專利名稱：輻射劑量計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及輻射劑量計(jì)(radiation dosimeter)，尤其涉及用于確定用戶所受到的輻射水平的方法和裝置。
背景技術(shù)：
電子個(gè)人劑量計(jì)由人員在潛在危險(xiǎn)的環(huán)境中使用。這種環(huán)境的例子可能是醫(yī)療環(huán)境，其中放射線技師和相關(guān)人員可能暴露到對(duì)他們的健康有害的X光劑量中。為此，這樣的人員通常需要佩戴或者攜帶電子個(gè)人劑量計(jì)，該劑量計(jì)用來(lái)檢測(cè)輻射和提供關(guān)于該人員已經(jīng)受到一段時(shí)間的輻射的量的指示。
檢測(cè)設(shè)備是已知的，其中由于X光的能量在照片底版上導(dǎo)致的化學(xué)變化而檢測(cè)到X光。但是，這樣的設(shè)備不必具有足夠長(zhǎng)的使用壽命，或者有效和重復(fù)再用的能力。
美國(guó)專利號(hào)5,596,199描述了一種微劑量測(cè)定檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備包括能夠存儲(chǔ)預(yù)定的內(nèi)部電荷而不需要電源的非易失性存儲(chǔ)器件的陣列。入射在非易失性存儲(chǔ)器件上的每個(gè)輻射微粒在該器件的敏感體積之內(nèi)生成電荷，并且改變所存儲(chǔ)的內(nèi)部電荷，改變的量是對(duì)應(yīng)于由特定類型的輻射微粒沉積的能量的某個(gè)量。與關(guān)于該陣列中的非易失性存儲(chǔ)器件的這種電荷變異對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，被輸入到定性分析設(shè)備，該設(shè)備將這樣的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為對(duì)入射輻射場(chǎng)的頻譜分析。因而，所述的設(shè)備不僅能夠檢測(cè)到用戶暴露到輻射，并且還能夠?qū)⑦@樣的暴露以劑量表征，劑量是能夠描述入射輻射傷害用戶健康的趨勢(shì)的等級(jí)或相似測(cè)量。
但是，上述設(shè)備不僅不能在操作的檢測(cè)階段區(qū)分輻射的類型，并且還要求相對(duì)復(fù)雜的分析過(guò)程來(lái)確定暴露的水平和這樣的暴露造成的潛在傷害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于確定用戶已經(jīng)受到的輻射的水平的設(shè)備和方法，其與當(dāng)前技術(shù)的裝置相比在配置和操作方面更不復(fù)雜，并且給出用戶暴露在一個(gè)或多個(gè)危險(xiǎn)輻射類型中的快速和準(zhǔn)確的指示。
依照本發(fā)明，提供了一種用于確定用戶已經(jīng)受到的輻射的水平的檢測(cè)器，該設(shè)備包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件、用于通過(guò)在其浮動(dòng)?xùn)艠O(floating gate)形成電荷來(lái)使得所述存儲(chǔ)元件能夠被編程的裝置、使得作為暴露到輻射的結(jié)果已經(jīng)經(jīng)歷閾值電壓偏移的所述存儲(chǔ)元件的數(shù)量能夠被確定的裝置，從而能夠確定所述用戶已受到的輻射劑量。
還是依照本發(fā)明，提供了一種用于上述檢測(cè)器的閱讀器設(shè)備，該閱讀器設(shè)備包括用于以下用途的裝置，將所述閱讀器設(shè)備連接到所述檢測(cè)器，和從那里接收代表作為受到輻射的結(jié)果而經(jīng)歷了閾值電壓的偏移的存儲(chǔ)元件的數(shù)量的數(shù)據(jù)，將所述數(shù)據(jù)與預(yù)定的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)比較，和從而確定用戶已經(jīng)受到的輻射的劑量。
本發(fā)明擴(kuò)展到包括如上所述的檢測(cè)器和閱讀器設(shè)備的劑量計(jì)系統(tǒng)。
仍然依照本發(fā)明，提供了一種用于確定用戶已經(jīng)受到的輻射水平的方法，該方法包括給用戶提供如上所述的檢測(cè)器，從那里獲取代表作為受到輻射的結(jié)果而經(jīng)歷了閾值電壓偏移的存儲(chǔ)元件的數(shù)量的數(shù)據(jù)，將所述數(shù)據(jù)與預(yù)定的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)相比較，從而確定用戶已經(jīng)受到的輻射的劑量。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所述檢測(cè)器可以包括閃爍器元件，諸如摻雜的NaI或更高級(jí)的材料，這對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的，用于“捕獲”一些入射的輻射并且將其轉(zhuǎn)換為UV輻射。因而，在用于X光劑量計(jì)系統(tǒng)的檢測(cè)器的情況下，閃爍器元件(其可以存儲(chǔ)元件或屏幕的覆蓋層的形式提供)“捕獲”在其上入射的一些X光(和更高頻的光子)輻射，并且將其轉(zhuǎn)換為UV輻射。在本發(fā)明的更簡(jiǎn)單的版本中，沒(méi)有提供閃爍器元件，X光劑量和所需的浮動(dòng)?xùn)艠O是大的，使得X光的主要量與浮動(dòng)?xùn)艠O交互，產(chǎn)生電荷和導(dǎo)致相應(yīng)的閾值電壓偏移。在這種情況下，可以提供濾波器元件用于只允許某種類型的輻射(或在預(yù)定頻率之上的)到達(dá)非易失性存儲(chǔ)元件。特別的，該濾波器可以包括UV濾波器，以阻塞UV輻射和允許更高頻率的輻射(特別是X光輻射)通過(guò)以到達(dá)非易失性存儲(chǔ)元件。但是，利用提供的閃爍器元件，較低比例的X光與浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)元件交互，以便能夠提供較小的浮動(dòng)?xùn)艠O體積，并且整個(gè)檢測(cè)器可以制造得更小、較不復(fù)雜和較不昂貴。
在本發(fā)明的一個(gè)示例實(shí)施例中，所述非易失性存儲(chǔ)元件可以陣列的形式提供，以便于制造和最優(yōu)化集成電路模腔。
閱讀器設(shè)備優(yōu)選包括用于編程所述非易失性存儲(chǔ)元件的裝置，從而消除在這方面對(duì)任何附加硬件的需要。檢測(cè)器設(shè)備優(yōu)選包括用于使閱讀器能夠與之耦接的接口，以便與之進(jìn)行硬布線的或無(wú)線的通信。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，閱讀器設(shè)備被布置和配置用于從所述檢測(cè)器設(shè)備讀取數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)代表由于暴露到輻射中其閾值電壓已經(jīng)偏移的存儲(chǔ)元件的數(shù)目。校準(zhǔn)數(shù)據(jù)有利的包括預(yù)定的校正曲線。
存儲(chǔ)陣列的一部分可以用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，諸如關(guān)于預(yù)定的一個(gè)或多個(gè)用戶的用戶數(shù)據(jù)和/或表示一個(gè)或多個(gè)先前的讀出操作的時(shí)間戳。


本發(fā)明的這些和其它方面將參考這里所述的實(shí)施例加以闡述，并且變得顯而易見。
將描述的本發(fā)明的實(shí)施例只作為例子，并且參考附圖，其中圖1是傳統(tǒng)的IGFET設(shè)備的結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖；圖2是浮動(dòng)?xùn)艠O器件的結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖；圖3是示出依照本發(fā)明的示例性實(shí)施例的劑量計(jì)系統(tǒng)的主要部件的示意性結(jié)構(gòu)圖；圖4是示出依照本發(fā)明的示例性實(shí)施例的確定用戶已經(jīng)受到的輻射水平的方法的主要步驟的示意性流程圖；圖5是示出由于X光劑量的作用被擦除的存儲(chǔ)單元的比例的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式
參考附圖中的圖1，在一個(gè)傳統(tǒng)的p溝道隔離柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGFET)結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)p型區(qū)域10、12分散到n型基底14以形成源極(S)和漏級(jí)(D)。隔離材料(例如SiO2)層16已經(jīng)沉積，金屬的柵極18疊加在其上。
當(dāng)傳統(tǒng)IGFET的柵電極被修改以結(jié)合一個(gè)附加的金屬隔離物“三明治”(浮動(dòng)?xùn)艠O)的時(shí)候，該新結(jié)構(gòu)可以作為其中可能有半永久電荷存儲(chǔ)而不需要電源的存儲(chǔ)器件(即，非易失性存儲(chǔ)器)。具有浮動(dòng)?xùn)艠O的IGFET的在圖2中示出，其基本上是p溝道加強(qiáng)模式器件。該柵電極的結(jié)構(gòu)象三明治般分層隔離物I(1)，金屬M(fèi)(1)，隔離物(I)2，金屬M(fèi)(2)。
在浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管中，電荷在浮動(dòng)?xùn)艠O上存儲(chǔ)以改變其閾值電壓，并且當(dāng)電荷被移除時(shí)，該閾值電壓返回其初始值。因而，浮動(dòng)?xùn)艠O被用作電荷存儲(chǔ)區(qū)域，并且通過(guò)改變?cè)摉艠O上俘獲的電荷的數(shù)量，能夠改變?cè)撈骷拈撝惦妷?，從而有效?chuàng)建電壓水平偏移。
參考附圖3，依照本發(fā)明的示例實(shí)施例的X光劑量計(jì)檢測(cè)器設(shè)備100包括多個(gè)非易失性浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)元件102，這些存儲(chǔ)元件以陣列104布置，并且優(yōu)選形成在單個(gè)集成電路小片上和容納在封裝之內(nèi)，以便附著或結(jié)合到用戶的衣服或身體之內(nèi)或之上。將理解，非易失性存儲(chǔ)元件102的陣列104所覆蓋的區(qū)域?qū)⒁蕾囉陬A(yù)期用戶受到的總的輻射劑量。提供閃爍器元件106，其布置和配置在輸入輻射108和存儲(chǔ)陣列104之間(部分或全部遮蔽存儲(chǔ)陣列104)，以便“捕獲”一些其上入射的X光輻射并且將之轉(zhuǎn)化為UV輻射。提供了閃爍器元件106意味著入射到浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)元件102上的X光劑量少，使得浮動(dòng)?xùn)艠O的體積可以減小，從而使得最終的檢測(cè)器更小并且制造起來(lái)更不復(fù)雜和不昂貴。如本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚的，閃爍器元件106可以包括，例如，摻雜的NaI或更多高級(jí)的材料，并且依賴于使用的材料可以有顯著的厚度，也就是說(shuō)1厘米的量級(jí)。
將理解，在本領(lǐng)域中有許多不同類型的非易失性浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器，并且本發(fā)明將不受限于這個(gè)方面。例如，可以使用閃存或SONOS(半導(dǎo)體-氧化物-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體)存儲(chǔ)器，其中可以在柵極結(jié)構(gòu)的氮化物層俘獲電荷。
還提供接口電路110，以使得檢測(cè)器100能夠與外部的閱讀器設(shè)備對(duì)接，從而最小化該檢測(cè)器單元的復(fù)雜度(通過(guò)消除在檢測(cè)器單元中結(jié)合閱讀器功能的需要)。
另外參考附圖4，在步驟200，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器102的陣列104編程，以使得所有的存儲(chǔ)元件102在浮動(dòng)?xùn)艠O上具有一電荷。對(duì)浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)元件編程可以定義為增加該器件的浮動(dòng)?xùn)艠O上俘獲的電子數(shù)目，而對(duì)其解編程或擦除是恰好相反的操作。有多種方法通常用來(lái)執(zhí)行這些過(guò)程。一種這樣的方法，稱為Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)法，通過(guò)建立穿過(guò)柵極氧化物的強(qiáng)大的場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，該場(chǎng)使得電子能夠隧穿該氧化物。如本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，這種編程和擦除的兩個(gè)主要準(zhǔn)則是保證所述的場(chǎng)強(qiáng)高得足以激活隧道效應(yīng)，同時(shí)保證該場(chǎng)強(qiáng)足以低的阻止氧化物破壞。
另一個(gè)編程方法稱為熱電子注射，其涉及設(shè)置穿過(guò)器件的VDS偏壓和VGS偏壓。這些條件使得電子能夠隧穿溝道，以便隧穿接近漏級(jí)的柵極氧化物。
其它方法對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的，并且本發(fā)明不必受限于這個(gè)方面。對(duì)非易失性存儲(chǔ)元件的編程可以通過(guò)使用閱讀器設(shè)備114來(lái)執(zhí)行(下文對(duì)此解釋)，但是這不是必須的?？梢詾榇四康奶峁┓蛛x的裝置。
在步驟202，一旦已經(jīng)編程，檢測(cè)器設(shè)備100可以附著到用戶的衣服上，例如與傳統(tǒng)的劑量計(jì)設(shè)備類似?；蛘撸摍z測(cè)器設(shè)備可以結(jié)合到特殊封裝里，以便結(jié)合到用戶的衣服中。應(yīng)理解，在任何情況下，不需要電池或其它的電源。
當(dāng)用戶暴露到X光輻射，X光112將穿透濾波器106以到達(dá)非易失性存儲(chǔ)元件102，導(dǎo)致在一些浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷被移除，從而導(dǎo)致在相應(yīng)的存儲(chǔ)元件102中閾值電壓發(fā)生對(duì)應(yīng)的偏移。對(duì)于給定的暴露時(shí)間，只有一些浮動(dòng)?xùn)艠O可能被Vt(閾值電壓)偏移，因?yàn)樵陂W爍器元件106中的X光的隨機(jī)吸收過(guò)程(閃爍器元件也可以稱為“吸收轉(zhuǎn)化器”或“熒光體”材料)。隨著入射X光的能量變高，吸收長(zhǎng)度變大，例如在10Kev，該吸收長(zhǎng)度在例如有機(jī)玻璃(Perspex)或PMMA中大約為10mm。結(jié)果，吸收“事件”不得不視為吸收體中的隨機(jī)過(guò)程。有效的閃爍器每當(dāng)吸收X光就產(chǎn)生許多光子，并且具有很少自吸收。
在某個(gè)暴露時(shí)間段之后，在步驟204，可以通過(guò)接口110和116將檢測(cè)器100連接到閱讀器114。閱讀器114包括電源118，用以提供電能從而讀取由于暴露到X光的結(jié)果而經(jīng)歷閾值電壓偏移的器件102的數(shù)目(步驟206)。在一個(gè)示例實(shí)施例中，還可以提供裝置來(lái)測(cè)量各閾值電壓偏移的量，但這不是必須的?；旧希撝惦妷浩频某潭瓤梢酝ㄟ^(guò)測(cè)量具有給定Vgs的器件電流Ids中的變化來(lái)測(cè)量；并且在浮動(dòng)?xùn)艠O器件中，在浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷通過(guò)增量Vt＝(t*Q)/ε與閾值電壓中的變化相關(guān)聯(lián)，其中Q是浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷，t和ε分別是柵極氧化物厚度和介電常數(shù)。原則上，存儲(chǔ)器中的每個(gè)器件必須一個(gè)一個(gè)讀出，并且電流被放大和與在一些固定的電阻器上的電壓降比較(在非常原始的版本中)。但是，在許多嵌入式存儲(chǔ)過(guò)程中，對(duì)這樣的非易失性存儲(chǔ)器件的讀出是標(biāo)準(zhǔn)的。讀出該芯片的另一種方法是，制造兩個(gè)相同的芯片，一個(gè)芯片經(jīng)受X光和UV光，另一個(gè)封裝在鉛中(因而阻擋了所有的入射輻射)，從而后一個(gè)芯片充當(dāng)“控制陣列”，然后可以在劑量計(jì)芯片和屏蔽的芯片之間比較各個(gè)MOS晶體管的電流。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在任何情況下，讀出非易失性存儲(chǔ)器的過(guò)程是相當(dāng)快的，即對(duì)于很多兆的像素在＜1秒的量級(jí)。
然后，處理裝置120采用預(yù)定的但是普遍的校準(zhǔn)曲線，從VT偏移的存儲(chǔ)元件102的數(shù)目來(lái)確定用戶已經(jīng)受到的總的X光劑量(步驟208)。為了將被擦除的存儲(chǔ)單元的數(shù)目轉(zhuǎn)化為X光暴露劑量，上述的校準(zhǔn)曲線是必須的。這樣的曲線至少依賴于以下所有因素閃爍器材料，閃爍器體積，檢測(cè)器封裝的吸收性能，在UV光和浮動(dòng)?xùn)艠O之間的耦合，浮動(dòng)?xùn)艠O氧化物厚度和滲透性，柵極長(zhǎng)度和寬度，“像素”(即非易失性存儲(chǔ)元件)的電源電壓和強(qiáng)度和大小?？梢酝ㄟ^(guò)將劑量計(jì)設(shè)備暴露到已知?jiǎng)┝康腦光并且測(cè)量被擦除的單元的數(shù)目作為劑量的函數(shù)，來(lái)確定該曲線，在圖5中提供了這樣的曲線的簡(jiǎn)圖作為例子，該圖示出了閾值X光劑量A(在此存儲(chǔ)單元開始被擦除)和飽和劑量B(當(dāng)所有存儲(chǔ)單元已經(jīng)被擦除)。
另外，存儲(chǔ)陣列104的部分可以用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，諸如用戶信息或者表示關(guān)于檢測(cè)器100執(zhí)行的前一次讀出操作的時(shí)間戳。
最后，可以將檢測(cè)器陣列重置(在步驟210)，以備以后再用，通過(guò)首先擦除陣列104的所有非易失性存儲(chǔ)元件102(使得在各浮動(dòng)?xùn)艠O上的所有電子都被移除)，隨后象以前一樣在所有浮動(dòng)?xùn)艠O上放置電子。該重置過(guò)程可以由閱讀器114來(lái)再次執(zhí)行。
應(yīng)該認(rèn)識(shí)到上述實(shí)施例是為了說(shuō)明而不是限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠設(shè)計(jì)許多替代實(shí)施例而不偏離隨附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍。在權(quán)利要求中，括號(hào)中的任何參考符號(hào)不視為限制權(quán)利要求。詞“包括”、“包含”等不排除在任何權(quán)利要求或說(shuō)明書中作為整體列出的元件或步驟之外的元件或步驟的存在。對(duì)元件的單數(shù)引用不排除對(duì)該元件的復(fù)數(shù)引用，反之亦然。本發(fā)明可以通過(guò)包括若干不同元件的硬件或適當(dāng)編程的計(jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在列舉若干裝置的設(shè)備權(quán)利要求中，若干這樣的裝置可以實(shí)現(xiàn)為一個(gè)和相同的硬件項(xiàng)。在相互不同的從屬權(quán)利要求中列出某些措施的事實(shí)并不意味著不能使用這些措施的組合獲益。
權(quán)利要求
1.一種用于確定用戶已經(jīng)受到的輻射水平的檢測(cè)器(100)，該設(shè)備包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(102)、用于通過(guò)在其浮動(dòng)?xùn)艠O形成電荷來(lái)使得所述存儲(chǔ)元件(102)能夠被編程的裝置(110)、使得作為暴露到輻射(112)的結(jié)果已經(jīng)經(jīng)歷閾值電壓偏移的所述存儲(chǔ)元件的數(shù)量能夠被確定的裝置(110)，從而能夠確定所述用戶已受到的輻射劑量(122)。
2.依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)，其中所述非易失性存儲(chǔ)元件(102)以陣列(104)的形式提供。
3.依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)，包括閃爍器元件(106)，其用于將其上入射的部分高頻輻射轉(zhuǎn)化為UV輻射。
4.依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)，還包括濾波器，其用以只允許某種類型的輻射或者在預(yù)定頻率之上的輻射到達(dá)所述非易失性存儲(chǔ)單元(102)。
5.依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)，其中所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件(102)的一部分用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，包括與預(yù)定的一個(gè)或多個(gè)用戶相關(guān)的用戶數(shù)據(jù)和/或表示一個(gè)或多個(gè)先前的讀出操作的時(shí)間戳。
6.依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)，包括接口(110)，使得閱讀器(114)能夠與之耦接以便與之進(jìn)行硬布線或無(wú)線的通信。
7.一種與依照權(quán)利要求1的檢測(cè)器(100)一起使用的閱讀器設(shè)備(114)，該設(shè)備包括裝置(116)，其用于將所述閱讀器設(shè)備(114)連接到所述檢測(cè)器(110)，和從那里接收代表作為受到輻射的結(jié)果(112)而經(jīng)歷了閾值電壓的偏移的存儲(chǔ)元件(102)的數(shù)量的數(shù)據(jù)，將所述數(shù)據(jù)與預(yù)定的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)比較，和從而確定用戶已經(jīng)受到的輻射的劑量(122)。
8.依照權(quán)利要求7所述的閱讀器設(shè)備(114)，還包括用于編程所述非易失性存儲(chǔ)元件(102)的裝置。
9.依照權(quán)利要求7所述的閱讀器設(shè)備(114)，布置和配置為從所述檢測(cè)器(100)讀取代表作為受到輻射的結(jié)果(112)而閾值電壓發(fā)生偏移的存儲(chǔ)元件(102)的數(shù)量的數(shù)據(jù)。
10.依照權(quán)利要求7所述的閱讀器設(shè)備(114)，其中所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)包括預(yù)定的校準(zhǔn)曲線。
11.一種包括依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)和依照權(quán)利要求7所述的閱讀器設(shè)備(114)的劑量計(jì)系統(tǒng)。
12.一種依照權(quán)利要求11所述的X光劑量計(jì)系統(tǒng)。
13.一種依照權(quán)利要求12所述的X光劑量計(jì)系統(tǒng)，其中所述檢測(cè)器(100)包括閃爍器元件(106)，用以將一部分在其上入射的X光輻射轉(zhuǎn)化為UV輻射。
14.一種確定用戶已經(jīng)受到的輻射的水平的方法，該方法包括，給用戶提供依照權(quán)利要求1所述的檢測(cè)器(100)，從那里獲取代表作為受到輻射的結(jié)果(112)而經(jīng)歷了閾值電壓的偏移的存儲(chǔ)元件(102)的數(shù)量的數(shù)據(jù)，將所述數(shù)據(jù)與預(yù)定的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)比較，和從而確定用戶已經(jīng)受到的輻射的劑量(122)。
全文摘要
一種個(gè)人X光劑量計(jì)系統(tǒng)，包括便攜式檢測(cè)器(100)和閱讀器設(shè)備(114)。該便攜式檢測(cè)器(100)包括編程的非易失性存儲(chǔ)元件(102)的陣列(104)和用于將其上入射的部分X光輻射轉(zhuǎn)化為UV輻射的閃爍器元件(106)。作為暴露到?jīng)]有轉(zhuǎn)化為UV輻射的X光輻射(112)的結(jié)果，一些存儲(chǔ)元件(102)在它們的浮動(dòng)?xùn)艠O上將具有電荷，從而導(dǎo)致閾值電壓(VT)中的對(duì)應(yīng)偏移。在一段暴露時(shí)間之后，閱讀器設(shè)備(114)從檢測(cè)器(100)讀取代表VT已經(jīng)偏移的存儲(chǔ)元件(102)的數(shù)量的數(shù)據(jù)，并且從而使用預(yù)定的校準(zhǔn)曲線來(lái)確定用戶已經(jīng)受到的輻射劑量(122)。
文檔編號(hào)G01T1/24GK101065684SQ200580040145
公開日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2005年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月23日
發(fā)明者P·阿加沃爾 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司