專利名稱：氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測氣體絕緣設(shè)備內(nèi)部發(fā)生的局部放電，診斷氣體絕緣設(shè)備的異常狀態(tài)的局部放電診斷方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電力供給量的增大及變電站設(shè)備的小型化，在金屬容器內(nèi)封裝了電絕緣性能、電流切斷性能和可靠性都優(yōu)良的高壓SF6氣體的氣體絕緣設(shè)備得到普及。
封裝在氣體絕緣設(shè)備中的SF6氣體雖顯示出優(yōu)良的絕緣性能，但卻具有在不均勻電場中絕緣特性大幅度降低的特征。作為主要原因可列舉各種內(nèi)部異常，尤其是例如設(shè)備內(nèi)混入了異物、在內(nèi)部導體上形成了突起以及絕緣襯墊中的空隙等。當存在這些內(nèi)部異常時，有可能在加上高電壓時產(chǎn)生局部放電現(xiàn)象，或者當受到雷擊等過電壓時最終導至絕緣破壞。
因此，為了將絕緣破壞事故防患于未然，有效的方法之一是高靈敏度地檢測可稱為絕緣破壞前兆現(xiàn)象的局部放電，至今提出了利用電磁波、聲、光、分解氣體的檢測方法的種種方案。其中，由于使用電磁波的從數(shù)百MHz到數(shù)GHz的頻率范圍的信號的方法不易受到噪音的干擾，因而，作為高靈敏度的局部放電的檢測方法，正得到積極的研究開發(fā)。
這種電磁波的檢測傳感器如例如專利文獻1—日本特許3299547號公報所述，可利用氣體絕緣設(shè)備配置的傳感器對局部放電的電磁波進行高靈敏度的檢測。電磁波檢測法可利用傳感器檢測出的信號在噪音少的從數(shù)百MHz到數(shù)GHz的頻率范圍內(nèi)進行頻率分析以確認是否存在局部放電信號。另外，如專利文獻2—日本特開平10-170596號公報所述，不只是利用頻率分析，還提出了根據(jù)與所施加的市電頻率電壓相位同步的相位圖案來判斷是否產(chǎn)生局部放電的方法。再有，如專利文獻3—日本特開2000-224723號公報所述，還提出了將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等的推斷手法用于從所檢測到的信號判斷缺陷種類的方法。
另外，作為確定局部放電的發(fā)生位置的方法提出了根據(jù)到達二個檢測傳感器的時間差標定位置的方法，以及如專利文獻4—日本特公平7-50147號公報所述，利用電磁波信號的衰減特性以推斷氣體絕緣設(shè)備內(nèi)的局部放電的位置的方法。
再有，如專利文獻5—日本特開平-49362號公報所述，提出了檢測由絕緣異常、通電異常、混入微小異物產(chǎn)生的信號，利用專家系統(tǒng)根據(jù)與事先儲存的信號的關(guān)系對異常進行綜合診斷，將處理指導、壽命預(yù)測等作為結(jié)果予以顯示的方法。具體的，有關(guān)異物長度的推斷，提出了可以根據(jù)氣體絕緣設(shè)備所施加的電壓和放電電荷量的關(guān)系來推斷異物長度的方法。但是，其后的研究結(jié)果表明，施加電壓與放電電荷量特性與異物尺寸不相對應(yīng)的情況居多。
至今的檢測局部放電都是通過對所測定的局部放電大小的評價來評價對氣體絕緣設(shè)備的絕緣的危險性。即，測定代表放電大小的放電電荷量，當測定到超過所設(shè)定的閾值(例如100pC)的放電電荷量時，則作為檢測到了異常信號。
然而，在存在電極浮動等缺陷的情況下，存在即使產(chǎn)生數(shù)千pC以上的大信號，絕緣破壞的可能性往往也極低的情況。另外，就突起的缺陷而言，可以發(fā)現(xiàn)，即使發(fā)生同樣的放電電荷量，因放電發(fā)生位置不同也有絕緣破壞的危險性大不相同的情況。
即，僅通過放電電荷量的評價不能說已對實際設(shè)備的危險狀態(tài)進行了評價，有必要為氣體絕緣設(shè)備的可靠性而正確地評價其危險狀態(tài)。另外，由于局部放電產(chǎn)生的電磁波的頻率成分及大小隨氣體絕緣設(shè)備的電路結(jié)構(gòu)及金屬容器的大小而變化，因而存在不能正確診斷的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，其目的在于提供一種能高靈敏度地檢測局部放電、對絕緣異常的狀態(tài)正確地進行診斷的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法及系統(tǒng)。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法是，在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號并診斷氣體絕緣設(shè)備異常狀態(tài)的診斷方法中，其特征是使用根據(jù)所檢測到的局部放電信號的信號強度、上述氣體絕緣設(shè)備的結(jié)構(gòu)尺寸導出的異物存在的位置的電場分布來推斷缺陷尺寸。特別是在異物為突起的場合，其特征是上述電場分布使用電場強度及電場不均勻度。
或者，對所檢測到的局部放電信號進行頻率分析，根據(jù)由這種頻率分析所得到的分析波形或與對氣體絕緣設(shè)備所施加的頻率同步的局部放電的電壓相位分布(圖案)來推斷異物的缺陷種類；并根據(jù)多個上述局部放電信號來推斷缺陷位置和信號強度；對每種所診斷的缺陷種類，使用上述信號強度和上述缺陷位置的電場分布來推斷缺陷尺寸。再有，其特征是根據(jù)預(yù)先按照缺陷種類設(shè)定的，缺陷位置和導體表面電場與電場不均勻度的關(guān)系來求得上述缺陷位置的電場分布。
本發(fā)明的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)，其特征是，具有對來自設(shè)置在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)的局部放電檢測器的信號進行頻率分析的頻率分析部；根據(jù)由該頻率分析結(jié)果得到的信號來進行缺陷種類判斷的缺陷種類判斷部；根據(jù)多個檢測信號來進行缺陷位置的標定的位置標定部；根據(jù)由這些得到的缺陷種類、缺陷位置和由測定得到的信號強度及氣體絕緣設(shè)備的結(jié)構(gòu)來計算缺陷尺寸的缺陷尺寸運算部。
再者，其特征是具有根據(jù)缺陷尺寸和缺陷種類評價絕緣破壞的危險性的危險度評價部。
下面，說明本發(fā)明的作用。在上述專利文獻5中，記載了能根據(jù)氣體絕緣設(shè)備的施加電壓與放電電荷量的關(guān)系來推斷異物的長度。但是，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的研究，放電大小，即放電電荷量與施加電壓沒有依賴關(guān)系，而依賴于異物存在場所的電場分布。即，為了正確地推斷異物的長度，必須采用根據(jù)異物存在場所的電場分布的方法?？傊?，缺陷種類為突起的場合，使用可以有效地表現(xiàn)電場分布的、異物存在場所的電場強度和電場不均勻度。缺陷種類為沿襯墊表面附著的異物時，使用沿襯墊表面方向的電場強度。這樣，就能算出正確的異物長度。
采用本發(fā)明的局部放電診斷方法，為了表現(xiàn)上述的電場分布，具有表示氣體絕緣設(shè)備的構(gòu)造及各場所的電場強度、電場不均勻度、沿襯墊表面方向的電場強度的構(gòu)造數(shù)據(jù)庫。除此以外，還具有用于判斷缺陷種類的缺陷種類數(shù)據(jù)庫，用于標定位置的電磁波傳輸衰減量等的標定數(shù)據(jù)庫，用于計算缺陷尺寸的表示缺陷尺寸和放電大小的關(guān)系的缺陷尺寸數(shù)據(jù)庫。進而，還具有危險度評價所必須的過電壓破壞數(shù)據(jù)庫、長時間破壞數(shù)據(jù)庫，使用這些數(shù)據(jù)庫則可高精度地診斷氣體絕緣設(shè)備的狀態(tài)。
另外，在對局部放電電磁波進行頻率分析并計算信號強度時，受到所測定的頻帶及金屬容器(罐)尺寸的影響。因此，換算為作為基準的頻率和罐尺寸并計算信號強度。這樣，由于能正確地推斷異物尺寸，因而能正確地掌握氣體絕緣設(shè)備的異常狀態(tài)，可以進行高可靠性的維修。
本發(fā)明具有的明顯效果是可以正確地實施對氣體絕緣設(shè)備的絕緣異常狀態(tài)的診斷，進而可以根據(jù)所得到的危險度來進行對維修的指導。即，可以從現(xiàn)在進行的那種定期檢修的維修進一步發(fā)展到當檢測到局部放電、危險級別達到一定值以上時才進行檢修。因此，可以大幅度地減少維修費用。


圖1是本發(fā)明的一個實施例的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是局部放電(電磁波)的波形圖。
圖3是局部放電電磁波的頻率分析的波形圖。
圖4是表示所檢測到的二個局部放電信號的產(chǎn)生場所和信號強度的特性圖。
圖5是放電電荷量與信號強度的關(guān)系的特性圖。
圖6是使用了信號切換器的診斷系統(tǒng)的部分結(jié)構(gòu)圖。
圖7是突起長度不同時的導體表面電場強度與信號強度的關(guān)系的特性圖。
圖8是突起長度不同時的電場不均勻度與信號強度的關(guān)系的特性圖。
圖9是突起長度不同時的導體表面電場強度—電場不均勻度—信號強度的特性圖。
圖10是缺陷尺寸的推斷處理的流程圖。
圖11是突起的主體的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫的結(jié)構(gòu)圖。
圖12是突起的主體的位置標定數(shù)據(jù)庫的結(jié)構(gòu)圖。
圖13是突起的主體的缺陷尺寸數(shù)據(jù)庫的結(jié)構(gòu)圖。
圖14是雷擊和交流過電壓的破壞電壓與缺陷尺寸的關(guān)系的特性圖。
圖15是產(chǎn)生雷擊沖擊電壓的發(fā)生概率的分布圖。
圖16是產(chǎn)生斷路器浪涌電壓的發(fā)生概率的分布圖。
圖17是各種缺陷的因長時間施加電壓引起的絕緣破壞電壓的特性圖。
圖18是破壞可能性的計算處理的流程圖。
圖19是表示診斷結(jié)果的顯示例子的說明圖。
圖20是表示對于危險度的指導例子的說明圖。
圖21是沿襯墊表面附著異物的異物長度不同的情況下的沿襯墊表面方向電場與信號強度的關(guān)系的特性圖。
圖22是游離異物的異物長度不同時的罐底面電場強度與信號強度的關(guān)系的特性圖。
圖23是沿襯墊表面附著異物的情況下的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫的結(jié)構(gòu)圖。
圖24是表示相對于各種缺陷的放電特征和指導例子的說明圖。
圖25是局部放電脈沖的頻率特性圖。
圖26是根據(jù)所測定的頻率特性來換算信號強度的模式圖。
圖27是根據(jù)所測定的頻率特性來換算信號強度的另一個例子的模式圖。
圖28是表示噪音衰減時的頻率標志的特性圖。
圖29是使用了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的突起長度推斷的模式圖。
圖30是氣體絕緣開關(guān)裝置和簡要的局部放電診斷系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
圖31是表示從突起的局部放電的模式圖。
圖32是表示從沿襯墊表面附著異物的局部放電的模式圖。
圖33是氣體絕緣開關(guān)裝置和移動式局部放電診斷系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。
實施例1圖30表示在氣體絕緣開關(guān)裝置中使用了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖，表示了可進行經(jīng)常監(jiān)視的系統(tǒng)構(gòu)成。氣體絕緣開關(guān)裝置是將斷路開關(guān)55、斷路器54、接地開關(guān)53、母線57、避雷器58、變流器52、變壓器56容納在具有接地電位的金屬容器內(nèi)，并將絕緣性能和斷路性能優(yōu)良的SF6氣體封裝其中的裝置。
電力從架空電線或電力電纜通過絕緣套管51或電纜終端盒引入設(shè)備內(nèi)，并對支撐在金屬容器內(nèi)部的襯墊上的母線57、斷路器54、斷路開關(guān)55供電。在電力引入處的絕緣套管51附近安裝有用于抑制雷擊等的過電壓的避雷器58，還在適當?shù)奈恢迷O(shè)有測定電壓的變壓器56和測定電流的變流器52。
當在這樣的氣體絕緣設(shè)備內(nèi)部存在絕緣異常時，由于導致短路事故，因而防止短路事故成為重要的任務(wù)。特別是由于氣體絕緣設(shè)備做成具有接地電位的金屬容器，雖然做成具有從外部防止電擊的安全結(jié)構(gòu)，但由于是密閉結(jié)構(gòu)故而有必要從外部監(jiān)視內(nèi)部的異常。
圖30中，利用設(shè)置在金屬容器內(nèi)部的檢測器5檢測設(shè)備內(nèi)部的異常信號，檢測到的信號通過同軸電纜傳輸?shù)脚渲迷跈z測器附近的頻率分析部(檢測單元)11。由頻率分析部11進行了頻率分析的信號利用E/O變換器61變換成光信號，并利用光纜通過設(shè)置于監(jiān)視室等的O/E變換器62連接在監(jiān)視單元60上。監(jiān)視單元60根據(jù)多個檢測器檢測到的信號信息進行局部放電發(fā)生場所的確定、缺陷種類的判斷并對絕緣破壞的危險性進行評價。
圖30是在處于經(jīng)常監(jiān)視的情況下，做成將檢測單元配置在氣體絕緣設(shè)備附近，將監(jiān)視單元配置在監(jiān)視室中的結(jié)構(gòu)。雖然在功能上是相同的，但也可以做成將檢測單元和監(jiān)視單元布置在一起以便搬運的移動式裝置使用。
圖33表示使用了移動式局部放電診斷系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。在使用移動式局部放電診斷系統(tǒng)63時，利用電纜同時連接配置在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)部的檢測器的信號端子和移動式裝置進行使用，且與配置在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)部的各檢測器連接并測定來自檢測器的信號。另外，即使沒有配置在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)部，通過將外部檢測用的檢測器安裝在襯墊或絕緣套筒等電磁波信號泄漏部分，也可以進行同樣的測定。
圖1表示在氣體絕緣開關(guān)裝置的母線部分中采用了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖。本氣體絕緣開關(guān)裝置的診斷系統(tǒng)在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)設(shè)有檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號的多個檢測器5，和對所檢測到的局部放電信號進行頻率分析的頻率分析部11。另外，還設(shè)有根據(jù)由頻率分析得到的分析波形或者與對氣體絕緣設(shè)備所加的電壓頻率同步的局部放電的電壓相位來推斷異物的缺陷種類的缺陷判斷部12，和根據(jù)多個檢測器的局部放電信號推斷缺陷位置和信號強度的位置標定部13。進而，還設(shè)有對所推斷的每種缺陷使用信號強度和異物的缺陷位置的電場分布以推斷缺陷尺寸的缺陷尺寸運算部14。下面，對各部分進行詳細的說明。
在圓筒狀的金屬容器(罐)1中，利用絕緣襯墊等絕緣物來支撐高電壓(中心)導體2，并將SF6氣體等絕緣氣體封裝到金屬容器1內(nèi)。圖1表示異物31是附著于高電壓導體2上的“突起”的例子，從異物31的前端產(chǎn)生的局部放電輻射電磁波。
除圖1所示的突起以外，還存在附著于襯墊上的沿襯墊表面附著的異物、在金屬容器1內(nèi)因靜電勢而自由運動的浮游異物、在襯墊內(nèi)存在的空隙、襯墊與金屬電極的剝離或襯墊裂紋、屏蔽罩與螺栓等金屬物接觸不良形成的浮動電極等。這些不同種類的缺陷產(chǎn)生與突起的場合同樣的局部放電，且輻射源于那些局部放電的電磁波。所輻射的電磁波在金屬容器內(nèi)傳輸，并利用設(shè)置在金屬容器的手操作孔部分3中的檢測器5進行檢測。
圖2表示用檢測器檢測出的檢測信號的波形。圖2(a)是用圖1的檢測器5a檢測出的波形，圖2(b)是用檢測器5b檢測出的波形。SF6氣體中所產(chǎn)生的局部放電的電流波形是前沿非常陡峭的1ns(納秒)以下的脈沖波形，由此產(chǎn)生的電磁波信號也具有直到數(shù)GHz的高頻區(qū)域。
利用電磁波的檢測方法是檢測其頻率范圍為數(shù)百MHz-數(shù)GHz的信號的方法，采用這種方法可以避免檢測主要在數(shù)百MHz以下的頻帶所使用的稱為廣播波及通信波的影響很大的噪聲信號，及在數(shù)百MHz以下發(fā)生的氣體中的電暈放電。檢測器(天線)5具有可檢測這些數(shù)百MHz-數(shù)GHz的高頻信號這樣的檢測特性，并檢測以如圖2所示的振動波形(橫軸為時間，縱軸為電壓)36的信號。
所檢測出的信號通過同軸電纜等傳輸高頻信號的高頻電纜傳輸?shù)筋l率分析部11。頻率分析部11做成可利用頻率濾波器、頻率調(diào)制或超外差方式等進行不同頻率信號強度分析的結(jié)構(gòu)。另外，頻率分析部11即使不用頻率分析部的硬件，也可以用軟件通過對圖2的局部放電波形進行傅利葉變換以計算出不同頻率的信號強度。
圖3表示利用頻率分析部檢測出的信號波形。圖3(a)、圖3(b)是500MHz-1500MHz頻帶的信號強度的頻率特性，是將圖2(a)、圖2(b)的信號分別進行頻率分析的結(jié)果。另外，圖3的虛線是在沒有局部放電信號情況下的信號輸出(背景噪聲信號)，當出現(xiàn)了超過該背景噪聲信號的信號時就可以認為發(fā)生了局部發(fā)電。
圖3雖然是利用頻率分析部計算出各頻帶的信號強度，但例如即使不是不同頻率的信號強度，即使使用通過500MHz-1500MHz的帶通濾波器所得到的信號強度，也可以得到同樣的結(jié)果。另外，本實施例中所述的500MHz-1500MHz的頻帶不意味著對頻率的限定，只要是在數(shù)MHz-數(shù)GHz的頻率范圍內(nèi)都可以進行同樣的處理。
再有，圖1中雖具有與多個檢測器分別對應(yīng)的多個頻率分析部，但也可以用一個頻率分析部。圖6表示用一個頻率分析部的結(jié)構(gòu)。如圖所示，通過采用信號切換部41將來自多個檢測器的信號進行切換就可以用一個頻率分析部11來進行頻率分析。
圖1的缺陷種類判斷部12根據(jù)頻率分析部11的頻率分析波形的結(jié)果或者與施加在絕緣設(shè)備上的市電頻率同步的局部放電的電壓相位圖案來進行缺陷種類的判斷。
在前一種情況下，預(yù)先設(shè)定事先測定了的外部噪聲的頻帶，當在該頻帶檢測到信號的情況下，則判定為在氣體絕緣設(shè)備外部產(chǎn)生的噪聲信號。此外，在設(shè)備內(nèi)部的局部放電信號的情況下，則可利用在多個頻帶中產(chǎn)生信號來確認有無內(nèi)部局部放電。
在后一種情況下，局部放電的大小依賴于所施加的市電頻率的瞬時電壓來決定相位圖。例如，缺陷種類為突起時，在所施加的交流電壓的峰值附近產(chǎn)生信號。缺陷種類為沿襯墊表面的異物時，則具有相位從零點到峰值附近分布這樣的相位圖案。
利用這樣的缺陷種類的特征圖案，事先對各種缺陷種類的相位圖案進行測定，將其作為教師數(shù)據(jù)記錄在缺陷種類數(shù)據(jù)庫中，使用圖案匹配的方法將記錄數(shù)據(jù)和所測定的相位圖案進行比較，以推斷最相近的缺陷種類。在上述的專利文獻3中，作為根據(jù)所檢測到的信號判斷缺陷種類的圖案匹配方法使用了利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推斷的方法。
作為判斷缺陷種類的方法，也可以通過采用選取相位圖案的特征量進行圖案識別的方法或者采用模糊系統(tǒng)及子波變換來判斷缺陷種類。
圖1的位置標定部13在用二個檢測器5a、5b檢測到信號的情況下，使用500MHz-1500MHz的信號強度的最大值，且使用距離及襯墊等結(jié)構(gòu)物的衰減率來計算放電位置。由于產(chǎn)生局部放電的場所和檢測局部放電的檢測器5遠離，因而，實際上信號從產(chǎn)生局部放電的場所起發(fā)生衰減后由檢測器5予以檢測。但是，由于信號衰減的斜度(梯度)是一定的，因而，通過對由檢測器5檢測到的信號進行反推算，則可確定產(chǎn)生局部放電的位置和在產(chǎn)生位置的局部放電的大小。
圖4表示根據(jù)二個檢測器的信號來評估產(chǎn)生局部放電的位置和在產(chǎn)生位置的局部放電的大小的機理。使用由檢測器a檢測到的信號的最大值Ha和由檢測器b檢測到的信號的最大值Hb。當從由檢測器a檢測到的Ha的信號強度起向檢測器b引出考慮了信號衰減(梯度)的線，同樣地對于檢測器b也向檢測器a引出考慮了信號衰減(梯度)的線時，其交點則表示信號發(fā)生位置。另外，表示其信號發(fā)生位置的交點的信號強度Hr則表示由于實際的放電而產(chǎn)生的放電部的信號強度。
即，由于所檢測到的信號通過在金屬容器內(nèi)傳輸而衰減，因而，將由檢測器5檢測到的信號強度Ha、Hb以原狀作為放電大小是錯誤的，通過求得在被標定位置的產(chǎn)生信號位置的信號強度Hr便可知道實際的放電大小。雖然提出了根據(jù)二個檢測器的到達時間差標定位置的方法，但若僅使用該方法只能標定放電的產(chǎn)生位置，而不能知道放電的大小。通過在用到達時間差標定位置后考慮到標定位置和傳輸過程中產(chǎn)生的衰減，則可如圖4所示計算放電大小(信號強度Hr)。
圖4中雖僅處理了信號相對于距離的衰減，但由于在襯墊及斷路開關(guān)、斷路器、母線的分支等各種結(jié)構(gòu)物中也存在特有的信號衰減，因而，可通過考慮這些信號衰減量來計算出局部放電的產(chǎn)生位置和局部放電的大小。
圖5表示由頻率分析部分析得到的信號強度和放電電荷量的關(guān)系。放電電荷量Q(pC)和信號強度X(dB)的關(guān)系，可用(1)式表示(C為常數(shù))。
X＝20logQ+C(1)因此，放電的大小雖可以使用放電電荷量(pC)或由頻率分析部11分析得到的信號強度X的任何一個，但如上所述，放電大小必須使用實際計算出的在放電產(chǎn)生位置的放電大小另外，圖1雖是使用了二個檢測器5a、5b的情況，但實際上也存在使用靈敏度不同的檢測器的情況。例如，使用配置在罐內(nèi)部的檢測器和檢測由襯墊泄漏的信號的檢測器的情況。由于各個檢測器的靈敏度不同，因而，不使用所檢測到的原有的信號強度，而是在其上加上檢測靈敏度的靈敏度差作為由檢測器檢測到的信號強度處理。
下面，對由圖1所示的缺陷尺寸運算部推斷異物長度的推斷方法進行說明。在上述的專利文獻5中，關(guān)于異物長度的推斷，做成可以根據(jù)氣體絕緣設(shè)備的施加電壓和放電電荷量的關(guān)系來對異物的長度進行推斷。然而，作為放電大小的放電電荷量并不依賴于施加電壓，而依賴于存在異物的位置的電場分布。即，即使知道了放電電荷量和施加電壓，只要不知道電場分布，也無法推斷異物的長度。如果進行了推斷，則計算得到的異物長度也是錯誤的。
圖31表示從中心導體的突起產(chǎn)生的局部放電和電場分布的模式圖。圖31(a)和圖31(b)是在相同直徑的罐中，在中心導體2a、2b的直徑不同的情況下具有相同長度的突起31a、31b的情況。虛線表示用于表示電場分布的等電位線，由圖可知，由于電場分布不同，則局部放電71a、71b的大小大不相同。即，當表示電場分布的參數(shù)使用不當時，即便是如圖所示的相同尺寸的缺陷31a、31b，局部放電的大小(放電電荷量)也大不相同。相反，即使已知放電大小(放電電荷量)，只要不知道電場分布，就不能推斷出缺陷的尺寸。
根據(jù)以上見解，本發(fā)明使用作為放電大小的放電電荷量和存在異物的位置的電場分布來計算出異物(突起)的長度。缺陷尺寸運算部14使用由缺陷種類判斷部12得到的缺陷種類和由位置標定部13得到的缺陷位置及缺陷產(chǎn)生源的放電大小(信號強度)計算出缺陷尺寸(缺陷的大小，異物的長度)。
具體的是，根據(jù)由位置標定部求得的異物存在位置的結(jié)構(gòu)圖進行電場分析，計算出電場強度或不均勻度。另外，在裝入系統(tǒng)中的情況下，則預(yù)先進行電場分析，將各種位置的分析結(jié)果作為數(shù)據(jù)庫裝入系統(tǒng)中。
圖7表示在電場不均勻度一定的情況下，異物長度(突起長度)不同時的中心導體表面的電場強度和信號強度的關(guān)系。中心導體表面電場強度表示在突起存在位置的電場強度，在突起位于罐一側(cè)的情況下，表示突起位于罐底面上的電場強度。在此，由于電場不均勻度是一定的，因而，只要知道突起存在的電場強度和局部放電的信號強度(放電電荷量)就可以推斷突起長度。例如，在中心導體表面電場強度為Ea2、信號強度為Xa2的情況下，可以推斷突起長度為L2。
然而，圖7是表示突起存在的部分的電場不均勻度為一定的情況，當電場不均勻度不同時，則突起長度的值也不同。電場不均勻度是用平均電場去除該場所的電場的最大值所得到的值并用(2)式表示，形狀越是復(fù)雜則電場不均勻度越大。
電場不均勻度＝最大電場/平均電場 (2)圖8表示在電場強度一定的情況下異物長度不同時的電場不均勻度和信號強度的關(guān)系。如圖中所表明的，只要突起存在的電場強度是一定的，則可根據(jù)電場不均勻度和信號強度的關(guān)系推斷突起長度。即，電場不均勻度為ξb3、信號強度為Xb3時，突起長度可推斷為L3。
但是，圖7是電場不均勻度為一定的情況，圖8為導體表面電場強度為一定的情況，實際上當導體表面電場強度和電場不均勻度兩者都不知道時，無法推斷突起長度。
圖9表示突起長度不同情況下的導體表面電場強度和電場不均勻度及信號強度的關(guān)系。圖示的曲面表示與突起長度L1、L2、L3對應(yīng)的特性。通過使用該特性，由于知道了由放電源產(chǎn)生的信號強度和突起存在的導體表面電場強度和電場不均勻度，便可推斷突起長度。
圖10是表示缺陷種類為突起這種情況的缺陷尺寸的推斷順序的流程圖。該圖是缺陷種類判斷部12的判斷結(jié)果為突起時的流程圖。當判斷為突起時，則從突起用的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(結(jié)構(gòu)DB)24取出標定位置的導體表面電場強度E和電場不均勻度ξ。
圖11表示結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。圖中表示的是氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部分的例子，罐直徑大的部分1b是斷路器，兩側(cè)的部分1a、1c是母線的情況。結(jié)構(gòu)DB24通過在數(shù)據(jù)庫24中具有各位置的導體表面電場強度Ea和電場不均勻度ξa，從而可以根據(jù)位置標定取出所必須的導體表面電場強度和電場不均勻度。
圖12表示標定數(shù)據(jù)庫(標定DB)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。放電源產(chǎn)生的信號強度可通過使用標定DB23計算出。當位置標定處已知時，根據(jù)標定DB23的各位置的來自檢測器的衰減量(例如來自檢測器a的衰減量Ga1)，便可求得該位置的局部放電的信號強度(Hr1)。
根據(jù)這樣得到的突起的缺陷種類、標定位置的導體表面電場和電場不均勻度及局部放電的信號強度可以推斷缺陷尺寸。雖然從標定位置考慮不是單值地決定，但就安全方面(危險度高的方面)而言，為了推斷缺陷尺寸，根據(jù)可作為標定位置的導體表面電場和電場不均勻度計算缺陷尺寸的值采用其最大值。
具體的是，如圖10的流程圖所示，描述了表示在導體表面電場強度—電場不均勻度—信號強度特性(圖9)中所測定的信號強度和推斷為存在缺陷位置的電場強度和電場不均勻度的位置的測定點。如果所描述的測定點位于存在有突起長度的曲面(突起長度面)上，則推斷為與該突起長度面對應(yīng)的突起長度。在測定點不位于存在的突起長度面上時，就選擇存在于該測定點的上下的二個突起長度的曲面(突起長度面)，將所描述的測定點內(nèi)插(例如線性內(nèi)插)于所選擇的兩個突起長度面之間，重新推斷能存在測定點的突起長度面。這樣，便可以正確地推斷出突起長度。
缺陷尺寸數(shù)據(jù)庫是將圖9的特性予以數(shù)據(jù)庫化(缺陷尺寸DB25)的結(jié)果，圖13表示缺陷尺寸DB的結(jié)構(gòu)。即，對于一個缺陷長度L，具有相應(yīng)的導體表面電場強度E—電場不均勻度ξ—信號強度X的數(shù)值數(shù)據(jù)，基于此制作出圖9的曲面。利用這樣的缺陷尺寸DB25則能有效地求得突起長度。
這樣，根據(jù)本實施例，在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)，在檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號以診斷氣體絕緣設(shè)備的異常狀態(tài)時，使用根據(jù)所檢測到的局部放電信號的信號強度、上述氣體絕緣設(shè)備的結(jié)構(gòu)尺寸導出的缺陷位置的電場強度及電場不均勻度便可推斷缺陷尺寸。
另外，通過利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學習圖9所示的缺陷尺寸的數(shù)據(jù)庫25也可以推斷突起長度。圖29表示由神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的突起長度計算機構(gòu)。在輸入層輸入導體表面電場強度E、電場不均勻度ξ和信號強度X，通過將輸出層作為突起長度L，沒有進行上述的內(nèi)插，也能從輸出層導出突起長度。
在缺陷尺寸運算部14計算出突起長度的情況下，在危險度評價部16計算出破壞可能性。在評價危險度時，則評價以運行電壓運行有多大的危險性，或者當出現(xiàn)過電壓時有多大的危險性。對于過電壓，可以列舉斷路器浪涌、雷電沖擊、開關(guān)浪涌、單線短路時的瞬時過電壓、斷路器開關(guān)時的殘余直流電壓等。
圖14表示雷電沖擊和市電頻率的破壞電壓特性。在所推斷的突起長度為L的情況下，雷電沖擊的破壞電壓為VLI，市電頻率的破壞電壓為VAC。就現(xiàn)行的運行電壓(例如對于550KV的氣體絕緣開關(guān)設(shè)備—GIS，對地電壓為318KV)而言，可以以概率推測位于破壞電壓的幾％的位置；對于單線短路時的瞬時過電壓的最大值(對于550KV的GIS，為476KV(＝318KV×1.5倍))可以以概率推測具有幾％的危險性。
關(guān)于雷電沖擊，當加上耐雷電脈沖電壓(LIWV)的情況下(對于550KV的GIS，為1425KV)，可以計算出超過破壞電壓VLI的幾％，或者即使未超過也可以計算出處于破壞電壓的幾％的位置。
另外，不是以破壞電壓的幾％的位置來評價危險度，而可以使用所發(fā)生的過電壓的發(fā)生概率分布以概率求出危險度。圖15表示雷電沖擊發(fā)生的概率，圖16表示斷路器浪涌的發(fā)生概率。
只要知道了該變電站的雷擊發(fā)生次數(shù)及該氣體絕緣設(shè)備的斷路器的動作次數(shù)，通過對發(fā)生概況進行積分，就可以算出破壞可能性的概率。例如550KV變電站的雷擊發(fā)生次數(shù)為10次/年，若利用缺陷尺寸運算部算出的L(mm)的雷電沖擊電壓為VLI(KV)，則圖15中可以算出VLI(KV)以上的雷擊發(fā)生概率為0.1％。結(jié)果，1年中破壞的可能性則為1％。這樣，將各種過電壓的破壞可能性合計起來就可以算出作為對過電壓的破壞可能性。
另一方面，在評價運行電壓中的破壞危險性時，運行時間與運行電壓一樣重要。圖17表示長時間運行時的破壞電壓與運行時間(長度時間V-t)特性。此處，作為不同的缺陷種類表示了空隙、沿襯墊表面附著異物及突起的情況，將施加時間(運行時間)為零時的破壞電壓作為標準值Vo。圖中的線則以(3)式表示。
V＝Vo×t-1/n(3)此處，Vo為t＝0時的破壞電壓值，n為對于不同缺陷種類的固有常數(shù)，對于空隙其值取6-8，對于沿襯墊表面附著異物取20-50，對于突起取50-150。評估破壞可能性時，例如缺陷種類為空隙、運行電壓為Va時，若設(shè)破壞電壓值和運行電壓之比為破壞可能性，則可算出t＝0時的破壞可能性為Va/Vo。t＝t1時的破壞可能性算出為Va/(Vo×t1-1/n)。另外，若使用圖17也可以推斷直到破壞的時間，缺陷種類為空隙、運行電壓為Va的情況下，可以預(yù)測從開始運行在時間Ta后將達到絕緣破壞。
另外，對于缺陷為空隙及沿襯墊表面附著異物的情況，也有經(jīng)過一定時間后相位圖案變化的情況。即，通過判斷如圖17所示的長時間V-t特性中破壞可能性上升了的時刻和相位圖案這兩者的變化，則可作為更明確的危險度評價的判斷基準。
圖18是由危險度評價部進行破壞可能性評價的流程圖。即，根據(jù)缺陷種類算出加上過電壓時的破壞可能性(破壞概率)的同時，算出相對于以市電頻率運行電壓的運行時間的破壞可能性(破壞概率)，兩者的合計則為總的破壞可能性(破壞概率)。
通過算出這樣的破壞可能性，就可以設(shè)定并運用危險度評價的設(shè)定值。例如，作為設(shè)定值設(shè)定破壞可能性的合計為10％/年。在破壞可能性超過設(shè)定值之前，即使發(fā)生了局部放電，也不必停止運行、進行檢修或修理，而可以進行有效的保養(yǎng)。另外，這個設(shè)定值對于考慮事故發(fā)生時的經(jīng)濟損失使其不超過保養(yǎng)費用和運行費用的總和以決定最佳值也是有效的。
在圖1的診斷結(jié)果顯示部18中，根據(jù)由危險度評價部16得到的破壞可能性，顯示危險度的表示及保養(yǎng)指導。圖19表示顯示的例子。在這個例子中顯示了缺陷種類、缺陷位置、放電大小以及危險度的表示和保養(yǎng)指導。在此，危險度級別是以5級表示的3級，且指導必須在一個月內(nèi)進行檢修，并繼續(xù)進行趨向監(jiān)視。
圖20表示對危險度的指導例子。在危險度以5級表示時的各指導中，可以對氣體絕緣設(shè)備進行保養(yǎng)。
如上所述，利用本實施例的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)，可以正確地實施對氣體絕緣設(shè)備的絕緣異常的狀態(tài)診斷，可以根據(jù)所得到的危險度進行對保養(yǎng)的指導。
實施例2實施例1對缺陷種類為突起的例子進行了說明。下面，對用不同的方法算出其它缺陷種類場合的缺陷尺寸進行說明。
作為氣體絕緣設(shè)備的典型的缺陷種類有附著于襯墊上的異物。這是在圖30中用于支撐中心導體的襯墊上混入了附著的金屬異物的情況。
圖32表示附著于襯墊上的沿襯墊表面附著異物的例子。在有沿襯墊6的表面附著異物31的情況下，則利用配置在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)部的檢測器檢測所產(chǎn)生的局部放電71的電磁波。如圖所示，從沿襯墊6的表面附著異物31的端部產(chǎn)生局部放電71。
所產(chǎn)生的局部放電71的放電沿著襯墊的表面進行。即，在評價從沿襯墊表面附著異物31產(chǎn)生的局部放電71的信號強度(放電電荷量)時，必須考慮沿襯墊表面方向的電場分布。
圖21表示使沿襯墊表面附著異物的異物長度變化時的沿襯墊表面電場成分和信號強度的特性。在沿襯墊表面附著異物31的情況下，如圖所示，由于決定了沿襯墊表面方向電場和信號強度的關(guān)系，因而，可根據(jù)例如沿襯墊表面的最大電場強度En和局部放電的信號強度Xn推測出異物長度是L3和L4中間的異物長度。在推測出異物長度后，則可與實施例1同樣地算出破壞可能性。
圖23表示結(jié)構(gòu)DB的一個例子。如圖所示，對于位于氣體絕緣設(shè)備中的各襯墊4a-4d，通過具有作為結(jié)構(gòu)DB24的沿襯墊表面的最大電場強度的數(shù)據(jù)，可以很容易地進行尺寸評價。
圖22表示浮游異物場合的罐底面電場強度和信號強度的特性。在罐內(nèi)存在因靜電場而自由運動的異物(浮游異物)。浮游異物的情況由異物長度決定了罐底面電場強度和信號強度的關(guān)系。如圖22所示，罐底面電場強度為Em、局部放電的信號強度為Xm的情況下，可以推斷異物長度為L3。
除上述以外的缺陷種類的情況下，不必一定要推斷缺陷尺寸。圖24表示其它缺陷種類的局部放電特性的特征和保養(yǎng)指導。這些缺陷是設(shè)備性能的惡化，如果檢測出來，多為需要經(jīng)常監(jiān)視或定期監(jiān)視的情況。
實施例3在實施例1和實施例2中推斷缺陷尺寸時，通過對所檢測到的信號進行頻率分析，使用500MHz-1500MHz頻帶的信號強度的最大值(圖3)，從而算出實際的放電大小。然而，并未考慮500MHz-1500MHz頻帶中被檢測出的頻率。如上所述，由于局部放電脈沖前沿時間為ns(納秒)極為陡峭，具有直到高頻帶的信號成分。
圖25表示局部放電信號的頻率特性。500MHz-1500MHz的頻率特性具有低頻段大小的強度。該曲線對頻率f的關(guān)系如(4)式表示(C為常數(shù))。
Y＝-20×log(f)+C (4)即，由于頻帶不同，即使是同樣的放電，其信號強度也改變。因而，為了進行高精度的診斷，即使對所檢測到的頻率也必須考慮。例如，為了考慮所使用的頻帶，將其換算成例如500MHz的信號強度來計算放電的信號強度。
圖26和圖27表示頻率分析波形的換算方法，虛線表示頻率特性35。由于圖26的例子是在從500MHz到1500MHz的整個范圍內(nèi)都檢測到信號，因此，500MHz-1500MHz的峰值Ha和換算成500MHz的值Ha’沒有多大差別。
另一方面，圖27的例子中，由于低頻帶的信號比高頻帶小，Ha和Ha’的差異較大，因而，為了進行正確的診斷，必須換算成Ha’使用。這是因為，金屬容器內(nèi)的電磁波在傳輸時由于內(nèi)部的設(shè)備和金屬容器的結(jié)構(gòu)，低頻帶的信號的衰減比通常傳輸?shù)乃p量更大。但是，由于高頻帶可以認為是通常的傳輸，所以通過利用(4)式將高頻帶的峰值換算成500MHz的信號強度，則可用于高精度的診斷。在此，雖是以500MHz的頻率為基準敘述的，但作為基準的頻率不必特別限定為500MHz。
另外，當存在噪聲信號時，必須預(yù)先測定噪聲所產(chǎn)生的頻帶，未檢測到該頻帶或者即使檢測到也不必在軟件中考慮。
圖28是表示產(chǎn)生了噪聲的頻帶的頻率分析波形。噪聲是以斜線部分表示的部分，該部分作為禁區(qū)而不予考慮。如上所述，當換算為500MHz的信號強度時，如圖所示，將噪聲的禁區(qū)36除外算出換算值。
進而，詳細推斷缺陷尺寸時，必須考慮氣體絕緣設(shè)備的金屬容器的大小(罐尺寸)對頻率特性的影響。由于金屬容器的大小隨著氣體絕緣設(shè)備的電壓高低而變化，因而，即使在相同條件的情況下，若將罐尺寸增大，則放電的信號強度也變化。罐尺寸和放電的信號強度X的關(guān)系當設(shè)罐半徑為r時，可以用(5)式表示。
X∝1/r (5)但是，(5)式對于突起、沿襯墊表面附著異物及空隙之類放電與金屬容器及高電壓導體無關(guān)系的缺陷是成立的，而對于浮游異物及浮動電極之類異物和金屬容器間等的電極間的放電則不成立。
缺陷種類判斷部12判斷的結(jié)果當缺陷種類為突起、沿襯墊表面附著異物及空隙時，可采用(5)或?qū)⒐蕹叽缱儞Q成基準罐的尺寸。然后，在缺陷尺寸運算部14中推斷缺陷尺寸時，對于由位置標定部算出的信號強度(放電大小)再變換成根據(jù)(5)式的關(guān)系確定的基準尺寸的信號強度后使用。
權(quán)利要求
1.一種氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號并診斷氣體絕緣設(shè)備異常狀態(tài)的診斷方法中，其特征在于使用根據(jù)所檢測到的局部放電信號的信號強度、上述氣體絕緣設(shè)備的結(jié)構(gòu)尺寸導出的異物存在的位置的電場分布來推斷缺陷尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于上述異物存在位置的電場分布，當異物為突起時，其為導體表面電場強度；當異物為沿襯墊表面附著的異物時，其為沿襯墊表面方向的電場成分的電場強度；當異物為浮游異物時，其為罐底面電場的電場強度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于當上述異物為突起時，上述異物存在位置的電場分布使用電場強度及電場不均勻度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于利用所檢測的多個局部放電信號標定缺陷位置，使用該缺陷位置和上述局部放電信號的檢測器之間的信號衰減量，算出上述異物位置的作為放電大小的信號強度。
5.一種氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號并診斷氣體絕緣設(shè)備異常狀態(tài)的診斷方法中，其特征在于對所檢測到的局部放電信號進行頻率分析，根據(jù)由這種頻率分析所得到的分析波形或與對氣體絕緣設(shè)備所施加的頻率同步的局部放電的電壓相位分布來推斷異物的缺陷種類；并根據(jù)多個上述局部放電信號來推斷缺陷位置和信號強度；對每種所診斷的缺陷種類，使用上述信號強度和上述缺陷位置的電場分布來推斷缺陷尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于將上述分析波形中的頻率成分的最大值換算成預(yù)定的基準頻率的信號強度并作為局部放電信號的信號強度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于根據(jù)預(yù)先按照缺陷種類確定的缺陷位置和導體表面電場強度及電場不均勻度的關(guān)系求得上述缺陷位置的電場分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于根據(jù)所推斷的缺陷尺寸和所設(shè)想的雷電沖擊、斷路器浪涌、開關(guān)浪涌及單線短路故障時的過電壓的大小及其產(chǎn)生概率算出破壞概率，并將所有這些的合計作為氣體絕緣設(shè)備的破壞概率算出破壞的危險度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷方法，其特征在于根據(jù)所推斷的缺陷種類和缺陷尺寸在長時間運行時的絕緣破壞特性，推斷破壞的危險度和破壞時間。
10.一種氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)，在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)設(shè)置了檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號的多個檢測器的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)中，其特征在于，具有對所檢測到的局部放電信號進行頻率分析的頻率分析部；根據(jù)由該頻率分析得到的分析波形或與對氣體絕緣設(shè)備所施加的頻率同步的局部放電的電壓相位來推斷異物的缺陷種類的缺陷種類判斷部；根據(jù)多個檢測器的上述局部放電信號來推斷缺陷位置和信號強度的位置標定部；對每個所推斷的缺陷種類，使用上述信號強度和上述缺陷位置的電場分布以推斷缺陷尺寸的缺陷尺寸運算部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)，其特征在于，具有根據(jù)由上述缺陷尺寸運算部所推斷的缺陷尺寸來求出危險度的危險度評價部，和顯示這些危險度的診斷結(jié)果及保養(yǎng)指導的診斷結(jié)果顯示部。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)，其特征在于在上述缺陷種類判斷部判斷異物為突起或沿襯墊表面附著異物的情況下，將上述氣體絕緣設(shè)備的金屬容器的尺寸換算成預(yù)定的基準尺寸，進而換算成上述局部放電信號的信號強度。
全文摘要
本發(fā)明的氣體絕緣設(shè)備的局部放電診斷系統(tǒng)，在氣體絕緣設(shè)備內(nèi)設(shè)有檢測由異物產(chǎn)生的局部放電信號的多個檢測器(5)和對所檢測到的局部放電信號進行頻率分析的頻率分析部(11)。還設(shè)有根據(jù)該分析波形或與對氣體絕緣設(shè)備所施加的頻率同步的局部放電的電壓相位推斷異物的缺陷種類的缺陷種類判斷部(12)，和根據(jù)多個局部放電信號推斷缺陷位置和信號強度的位置標定部(13)。進而，還設(shè)有對每種缺陷種類，使用信號強度和缺陷位置處的電場分布(結(jié)構(gòu)DB24)推斷缺陷尺寸的缺陷尺寸運算部(14)。異物為導體上的突起時，使用表示電場分布的突起部分的電場強度和電場不均勻度，異物為沿襯墊表面附著異物時，使用沿襯墊表面方向的電場強度。另外，根據(jù)缺陷種類和缺陷尺寸進行評價絕緣破壞危險性的危險度評價，診斷由所產(chǎn)生的局部放電對氣體絕緣設(shè)備的絕緣異常的危險度。
文檔編號G01R31/00GK1790041SQ20051013193
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月16日
發(fā)明者加藤達朗, 森山智廣, 遠藤奎將 申請人:日本Ae帕瓦株式會社