個(gè)輸出導(dǎo)通部，分別與多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個(gè)所述輸入導(dǎo)通部的每一個(gè)電連接；和多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個(gè)所述輸出導(dǎo)通部的每一個(gè)電連接。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)，介由多個(gè)輸入導(dǎo)通部的每一個(gè)，與形成于基板的第2面的多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部的每一個(gè)電連接。
另外，多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)，介由多個(gè)輸出導(dǎo)通部的每一個(gè)，與形成于基板的第2面的多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部的每一個(gè)電連接。
由此，在使輸入突起部與半導(dǎo)體裝置的輸入端子對(duì)向來檢查半導(dǎo)體裝置時(shí)，能夠從與半導(dǎo)體裝置的輸入端子對(duì)向的面(第1面)不同的面(第2面)，通過輸入連接導(dǎo)電部而將檢查信號(hào)等輸入半導(dǎo)體裝置的輸入端子。
再有，在使輸出突起部與半導(dǎo)體裝置的輸出端子對(duì)向而檢查半導(dǎo)體裝置時(shí)，能夠從與半導(dǎo)體裝置的輸出端子對(duì)向的面(第1面)不同的面(第2面)，通過輸出連接導(dǎo)電部而將由半導(dǎo)體裝置輸出的檢查信號(hào)等從輸出端子取出。
再有，與輸入連接導(dǎo)電部以及輸出連接導(dǎo)電部形成在基板的第1面的情況相比，檢查信號(hào)等的輸入以及取出變得容易，使得半導(dǎo)體裝置100的檢查易于執(zhí)行。
再有，將檢查用探測器安裝于檢查單元時(shí)的作業(yè)變得容易。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器，作為優(yōu)選，多個(gè)所述輸入連接導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔，比多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔要寬；多個(gè)所述輸出連接導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔，比多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔要寬。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，由于多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔，形成得比基板的第1面上形成的多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔要寬，所以在檢查半導(dǎo)體裝置時(shí)，能夠防止相鄰的輸入導(dǎo)電部彼此的檢查信號(hào)等的短路，故能夠正確地進(jìn)行檢查。
再有，由于多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔，形成得比基板的第1面上形成的多個(gè)輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔要寬，所以在檢查半導(dǎo)體裝置時(shí)，能夠防止相鄰的輸出導(dǎo)電部彼此的檢查信號(hào)等的短路，故能夠正確地進(jìn)行檢查。
由此，能夠?qū)⒍鄠€(gè)輸入導(dǎo)電部以及多個(gè)輸出導(dǎo)電部形成為窄間距。
再有，本發(fā)明的檢查探測器，作為優(yōu)選，具有覆蓋多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部以及多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的絕緣層。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器中，通過形成覆蓋輸入導(dǎo)電部以及輸出導(dǎo)電部的絕緣層，故能防止輸入導(dǎo)電部與半導(dǎo)體裝置的短路、或輸出導(dǎo)電部與半導(dǎo)體裝置的短路；能防止多個(gè)輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)之間的短路、或多個(gè)輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)之間的短路。
本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，所述檢查用探測器用于對(duì)具有多個(gè)輸入端子和多個(gè)輸出端子的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查，該制造方法具有以下步驟準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列對(duì)應(yīng)、且由樹脂構(gòu)成的輸入突起部；在所述基板上形成與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列對(duì)應(yīng)、且由樹脂構(gòu)成的輸出突起部；在所述輸入突起部上形成多個(gè)輸入接觸部；在所述輸出突起部上形成多個(gè)輸出接觸部；
在所述基板上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個(gè)輸入導(dǎo)電部；在所述基板上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個(gè)輸出導(dǎo)電部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于在基板上形成輸入突起部以及輸出突起部之后，形成多個(gè)輸入接觸部以及多個(gè)輸出接觸部，從而，應(yīng)用半導(dǎo)體器件制造技術(shù)則可獲得微細(xì)的接觸部和導(dǎo)電部。
由此，能夠?qū)崿F(xiàn)與半導(dǎo)體裝置特別是輸出端子的間距的窄小化對(duì)應(yīng)、具備微細(xì)的接觸部和導(dǎo)電部的檢查用探測器。
再有，輸入接觸部以及輸出接觸部，在分別與半導(dǎo)體裝置的輸入端子以及輸出端子接觸的情況下，通過所配置的作為輸入接觸部以及輸出接觸部的基底的由樹脂構(gòu)成的輸入突起部以及輸出突起部的彈性作用，能夠可靠地與半導(dǎo)體裝置的輸入端子以及輸出端子接觸。
由此，通過具備輸入突起部以及輸出突起部的檢查用探測器，能夠較好地對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，通過半蝕刻法，除去所述輸入突起部的表面中與形成多個(gè)所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；除去所述輸出突起部的表面中與形成多個(gè)所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；多個(gè)所述輸入接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成；多個(gè)所述輸出接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于在輸入突起部的表面中的與形成有多個(gè)輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的每一個(gè)接觸的情況下，輸入接觸部的基底即輸入突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
而且，同樣地，由于在輸出突起部的表面中的與形成有多個(gè)輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域形成有凹部，換言之，由于多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)之間的區(qū)域發(fā)生凹陷，故在多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸出端子的每一個(gè)接觸的情況下，輸出接觸部的基底即輸出突起部易于產(chǎn)生撓曲形變。
由此，通過該撓曲形變，輸入接觸部能與半導(dǎo)體裝置的輸入端子較好地接觸；輸出接觸部能與半導(dǎo)體裝置的輸出端子較好地接觸；進(jìn)而，能夠防止相互相鄰的多個(gè)輸入接觸部的短路、或相互相鄰的多個(gè)輸出接觸部的短路。
再有，通過調(diào)節(jié)蝕刻時(shí)間，能夠?qū)疾啃纬蔀槠谕纳疃取?br> 由此，通過簡易的方法，能夠在輸入突起部以及輸出突起部形成凹部，能夠使輸入接觸部以及輸出接觸部較好地接觸半導(dǎo)體裝置的輸入端子以及輸出端子。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的裝置方法，優(yōu)選所述輸入突起部以及所述輸出突起部由感光性樹脂構(gòu)成。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，利用感光性樹脂，通過光刻法等，能夠高精度地形成輸入突起部以及輸出突起部。
再有，通過曝光、顯影或改變固化條件等，能夠獲得由樹脂構(gòu)成的期望形狀的輸入突起部以及輸出突起部。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，通過液滴噴出法將含有樹脂材料的功能液噴出到所述基板上，而在所述基板上形成所述輸入突起部以及所述輸出突起部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于通過液滴噴出法正確地噴出含有樹脂的功能液，所以能形成期望形狀的輸入突起部以及輸出突起部。
由此，也沒有材料的浪費(fèi)，所以可謀求制造成本的降低。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，多個(gè)所述輸入接觸部、多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部、多個(gè)所述輸出接觸部、以及多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部，通過濺射法或鍍覆法而形成。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，通過利用濺射法或鍍覆法，能夠在基板上的所定位置高精度且窄間距地形成多個(gè)輸入接觸部、多個(gè)輸入導(dǎo)電部、多個(gè)輸出接觸部、以及多個(gè)輸出導(dǎo)電部。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，通過液滴噴出法在所述基板上形成多個(gè)所述輸入接觸部、多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部、多個(gè)所述輸出接觸部、以及多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，由于能通過液滴噴出法在所定位置形成多個(gè)輸入接觸部、多個(gè)輸入導(dǎo)電部、多個(gè)輸出接觸部、以及多個(gè)輸出導(dǎo)電部，從而控制材料的浪費(fèi)而能謀求制造成本的降低。
再有，本發(fā)明的檢查用探測器的制造方法，作為優(yōu)選，準(zhǔn)備母材基板，在所述母材基板上形成分別與多個(gè)所述檢查用探測器的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)探測器形成區(qū)域，并以每一個(gè)所述區(qū)域切斷母材基板，從而獲得多個(gè)單片化的檢查用探測器。
在本發(fā)明涉及的檢查用探測器的制造方法中，在母材基板上同時(shí)形成多個(gè)探測器形成區(qū)域之后，通過以每一個(gè)區(qū)域切斷母材基板，從而獲得單片化的多個(gè)檢查用探測器。
由此，能夠高效地制造多個(gè)檢查用探測器，能夠?qū)崿F(xiàn)檢查用探測器的制造成本的降低。


圖1是表示本發(fā)明的檢查用探測器以及半導(dǎo)體晶片的立體圖。
圖2是表示本發(fā)明的檢查用探測器的第1實(shí)施方式的立體圖。
圖3是將圖2的檢查用探測器從Y側(cè)進(jìn)行觀察的截面圖。
圖4是圖3的檢查用探測器的A-A向視的截面圖。
圖5是硅晶片的截面圖；是用于對(duì)檢查用探測器的制造工序的一例進(jìn)行說明的圖。
圖6是硅晶片的截面圖；是用于對(duì)檢查用探測器的制造工序的一例進(jìn)行說明的圖。
圖7是表示本發(fā)明的檢查用探測器的第2實(shí)施方式的俯視圖；是表示輸入導(dǎo)電部以及輸出導(dǎo)電部的俯視圖。
圖8是表示成為檢查對(duì)象的半導(dǎo)體裝置的一例的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
另外，在以下的說明中，設(shè)定XYZ正交坐標(biāo)系；參照該XYZ坐標(biāo)系對(duì)各部件的位置關(guān)系進(jìn)行說明。
于是，將水平面內(nèi)的規(guī)定方向設(shè)為X軸方向；將水平面內(nèi)與X軸方向正交的方向設(shè)為Y軸方向；將與X軸方向以及Y軸方向分別正交的方向(即垂直方向)設(shè)為Z軸方向。
(檢查用探測器的第1實(shí)施方式)參照附圖，對(duì)檢查用探測器1的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖1，表示作為由本發(fā)明的檢查用探測器檢查的檢查對(duì)象的半導(dǎo)體裝置100；也是表示形成在半導(dǎo)體晶片上的多個(gè)半導(dǎo)體裝置100通過探測器1進(jìn)行檢查的狀態(tài)的立體圖。
圖2是本實(shí)施方式涉及的檢查用探測器1的立體圖。
圖3是從Y軸方向觀察檢查用探測器1的側(cè)截面圖。
圖4是從X軸方向觀察檢查用探測器1的側(cè)截面圖。
檢查用探測器1，檢查具有輸入端子101以及輸出端子102的半導(dǎo)體裝置100。
檢查用探測器1，從輸入端子101將檢查信號(hào)等輸入半導(dǎo)體裝置100，從半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102取出檢查信號(hào)等，對(duì)半導(dǎo)體裝置100的短路或斷線、特性等進(jìn)行檢查。
如圖1所示，半導(dǎo)體裝置100，以多個(gè)排列的方式形成在半導(dǎo)體晶片上。
再有，多個(gè)半導(dǎo)體裝置100，在半導(dǎo)體晶片上由交界線100a、100b劃分。
半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101，沿交界線100a而形成；輸出端子102，沿與交界線100a對(duì)向的交界線100b而形成。
再有，半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸入端子101的每一個(gè)，例如如圖1所示那樣是正方形狀。
半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸出端子102的每一個(gè)，例如朝向輸入端子101而為長的長方形狀。
多個(gè)輸出端子102的每一個(gè)的間隔，比多個(gè)輸入端子101的每一個(gè)的間隔要窄。
如圖2所示，檢查用探測器1具有硅基板(基板)2、輸入突起部11、輸出突起部21、多個(gè)輸入布線部12、以及多個(gè)輸出布線部22。
輸入突起部11以及輸出突起部21形成在硅基板2的第1面2a上，并與半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸入端子101的排列方向、和多個(gè)輸出端子102的排列方向?qū)?yīng)。
而且，輸入突起部11以及輸出突起部21的材料是樹脂。
在檢查時(shí)，多個(gè)輸入布線部12分別與半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸入端子101的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸出端子102分別與半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸出布線部22的每一個(gè)接觸。
多個(gè)輸入布線部12的每一個(gè)被構(gòu)成為包括輸入接觸(contact)部13和輸入導(dǎo)電部14。
另外，多個(gè)輸出布線部22的每一個(gè)被構(gòu)成為包括輸出接觸部23和輸出導(dǎo)電部24。
輸入接觸部13形成在硅基板2上的輸入突起部11的表面。
輸出接觸部23形成在硅基板2上的輸出突起部21的表面。
輸入導(dǎo)電部14，形成在硅基板2的第1面2a上的、與形成有輸入突起部11的區(qū)域不同的區(qū)域。
輸出導(dǎo)電部24，形成在硅基板2的第1面2a上的、與形成有輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域。
如圖2以及圖3所示，檢查用探測器1的多個(gè)輸入接觸部13被形成為排列在半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸入端子101的排列方向。
檢查用探測器1的多個(gè)輸出接觸部23被形成為排列在半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸出端子102的排列方向。
而且，多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)被形成為與多個(gè)輸入端子101的每一個(gè)對(duì)應(yīng)。
多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)被形成為與多個(gè)輸出端子102的每一個(gè)對(duì)應(yīng)。
即，多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)的間隔(距離，檢查用探測器1的輸入接觸部13的間距)，與半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸入端子101的每一個(gè)的間隔(間距)對(duì)應(yīng)。
多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)的間隔(距離，檢查用探測器1的輸出接觸部23的間距)，與半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸出端子102的每一個(gè)的間隔(間距)對(duì)應(yīng)。
另外，輸入導(dǎo)電部14，與輸入接觸部13的每一個(gè)對(duì)應(yīng)而形成了多個(gè)。
輸入導(dǎo)電部14的每一個(gè)與輸入接觸部13的每一個(gè)連接，在形成于硅基板2的表面氧化膜31上的、與形成輸入突起部11的區(qū)域不同的區(qū)域，以朝X軸方向延伸、在Y軸方向多個(gè)排列的方式而形成多個(gè)輸入導(dǎo)電部14。
另外，輸出導(dǎo)電部24，與輸出接觸部23的每一個(gè)對(duì)應(yīng)而形成了多個(gè)。
輸出導(dǎo)電部24的每一個(gè)，與輸出接觸部23的每一個(gè)連接，且在形成于硅基板2的表面氧化膜31上的、與形成輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域，以朝X軸方向延伸、在Y軸方向多個(gè)排列的方式而形成。
具體而言，如圖2所示，多個(gè)輸入導(dǎo)電部14的每一個(gè)被形成為間距朝+X方向增寬。
形成于輸入突起部11上的多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)之間的間距例如是100μm。在第1面2a上的硅基板2的端面2c側(cè)形成的多個(gè)輸入導(dǎo)電部14的每一個(gè)之間的間距為100μm以上。
另外，多個(gè)輸出導(dǎo)電部24的每一個(gè)，也與輸入導(dǎo)電部14同樣地形成為間距朝-X方向增寬。
形成于輸出突起部21上的多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)之間的間距例如是10～50μm。于第1面2a上的硅基板2的端面2c的相反側(cè)的端面2d側(cè)形成的多個(gè)輸出導(dǎo)電部24的每一個(gè)之間的間距為50μm以上。
輸入接觸部13、輸出接觸部23、輸入導(dǎo)電部14、以及輸出導(dǎo)電部24的材料，可以列舉出金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎢(W)、鈦鎢(TiW)、氮化鈦(TiN)、鎳(Ni)、鎳釩(NiV)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鈀(Pd)等。
再有，輸入布線部12以及輸出布線部22的結(jié)構(gòu)，也可以是由上述材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)；也可以是使多個(gè)材料層疊的層疊結(jié)構(gòu)。
如圖2以及圖3所示，輸入突起部11以及輸出突起部21，形成在硅基板2上的幾乎中央部、并朝Y軸方向延伸。
而且，輸入突起部11，支撐多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)。
而且，輸出突起部21，支撐多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)。
在此，如果從輸入接觸部13以及輸出接觸部23排列的方向(Y方向)進(jìn)行觀察，輸入突起部11以及輸出突起部21被形成為其剖面視為圓弧狀，使朝硅基板2的垂直方向、即朝+Z方向突出。
由此，輸入突起部11以及輸出突起部21的表面具有曲面。
再有，如圖4所示，輸出突起部21的表面中的、與形成有多個(gè)輸出接觸部23的區(qū)域不同的區(qū)域產(chǎn)生凹陷。多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)之間形成有凹部3D。
還有，圖4中表示了輸出突起部21的截面，但輸入突起部11的截面中也同樣地形成有凹部3D，且與形成有多個(gè)輸入接觸部13的區(qū)域不同的區(qū)域也產(chǎn)生凹陷。
再有，輸入突起部11以及輸出突起部21，由樹脂(合成樹脂)形成。輸入突起部11以及輸出突起部21的材料，也可以是感光性樹脂。
該輸入突起部11以及輸出突起部21的材料，可以列舉出聚酰亞胺樹脂、硅變性(silicon denaturation)聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅變性環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、BCB(benzocyclobutene)以及PBO(polybenzoxazole)等的絕緣材料。
如圖3所示，在硅基板2和輸入導(dǎo)電部14之間、以及硅基板2和輸出導(dǎo)電部24之間，形成有表面氧化膜31。
而且，在硅基板2和輸入突起部11之間、以及硅基板2和輸出突起部21之間，也形成有表面氧化膜31。
而且，在硅基板2中的第1面2a的相反側(cè)的第2面2b中，形成有背面氧化膜32。
在與形成有輸入突起部11以及輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域中，形成有保護(hù)絕緣層(絕緣層)33。
保護(hù)絕緣層33，覆蓋輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24。
輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24由保護(hù)絕緣層33保護(hù)。
保護(hù)絕緣層33的材料，例如能夠利用感光性樹脂。
如圖3所示，在硅基板2中，形成有從硅基板2的第1面2a貫通到第2面2b的輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
輸入貫通孔51，與多個(gè)輸入導(dǎo)電部14的數(shù)目對(duì)應(yīng)而形成了多個(gè)。
而且，輸出貫通孔52，與多個(gè)輸出導(dǎo)電部24的數(shù)目對(duì)應(yīng)而形成了多個(gè)。
在多個(gè)輸入貫通孔51的每一個(gè)的內(nèi)部，形成有與輸入導(dǎo)電部14電連接的輸入貫通電極(輸入導(dǎo)通部)53。
而且，在多個(gè)輸出貫通孔52的每一個(gè)的內(nèi)部，形成有與輸出導(dǎo)電部24電連接的輸出貫通電極(輸出導(dǎo)通部)54。
進(jìn)一步，如圖1以及圖3所示，多個(gè)輸入貫通電極53分別與于硅基板2的第2面2b形成的多個(gè)輸入背面導(dǎo)電部(輸入連接導(dǎo)電部)55的每一個(gè)電連接。
另外，多個(gè)輸出貫通電極54分別與于硅基板2的第2面2b形成的多個(gè)輸出背面導(dǎo)電部(輸出連接導(dǎo)電部)56的每一個(gè)電連接。
接著，利用由以上的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本實(shí)施方式的檢查用探測器1，對(duì)半導(dǎo)體裝置100的檢查方法進(jìn)行說明。
最初，將檢查用探測器1放置到半導(dǎo)體檢查裝置(省略圖示)。
然后，將檢查用探測器1的輸入背面導(dǎo)電部55以及輸出背面導(dǎo)電部56與半導(dǎo)體檢查裝置的布線連接。
然后，使半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101和檢查用探測器1的輸入接觸部13對(duì)位；也使半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102和檢查用探測器1的輸出接觸部23對(duì)位。
如圖2所示，使檢查用探測器1的輸入接觸部13的每一個(gè)接觸半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101；也使檢查用探測器1的輸出接觸部23的每一個(gè)接觸半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102。
將檢查用探測器1的硅基板2對(duì)半導(dǎo)體裝置100按壓。
由此，多個(gè)輸入端子101分別與多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)密接；多個(gè)輸出端子102分別與多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)密接；從而獲得電連接。
根據(jù)本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置100的檢查用探測器1，由于硅基板2上形成有輸入布線部12以及輸出布線部22，從而，應(yīng)用半導(dǎo)體器件制造技術(shù)而可獲得微細(xì)的輸入布線部12以及輸出布線部22。
由此，即使在半導(dǎo)體裝置100高精細(xì)化、輸出端子101以及輸出端子102的間距窄小化的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)具備與輸入端子101以及輸出端子102的間距的窄小化對(duì)應(yīng)的、微細(xì)的輸入接觸部13以及輸出接觸部23的檢查用探測器。
再有，與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102直接接觸的輸入接觸部13以及輸出接觸部23，由于被形成在由樹脂構(gòu)成的輸入突起部11以及輸出突起部21上，故在輸入接觸部13以及輸出接觸部23與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102接觸時(shí)，通過輸入突起部11以及輸出突起部21的彈性作用，可以較好地與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102接觸。
再有，多個(gè)輸入接觸部13以及多個(gè)輸出接觸部23，由于被配置成在Y軸方向上多個(gè)排列，以與半導(dǎo)體裝置100的多個(gè)輸入端子101以及多個(gè)輸出端子102對(duì)應(yīng)，所以使多個(gè)輸入接觸部13分別與多個(gè)輸入端子101的每一個(gè)接觸，使多個(gè)輸出接觸部23分別與多個(gè)輸出端子102的每一個(gè)接觸，從而可以由檢查用探測器1良好地檢查半導(dǎo)體裝置100。
再有，通過利用如銀(Ag)那樣柔軟的材料來作為輸入接觸部13以及輸出接觸部23(輸入布線部12以及輸出布線部22)的材料，可以獲得與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102的良好的密接性。
再有，輸入突起部11以及輸出突起部21被形成為沿多個(gè)輸入接觸部13以及多個(gè)輸出接觸部23的排列方向的Y軸方向而延伸，從而，可以將多個(gè)輸入接觸部13形成在輸入突起部11上；也可以將多個(gè)輸出接觸部23形成在輸出突起部21上。
由此，能夠抑制多個(gè)輸入接觸部13以及多個(gè)輸出接觸部23的高度方向相關(guān)的位置的零散偏差。
再有，輸入突起部11以及輸出突起部21被形成為剖面視是圓弧狀，從而，能使輸入接觸部13以及輸出接觸部23較好地接觸半導(dǎo)體裝置的輸入端子101以及輸出端子102。
進(jìn)一步，在將輸入接觸部13形成在輸入突起部11的表面時(shí)、或?qū)⑤敵鼋佑|部23形成在輸出突起部21的表面時(shí)，能使輸入接觸部13與輸入突起部11的表面較好地密接、也能使輸出接觸部23與輸出突起部21的表面較好地密接。
再有，由于在輸入突起部11的表面中的、多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)之間形成有凹部3D，故在輸入接觸部13與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101接觸時(shí)，該輸入接觸部13的基底即輸入突起部11產(chǎn)生撓曲形變。
再有，由于在輸出突起部21的表面中的、多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)之間形成有凹部3D，故在輸出接觸部23與半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102接觸時(shí)，該輸出接觸部23的基底即輸出突起部21產(chǎn)生撓曲形變。
由此，通過輸入突起部11以及輸出突起部21的撓曲形變，輸入接觸部13能與輸入端子101較好地接觸；輸出接觸部23能與輸出端子102較好地接觸。
在此，優(yōu)選輸入突起部11以及輸出突起部21的凹部3D的深度為5μm以上。
為此，能夠獲得輸入突起部11以及輸出突起部21的充分的撓曲形變。
進(jìn)一步，在硅基板2的第2面2b上，形成輸入檢查半導(dǎo)體裝置時(shí)的檢查信號(hào)等的輸入背面導(dǎo)電部55；和取出檢查信號(hào)等的背面導(dǎo)電部56。
多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)，介由多個(gè)輸入貫通電極53的每一個(gè)，與于硅基板2的第2面2b形成的多個(gè)輸入背面導(dǎo)電部55的每一個(gè)電連接。
而且，多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)，介由多個(gè)輸出貫通電極54的每一個(gè)，與于硅基板2的第2面2b形成的多個(gè)輸出背面導(dǎo)電部56的每一個(gè)電連接。
由此，在使輸入突起部11與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101對(duì)向來檢查半導(dǎo)體裝置100時(shí)，能夠從與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101對(duì)向的面(第1面2a)不同的面(第2面2b)，通過輸入背面導(dǎo)電部55將檢查信號(hào)等輸入到半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101。
再有，在使輸出突起部21與半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102對(duì)向來檢查半導(dǎo)體裝置100時(shí)，能夠從與半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102對(duì)向的面(第1面2a)不同的面(第2面2b)，通過輸出背面導(dǎo)電部56將由半導(dǎo)體裝置100輸出的檢查信號(hào)等從輸出端子102取出。
再有，與輸入背面導(dǎo)電部55以及輸出背面導(dǎo)電部56形成在硅基板2的第1面2a的情況相比，檢查信號(hào)等的輸入以及取出變得容易，使得半導(dǎo)體裝置100的檢查易于執(zhí)行。
再有，將檢查用探測器安裝于檢查單元時(shí)的作業(yè)變得容易。
再有，由于在硅基板2的第1面2a，形成有覆蓋輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24的保護(hù)絕緣層33，故能防止輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24與半導(dǎo)體裝置100等的短路、或輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24相互之間的短路。
(檢查用探測器的制造方法)接著，參照?qǐng)D5以及圖6，對(duì)制造檢查用探測器1的方法進(jìn)行說明。
檢查用探測器1的制造方法，是在硅晶片等的母材基板上，形成成為檢查用探測器1的多個(gè)探測器形成區(qū)域，并以每一個(gè)該區(qū)域切斷母材基板，從而制造多個(gè)單片化的檢查用探測器1。
由此，能將多個(gè)檢查用探測器1同時(shí)、一并形成在母材基板上。
以下，對(duì)檢查探測器的制造方法進(jìn)行詳細(xì)敘述。
還有，通過切斷硅晶片200獲得多個(gè)硅基板2，從而制造多個(gè)檢查用探測器1。
由此，在硅晶片200中，對(duì)與構(gòu)成上述檢查探測器1的部位相同的部分付與相同的符號(hào)。
首先，如圖5A所示，準(zhǔn)備作為母材基板的硅晶片200。
接著，分別形成從硅晶片200的第1面2a貫通到第2面2b的輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
這些輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52，通過機(jī)械加工以外的激光加工、干蝕刻法、濕蝕刻法、或?qū)⑦@些并用的方法而形成。
接著，如圖5B所示，通過將硅晶片200熱氧化處理，在硅晶片200的第1面2a形成表面氧化膜31；在第2面2b形成背面氧化膜32；在輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52的內(nèi)壁形成絕緣層34。
為此，硅晶片200所露出的全部的面具有電絕緣性。
接著，利用電化學(xué)電鍍(ECP)法，對(duì)輸入、輸出貫通孔51、52的內(nèi)側(cè)施行鍍覆處理，形成導(dǎo)電性材料，以填埋該輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
該導(dǎo)電性材料，是輸入貫通電極53以及輸出貫通電極54的材料。
作為輸入貫通電極53以及輸出貫通電極54的材料，例如可以利用銅(Cu)。
由此，使銅(Cu)埋入輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52。
為此，如圖5C所示，在形成輸入貫通電極53以及輸出貫通電極54的同時(shí)，在硅晶片200的第2面2b上，形成與輸入貫通電極53電連接的輸入背面導(dǎo)電部55；也形成與輸出貫通電極54電連接的輸出背面導(dǎo)電部56。
還有，作為輸入、輸出貫通電極53、54的形成方法，不限于所述的方法，也可以埋入導(dǎo)電膏、熔融金屬、金屬線等。
接著，如圖6A所示，為了形成輸入突起部11以及輸出突起部21，在表面氧化膜31上的所定區(qū)域配置樹脂。
在硅晶片200上，輸入突起部11以及輸出突起部21在規(guī)定方向(Y軸方向)上延伸。
而且，輸入突起部11以及輸出突起部21的截面形狀，從Y方向觀察呈圓弧狀。
在本實(shí)施方式中，利用液滴噴出法(ink jet法)形成輸入突起部11以及輸出突起部21。
在液滴噴出法中，如圖6A所示，含有用于形成輸入突起部11以及輸出突起部21的樹脂的功能液的液滴3B，從液滴噴頭(inkjet head)50噴出到硅晶片200(表面氧化膜31)上。
由此，在硅晶片200上，形成輸入突起部11以及輸出突起部21，它們的表面從硅晶片200突出并且剖面視為圓弧狀(距表面氧化膜31的高度為5μm～30μm)。
通過利用液滴噴出法形成輸入突起部11以及輸出突起部21，能夠節(jié)制浪費(fèi)材料而有效地形成輸入突起部11以及輸出突起部21。
接著，如圖6B所示，分別在輸入突起部11以及輸出突起部21上以及表面氧化膜31上，形成包括輸入接觸部13以及輸出接觸部23、輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24的輸入布線部12以及輸出布線部22。
輸入布線部12以及輸出布線部22，能夠利用濺射法、鍍覆法或液滴噴出法(ink jet法)而形成。
在本實(shí)施方式中，利用濺射法形成輸入布線部12以及輸出布線部22。
首先，利用濺射法將TiW、Au等的金屬膜形成(層疊)在硅晶片200上。
其后，利用公知的光刻法以及蝕刻法，將抗蝕膜圖案化。
其后，通過抗蝕膜的開口部對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻。
其后，除去抗蝕膜。
由此，如圖6B所示，在輸入突起部11上，與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸入接觸部13被形成為排列在輸入突起部11的長度方向上。
而且，在輸出突起部21上，與半導(dǎo)體裝置100的輸出端子102對(duì)應(yīng)的多個(gè)輸出接觸部23被形成為排列在輸出突起部21的長度方向上。
在此，在多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)之間，輸入突起部11的表面露出。
另外，在硅晶片200上，與形成輸入突起部11以及輸出突起部21的區(qū)域不同的區(qū)域，形成與輸入接觸部13電連接的輸入導(dǎo)電部14；也形成與輸出接觸部23電連接的輸出導(dǎo)電部24。
接著，通過對(duì)輸入突起部11以及輸出突起部21施行O2等離子體處理，將輸入接觸部13以及輸出接觸部23作為掩模，選擇性地半蝕刻與形成有輸入接觸部13以及輸出接觸部23不同的區(qū)域(露出的區(qū)域)。
為此，如圖4所示，在多個(gè)輸入接觸部13的每一個(gè)之間、以及多個(gè)輸出接觸部23的每一個(gè)之間形成凹部3D。
接著，如圖6C所示，形成保護(hù)絕緣層33以覆蓋輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24。
于是，如圖6D所示，以每一個(gè)成為檢查用探測器1的探測器形成區(qū)域，切斷硅晶片200。
這樣，將多個(gè)檢查用探測器1幾乎同時(shí)地形成在硅晶片200上，并通過切斷硅晶片200，可以獲得圖3所示那樣的單片化的多個(gè)檢查用探測器1。
這樣，能夠有效地制造多個(gè)檢查用探測器1，并能夠?qū)崿F(xiàn)檢查用探測器1的低成本化。
還有，本發(fā)明的技術(shù)范圍并非限定于所述實(shí)施方式，可在不超越本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行種種的變更。
例如，代替與輸入貫通電極53電連接的輸入背面導(dǎo)電部55，也可以如圖7所示那樣形成輸入連接導(dǎo)電部61。
而且，多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部61的每一個(gè)的間隔，也可以形成得朝硅基板2的內(nèi)側(cè)增寬。
這時(shí)，多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部61的每一個(gè)的間隔，比多個(gè)輸入導(dǎo)電部14的每一個(gè)的間隔要寬。
另外，代替與輸出貫通電極54電連接的輸出背面導(dǎo)電部56，也可以如圖7所示那樣形成輸出連接導(dǎo)電部62。
于是，多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部62的每一個(gè)的間隔，也可以形成得朝硅基板2的內(nèi)側(cè)增寬。
這時(shí)，多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部62的每一個(gè)的間隔，比多個(gè)輸出導(dǎo)電部24的每一個(gè)的間隔要寬。
在此構(gòu)成中，在檢查半導(dǎo)體裝置100時(shí)，由于能夠防止多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部61的相互間的短路、或多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部62的相互間的短路，從而能正確地檢查半導(dǎo)體裝置100。
進(jìn)一步，通過將朝向硅基板2的表面內(nèi)側(cè)的多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部61的每一個(gè)的間隔、或多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部62的每一個(gè)的間隔形成得較大，使得即使在半導(dǎo)體裝置100的端子是窄間距的情況下，也能實(shí)現(xiàn)與該窄間距對(duì)應(yīng)的檢查用探測器1。
再有，能夠?qū)崿F(xiàn)硅基板2的緊湊化可能的檢查用探測器。
再有，作為輸入突起部11以及輸出突起部21的形成方法，并不限于液滴噴出法，例如也可以通過光刻法形成。
在該方法的情況，輸入突起部11以及輸出突起部21是利用感光性樹脂而形成的，并通過曝光、顯影或固化條件等，能夠容易地且高精度地形成剖面視為幾乎圓弧狀的輸入突起部11以及輸出突起部21。
進(jìn)一步，輸入布線部12以及輸出布線部22通過濺射法而形成，但是并非限于此，例如，也可以是鍍覆法。
在該方法中，在表面氧化膜31上濺射TiW、Au之后，通過涂覆抗蝕膜、并將該抗蝕膜圖案化，形成用于由鍍覆法形成輸入導(dǎo)電部21以及輸出導(dǎo)電部22的抗蝕圖案。
接著，進(jìn)行Au電解鍍覆，將Au(金)埋入抗蝕圖案，從而，形成輸入布線部12以及輸出布線部22。
其后，進(jìn)行抗蝕膜的剝離，并進(jìn)行TiW、Au蝕刻。
再有，也可以將輸入布線部12以及輸出布線部22通過液滴噴出法(inkjet法)而形成。
在該方法的情況，在通過Ag(銀)液滴、對(duì)輸入布線部12以及輸出布線部22進(jìn)行描繪而形成之后，進(jìn)行燒制，并通過無電解Ni/Au鍍覆而進(jìn)行成膜。
再有，作為檢查用探測器1的制造方法，是在硅晶片200上形成了輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52的，但是，并非限定于此，例如，也可以形成保護(hù)絕緣層33以覆蓋輸入導(dǎo)電部14以及輸出導(dǎo)電部24，之后形成輸入貫通孔51以及輸出貫通孔52，并將導(dǎo)電性材料埋入這些貫通孔51、52，形成輸入背面導(dǎo)電部55以及輸出背面導(dǎo)電部56。
再有，如圖1所示，所述檢查用探測器1，適于進(jìn)行形成有多個(gè)半導(dǎo)體裝置100的半導(dǎo)體晶片上的檢查。
再有，作為檢查對(duì)象的半導(dǎo)體裝置100的輸入、輸出端子101、102，適于Au凸起(bump)、Ni凸起、焊錫凸起等的金屬凸起的情況。
在輸入接觸部13以及輸出接觸部23，分別與半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102接觸時(shí)，通過輸入突起部11以及輸出突起部21的彈性作用，能夠吸收金屬凸起的高度零散偏差。
由此，能夠使輸入端子101和輸入接觸部13可靠地接觸；也能夠使輸出端子102和輸出接觸部23可靠地接觸。
進(jìn)一步，代替半導(dǎo)體裝置100的輸入端子101以及輸出端子102，如圖8所示，檢查用探測器1，也適于形成有凸起71的半導(dǎo)體裝置70的檢查，該凸起71具有以樹脂為芯的樹脂芯(core)72。
即如上所述，通過由樹脂構(gòu)成的輸入突起部11的彈性作用，吸收輸入接觸部13和凸起71接觸時(shí)的凸起71的彈性，能夠防止在凸起71的表面形成的端子101a的破損。
再有，通過由樹脂構(gòu)成的輸出突起部21的彈性作用，吸收輸出接觸部23和凸起71接觸時(shí)的凸起71的彈性，能夠防止在凸起71的表面形成的端子101b的破損。
權(quán)利要求
1.一種檢查用探測器，用于對(duì)具有多個(gè)輸入端子和多個(gè)輸出端子的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查，包括具有第1面和第2面的基板；輸入突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列對(duì)應(yīng)而形成；輸出突起部，其由樹脂構(gòu)成，形成在所述基板的所述第1面，且與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列對(duì)應(yīng)而形成；多個(gè)輸入接觸部，形成在所述輸入突起部上，分別與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸出接觸部，形成在所述輸出突起部上，分別與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸入導(dǎo)電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個(gè)所述輸入接觸部的每一個(gè)電連接；和多個(gè)輸出導(dǎo)電部，形成在所述基板的第1面上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個(gè)所述輸出接觸部的每一個(gè)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查用探測器，其特征在于，多個(gè)所述輸入接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成；多個(gè)所述輸出接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成；多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)被形成為與多個(gè)所述輸入接觸部的每一個(gè)對(duì)應(yīng)；多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)被形成為與多個(gè)所述輸出接觸部的每一個(gè)對(duì)應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢查用探測器，其特征在于，所述輸入突起部在多個(gè)所述輸入接觸部的排列方向延伸；所述輸出突起部在多個(gè)所述輸出接觸部的排列方向延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器，其特征在于，從多個(gè)所述輸入接觸部排列的方向觀察的、所述輸入突起部的截面形狀，是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀；從多個(gè)所述輸出接觸部排列的方向觀察的、所述輸出突起部的截面形狀，是從所述基板的所述第1面突出的圓弧狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器，其特征在于，在所述輸入突起部的表面中的與形成多個(gè)所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域、和所述輸出突起部的表面中的與形成多個(gè)所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器，其特征在于，包括多個(gè)輸入導(dǎo)通部，分別與多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個(gè)輸出導(dǎo)通部，分別與多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)電連接，并從所述基板的所述第1面貫通到所述第2面；多個(gè)輸入連接導(dǎo)電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個(gè)所述輸入導(dǎo)通部的每一個(gè)電連接；和多個(gè)輸出連接導(dǎo)電部，形成在所述基板的所述第2面，分別與多個(gè)所述輸出導(dǎo)通部的每一個(gè)電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢查用探測器，其特征在于，多個(gè)所述輸入連接導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔，比多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔要寬；多個(gè)所述輸出連接導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔，比多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部的每一個(gè)相鄰的間隔要寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器，其特征在于，具有絕緣層，其覆蓋多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部以及多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部。
9.一種檢查用探測器的制造方法，所述檢查用探測器用于對(duì)具有多個(gè)輸入端子和多個(gè)輸出端子的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢查，該制造方法具有以下步驟準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列對(duì)應(yīng)、且由樹脂構(gòu)成的輸入突起部；在所述基板上形成與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列對(duì)應(yīng)、且由樹脂構(gòu)成的輸出突起部；在所述輸入突起部上形成多個(gè)輸入接觸部；在所述輸出突起部上形成多個(gè)輸出接觸部；在所述基板上的與形成有所述輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個(gè)輸入導(dǎo)電部；在所述基板上的與形成有所述輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，形成多個(gè)輸出導(dǎo)電部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，通過半蝕刻法，除去所述輸入突起部的表面中與形成多個(gè)所述輸入接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；除去所述輸出突起部的表面中與形成多個(gè)所述輸出接觸部的區(qū)域不同的區(qū)域而形成凹部；多個(gè)所述輸入接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸入端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成；多個(gè)所述輸出接觸部，與所述半導(dǎo)體裝置的多個(gè)所述輸出端子的排列方向?qū)?yīng)而排列形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，所述輸入突起部以及所述輸出突起部由感光性樹脂構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9～11中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，通過液滴噴出法將含有樹脂材料的功能液噴出到所述基板上，而在所述基板上形成所述輸入突起部以及所述輸出突起部。
13.根據(jù)權(quán)利要求9～12中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，多個(gè)所述輸入接觸部、多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部、多個(gè)所述輸出接觸部、以及多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部，通過濺射法或鍍覆法形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求9～13中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，通過液滴噴出法，在所述基板上形成多個(gè)所述輸入接觸部、多個(gè)所述輸入導(dǎo)電部、多個(gè)所述輸出接觸部、以及多個(gè)所述輸出導(dǎo)電部。
15.根據(jù)權(quán)利要求9～14中任一項(xiàng)所述的檢查用探測器的制造方法，其特征在于，準(zhǔn)備母材基板，在所述母材基板上形成分別與多個(gè)所述檢查用探測器的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)探測器形成區(qū)域，以每一個(gè)所述區(qū)域切斷所述母材基板，獲得多個(gè)單片化的檢查用探測器。
全文摘要
一種檢查用探測器，包括具有第1面和第2面的基板；輸入突起部，形成在基板的第1面，且與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的排列對(duì)應(yīng)而形成；輸出突起部，形成在基板的第1面，且與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸出端子的排列對(duì)應(yīng)而形成；多個(gè)輸入接觸部，形成在輸入突起部上，分別與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸入端子的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸出接觸部，形成在輸出突起部上，分別與半導(dǎo)體裝置的多個(gè)輸出端子的每一個(gè)接觸；多個(gè)輸入導(dǎo)電部，形成在基板的第1面上的與形成有輸入突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個(gè)輸入接觸部的每一個(gè)電連接；和多個(gè)輸出導(dǎo)電部，形成在基板的第1面上的與形成有輸出突起部的區(qū)域不同的區(qū)域，分別與多個(gè)輸出接觸部的每一個(gè)電連接。
文檔編號(hào)G01R31/26GK1866490SQ20061008199
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者伊東春樹 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社